ENTREGA DE ACTIVIDAD POR PARTE DEL ESTUDIANTE

1. Identificación del curso:

Programa académico: tecnología en mantenimiento de equipos biomédicos

Nombre del curso: aplicaciones eléctricas 2
Número de clase:3an
Temática: Semiconductores de potencia
Objetivo: Identificar los diferentes tipos de semiconductores de potencia y sus aplicaciones
Estrategia didáctica: Trabajo consulta

2. Identificación Estudiante

Nombre Completo: José Montalvo

Código: 95702
Fecha:25/08/2021
Nombre Completo: Julián Cely
Código:99026
Fecha:26/08/2021
Nombre Completo: Valentina Sánchez Morera
Código: 62956
Fecha:26/08/2021

1. Actividades desarrolladas

En esta actividad se identificaron los diferentes tipos de semiconductores de potencia, su símbolo y

aplicaciones, alguno diferentes a los ya vistos en clase.

Desarrollo

 MCT:
El MCT es un tipo de dispositivo semiconductor de potencia que combina las capacidades del voltaje y la corriente del
tiristor con el encendido y apagado sincronizados de MOS. Es un dispositivo robusto de alta potencia, alta frecuencia,
baja conducción y robusto, que es más probable que se use en el futuro para aplicaciones de potencia media y alta.

Principio de funcionamiento:

Como se trata de una estructura NPNP, en vez de la estructura PNPN de un SCR normal, el ánodo sirve como la
terminal de referencia con respecto a la cual se aplican todas las señales de compuerta. Supongamos que el MCT está en
estado de bloqueo directo y se aplica un voltaje negativo VGA. Un canal, p (o una capa de inversión) se forma en el
material dopado n, haciendo que los huecos fluyan lateralmente del emisor p E2 de Q2 (fuente S1 del MOSFET M1 del
canal p) a través del canal p hacia la base p B1 de Ql (que es drenaje D1 del MOSFET M1, del canal p). Este flujo de
huecos forma la corriente de base correspondiente al transistor npn Q1. A continuación e1 emisor n+ E1 de Q1, inyecta
electrones, que son recogidos en la base n B2 (y en el colector n C1) que hace que el emisor p E2 inyecte huecos en la
base n B2, de tal forma que se active el transistor PNP Q2 y engancha al MCT. En breve, un VGA de compuerta
negativa activa al MOSFET M1 canal p, proporcionando así la corriente de base del transistor Q2.

Supongamos que el MCT está en estado de conducción, y se aplica un voltaje positivo VGA. Se forma entonces un
canal n en el material contaminado p, haciendo que fluyan lateralmente electrones de la base n B2 de Q2 (fuente S2 del
MOSFET M2 del canal n) a través del canal n del emisor n+ fuertemente contaminado de Ql (drenaje D2 del MOSFET
M2 del canal n+). Este flujo de electrones desvía la corriente de base del transistor PNP Q2 de tal forma que su unión
base-emisor se desactiva, y ya no habrá huecos disponibles para recolección por la base p B1 de Q1 (y el colector p C2
de Q2). La eliminación de esta corriente de huecos en la base p B1, hace que se desactive el transistor NPN Q1, y el
MCT regresa a su estado de bloqueo. En breve, un pulso positivo de compuerta VGA, desvía la corriente que excita la
base de Ql, desactivando por lo tanto el MCT.

Símbolo

Aplicaciones

El MCT se han utilizado en varias aplicaciones, algunas de las cuales se encuentran en la zona de ac-dc y la conversión
de corriente alterna-alterna, donde la entrada es de 60 Hz de corriente alterna. Funcionamiento variable del factor de
potencia se logró mediante el MCT como una fuerza conmutado de interruptor de alimentación. El circuito de potencia
de un controlador de voltaje de corriente alterna capaz de operar a una de las principales, por detrás, y el factor de
potencia se muestra en la ilustración. Debido aquella frecuencia de conmutación es baja, las pérdidas de
conmutación son insignificantes. Debido a la caída directa es baja, las pérdidas de conducción son también pequeñas.
La MCT también se utiliza en los interruptores.

