El 

transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar

una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término «transistor» es la
contracción en inglés de transfer resistor («resistor de transferencia»). Actualmente se
encuentra prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario tales
como radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de
cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares, aunque
casi siempre dentro de los llamados circuitos integrados.

Índice

 1Historia
 2Funcionamiento
 3Tipos de transistor
o 3.1Transistor de contacto puntual
o 3.2Transistor de unión bipolar
o 3.3Transistor de efecto de campo
o 3.4Fototransistor
 4Transistores y electrónica de potencia
 5Construcción
o 5.1Material semiconductor
 6El transistor bipolar como amplificador
o 6.1Emisor común
 7Diseño de una etapa en configuración emisor común
o 7.1Base común
o 7.2Colector común
 8El transistor bipolar frente a la válvula termoiónica
 9Véase también
 10Referencias
 11Bibliografía
 12Enlaces externos

Historia[editar]
Artículo principal: Historia del transistor

Réplica del primer transistor en actividad, que hoy pertenece a la empresa Lucent Technologies.
El físico austro-húngaro Julius Edgar Lilienfeld solicitó en Canadá en el año 19251 una
patente para lo que él denominó "un método y un aparato para controlar corrientes
eléctricas" y que se considera el antecesor de los actuales transistores de efecto campo,
ya que estaba destinado a ser un reemplazo de estado sólido del triodo. Lilienfeld también
solicitó patentes en los Estados Unidos en los años 19262 y 1928.34 Sin embargo, Lilienfeld
no publicó ningún artículo de investigación sobre sus dispositivos, ni sus patentes citan
algún ejemplo específico de un prototipo de trabajo. Debido a que la producción de
materiales semiconductores de alta calidad no estaba disponible por entonces, las ideas
de Lilienfeld sobre amplificadores de estado sólido no encontraron un uso práctico en los
años 1920 y 1930, aunque acabara de construir un dispositivo de este tipo.5
En 1934, el inventor alemán Oskar Heil patentó en Alemania y Gran Bretaña6 un
dispositivo similar. Cuatro años después, los también alemanes Robert Pohl y Rudolf
Hilsch efectuaron experimentos en la Universidad de Göttingen, con cristales de bromuro
de potasio, usando tres electrodos, con los cuales lograron la amplificación de señales de
1 Hz, pero sus investigaciones no condujeron a usos prácticos.7Mientras tanto, la
experimentación en los Laboratorios Bell con rectificadores a base de óxido de cobre y las
explicaciones sobre rectificadores a base de semiconductores por parte del alemán Walter
Schottky y del inglés Nevill Mott, llevaron a pensar en 1938 a William Shockley que era
posible lograr la construcción de amplificadores a base de semiconductores, en lugar de
tubos de vacío.7
Desde el 17 de noviembre de 1947 hasta el 23 de diciembre de 1947, los físicos
estadounidenses John Bardeen y Walter Houser Brattain de los Laboratorios Bell8llevaron
a cabo diversos experimentos y observaron que cuando dos contactos puntuales de oro
eran aplicados a un cristal de germanio, se produjo una señal con una potencia de salida
mayor que la de entrada.9 El líder del Grupo de Física del Estado Sólido William
Shockley vio el potencial de este hecho y, en los siguientes meses, trabajó para ampliar en
gran medida el conocimiento de los semiconductores. El término "transistor" fue sugerido
por el ingeniero estadounidense John R. Pierce, basándose en dispositivos
semiconductores ya conocidos entonces, como el termistor y el varistor y basándose en la
propiedad de transrresistencia que mostraba el dispositivo.10 Según una biografía de John
Bardeen, Shockley había propuesto que la primera patente para un transistor de los
Laboratorios Bell debía estar basado en el efecto de campo y que él fuera nombrado como
el inventor. Habiendo redescubierto las patentes de Lilienfeld que quedaron en el olvido
años atrás, los abogados de los Laboratorios Bell desaconsejaron la propuesta de
Shockley porque la idea de un transistor de efecto de campo no era nueva. En su lugar, lo
que Bardeen, Brattain y Shockley inventaron en 1943 fue el primer transistor de contacto
de punto, cuya primera patente solicitaron los dos primeros nombrados, el 17 de junio de
1946,11a la cual siguieron otras patentes acerca de aplicaciones de este dispositivo.121314
En reconocimiento a este logro, Shockley, Bardeen y Brattain fueron galardonados
conjuntamente con el Premio Nobel de Física de 1956 "por sus investigaciones sobre
semiconductores y su descubrimiento del efecto transistor".15
En 1948, el transistor de contacto fue inventado independientemente por los físicos
alemanes Herbert Mataré y Heinrich Welker, mientras trabajaban en la Compagnie des
Freins et Signaux, una subsidiaria francesa de la estadounidense Westinghouse. Mataré
tenía experiencia previa en el desarrollo de rectificadores de cristal de silicio y de germanio
mientras trabajaba con Welker en el desarrollo de un radar alemán durante la Segunda
Guerra Mundial. Usando este conocimiento, él comenzó a investigar el fenómeno de la
"interferencia" que había observado en los rectificadores de germanio durante la guerra.
En junio de 1948, Mataré produjo resultados consistentes y reproducibles utilizando
muestras de germanio producidas por Welker, similares a lo que Bardeen y Brattain habían
logrado anteriormente en diciembre de 1947. Al darse cuenta de que los científicos de
Laboratorios Bell ya habían inventado el transistor antes que ellos, la empresa se apresuró
a poner en producción su dispositivo llamado "transistron" para su uso en la red telefónica
de Francia.16El 26 de junio de 1948, Wiliam Shockley solicitó la patente del transistor
bipolar de unión17 y el 24 de agosto de 1951 solicitó la primera patente de un transistor de
efecto de campo,18 tal como se declaró en ese documento, en el que se mencionó la
estructura que ahora posee. Al año siguiente, George Clement Dacey e Ian Ross, de los
Laboratorios Bell, tuvieron éxito al fabricar este dispositivo,19cuya nueva patente fue
solicitada el 31 de octubre de 1952.20 Meses antes, el 9 de mayo de ese año, el ingeniero
Sidney Darlington solicitó la patente del arreglo de dos transistores conocido actualmente
como transistor Darlington.21
El primer transistor de alta frecuencia fue el transistor de barrera de superficie de germanio
desarrollado por los estadounidenses John Tiley y Richard Williams de Philco
Corporation en 1953,22capaz de operar con señales de hasta 60 MHz.23 Para fabricarlo, se
usó un procedimiento creado por los ya mencionados inventores mediante el cual eran
grabadas depresiones en una base de germanio tipo N de ambos lados con chorros de
sulfato de indio hasta que tuviera unas diez milésimas de pulgada de espesor. El Indio
electroplateado en las depresiones formó el colector y el emisor.24El primer receptor de
radio para automóviles que fue producido en 1955 por Chrysler y Philco; usó estos
transistores en sus circuitos y también fueron los primeros adecuados para las
computadoras de alta velocidad de esa época.2526
El primer transistor de silicio operativo fue desarrollado en los Laboratorios Bell en enero
de 1954 por el químico Morris Tanenbaum.27El 20 de junio de 1955, Tanenbaum y Calvin
Fuller, solicitaron una patente para un procedimiento inventado por ambos para producir
dispositivos semiconductores.28 El primer transistor de silicio comercial fue producido
por Texas Instruments en 1954 gracias al trabajo del experto Gordon Teal quien había
trabajado previamente en los Laboratorios Bell en el crecimiento de cristales de alta
pureza.29 El primer transistor MOSFET fue construido por el coreano-estadounidense
Dawon Kahng y el egipcio Martin Atalla, ambos ingenieros de los Laboratorios Bell, en
1960.3031

