LABORATORIO 1

CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS DEL DIODO

Objetivos
Los objetivos de este laboratorio son:
 Comparar las características del diodo de silicio y el diodo de Carburo de Silicio a
diferentes temperaturas.
 Observar la dependencia de la temperatura con las características del diodo utilizando
el programa simulador ORCAD.
 Observar las propiedades de rectificación del diodo de potencia a diferentes
temperaturas de operación.

Teoría
La ecuación Shockley del diodo para las regiones de polarización directa y reversa es:
𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝑛𝑉𝑇 − 1) (1.1)

donde: n → coeficiente de emisión

𝐼𝑆 → corriente inversa de saturación dada por:
𝐷𝑝 𝐷𝑛
𝐼𝑆 (𝑇) = 𝐴𝐽 𝑞 ( 𝑝𝑛0 + 𝑛𝑝0 ) (1.2)
𝐿𝑝 𝐿𝑛

𝐴𝐽 → área de la sección transversal de la unión pn.

𝑛𝑖2
𝑝𝑛0 = → concentración de huecos en la región n.
𝑁𝐷

𝑛𝑖2
𝑛𝑝0 = → concentración de electrones en la región p.
𝑁𝐴
𝜇𝑝0𝑘𝑇
𝐷𝑝 = 𝜇𝑝0 𝑉𝑇 = → coeficiente de difusión de los huecos.
𝑞
𝜇𝑛0𝑘𝑇
𝐷𝑛 = 𝜇𝑛0 𝑉𝑇 = → coeficiente de difusión de los electrones.
𝑞

𝐿𝑛 = √𝐷𝑛 𝜏𝑛 y 𝐿𝑝 = √𝐷𝑝 𝜏𝑝 → longitudes de difusión.

𝜏𝑛 y 𝜏𝑝 → tiempo de vida de los portadores minoritarios.

El modelo SPICE del diodo en polarización reversa es mostrado en la fig. 1.1. El modelo de
pequeña señal y el modelo estático son mostrados en la fig. 1.2. En el modelo estático, la
corriente del diodo, que depende de su tensión es representado por una fuente de corriente.

Fig. 1.1 Modelo SPICE para condición de polarización reversa.

Fig. 1.2 Modelo para pequeña señal y modelo estático SPICE.

Por lo general el modelo SPICE es un modelo muy complejo, en muchos casos tales modelos
no son necesarios. Muchos parámetros del modelo pueden ser ignorados y SPICE asignara
valores por default a estos parámetros.
Los parámetros más importantes para aplicaciones de electrónica de potencia son: IS, BV,
IBV, TT, y CJO.
De las hojas de datos de los diodos se puede obtener los siguientes parámetros:
Tensión de ruptura en reversa: 𝐵𝑉
Corriente de ruptura en reversa: 𝐼𝐵𝑉
Tensión instantánea: 𝑣𝐹 = a 𝑖𝐹 =
Carga de recuperación reversa: 𝑄𝑅𝑅 = a 𝐼𝐹𝑀 =
Con estos datos se puede encontrar la corriente reversa de saturación: 𝐼𝑆
𝑄𝑅𝑅
El tiempo transitorio: 𝑡𝜏 =
𝐼𝐹𝑀

Asumir el valor de la capacitancia de la unión sin polarización: 𝐶𝐽𝑂 = 2𝑝𝐹

Especificaciones
𝐴𝐽 = 1𝑐𝑚2 , 𝑁𝐴 = 1016 𝑐𝑚−3 , 𝑁𝐷 = 1014 𝑐𝑚−3 , 𝜏𝑛 = 10𝜇𝑠, 𝜏𝑛 ⁄𝜏𝑝 = 𝑁𝐴 ⁄𝑁𝐷

Procedimiento
A. Característica Dinámica del Diodo de Si
1. Defina todas las variables y constantes físicas del Si en el MATLAB.
2. Grafique la corriente del diodo dada por la ecuación (1.1) en función de la tensión
del diodo 𝑉𝐷 para 𝑇 = 300𝐾, 350𝐾 𝑦 400𝐾.
3. Defina una variable 𝑉𝐷 . Varíe 𝑉𝐷 de 0 a 1V en pasos de 0.001V.
4. Limite el rango del eje-y a 0.4mA para poder observar las diferencias entre las
gráficas. Asegúrese de expresar la corriente en términos de miliamperios.
B. Característica Dinámica del Diodo de SiC
1. Defina todas las variables y constantes físicas del SiC en el MATLAB.
2. Grafique la corriente del diodo dada por la ecuación (1.1) en función de la tensión
del diodo 𝑉𝐷 para 𝑇 = 300𝐾, 423𝐾 𝑦 573𝐾.
3. Defina una variable 𝑉𝐷 . Varíe 𝑉𝐷 de 2 a 6V en pasos de 0.001V.
4. Limite el rango del eje-y a 0.4mA para poder observar las diferencias entre las
gráficas. Asegúrese de expresar la corriente en términos de miliamperios.
C. Determinación de la Característica I/V del Diodo de Potencia
1. Seleccionar dos diodos, uno de Si y otro de SiC, de los fabricantes Infineon,
Semikron o Cree, para luego descargar sus hojas de datos.
2. Obtenga sus modelos SPICE de cada diodo.
3. Usando el diodo Dbreak disponible en la librería de componentes del ORCAD y
modificando sus parámetros de acuerdo a los parámetros del modelo SPICE del
diodo seleccionado, construir el circuito como se muestra en la figura (1.3),
primero para el diodo de Si y luego para el de SiC. Coloque una resistencia 𝑅𝐷 =
10Ω.
 Fig. 1.3 Diagrama del circuito para simular las características del diodo.

4. Para la fuente de tensión asignar un valor arbitrario por ejemplo (1V).

5. Realice un análisis DC Sweep en pasos de 0.001V.
6. Obtener la forma de onda de la corriente fluyendo de ánodo a cátodo del diodo,
tanto para la región activa como para la región de ruptura por avalancha.
Determine el valor de tensión umbral y ruptura por avalancha del diodo. Estos
valores corresponden a la temperatura ambiente (T=25°C).
7. Analice el circuito a diferentes temperaturas. Cambie la temperatura del circuito
a 75°C y luego a 120°C.

Preguntas Post-Lab
1. Explicar en pocas palabras el desarrollo y operación del diodo PiN. Cite
apropiadamente las referencias.
2. En la sección A,
 Explicar el significado de corriente de dispersión. Indicar si es dependiente de
la temperatura.
 Cuáles son las tensiones umbral 𝑉𝑡ℎ de las tres características I/V?. Explicar
cómo varia con la temperatura.
3. En la sección B,
 Cuáles son las tensiones umbral 𝑉𝑡ℎ de las tres características I/V?. Explicar
cómo varía con la temperatura.
 Explicar cómo el dispositivo de SiC es capaz de resistir altas temperaturas,
comparado con su contraparte de Si.
 También explique porque la tensión 𝑉𝑡ℎ del dispositivo de SiC es mayor que
el de Si.
4. En la sección C,
 Identificar el voltaje umbral para las tres diferentes temperaturas.
 Obtener de la hoja de datos del diodo seleccionado la máxima temperatura de
unión o la temperatura de operación.