UNIVERSIDAD TÉCNICA DE COTOPAXI ELECTRÓNICA

UNIVERSIDAD TÉCNICA DE COTOPAXI

CARRERA DE CIENCIAS DE LA INGENIERIA Y APLICADAS

LA ELECTRÓNICA
El término electrónica se deriva de la palabra electrón, que se emplea para denotar una pequeña cantidad de
electricidad que esta presente en los materiales. La electrónica puede definirse, en cuanto a muchas de sus
aplicaciones, de manera que incluya todos los campos en los que es necesario el control de la electricidad.
La característica principal en el funcionamiento de los dispositivos electrónicos es el control de los electrones
con el propósito de obtener un efecto deseado.

APLICACIONES DE LA ELECTRÓNICA
La historia indica que la electrónica tuvo sus comienzos en los primeros días de las comunicaciones por radio, la
televisión evolucionó a partir de la radio. El comienzo de la transmisión inalámbrica, puede situarse en el
trabajo del físico alemán Heinrich Hertz, quien fue el primero en demostrar, en 1887, los efectos de la radiación
electromagnética en el espacio.
Además de las aplicaciones en radio y televisión, la electrónica se emplea en casi todas las industrias para fines
de control, automatización y cómputo. Básicamente se puede considerar algunas divisiones importantes:
electrónica de comunicaciones, potencia eléctrica, electrónica analógica, electrónica digital.

1. MATERIALES SEMICONDUCTORES
1.1 TEORIA ELECTRÓNICA
Para estudiar los materiales semiconductores, utilizamos la TEORIA ELECTRÓNICA, la misma que
considera al átomo, como el elemento más pequeño de la materia.
El átomo está constituido por dos partes o zonas: el núcleo o parte central y por una zona que envuelve
al núcleo llamada órbitas.
El átomo posee partículas subatómicas: los protones, los neutrones y loa electrones. Los protones y
neutrones ubicados en el núcleo y los electrones giran al rededor del núcleo en las orbitas.
Las partículas subatómicas poseen carga eléctrica así:
Los protones poseen carga eléctrica positiva. p+
Los electrones poseen carga eléctrica negativa. e-
Los neutrones carga eléctrica neutra o tienen carga eléctrica. N
Si el número de electrones de un átomo es igual al número de protones podemos definirle como un
átomo eléctricamente neutro.
Si en el átomo existe un mayor número de protones en el núcleo que electrones girando en las orbitas
alrededor del núcleo, el átomo posee carga eléctrica positiva.
Si en átomo hay menor número de protones en el núcleo que de electrones girando alrededor del núcleo,
entonces el átomo está cargado negativamente.
El electrón es la partícula subatómica más importante, ya que tiene movilidad y es capaz de separarse de
su átomo y dejarle con una carga más positiva de la que tenía inicialmente. Por tanto, si se puede
controlar el movimiento de muchos electrones en un material, se puede controlar la energía eléctrica en
dicho material.
Los electrones que se separan del átomo son aquellos situados en la última capa o en la última órbita, ya
que estos poseen menor fuerza de atracción al núcleo, a esta ultima orbita se le denomina orbita o capa
de valencia y los electrones situados en ella se les denomina electrones de valencia.la valencia

ING.MSC. PAULINA FREIRE ANDRADE MARZO – AGOSTO 2020 1

UNIVERSIDAD TÉCNICA DE COTOPAXI ELECTRÓNICA

electrónica corresponde al numero de electrones que se encuentran en la capa o en la orbita más externa
o la más alejada del núcleo.
No todos los materiales son iguales y por ello no en todos los materiales se podrá controlar el
movimiento de electrones. Por lo tanto, la facilidad o la dificultad del movimiento de los electrones a
través de un material definirán si este material es conductor, aislante o semiconductor.

1.2 CONDUCTORES, AISLADORES Y SEMICONDUCTORES

1.2.1 CONDUCTORES
Cuando los electrones se pueden mover con facilidad de un átomo a otro en determinado material,
éste es un conductor. En general todos los metales son buenos conductores. La estructura atómica
de estos elementos permite el libre movimiento de los electrones de valencia. El propósito de
utilizar conductores es permitir que la corriente eléctrica fluya con la menor resistencia posible.
Ejemplo de materiales conductores: plata, cobre, oro, aluminio, hierro, etc.
1.2.2 AISLADORES
Cualquier material en el que los electrones tiendan a permanecer en su órbita alrededor de los
átomos es un aislador, ya que no conducirá la electricidad con facilidad. Sin embargo, los
aisladores son capaces de retener o almacenar la electricidad mejor que los conductores. Son
materiales aislantes: el vidrio, plástico, caucho, papel, aire, mica y reciben el nombre de
dieléctricos, lo que significa que pueden almacenar electricidad. Los aisladores son útiles cuando
se desea evitar el flujo de electricidad, además, para todas aquellas aplicaciones donde es
necesario almacenar carga eléctrica como en el caso de los capacitores.
1.2.3 SEMICONDUCTORES
Son materiales que en condiciones normales son aislantes y en condiciones provocadas se
convierten en conductores, ejemplos: el carbono, el germanio y el silicio, los mismos que se
emplean en la fabricación de transistores y otros componentes electrónicos.
También se define a un semiconductor, como un material que posee un nivel de conductividad
que se localiza entre los extremos de un dieléctrico y de un conductor.
Una de las características principales, es su valencia electrónica igual a 4; es decir 4 electrones en
su última capa o en su capa más externa. Los elementos semiconductores que, en general, se
utilizan para la fabricación de diodos y transistores son el germanio (Ge) y el silicio (Si).
1.2.3.1 Enlaces Covalentes
Corresponde a la agrupación de átomos que no tienden a ganar o perder electrones de
valencia, sino más bien a compartirlos con átomos vecinos. Si se forma un enlace
covalente de Ge o Si, el resultado es una configuración estable, donde la capa externa
tiene 8 electrones.
1.2.3.2 Material intrínseco
Es un material puro, sin contaminación. Los materiales intrínsecos, se han refinado
cuidadosamente con el objeto de reducir las impurezas hasta un nivel muy bajo, tan puro
como sea posible, mediante la utilización de la tecnología moderna.
1.2.3.3 Material extrínseco
Un material extrínseco es un material semiconductor que se ha sometido a un proceso de
dopaje, es decir; la contaminación con impurezas da como resultado un material
extrínseco, esta contaminación con impurezas produce cargas libres.
Existen dos materiales extrínsecos de importancia incalculable para la fabricación de
dispositivos semiconductores: el tipo n y el tipo p, que se describián a continuación:
1.2.3.3.1 Material tipo N y tipo P
Los elementos utilizados como impurezas tienen, en general, valencias
electrónicas de cinco y tres. Como consecuencia de esto, un material