Funcionamiento[editar]
El transistor consta de tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales
específicos en cantidades específicas) que forman dos uniones bipolares: el emisor que
emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada
entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las
válvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene
corriente amplificada. En el diseño de circuitos a los transistores se les considera un
elemento activo,32 a diferencia de los resistores, condensadores e inductores que son
elementos pasivos.33
De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es función amplificada de la
que se inyecta en el emisor, pero el transistor solo gradúa la corriente que circula a través
de sí mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la base para que
circule la carga por el colector, según el tipo de circuito que se utilice. El factor de
amplificación o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se
denomina Beta del transistor. Otros parámetros a tener en cuenta y que son particulares
de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor,
de Colector Base, Potencia Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y varias
tablas donde se grafican los distintos parámetros tales como corriente de base, tensión
Colector Emisor, tensión Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de
esquemas(configuraciones) básicos para utilización analógica de los transistores son
emisor común, colector común y base común.
Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET, MOSFET,
JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utiliza la corriente que se inyecta en el terminal
de base para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensión presente en el
terminal de puerta y gradúa la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y
Drenaje. Cuando la conductancia es nula y el canal se encuentra estrangulado, por efecto
de la tensión aplicada entre Compuerta y Fuente, es el campo eléctrico presente en el
canal el responsable de impulsar los electrones desde la fuente al drenaje. De este modo,
la corriente de salida en la carga conectada al Drenaje (D) será función amplificada de la
tensión presente entre la compuerta y la fuente, de manera análoga al funcionamiento
del triodo.
Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integración a gran escala
disponible hoy en día; para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios cientos de
miles de transistores interconectados, por centímetro cuadrado y en varias capas
superpuestas.

