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Práctica 1
Característica del diodo.
1.1 Competencia específica a desarrollar.
Obtener puntos de operación dentro de la curva característica de un diodo de silicio de uso
general para bosquejar su curva i D contra v D. Adicionalmente, visualizar una curva de
operación usando un osciloscopio en modo XY .

1.2 Relación de la Práctica 1 con el contenido del curso.

La presente práctica de laboratorio contribuye al conocimiento significativo de los siguientes
apartados del programa de la asignatura Electrónica Analógica (AEF-1021) del plan de la
carrera de Ingeniería Eléctrica IELC-2010-209:
1.1 Construcción de un Diodo
1.1.1 Semiconductores contaminados P y N
1.1.2 Unión PN

1.3 Fundamentos teóricos.

1.3.1 La unión PN y su polarización.

El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulación de corriente entre sus
terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido contrario.

En la Fig. 1.1 se muestra el símbolo y la curva característica tensión-intensidad del

funcionamiento de un diodo ideal. El sentido permitido para la corriente es de A a K.
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Figura 1.1 Símbolo y curva característica tensión-corriente del diodo ideal.

El funcionamiento del diodo ideal es el de un componente que presenta resistencia nula al

paso de la corriente en un determinado sentido, y resistencia infinita en el sentido opuesto. La
punta de la flecha del símbolo del diodo, indica el sentido permitido de la corriente.

Actualmente los diodos se fabrican a partir de la unión de dos materiales semiconductores de

características opuestas, es decir, uno de tipo N y otro de tipo P. A esta estructura se le añaden
dos terminales metálicos para la conexión con el resto del circuito. En la Figura 1.2 se presenta
el esquema de los dos tipos de diodos que se fabrican actualmente, el diodo vertical y el diodo
plano.

(a) (b)

Figura 1.2 Esquemas de diodos de unión PN: (a) vertical, (b) plano.

El hecho de que los diodos se fabriquen con estos materiales conlleva algunas desviaciones de
comportamiento con respecto al diodo ideal.

Supongamos que se dispone de un monocristal de silicio puro, dividido en dos zonas con una
frontera nítida, definida por un plano. Una zona se dopa con impurezas de tipo P y la otra de
tipo N (Fig. 1.3). La zona P tiene un exceso de huecos, y se obtiene introduciendo átomos del
grupo III en la red cristalina (por ejemplo, boro). La zona N dispone de electrones en exceso,
procedentes de átomos del grupo V (fósforo). En ambos casos se tienen también portadores de
signo contrario, aunque en una concentración varios órdenes de magnitud inferior (portadores
minoritarios).
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Figura 1.3 Impurificación del silicio para la obtención de diodos PN

En cada zona la carga total es neutra: por cada electrón hay un ion positivo, y por cada hueco
un ion negativo, es decir, no existen distribuciones de carga neta, ni campos eléctricos
internos. En el momento mismo de crear dos zonas de diferente concentración de portadores,
entra en juego el mecanismo de la difusión. Como se recordará, este fenómeno tiende a llevar
partículas de donde hay más a donde hay menos. El efecto es que los electrones y los huecos
cercanos a la unión de las dos zonas la cruzan y se instalan en la zona contraria, es decir que
algunos electrones de la zona N pasan a la zona P y algunos huecos de la zona P pasan a la
zona N.

Este movimiento de portadores de carga tiene un doble efecto. Centrémonos en la región de la

zona P cercana a la unión, donde:

 El electrón que pasa la unión se recombina con un hueco. Aparece una carga negativa,
ya que antes de que llegara el electrón la carga total era nula.
 Al pasar el hueco de la zona P a la zona N, provoca un defecto de carga positiva en la
zona P, con lo que también aparece una carga negativa.

El mismo razonamiento, aunque con signos opuestos puede realizarse para la zona N. En
consecuencia, a ambos lados de la unión se va creando una zona de carga, que es positiva en la
zona N y negativa en la zona P (Figura 1.4).