 SITH

El SITH, llamado también diodo controlado-limitado (FCD), es un dispositivo de portadores minoritarios por lo cual
tiene baja resistencia o baja caída de tensión en sus extremos cuando está activo o conduciendo la corriente. Tiene
grandes velocidades de conmutación de 1 a 6 μs, con capacidades dedv/dt y di/dt elevadas. Se lo puede fabricar para
soportar tensiones elevadas de hasta 2500 V con corrientes de hasta 500 A. Este dispositivo, tiene una alta sensibilidad
al proceso de fabricación y pequeñas perturbaciones en su manufactura, producen grandes cambios en sus
características. Con la llegada de la tecnología de carburo de silicio (Sic) se ha fabricado un SITH con una tensión de
bloqueo directo de 300 V.

Principio de funcionamiento
Se enciende con un pulso de tensión positivo entre compuerta y cátodo. Esto inicia la conducción de corriente en el
diodo PiN(p+nn+), que inyecta electrones del cátodo (n+) a la base “n”, entre la compuerta (p+) y el cátodo (n+), que se
difunden por el canal, modulando su resistividad, haciéndolo más conductor. Cuando estos electrones llegan a la
juntura “J1”, el ánodo (p+), comienza a inyectar huecos en lavase, proporcionando la corriente de base del transistor Q2.
Al aumentar la corriente de base, Q2 pasa a la saturación, haciendo que la juntura “J2” se polarice directamente y
provocando que el SITHse active completamente, toda esta acción, en un periodo muy breve. La compuerta (p+) y la
región del canal, toma la forma de un transistor de efecto de campo de juntura (JFET), proporcionando la corriente de
base del transistor Q1(p+n p+). Debido al alto contenido de dopantes de la compuerta p+, no pasan electrones a la
compuerta. Una parte de la corriente de huecos pasan por la compuerta p+y por el canal directamente al cátodo. El resto
de la corriente de huecos pasa por la compuerta p+ hacia el canal, como corriente de compuerta del JFET en modo
bipolar (BMFET). La corta distancia entre cátodo y compuerta da como resultado una concentración uniforme y grande
de portadores en esa región, haciendo que la caída de tensión sea despreciable. El apagado del SITH, se logra aplicando
a la compuerta un pulso negativo de voltaje. Esto provoca una capa de agotamiento en torno a la compuerta, creando
una barrera de potencial en el canal, que lo hace más angosto, eliminando el exceso de portadores. Si el voltaje,
aplicado a la compuerta, es suficientemente grande, el canal queda desprovisto de portadores de carga, anulando la
corriente entre el ánodo y cátodo, desactivando al SITH.

Símbolo

 LASCR

Símbolo:

Descripción: Dispositivo semiconductor de cuatro capas que opera esencialmente como el SCR normal, solamente que
es activado por medio de energía luminosa que incide sobre una de las junturas PN. Cuando la luz incidente es
suficientemente intensa, el LASCR se dispara y permanece en ese estado, aunque desaparezca esa luz.
Funcionamiento: Este dispositivo se activa mediante radiación directa de luz sobre el disco de silicio. Los pares
electrón-hueco que se crean debido a la radiación producen la corriente de disparo bajo la influencia de un campo
eléctrico. La estructura de compuerta se diseña a fin de proporcionar la suficiente sensibilidad para el disparo, a partir de
fuentes luminosas prácticas (por ejemplo, LED y para cumplir con altas capacidades de di/dt y dv/dt). En un circuito
puede ser reconocido por la simbología que muestra la figura I. Como se observa el mismo cuenta con tres terminales
Puerta (G), Ánodo (A), Cátodo (K) y una ventana transparente por donde entra la luz.
Aplicaciones: Los LASRC se utilizan en aplicaciones de alto voltaje y corriente, por ejemplo, transmisión de cd de alto
voltaje (HVDC) y compensación de potencia reactiva estática o de volt-amperes reactivos (VAR). Un LASCR ofrece
total aislamiento eléctrico entre la fuente de disparo luminoso y el dispositivo de conmutación de un convertidor de
potencia, que flota a un potencial tan alto como unos cuantos cientos de kilovoltios.