ING.MSC. PAULINA FREIRE ANDRADE MARZO – AGOSTO 2020 2

UNIVERSIDAD TÉCNICA DE COTOPAXI ELECTRÓNICA

contaminado tiene o un exceso o una deficiencia de electrones en su estructura

formada por enlaces covalentes.
Un material o semiconductor tipo N, tiene exceso de electrones, los elementos
contaminantes son: Arsénico (As), Antimonio (Sb) y el Fósforo (P) que tienen 5
electrones de valencia, al formar un enlace covalente con el Ge o el Si, que
tienen 4 electrones de valencia, cada átomo de impureza proporciona un
electrón adicional. El electrón que sobar se considera como una carga libre,
debido a que no se necesita para formar el enlace covalente.
Un material o semiconductor tipo P, tiene una deficiencia electrones, los
elementos contaminantes son: Alumnio (Al), Boro (B), Galio (Ga) e Indio (In)
que tienen 3 electrones de valencia, al formar un enlace covalente con el Ge o el
Si, que tienen 4 electrones de valencia, se crea un faltante de electrón
considerado como una carga libre positiva denominada hueco de carga.
Un hueco tiene la misma cantidad de carga positiva de un protón, la cual es
igual a la del electrón pero con polaridad opuesta a la de éste. Sin embargo, un
hueco de carga no es un protón, un protón es una carga estable que se encuentra
en el núcleo de los átomos y que no puede moverse libremente. Un hueco es una
carga positiva fuera del núcleo del átomo que se encuentra presente sólo en
semiconductores y que se debe a enlaces covalentes que no están completos.
Las características de los elementos utilizados como impurezas se observan en
la tabla 1.
Tabla 1. Semiconductores y elementos utilizados como impurezas
Elemento Símbolo Número Atómico Valencia Aplicaciones
electrónica
Antimonio Sb 51 5 Impurezas de tipo donador.
Proporciona electrones para formar
Arsénico As 33 5 semiconductores tipo N. El As y el
Fósforo P 15 5 Sb se utilizan con el Ge, el P con el
Si
Germanio Ge 32 4 Semiconductores intrínsecos
extrínsecos
Silicio Si 14 4
Aluminio Al 13 3 Impurezas de tipo aceptor. Acepta
electrones y forma materiales de
Boro B 5 3 tipoP. El Ga y el In se utilizan con
Galio Ga 31 3 el Ge, el Al y B con el Si

Indio In 49 3

1.2.3.3.2 Corrientes en semiconductores

En el material tipo N los electrones son los portadores mayoritarios o
dominantes y los huecos son los portadores minoritarios.
En el material tipo P los huecos son los portadores mayoritarios o dominantes y
los electrones son los portadores minoritarios.
Cuando la mayor parte de cargas se mueve en un semiconductor como
consecuencia de la aplicación de diferencia de potencial, el resultado es una
cantidad relativamente grande de corriente. En los semiconductores tipo n esta
corriente esta formada por el flujo de e- que son los portadores mayoritario,
mientras que en los semiconductores tipo p es el flujo de huecos. La magnitud
de la corriente es en el orden de los miliamperios y amperios.
Cuando los portadores minoritarios se mueven, esta corriente tiene un sentido
opuesto al de la corriente de los portadores mayoritarios ya que su polaridad
siempre es opuesta.

ING.MSC. PAULINA FREIRE ANDRADE MARZO – AGOSTO 2020 3

UNIVERSIDAD TÉCNICA DE COTOPAXI ELECTRÓNICA

La corriente de portadores minoritarios recibe el nombre de corriente en sentido

inverso o corriente de fuga. La magnitud de esta corriente es del orden de los
microamperios.
La corriente en sentido inverso aumenta conforme lo hace la temperatura, ya
que se genera más portadores minoritarios por el incremento de energía térmica.

ING.MSC. PAULINA FREIRE ANDRADE MARZO – AGOSTO 2020 4