Figura 1.4 Formación de la unión PN

En ese momento está ya formado el diodo de unión PN, y como resultado del proceso se ha
obtenido:
 Zona P, semiconductora, con una resistencia RP.
 Zona N, semiconductora, con una resistencia RN.
 Zona de agotamiento (depleción): No es conductora, puesto que no posee portadores
de carga libres. En ella actúa un campo eléctrico, o bien entre los extremos actúa una
barrera de potencial.

Hay que tener en cuenta que este proceso sucede instantáneamente en el momento en el que se
ponen en contacto las zonas N y P, y no necesita de ningún aporte de energía, excepto el de la
agitación térmica.
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Si el bloque PN descrito en la Figura 1.4 se conecta a una fuente con el borne positivo
conectado al lado P y el borne negativo conectado al lado N, pero la tensión de la fuente es
menor que el potencial de conducción del diodo, la corriente que circula por el circuito es nula
(Fig. 1.5).

Figura 1.5 Diodo PN durante la aplicación de una tensión inferior a la de barrera.

Sin embargo, si se aplica una tensión positiva mayor que la tensión de barrera en el ánodo, se
generará un campo eléctrico que "empujará" los huecos hacia la unión, provocando un
estrechamiento de la zona de depleción y permitiendo el flujo de portadores mayoritarios
desde el lado P hasta el lado N del dispositivo (Figura 1.6).

Figura 1.6: Un diodo PN polarizado positivamente conduce.

En otras palabras, si la tensión aplicada supera a la de barrera, se reduce la zona de depleción

y el dispositivo conduce.

Si ahora se aplica una tensión positiva a la zona N y negativa a la zona P, se retiran portadores
mayoritarios próximos a la unión. Estos portadores son atraídos hacia los contactos
aumentando la anchura de la zona de depleción. Esto hace que la corriente debido a los
portadores mayoritarios sea nula (Figura 1.7).

Ahora bien, en ambas zonas hay portadores minoritarios. Un diodo polarizado en inversa lo
está en directa para los minoritarios, que son atraídos hacia la unión. El movimiento de estos
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portadores minoritarios crea una corriente, definida como corriente de saturación inversa, con
valor mucho menor que la obtenida en polarización directa para los mismos niveles de
tensión.

Figura 1.7 Un diodo PN polarizado inversamente no conduce.

Si se aumenta en gran medida la tensión inversa, llega un momento en que se produce la

ruptura de la zona de depleción, al igual que sucede en un material aislante: el campo eléctrico
puede ser tan elevado que arranque electrones que forman los enlaces covalentes entre los
átomos de silicio, originando un proceso de ruptura por avalancha. (Nota: Sin embargo, ello
no conlleva necesariamente la destrucción del diodo, mientras la potencia consumida por el
diodo se mantenga en niveles admisibles).

1.3.2 Característica tensión-corriente.

La Figura 1.8 muestra la característica V-I (tensión-corriente) típica de un diodo real.

Figura 1.8 Característica V-I de un diodo de unión PN.

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En la gráfica se aprecian claramente diferenciadas las diversas regiones de funcionamiento

explicadas en el apartado anterior:
 Región de conducción en polarización directa.
 Región de corte en polarización inversa.
 Región de conducción en polarización inversa.

Por encima de 0 Voltios, la corriente que circula es inicialmente muy pequeña, desde cero y
hasta que se alcanza la tensión de barrera (V ON). A partir de que se alcanza el estado de
conducción, donde el voltaje de diodo es VON, la resistencia que ofrece el componente al paso
de la corriente disminuye progresivamente, hasta quedar limitada sólo por las resistencias
internas de las zonas P y N y la intensidad que circula por la unión aumenta rápidamente. En
el caso de los diodos de silicio, VON se sitúa en torno a 0.7 V.

Cuando un diodo se polariza inversamente, la corriente resultante es mucho menor que la que
se obtiene para los mismos niveles de tensión en polarización directa, pero cuando la tensión
de polarización inversa aumenta de forma importante, se alcanza la región de ruptura, donde la
corriente puede aumentar significativamente y la tensión se mantiene casi constante.