Ejemplo:

 Alarmas antirrobo
 Detectores de presencia en puertas y ascensores
 Circuitos de control óptico en general
 Relevadores
 Control de fase
 Control de motores
 Y una variedad de aplicaciones en computadoras.

 TRIAC

Símbolo:

Descripción: es un dispositivo semiconductor, de la familia de los transistores. La diferencia con un tiristor

convencional es que éste es unidireccional y el TRIAC es bidireccional. De forma coloquial podría decirse que el
TRIAC es un interruptor capaz de conmutar la corriente alterna. Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la
disposición que formarían dos SCR en anti paralelo. Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso pierden la
denominación de ánodo y cátodo) y puerta. El disparo del TRIAC se realiza aplicando una corriente al electrodo puerta.

Funcionamiento: es cerrar un contacto entre dos terminales (ánodo 1 y 2) para dejar pasar la corriente (corriente de
salida) cuando se le aplica una pequeña corriente a otro terminal llamado "puerta" o Gate (corriente de activación).

Se seguirá permitiendo que la corriente fluya hasta que la corriente de salida disminuya por debajo de un valor
determinado, llamada corriente umbral, o se corte la corriente totalmente de alguna forma, por ejemplo, con un
interruptor o pulsador

Aplicaciones: Su versatilidad lo hace ideal para el control de corrientes alternas.

Una de ellas es su utilización como interruptor estático ofreciendo muchas ventajas sobre los interruptores mecánicos
convencionales y los relés.

Funciona como interruptor electrónico y también a pila.

Se utilizan TRIACs de baja potencia en muchas aplicaciones como atenuadores de luz, controles de velocidad para
motores eléctricos, y en los sistemas de control computarizado de muchos elementos caseros. No obstante, cuando se
utiliza con cargas inductivas como motores eléctricos, se deben tomar las precauciones necesarias para asegurarse que el
TRIAC se apaga correctamente al final de cada semiciclo de la onda de Corriente alterna.

 RCT

Símbolo:
Descripción: se conoce también como tiristor asimétrico (ASCR). El mismo cuenta con tres pines ánodo, cátodo y
puerta.

Funcionamiento: El voltaje de bloqueo directo varia de 400 a 2000 volts y la especificación de corriente hasta 500A. El
voltaje de bloque inverso es típicamente de 30 a 40 Volts. Dada las características de relación entre la corriente directa a
través de un tiristor y la corriente inversa del diodo, sus aplicaciones se limitan a diseños de circuitos específicos.

Aplicaciones: puede considerarse como un tiristor con un diodo anti paralelo incorporado, es te se usa en la electrónica
de potencia.

 GTO

Símbolo:

Descripción: Son semiconductores discretos que actúan como interruptores completamente controlables, los cuales
pueden ser encendidos y apagados en cualquier momento con una señal de compuerta positiva o negativa
respectivamente. Estos componentes están optimizados para tener muy bajas pérdidas de conducción y diseñados para
trabajar en las más demandantes aplicaciones industriales.

Funcionamiento: Un tiristor GTO, al igual que un SCR puede activarse mediante la aplicación de una señal positiva de
compuerta. Sin embargo, se puede desactivar mediante una señal negativa de compuerta. Un GTO es un dispositivo de
enganche y se construir con especificaciones de corriente y voltajes similares a las de un SCR. Un GTO se activa
aplicando a su compuerta un pulso positivo corto y se desactiva mediante un pulso negativo corto.

Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista señal en la compuerta, el dispositivo se bloquea para cualquier
polaridad en el ánodo, pero una corriente de fuga (IA leak) existe. Con un voltaje de bias en directa el GTO se bloquea
hasta que un voltaje de ruptura VAK = VB0 es alcanzado. En este punto existe un proceso dinámico de encendido.,
VAK = 3V y la corriente IA es determinada por la carga. Cuando el GTO se apaga y con la aplicación de un voltaje en
inversa, solo una pequeña corriente de fuga (IA leak) existe. Una polarización en inversa VAK puede ser alcanzada
cuando ocurra un corte. El valor del voltaje del voltaje de ruptura inverso depende del método de fabricación para la
creación de una regeneración interna para facilitar el proceso de apagado.