Tipos de transistor[editar]

Distintos encapsulados de transistores.

Transistor de contacto puntual[editar]

Llamado también "transistor de punta de contacto", fue el primer transistor capaz de
obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una
base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la
combinación cobre-óxido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas
metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de
modular la resistencia que se «ve» en el colector, de ahí el nombre de transfer resistor. Se
basa en efectos de superficie, poco conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las puntas
se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo
convivió con el transistor de unión debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha
desaparecido.

Transistor de unión bipolar[editar]

Artículo principal: Transistor de unión bipolar

Diagrama de transistor NPN.

El transistor de unión bipolar (o BJT, por sus siglas del inglés bipolar junction transistor) se
fabrica sobre un monocristal de material semiconductor como el germanio, el silicio o
el arseniuro de galio, cuyas cualidades son intermedias entre las de un conductor
eléctrico y las de un aislante. Sobre el sustrato de cristal se contaminan en forma muy
controlada tres zonas sucesivas, N-P-N o P-N-P, dando lugar a dos uniones PN.
Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa) se obtienen
contaminando el sustrato con átomos de elementos donantes de electrones, como
el arsénico o el fósforo; mientras que las zonas P (donde se generan portadores de
carga Positiva o «huecos») se logran contaminando con átomos aceptadores de
electrones, como el indio, el aluminio o el galio.
La tres zonas contaminadas dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra
intermedia siempre corresponde a la región de la base, y las otras dos al emisor y al
colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente
contaminación entre ellas (por lo general, el emisor está mucho más contaminado que el
colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas
contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación
(difusión gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuántico de la unión.

Transistor de efecto de campo[editar]

-Símbolo del transistor JFET, en el que se indican: drenador, surtidor y compuerta.

El transistor de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer transistor de efecto de

campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o
P. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un
transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica. Si se difunden dos regiones
P en una barra de material N y se conectan externamente entre sí, se producirá una
puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador.
Aplicando tensión positiva entre el drenador y el surtidor y conectando la puerta al surtidor,
estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarización
cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento,
cesa la conducción en el canal.
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en inglés, que controla la corriente
en función de una tensión; tienen alta impedancia de entrada.

 Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante una unión

PN.
 Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la
compuerta se aísla del canal mediante un dieléctrico.
 Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-
Óxido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metálica y está separada
del canal semiconductor por una capa de óxido.
Fototransistor[editar]
Artículo principal: Fototransistor

Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias cercanas

a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la
luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, solo que
puede trabajar de 2 maneras diferentes:

 Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común);

  Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces
de corriente de base. (IP) (modo de iluminación).

Transistores y electrónica de potencia[editar]

Con el desarrollo tecnológico y evolución de la electrónica, la capacidad de los dispositivos
semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensión y corriente ha
permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es así como actualmente los transistores
son empleados en conversores estáticos de potencia, controles para motores y llaves de
alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal uso está basado en la
amplificación de corriente dentro de un circuito cerrado.

Construcción[editar]
Material semiconductor[editar]
Características del material semiconductor

Tensión Movilidad de Máxima

Material Movilidad de
directa huecos temperatura de
semiconducto electrones
de la unión m²/(V·s) @ unión
r m²/(V·s) @ 25 °C
V @ 25 °C 25 °C °C