1.3.3 Parámetros máximos de un diodo comercial.

A la hora de elegir un diodo para una aplicación concreta se debe cuidar que presente unas
características apropiadas para dicha aplicación. Para ello, se debe examinar cuidadosamente
la hoja de especificaciones que el fabricante provee. Las características comerciales más
importantes de los diodos que aparecen en cualquier hoja de especificaciones son:
 Corriente máxima en directa, IFmax o IFM (DC forward current): Es la corriente continua
máxima que puede atravesar el diodo en directa sin que este sufra ningún daño, puesto
que una alta corriente puede provocar un calentamiento por efecto Joule excesivo. Los
fabricantes suelen distinguir tres límites: corriente máxima continua (I FM), corriente de
pico transitoria (Peak forward surge current), en la que se especifica también el tiempo
que dura el pico y corriente de pico repetitivo (Recurrent peak forward current), en la
que se especifica la frecuencia máxima del pico.
 Tensión de ruptura en polarización inversa (Breakdown Voltage, BV; Peak Inverse
Voltage, PIV): Es la tensión a la que se produce el fenómeno de ruptura por avalancha.
 Tensión máxima de trabajo en inversa (Maximun Working Inverse Voltage): Es la
tensión que el fabricante recomienda no sobrepasar para una operación en inversa
segura.
 Corriente en inversa, IR (Reverse current): Es habitual que se exprese para diferentes
valores de la tensión inversa
 Caída de tensión en polarización directa, VF (Forward Voltage): Pese a que se ha
señalado anteriormente los 0.7V como valor típico, en muchas ocasiones los
fabricantes aportan datos detallados de esta caída de tensión, mediante la gráfica I-V
del dispositivo.

Además, es frecuente que los fabricantes suministren datos adicionales a cerca del
comportamiento del dispositivo para otras temperaturas diferentes a la nominal.
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1.3.4 Un modelo matemático aproximado para la característica en polarización

directa.

El comportamiento de un diodo en el primer cuadrante puede aproximarse con base en la

relación:

VD
(
I =I S e
nVT
)
−1 , (1.1)

donde n, es el factor de idealidad (se considera que n=1 para el silicio, n=2 para el
germanio), V T
es el potencial térmico del diodo, V D es la caída de tensión a través del diodo, e I S es la
corriente de saturación inversa del diodo (especificada en la carta del fabricante).

El valor aproximado del potencial térmico del diodo V T es función de la constante de

Boltzmann y la siguiente expresión permite el cálculo de VT:

k
VT= ∙T, (1.2)
q

donde k=1.38 ∙10-23 J/ºK es la constante de Boltzman, q = 1.6∙10-19 es la carga del electrón y T
es la temperatura de operación en K. Un valor típico para V T a 25 ºC es V T =25.72 mV .

La figura 1.10 muestra una curva de diodo graficada con IS = 1×10-6 A. usando la aplicación
Graph®.

El modelo puede completarse mediante la adición de nuevos parámetros que incluyan efectos
no contemplados en la teoría básica. Por ejemplo, algunos modelos empleados en los
programas simulación por ordenador constan de hasta quince parámetros. Sin embargo, a la
hora de realizar cálculos sobre el papel resulta poco práctico. Por ello es habitual realizar
simplificaciones del modelo para obtener soluciones de modo más simple.

1.3.5 Trazo de la recta de carga de un diodo.

El uso de la recta de carga es una herramienta de análisis gráfico útil para estimar el punto de
operación de un diodo en un circuito eléctrico y se basa en el uso de la curva de operación de
un diodo en combinación con las ecuaciones de la red eléctrica.
Considérese el circuito elemental mostrado en la Fig. 1.9.
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Figura 1.9 Circuito eléctrico simple conformado por una fuente de potencia de cd, una carga
resistiva y un diodo de uso general.

Los pasos a seguir para trazar la recta de carga y estimar el punto de operación Q de un diodo
se describen a continuación.

