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Amplificador Multietapa BJT y MOSFET PDF
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RESUMEN: Para este laboratorio se realizó una Los MOSFET también trabajan en 3 regiones: corte,
práctica donde se diseñó un amplificador multietapa, y lineal u óhmica, saturación o activa.
para ello se utilizaron dos transistores un MOSFET y un
BJT. Como primera etapa se acopló un MOSFET de Para utilizar un transistor BJT como amplificador es
enriquecimiento en autopolarización y como segunda necesario aplicar algún tipo de polarización con el fin de
etapa un BJT en polarización universal. mantenerlo en la zona de activación. También se
Además, se implementó un pre-amplificador con la utilizaran polarizaciones para mantener al MOSFET en
función de aumentar el nivel de la señal. región óhmica.
ABSTRACT: For this laboratory a practice was Para realizar un amplificador se toma en cuenta que se
carried out where a multi-stage amplifier was designed, acopla un transistor BJT y/o un MOSFET en cascada.
and for this purpose two transistors were used, a Cada sistema se representa por una ganancia de voltaje
MOSFET and a BJT. As a first stage a MOSFET in Av en condiciones de carga, es por esto que se
self-polarization enrichment was coupled and as a consideran impedancias de entrada e impedancias de
second stage a BJT in universal polarization. salida de las configuraciones conectadas.
In addition, a pre-amplifier with the function of increasing
the signal level was implemented. Hay 3 formas de conectar estos sistemas:
Los BJT son dispositivos de corriente controlados por La conexión cascodo no tiene un capacitor de acople
corriente. Este trabaja en tres regiones: corte, saturación entre etapa y etapa, sino que simplemente se conectan
y activación. con un cable.
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Además se tiene:
ID= IS
VS=ID RS
26mV
En esta conexión el transistor compuesto actúa como re = IE
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una sola unidad de ganancia de corriente. [2]
2. MATERIALES Y MÉTODOS
Se tiene en cuenta que, el transistor MOSFET utilizado
es de tipo enriquecimiento, por lo tanto se hace uso de
las siguientes ecuaciones:
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R2 V CC
E th = R1+R2
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Altas Frecuencias
Eth−V BE
IB = Rth + (β+1)RE
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26mV
re = IE
(16)
CÁLCULOS
MOSFET
Etapa 1:
Zi= RG (17)
Zo= RD (18)
Etapa 2:
Zo= RC (21)
Av= −RC
re
(22)
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PreAmplificador
26mV
re = IE
re = 9.64 Ω
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Amplificador Multietapa BJT y MOSFET
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Ro=49.729Ω. Teniendo en cuenta esto, a la resistencia amplificador multietapa la ganancia se verá afectada ya
más pequeña se le asignó el valor de 17KHz, y a la más que va a reducirse.
grande se le asignó un valor de 1,7KHz. Así, con estos
valores ya fue posible hallar los capacitores
interelectricos.
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.
REFERENCIAS
omado de:
[1] T
https://circuitoslistos.com/index.php/2019/11/10/cual-es-la-difere
ncia-entre-un-transistor-bjt-y-un-mosfet/