Con un voltaje de polarización directo aplicado al ánodo y un pulso de corriente positiva es aplicada al gate, el GTO se
enciende y permanece de esa forma. Para ésta condición, existen 2 formas de apagarlo. Una forma es reduciendo la
corriente de ánodo IA por medios externos hasta un valor menor a la corriente de holding Ih, en la cual, la acción
regenerativa interna no es efectiva. La segunda forma de apagarlo es por medio de un pulso en el gate, y este es el
método más recomendable porque proporciona un mejor control.

Aplicaciones:

 Troceadores y convertidores

 Control de motores asíncronos

 Inversores
  Caldeo inductivo

 Rectificadores

 Soldadura al arco

 Sistema de alimentación ininterrumpida (SAI)

 Control de motores

 Tracción eléctrica
 FET

Un dispositivo FET-CTH combina un MOSFET y un tiristor en paralelo, tal y como se muestra en la figura siguiente. Si
a la compuerta del MOSFET se le aplica un voltaje suficiente, típicamente 3v, se genera internamente una corriente de
disparo para el tiristor. Tiene una alta velocidad de conmutación, un di/dt alto y un dv/dt alto.

Este dispositivo se puede activar como los tiristores convencionales, pero no se puede desactivar mediante control de
compuerta. Esto serviría en aplicaciones en las que un disparo óptico debe utilizarse con el fin de proporcionar un
aislamiento eléctrico entre la señal de entrada o de control y el dispositivo de conmutación del convertidor de potencia

Aplicaciones
Un uso común de los FET es como amplificadores. Debido a su gran resistencia de entrada y baja resistencia de salida,
es efectivo como un buffer en la configuración de drenaje común (seguidor de fuente). Son muy comunes además en
amplificadores de audio.

 DNAFET
Un transistor de efecto de campo de ADN (DNAFET) es un transistor de efecto de campo que utiliza el efecto de campo
debido a las cargas parciales de las moléculas de ADN para funcionar como biosensor. La estructura de los DNAFET es
similar a la de los MOSFET, con la excepción de la estructura de la puerta que, en los DNAFET, se reemplaza por una
capa de moléculas de ssDNA (DNA monocatenario) inmovilizadas que actúan como receptores de superficie. Cuando
las cadenas de ADN complementarias se hibridan con los receptores, la distribución de carga cerca de la superficie
cambia, lo que a su vez modula el transporte de corriente a través del transductor semiconductor.
Aplicaciones
Los DNAFET son altamente selectivos ya que solo la unión específica modula el transporte de carga.
Su principal ventaja en comparación con los métodos de detección óptica de uso común en la actualidad es que no
requieren el etiquetado de moléculas.

 FREDFED
Los FREDFETes un FET especializado diseñado para otorgar una recuperación ultra rápida del transistor.

Características
1. Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100MΩ).
2. No tiene un voltaje de unión cuando se utiliza como conmutador (interruptor).
3. Hasta cierto punto es inmune a la radiación.
4. Es menos ruidoso.
5. Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica.
Aplicaciones
Se utiliza en circuitos de conmutación de potencia.

2. Conclusiones
 Con los tiristores podemos hacer un control de potencia, ya que podemos ocuparlos como interruptores
de potencia y así tener un mejor control del circuito.

Bibliografía
 https://como-funciona.co/tiristor-componente/
 http://ecured.cu/
 https://www.ecured.cu/Tiristor_de_conducci%C3%B3n_inversa
 https://grudilec.com/wp-content/uploads/7.automatismoelectronico153-216.pdf
 http://dte_recursos.webs.uvigo.es/recursos/multimedia/potencia/dc-ac/tiristor.htm