En primer lugar, es necesario contar con una gráfica correspondiente a la característica de

operación de un diodo de uso general, donde se muestre las escalas de tensión de diodo VD y
corriente de diodo ID. La curva puede ser especificada por un fabricante o puede usarse una
curva obtenida mediante el uso de un programa de graficado a partir de la ecuación de
Shockley, descrita en la sección 1.2.4.

En segundo lugar, se calcula el valor para la corriente de saturación del circuito, es decir, la
corriente que circularía en el diodo considerado ideal. Localizar e indicar sobre la gráfica el
punto ISAT (en este caso, ISAT = V1/R para el circuito de la Fig. 1.9).

En tercer lugar, se calcula el valor para la tensión de corte para el diodo, es decir, la tensión de
un diodo sustituido por un circuito abierto. Localizar e indicar sobre la gráfica el punto VDO
(en este caso, VDO = V1 para el circuito de la Fig. 1.9).

Finalmente, se traza una recta con pendiente negativa desde el punto ISAT hasta el punto VDO.
La intersección de la recta resultante con la curva de operación del diodo define los valores
estimados para el punto de operación del diodo, conocido como el punto Quiescente o Q(VD,
ID) del diodo.

ID (mA)

ISAT
IDQ

VD (V)
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VDQ VDO

Figura 1.10 Gráfica para estimación del punto de operación de un diodo. Se ha tomado como
ejemplo V1 = 5 V, R = 390 Ω para la Fig. 1.9, donde ISAT =12.8 mA, VDO = 5 V, Q(0.6 V, 11.3
mA).

1.4 Simulación.
1.4.1 Polarización directa. Punto de operación.

Con base en la Fig. 1.11(a) desarrolla la simulación de un diodo polarizado directamente

ajustando la fuente en 5 Vcd. Observa los valores obtenidos para el punto de operación del
diodo.

1.4.2 Polarización inversa. Punto de operación.

Con base en la Fig. 1.11(b) desarrolla la simulación de un diodo polarizado inversamente

ajustando la fuente en 30 Vcd. Observa los valores obtenidos para el punto de operación del
diodo.

1.4.3 Curva de operación con osciloscopio en modo XY.

Con base en la Fig. 1.11(c) desarrolla la simulación de un diodo polarizado directamente

aplicando como fuente de potencia una señal triangular de 15 V de amplitud y +15 V cd de
voltaje offset. Observa la gráfica definida en modo XY ajustando la posición y la escala V/div
para cada canal. La gráfica debe representar la curva de operación en polarización directa para
un diodo comercial de uso común.

1.5 Material y Equipo.

Una fuente de cd ajustable (0 V- 30 V). Un diodo de uso general 1N4007.
Dos multímetro digital (voltímetro y miliamperímetro). Un resistor de 120 ohm, 4 watt.
Un generador de funciones. Seis cables de conexión.
Un osciloscopio de dos canales con puntas de prueba. Seis caimanes.
Una tablilla de prueba (protoboard).

1.6 Circuitos de aplicación.

Los circuitos a realizar en esta práctica se muestran en la figura 1.11.

1.7 Proceso operativo.

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1.7.1 Característica de polarización directa.

Armar el circuito de la Fig. 1.11(a) con la fuente de tensión ajustada en 0 V. Aplicar tensión
creciente al circuito de aplicación en pasos que consigan los valores para v D especificados en
la tabla 1.1 (ajustados con ayuda de un voltímetro conectado en paralelo con el diodo).
Completar la tabla 1.1, anotando los valores medidos para la intensidad de corriente i D (con
ayuda del amperímetro insertado en la entrada del circuito de carga). Usando las parejas
ordenadas de medidas obtenidas, bosquejar una aproximación de la característica de
polarización directa en la cuadrícula propuesta en la Fig. 1.12, donde se sugiere la posición de
los ejes.

(a) (b)

(c)
Figura 1.11 Circuitos para obtener: (a) Característica de polarización directa, (b) Característica
de polarización inversa, (c) Curva de operación usando un osciloscopio.

Tabla 1.1 Puntos de operación para un diodo polarizado directamente.

vD 0.0 V 0.1 V 0.2 V 0.4 V 0.6 V 0.7 V 0.8 V
iD
 11

Figura 1.12 Característica aproximada de operación de un diodo bajo prueba.