Ge 0.27 0.39 0.19 70 a 100

Si 0.71 0.14 0.05 150 a 200

GaAs 1.03 0.85 0.05 150 a 200

Al-Si 0.3 — — 150 a 200

Los primeros transistores bipolares de unión se fabricaron con germanio (Ge). Los
transistores de Silicio (Si) actualmente predominan, pero ciertas versiones avanzadas de
microondas y de alto rendimiento ahora emplean el compuesto semiconductor
de arseniuro de galio (GaAs) y la aleación semiconductora de silicio-germanio (SiGe). El
material semiconductor a base de un elemento (Ge y Si) se describe como elemental.
Los parámetros en bruto de los materiales semiconductores más comunes utilizados para
fabricar transistores se dan en la tabla adjunta; estos parámetros variarán con el aumento
de la temperatura, el campo eléctrico, nivel de impurezas, la tensión, y otros factores
diversos.
La tensión directa de unión es la tensión aplicada a la unión emisor-base de un transistor
bipolar de unión con el fin de hacer que la base conduzca a una corriente específica. La
corriente aumenta de manera exponencial a medida que aumenta la tensión en directa de
la unión. Los valores indicados en la tabla son las típicos para una corriente de 1 mA (los
mismos valores se aplican a los diodos semiconductores). Cuanto más bajo es la tensión
de la unión en directa, mejor, ya que esto significa que se requiere menos energía para
colocar en conducción al transistor. La tensión de unión en directa para una corriente dada
disminuye con el aumento de la temperatura. Para una unión de silicio típica, el cambio es
de –2.1 mV/°C.34 En algunos circuitos deben usarse elementos compensadores especiales
(sensistores) para compensar tales cambios.
La densidad de los portadores móviles en el canal de un MOSFET es una función del
campo eléctrico que forma el canal y de varios otros fenómenos tales como el nivel de
impurezas en el canal. Algunas impurezas, llamadas dopantes, se introducen
deliberadamente en la fabricación de un MOSFET, para controlar su comportamiento
eléctrico.
Las columnas de movilidad de electrones y movilidad de huecos de la tabla muestran la
velocidad media con que los electrones y los huecos se difunden a través del material
semiconductor con un campo eléctrico de 1 voltio por metro, aplicado a través del material.
En general, mientras más alta sea la movilidad electrónica, el transistor puede funcionar
más rápido. La tabla indica que el germanio es un material mejor que el silicio a este
respecto. Sin embargo, el germanio tiene cuatro grandes deficiencias en comparación con
el silicio y arseniuro de galio:

1. Su temperatura máxima es limitada.

2. Tiene una corriente de fuga relativamente alta.
3. No puede soportar altas tensiones.
4. Es menos adecuado para la fabricación de circuitos integrados.
Debido a que la movilidad de los electrones es más alta que la movilidad de los huecos
para todos los materiales semiconductores, un transistor bipolar n-p-n dado tiende a ser
más rápido que un transistor equivalente p-n-p. El arseniuro de galio tiene el valor más alto
de movilidad de electrones de los tres semiconductores. Es por esta razón que se utiliza
en aplicaciones de alta frecuencia. Un transistor FET de desarrollo relativamente reciente,
el transistor de alta movilidad de electrones (HEMT), tiene una heteroestructura (unión
entre diferentes materiales semiconductores) de arseniuro de galio-aluminio (AlGaAs)-
arseniuro de galio (GaAs), que tiene el doble de la movilidad de los electrones que una
unión de barrera GaAs-metal. Debido a su alta velocidad y bajo nivel de ruido, los HEMT
se utilizan en los receptores de satélite que trabajan a frecuencias en torno a los 12 GHz.
Los HEMT basados en nitruro de galio y nitruro de galio aluminio (AlGaN/GaN HEMT)
proporcionan una movilidad de los electrones aún mayor y se están desarrollando para
diversas aplicaciones.
Los valores de la columna de Máximo valor de temperatura de la unión han sido tomados a
partir de las hojas de datos de varios fabricantes. Esta temperatura no debe ser excedida o
el transistor puede dañarse.
Los datos de la fila Al-Si de la tabla se refieren a los diodos de barrera de metal-
semiconductor de alta velocidad (de aluminio-silicio), conocidos comúnmente como diodos
Schottky. Esto está incluido en la tabla, ya que algunos transistor IGFET de potencia de
silicio tienen un diodo Schottky inverso "parásito" formado entre la fuente y el drenaje
como parte del proceso de fabricación. Este diodo puede ser una molestia, pero a veces
se utiliza en el circuito del cual forma parte.

El transistor bipolar como amplificador[editar]

El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-Moll),
uno entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y colector,
polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensión
igual a la tensión directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y
unos 0,4 para el germanio.
Lo interesante del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional a
la corriente de base: IC = β IB, es decir, ganancia de corriente cuando β>1. Para
transistores normales de señal, β varía entre 100 y 300. Existen tres configuraciones para
el amplificador transistorizado: emisor común, base común y colector común.

Emisor común[editar]
Emisor común.

