ELECTRÓNICA I

TRANSISTOR BJT. PUNTO Q

LABORATORIO
Nombre: Daniel alexander Vasquez Cazon
Número de registro: 2019115093
1. Implemente el circuito empleando Capture del simulador PSpice con los
parámetros proporcionados y el valor calculado de R B en el inciso (a).

2. Elabore el perfil de simulación Bias Point y ejecútelo.

3. Lea los parámetros del punto Q.

4. Repita los puntos anteriores con el valor de R B calculado en el inciso (b).

5. Repita los puntos anteriores con el valor de R B calculado en el inciso (c)

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6. Llene la siguiente tabla

RB [KΩ] IB [μA] VBE [V] IC [mA] VCE [V] βF

(a) 46,11 0,700 8,393 4,804 182,021
180
(b) 29,69 0,688 5,37 6,315 180,868
280
(c) 21,9 0,679 3,912 7,044 178,63
380
7. Trace la recta de carga de salida y en ella ubique los tres puntos Q
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 ELECTRÓNICA I

Simulación A

Simulación B
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Simulación C

8. Conclusiones
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El punto Q de un transistor, además de otros factores, depende de la resistencia de base, siendo

esta directamente proporcional al voltaje colector emisor e inversamente proporcional a la
intensidad de colector.