Electrónica I

Víctor Fernando Monrroy Dipp

Laboratorio N2

Daniel Alexander Vasquez Cazon

Santa Cruz – Bolivia

27 de noviembre de 2020
 a) Calcular Rb para que el transistor trabaje en el centro de la RAN (Vce=1/2Vcc)
(Vce=4,5 V ).
b) Calcular Rb para que el punto Q este en la región de saturación Vce ≅ 0,2 V
c) Calcular Rb para que el punto Q este en corte (Vce ≅ 0 ,9 Vcc=8,1 V )

Circuito

R C
500

Vcc R B

9V .
Q 1
0

Q 2N 2222

Bf =180
Ahora buscamos una expresión que relacione Rb con Vce
Primero analizamos desde Vcc hasta tierra pasando por RB
−Vc c +ib∗Rb+Vbe=0
Despejamos ib
Vcc−Vbe
ib= (1)
Rb
Ahora analizamos desde Vcc hasta tierra pasando por RC
−Vc c +ic∗Rc+Vce=0
Despejamos ic
Vcc−Vce
ic = (2)
Rc
Como
ic=Bf ∗ib
Reemplazamos en (2)
Vcc−Vce
Bf ∗ib=
Rc
Despejamos ib
 Vcc−Vce
ib= (3)
Rc∗Bf
Igualamos (1) y (3)
Vcc−Vce Vcc−Vbe
=
Rc∗Bf Rb
Despejamos Rb
Vcc−Vce 1
=
Rc∗Bf ∗(Vcc−Vbe ) Rb
Y obtenemos la expresión
Rc∗Bf ∗( Vcc−Vbe )
Rb=
Vcc−Vce
a)

V1
9V R 2 9 .0 0 0 V R 1
166K 500

0
4 .4 5 4 V

Q 1

7 0 2 .9 m V Q 2N 2222

0V

Rc∗Bf ∗( Vcc−Vbe )
Rb=
Vcc−1 /2 Vcc
Rc∗Bf ∗( Vcc−Vbe )
Rb=
1 /2 Vcc
500 Ω∗180∗( 9−0,7 ) V
Rb=
1/2(9)V
Rb=166000 Ω
b)
 V1
9V R 2 9 .0 0 0 V R 1
85K 500

0
4 3 9 .5 m V

Q 1

7 2 1 .8 m V Q 2N 2222

0V

Rc∗Bf ∗( Vcc−Vbe )
Rb=
Vcc−0,2 V
500 Ω∗180∗( 9−0,7 ) V
Rb=
9 V −0,2 V
Rb=84886,36 Ω
c)

V1
9V R 2 9 .0 0 0 V R 1
830K 500

0
8 .1 4 9 V

Q 1

6 5 7 .3 m V Q 2N 2222

0V

Rc∗Bf ∗( Vcc−Vbe )
Rb=
Vcc−0,9 Vcc
Rc∗Bf ∗( Vcc−Vbe )
Rb=
0,1Vcc
500 Ω∗180∗( 9−0,7 ) V
Rb=
0,1 ( 9 ) V
Rb=830000 Ω
Conclusiones
Se logro determinar teóricamente el valor de la resistencia de base para que el transistor
se ubique en la mitad de la RAN, se encuentre en corte y saturación, al comparar con la
simulación los resultados muy aproximados.