La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor se conecta
al punto de tierra (masa) que será común, tanto de la señal de entrada como para la de
salida. En esta configuración, existe ganancia tanto de tensión como de corriente. Para
lograr la estabilización de la etapa ante las variaciones de la señal, se dispone de una
resistencia de emisor, (RE) y para frecuencias bajas, la impedancia de salida se aproxima a
RC. La ganancia de tensión se expresa:
El signo negativo, indica que la señal de salida está invertida con respecto a la señal de
entrada.
Si el emisor está conectado directamente a masa, la ganancia queda expresada de la
siguiente forma:
Como la base está conectada al emisor por un diodo polarizado en directo, entre ellos se
puede suponer que existe una tensión constante, denominada  y que el valor de la
ganancia (β) es constante. Del gráfico adjunto, se deduce que la tensión de emisor es:
Y la corriente de emisor:
.
La corriente de emisor es igual a la de colector más la de base:
Despejando la corriente de colector:
La tensión de salida, que es la de colector se calcula así:
Como β >> 1, se puede aproximar:
y, entonces es posible calcular la tensión de colector como:
La parte entre paréntesis es constante (no depende de la señal de entrada), y la restante
expresa la señal de salida. El signo negativo indica que la señal de salida está desfasada
180º respecto a la de entrada.
Finalmente, la ganancia es expresada como:
La corriente de entrada, , si  puede expresarse como sigue:
Suponiendo que , podemos escribir:
Al dividir la tensión y corriente en la base, la impedancia o resistencia de entrada queda
como:
Para tener en cuenta la influencia de frecuencia se deben utilizar modelos de transistor
más elaborados. Es muy frecuente usar el modelo en pi.

Diseño de una etapa en configuración emisor

común[editar]

Recta de carga de un transistor en configuración de emisor común.

Amplificador de emisor común.

Recta de carga
Esta recta se traza sobre las curvas características de un transistor que proporciona el
fabricante. Los puntos para el trazado de la misma son:  y la tensión de la fuente de
alimentación 
En los extremos de la misma, se observan las zonas de corte y de saturación, que tienen
utilidad cuando el transistor actúa como interruptor. Conmutará entre ambos estados de
acuerdo a la polarización de la base.
La elección del punto Q, es fundamental para una correcta polarización. Un criterio
extendido es el de adoptar , si el circuito no posee . De contar con  como es el caso del
circuito a considerar, el valor de  se medirá desde el colector a masa.
El punto Q, se mantiene estático mientras la base del transistor no reciba una señal.
Ejercicio
Procederemos a determinar los valores de 
Datos: 
Esta aproximación se admite porque 
Para que el circuito opere en una zona de eficacia, la corriente a través del divisor de
voltaje  y , debe ser mucho mayor que la corriente de base; como mínimo en una relación
10:1
 utilizando el valor de  obtenido anteriormente
  
La resistencia dinámica del diodo en la juntura del emisor , se calcula tomando el valor del
voltaje térmico en la misma, y está dado por: 
Con este valor, se procede a calcular la ganancia de voltaje de la etapa; 
No se toma en cuenta  ya que el emisor se encuentra a nivel de masa para la señal por
medio de , que en el esquema se muestra como ; entonces, la impedancia de salida , toma
el valor de  si el transistor no tiene carga. Si se considera la carga ,  se determina
por  considerando que  tiene el valor , 
Al considerar la, la ganancia de tensión se ve modificada: 
La impedancia de entrada en la base del transistor para el ejemplo, está dada por 
Mientras que la impedancia de entrada a la etapa, se determina: 
La reactancia de los capacitores no se ha tenido en cuenta en los cálculos, porque se han
elegido de una capacidad tal, que su reactancia  en las frecuencias de señales empleadas.

Base común[editar]

Base común.

La señal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. La base se conecta a
las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta configuración se tiene
ganancia solo de tensión. La impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente
algo menor que uno, debido a que parte de la corriente de emisor sale por la base. Si
añadimos una resistencia de emisor, que puede ser la propia impedancia de salida de la
fuente de señal, un análisis similar al realizado en el caso de emisor común, da como
resultado que la ganancia aproximada es:
La base común se suele utilizar para adaptar fuentes de señal de baja impedancia de
salida como, por ejemplo, micrófonos dinámicos.

Colector común[editar]

Colector común.

La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El colector se conecta
a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta configuración se
tiene ganancia de corriente, pero no de tensión que es ligeramente inferior a la unidad. La
impedancia de entrada es alta, aproximadamente β+1 veces la impedancia de carga.
Además, la impedancia de salida es baja, aproximadamente β veces menor que la de la
fuente de señal.

