Taller 1.

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Bandas de Energía en Sólidos- Teoría del
Semiconductor- Juntura P-N
Electrónica Analógica I

1. ¿Cuál es la cantidad de energía que se requiere para mover una carga de 6 𝐶

a través de un potencial de 3,0𝑉?

2. Se requiere una cantidad de energía de 48𝑒𝑉 para mover una carga a través
de un potencial de 12 𝑉, determine la carga implicada.

3. Un alambre de Cobre tiene una resistividad aproximada de 1,72µΩ 𝑝𝑜𝑟 𝑐𝑚.

Determinar la resistencia y la conductancia de un alambre de cobre de
100 𝑚 en cuanto a longitud y 0,259 𝑐𝑚 de diámetro.

4. Suponiendo que un semiconductor intrínseco tiene 1000 de millones de

electrones libres a temperatura ambiente, si la temperatura disminuye a 0°C,
¿cuántos huecos tendrá?

5. Un diodo de silicio tiene una corriente inversa de 5 µ𝐴 a 25°𝐶 y de 100µ𝐴 a

100°𝐶. ¿Cuáles son los valores de la corriente de saturación y de la corriente
superficial de fugas a 25°𝐶?.

6. Un diseñador va a emplear un diodo de silicio en un rango de temperatura

comprendido entre 0° y 75°C. ¿Cuáles serán los valores mínimo y máximo
de la barrera de potencial?

7. Determine la corriente en un diodo de silicio a 20°𝐶 con 𝐼𝑠 = 50 𝑛𝐴 y una

polarización en directa aplicada de 0.6 𝑉. Repetir el problema con las nuevas
condiciones de operación: con una temperatura de 𝑇 = 100°𝐶 (punto de
ebullición del agua), suponga que la corriente de saturación se ha
incrementado a 50 𝑚𝐴.
8. Determine la corriente a una temperatura de 20°𝐶 en un diodo de silicio con
𝐼𝑠 = 0.1 𝑚𝐴 con un potencial de polarización en inversa de -10 𝑉.

9. En la región de polarización en inversa la corriente de saturación de un diodo

de silicio es de alrededor de 0.1 𝑚𝐴 (𝑇 = 20°𝐶). Determine su valor
aproximado si la temperatura se incrementa 40°𝐶.

10. Un diodo tiene una corriente superficial de fugas de 10 nA cuando la

tensión inversa es 10 V. ¿Cuál será la corriente superficial de fugas si la
tensión inversa se aumenta a 100 V?

Éxitos !!!!!!!!!!!!!