Escuela Politécnica Nacional

CP-Electrónica de Potencia

Practica N°2
Tema: Caracterización de diodos de potencia

Nombre: Jorge Alexander Enríquez Iza

Fecha: 10/12/20
Grupo: GR1
Trabajo Preparatorio
Objetivos:

• Comprender el comportamiento dinámico y estático de los diodos.

Preguntas:

1. Consultar los siguientes términos característicos de los diodos con su significado:

• VRRM – Peak Repetitive Reverse Voltage

Es el máximo valor instantáneo de la tensión inversa, que solamente incluye los voltajes transitorios repetitivos
que ocurren a través del diodo [1]. Se lo suele determinar mediante la máxima tensión que puede soportar de
1 ms repetidos cada 10 ms por un tiempo definido.

Figura 1. Gráfica del voltaje repetitivo y no repetitivo directo e inverso

Por encima de este nivel, el dispositivo se puede destruir y fallar. Este parámetro se mide con un pulso
ancho y tasa de repetición definidos en la especificación del dispositivo.

• IF(AV) – Average Rectified Forward Current

Es la corriente que fluye a través del diodo en la dirección de menor resistencia al flujo de constante corriente
continua. Se la determina a partir del valor medio de la máxima corriente de impulsos senoidales de 180 grados
que el diodo puede soportar con la cápsula mantenida a determinada temperatura [1].

• VF – Forward Voltage

Es la caída de voltaje que resulta del flujo de corriente directa a que circula través del diodo semiconductor.
Cuando el diodo se polariza directamente se comporta como un interruptor cerrado sin embargo la caída de
tensión no es cero, presenta un valor voltaje pequeño y depende de los materiales de construcción el diodo [2].
 • IRR – Full Load Reverse Current

Cuando un diodo que estaba en polarización directa y luego se le aplica un voltaje inverso la corriente del diodo
disminuye a un valor muy cercano a cero, durante la transición el diodo conduciendo, aumentando la corriente
inversa hasta cierto punto y luego disminuye. Este punto máximo de corriente inversa que alcanza el diodo se le
conoce como corriente máxima reversa IRR [3].

2. Consultar el propósito que tienen en circuitos electrónicos los siguientes diodos: propósitos generales, de
rápida recuperación y Schottky. Buscar en PSpice la numeración de estos diodos los mismos que serán
utilizados en la simulación.

Propósito General

Los diodos de propósito general son los diodos de más simple construcción llamados también diodos de señal o
rectificadores. Tienen tiempos de recuperación relativamente grandes (alrededor de los 25 µs). Son usados dentro de
aplicaciones de baja velocidad, donde no es crítico el tiempo de recuperación (rectificadores y convertidores de diodo
con entradas de hasta 1kHz y para convertidores conmutados por línea). Esos diodos cubren especificaciones de
corriente desde menos de 1 A y hasta varios miles de amperes, y las especificaciones de voltaje van de 50 V hasta 5 kV
[3].

Los diodos de la familia 1N4000 son algunos de los mas usados dentro de la categoría de diodos de propósito general.
Dentro del programa Pspice en la librería DIODE o en la librería EDIODE se encuentra una gran cantidad de diodos de
propósito general.

Recuperación Rápida

Son aquellos diodos que se caracterizan por tener un tiempo de recuperación corto, que en la mayoría de los casos
corresponde a 5 µs. Este tipo de diodos son usados en convertidores de CD a CD y de CD a CA, donde con frecuencia
la velocidad de conmutación tiene importancia crítica. Estos La especificación de estos diodos van desde los 50 V hasta
los 3kV, corrientes de menos de 1 amperio hasta cientos de amperios [3].

Los diodos para voltajes de menos de 400 V son fabricados mediante difusión y el tiempo de recuperación es ajustado
por la difusión de platino o de oro. Para especificaciones de voltaje menores que 400 V, los diodos epitaxiales
proporcionan velocidades mayores de conmutación que las de los diodos por difusión. Los diodos epitaxiales son
angostos de la base, lo que da como resultado un tiempo corto de recuperación tan corto como 50 ns [3].

Dentro de estos tipos de diodos se encuentran los modelos: 1N4935, R3000F, 1N3879, 1N3900 entre otros, estos
modelos se pueden encontrar en la librería DI de Pspice.

Diodos Schottky

El diodo Schottky también denominado diodo de barrera este tipo de diodo surge como solución al problema de
almacenamiento de carga en la unión pn. El diodo Schottky soluciona este problema estableciendo un potencial de
barrera con un contacto entre un metal y un semiconductor Se deposita una capa de metal sobre una capa delgada
epitaxial de silicio tipo n. La barrera de potencial simula el comportamiento de una unión pn [3].