El transistor bipolar frente a la válvula

termoiónica[editar]
Antes de la aparición del transistor, eran usadas las válvulas termoiónicas. Las válvulas
tienen características eléctricas similares a la de los transistores de efecto campo (FET): la
corriente que los atraviesa depende de la tensión en el terminal llamado rejilla. Las
razones por las que el transistor reemplazó a la válvula termoiónica son varias:

 Las válvulas necesitan tensiones muy altas, del orden de las centenas de
voltios, que son peligrosas para el ser humano.
 Las válvulas consumen mucha energía, lo que las vuelve particularmente poco
útiles para el uso con baterías.
 El peso: El chasis necesario para alojar las válvulas y los transformadores
requeridos para su funcionamiento sumaban un peso importante, que iba
desde algunos kilos a decenas de kilos.
 El tiempo medio entre fallas de las válvulas termoiónicas, el cual es muy corto
comparado con el de los transistores, sobre todo a causa del calor generado.
 Retardo en el arranque: Las válvulas presentan una cierta demora en
comenzar a funcionar, ya que necesitan estar calientes para establecer la
conducción.
  El efecto microfónico: Muy frecuente en las válvulas a diferencia de los
transistores, que son intrínsecamente insensibles a él.
 Tamaño: Los transistores son más pequeños que las válvulas. Aunque existe
unanimidad sobre este punto, conviene hacer una salvedad: en el caso de
dispositivos de potencia, estos deben llevar un disipador, de modo que el
tamaño que se ha de considerar es el del dispositivo (válvula o transistor) más
el del disipador. Como las válvulas pueden funcionar a temperaturas más
elevadas, la eficiencia del disipador es mayor en ellas que en los transistores,
con lo que basta un disipador mucho más pequeño.
 Los transistores trabajan con impedancias bajas, o sea con tensiones
reducidas y corrientes altas; mientras que las válvulas presentan impedancias
elevadas y por lo tanto trabajan con altas tensiones y pequeñas corrientes.
 Costo: Los transistores costaban menos que las válvulas, desde su
lanzamiento inicial y se contó con la promesa de las empresas fabricantes de
que su costo continuaría bajando (como de hecho ocurrió) con suficiente
investigación y desarrollo.
Como ejemplo de todos estos inconvenientes se puede citar a la primera computadora
digital, llamada ENIAC, la cual pesaba más de treinta toneladas y consumía 200 kilovatios,
suficientes para alimentar una pequeña ciudad, a causa de sus aproximadamente 18 000
válvulas, de las cuales algunas se quemaban cada día, necesitando una logística y una
organización importantes para mantener este equipo en funcionamiento.
El transistor bipolar reemplazó progresivamente a la válvula termoiónica durante la década
de 1950, pero no del todo. En efecto, durante los años 1960, algunos fabricantes siguieron
utilizando válvulas termoiónicas en equipos de radio de gama alta, como Collins y Drake;
luego el transistor desplazó a la válvula de los transmisores pero no del todo en los
amplificadores de radiofrecuencia. Otros fabricantes de instrumentos eléctricos musicales
como Fender, siguieron utilizando válvulas en sus amplificadores de audio para guitarras
eléctricas. Las razones de la supervivencia de las válvulas termoiónicas son varias:

 Falta de linealidad: El transistor no tiene las características de linealidad a alta

potencia de la válvula termoiónica, por lo que no pudo reemplazarla en los
amplificadores de transmisión de radio profesionales y de radioaficionados sino
hasta varios años después.[cita  requerida]
 Generación de señales armónicas: Las señales armónicas introducidas por la
falta de linealidad de las válvulas resultan agradables al oído humano, como
demuestra la psicoacústica, por lo que son preferidos por los audiófilos.
 Sensibilidad a explosiones nucleares: El transistor es muy sensible a los
efectos electromagnéticos de las explosiones nucleares, por lo que se
siguieron utilizando válvulas termoiónicas en algunos sistemas de control y
comando de aviones caza de fabricación soviética.[cita  requerida]
 Manejo de altas potencias: Las válvulas son capaces de manejar potencias
muy grandes, a diferencia de la que manejaban los primeros transistores; sin
embargo a través de los años se desarrollaron etapas de potencia con
múltiples transistores en paralelo capaces de conseguir manejo de potencias
mayores.
Véanse también: Válvula termoiónica y  Transistor bipolar.