1.7.2 Característica de polarización inversa.

Armar el circuito de la Fig. 1.11(b) con la fuente de tensión ajustada en 0 V. Aplicar tensión
creciente al circuito de aplicación en pasos que consigan los valores para v D especificados en
la tabla 1.2 (ajustados con ayuda de un voltímetro conectado en paralelo con el diodo, donde la
punta positiva del multímetro se conecta al lado P del diodo). Completar la tabla 1.2 anotando
los valores medidos para la intensidad de corriente i D (con ayuda del amperímetro insertado en
la entrada del circuito de aplicación). Usando las parejas ordenadas de medidas obtenidas,
bosquejar una aproximación de la característica de polarización inversa para completar la
gráfica en la cuadrícula propuesta en la Fig. 1.13, donde se sugiere la posición de los ejes.

Tabla 1.2 Puntos de operación para un diodo polarizado inversamente.

vD 0.0 V -2.0 V -6.0 V -10.0 V -15.0 V -20.0 V -30.0 V
iD

1.7.3 Característica de operación usando un osciloscopio.

Armar el circuito de la Fig. 1.11(c). El osciloscopio debe ajustarse en modo xy. En un

osciloscopio típico actual es común oprimir un botón llamado pantalla (display) con lo cual
aparece un menú en la pantalla del osciloscopio, dentro del cual puede seleccionarse (mediante
un botón asociado) el formato (format) de movimiento del haz de barrido con dos opciones:
YT y XY .

Se sugiere, para el generador de funciones usado como fuente de tensión variable, ajustar una
forma de onda triangular de amplitud máxima y un offset aproximado de un cincuenta por
ciento de la amplitud de la fuente.

Se recomienda, con la intención de obtener una visualización objetiva de la curva de operación

del diodo, ajustar tanto las escalas de tensión (volt/div) como los potenciómetros de posición
(position) para ambos ejes.
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Es importante reconocer que la señal aplicada al canal 1 del osciloscopio (CH1) corresponde
al voltaje de diodo v D y la señal aplicada al canal 2 (CH2) es la caída de tensión resultante en
el resistor, la cual es copia fiel de la forma de onda de la intensidad de corriente del circuito i D .

Finalmente, como la única punta de tierra (ground) del osciloscopio se ha colocado

estratégicamente entre el diodo y el resistor, la forma de onda proveniente del resistor debe
invertirse en el osciloscopio oprimiendo primero el botón CH2 y finalmente el botón de
inversión de la señal (Invert).

Insertar una imagen fotográfica del oscilograma obtenido, en el espacio reservado para la
figura 1.13.

Figura 1.13 Oscilograma obtenido para la característica del diodo bajo prueba usando un
osciloscopio digital.

1.8 Preguntas complementarias.

¿Cuál es la finalidad de dopar un semiconductor puro?

¿Por qué es perjudicial el aumento de temperatura en los semiconductores?
¿Qué otro nombre recibe la corriente inversa de saturación?
¿Qué significan las siglas IF y VR?
¿Qué debe limitar la IF que atraviesa un diodo?

1.9 Informe del alumno.

El informe del alumno debe incluir:
 Portada conteniendo el nombre y número de la práctica, así como los nombres de los
integrantes del equipo que participaron en su realización.
 Objetivo de la práctica.
 Material y equipo.
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 Diagramas de circuitos a ensayar.

 Proceso operativo.
 Resultados obtenidos incluyendo gráficas y tablas con valores especificados.
 Cuestionario contestado completamente.
 Obras consultadas en formato APA.

1.10 Obras consultadas.

Molina Marticorena José Luis. (2016). Sitio web Profesor Molina. San Juan, Argentina.
Disponible en http://www.profesormolina.com.ar
Boylestad R. y Nashelsky L. (2004). Electrónica, Teoría de circuitos. Octava edición. México,
D.F.: Pearson:
Angulo C., Muñoz A. y Pareja J. (1989). Prácticas de Electrónica 1. España: McGraw-Hill.