Debido al rápido tiempo de respuesta que tiene fueron usados en aplicaciones de muy alta frecuencia figurándose en
un elemento de bajo ruido. En años recientes se lo utiliza en fuentes de alimentación, aplicaciones de alto voltaje y
baja corriente, y en convertidores de ca a cd [2]. Entre otras áreas de aplicación del dispositivo se cuentan sistemas
de radar, lógica TTL Schottky para computadoras, mezcladores y detectores en equipo de comunicación, instrumentos
y convertidores analógicos a digitales [2].

Entre otros detalles se tiene que la corriente de fuga de un diodo Schottky es mayor que la de un diodo de unión pn.
Un diodo Schottky con voltaje de conducción relativamente bajo tiene una corriente algo alta, y viceversa. El resultado
es que el voltaje máximo admisible para este diodo se limita en general a 100 V. Las especificaciones de corriente de
los diodos Schottky varían de 1 a 400 A [3].

Pspice dentro de sus librerías IRF y DIODE posee diodos Schottky como los modelos 10BQ015, 10TQ045, 120NQ045,
12CGQ150 entre otros.

3. Indicar en un esquema las zonas de polarización directa e inversa de un diodo. Tener en cuenta los conceptos de
voltaje umbral y voltaje de ruptura.

En la siguiente figura se muestra la relación Voltaje-Corriente que tiene para un diodo de silicio.

Figura 2. Curva V-I característica de un diodo [4].

El diodo solamente entra en conducción cuando se le aplica un voltaje positivo es decir cuando el diodo esta
polarizado de manera directa y cuando dicho voltaje supera el voltaje de barrera para el caso de la figura el diodo de
silicio tiene un voltaje umbral de barrera de 0.7 voltios, para diodos de Germanio ese valor cambia a 0.3 V, y
dependiendo de las características constructivas del diodo puede tener diferentes valores [4].

El diodo también puede entrar en conducción cuando se le aplica un voltaje inverso y que este sea mayor al voltaje
de ruptura, si sucede esto el diodo sufre daños y termina inservible. Por ello es muy importante determinar cuál será
el voltaje de polarización inversa máxima que tendrá que soportar el diodo en determinado circuito, en base a ese
dato se podrá escoger el diodo adecuado para la aplicación dada sin que el diodo sufra algún perjuicio [4].

4. Consultar el gráfico de la curva de recuperación de corriente inversa del diodo. Tomar en cuenta los términos
de corriente de recuperación, tiempo de recuperación y energía.

Cuando un diodo se encuentra polarizado directamente y luego el voltaje aplicado disminuye a 0 o a un valor menor
a este se esperaría que el diodo rápidamente deje de conducir teniendo una corriente igual a 0 o muy cercana. Sin
embargo, en la práctica el diodo si conduce y en sentido contrario a pesar de que este polarizado inversamente, el
tiempo en el que el diodo se encuentra en este estado depende de las características constructivas del diodo. Los
fabricantes proveen información sobre este estado a través de la curva de recuperación del diodo como se muestra
en la figura 3.
 Figura 3. Curva de recuperación en sentido inverso [3].

En la curva se puede apreciar claramente que cuando la polaridad del diodo si invierte la corriente efectivamente
disminuye a cero, pero luego sigue decrementando hasta llega a un punto máximo y luego aumenta para
estabilizarse en un valor cercano a 0. Este máximo valor de corriente inversa se le denomina corriente de
recuperación inversa IRR, el intervalo de tiempo desde que la corriente tiene el valor de cero hasta al alcanzar el 25%
de la corriente de recuperación inversa en sentido creciente se denomina tiempo de recuperación [3].

Cuando se usa diodos para frecuencias bajas como las de la red eléctrica 50 o 60 Hz estos parámetros no tienen
mucha importancia; salvo para el calculo de perdidas dinámica, porque los tiempos en que el voltaje cambia de
polarización son altos comparados con el tiempo de recuperación. Pero cuando se trabaja a altas frecuencias si se
debe considerar este parámetro pues si el tiempo de conmutación de polaridad es menor al tiempo de recuperación
el diodo simplemente conducirá incluso si esta polarizado de manera inversa y no cumplirá su propósito.

Referencias

[1] ABB, «Voltage ratings of high power semiconductors,» 20 Agosto 2013. [En línea]. Available:
https://library.e.abb.com/public/6f03cdd0f2264ff48f2992e62497dd5a/Voltage%20ratings%20of%20high%20p
ower%20_%205SYA%202051NLay.pdf. [Último acceso: 10 Diciembre 2020].

[2] R. Boylestas, Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos, Décima ed., Mexico: Prentice Hall,
2009.

[3] M. Rashid, Electrónica de Potencia circuitos dispositivos y aplicaciones, Tercera ed., México: Pearson, 2004.

[4] T. Floyd, Dispositivos Electrónicos, México: Pearson, 2008.