Para facilitar la exposición del diodo empezamos presentando una aproximación al dispositivo real

que llamaremos diodo ideal. El diodo ideal es un elemento de circuito de dos terminales cuyo
símbolo y característica i-v mostramos en la Figura 2.1. Uno de los terminales se denomina ánodo
(positivo) y el otro cátodo (negativo).

Si la caída de tensión es nula diremos que el diodo ideal está polarizado en directa. Bajo
polarización directa la corriente fluye en el sentido ánodo-cátodo y puede tomar cualquier valor
positivo. De modo que en esta región de operación el diodo ideal es equivalente a un
cortocircuito. Si la caída de tensión entre el ánodo y el cátodo es negativa el diodo ideal opera en
su región inversa de funcionamiento. Observamos en la Figura 2.1 que la corriente es nula para
cualquier valor negativo de la tensión y el dispositivo equivale a un circuito abierto. Esta propiedad
de permitir el paso de la corriente en un sentido e impedirlo en el sentido contrario la llamamos
rectificación.

2.4 El diodo real

El funcionamiento del diodo ideal se aproxima al de un dispositivo electrónico llamado diodo real
que está fabricado con un material semiconductor como silicio, germanio, arseniuro de galio u
otros.

Las propiedades físicas de los semiconductores son distintas a las de los conductores y a las de los
aislantes. Así, por ejemplo, el silicio puro conduce a temperatura ambiente pero a medida que se
enfría va dejando de hacerlo. Es más, en las proximidades del cero absoluto de temperaturas (0K),
no conduce. La gran ventaja de este tipo de materiales es que podemos introducir en ellos algunas
impurezas, en una cantidad precisa, y modificar algunas de sus propiedades. De hecho,
determinadas impurezas hacen que aumente el número de cargas libres negativas (electrones) en
el material, con otras podemos aumentar las cargas libres positivas (que se llaman huecos). Una
muestra de material semiconductor que posea impurezas de las que aumentan el número de
electrones se llama semiconductor tipo n (de negativo), y al contrario, si el semiconductor está
“dopado” con impurezas que producen el aumento de los huecos de llama semiconductor tipo p
(positivo). Lo verdaderamente interesante de todo esto es que podemos controlar la cantidad de
impurezas de uno y otro tipo y, por lo tanto, el número de cargas libres que hay en la muestra.

Pues bien, el diodo real basa su operación en una unión de semiconductor tipo p con otro tipo n,
llamada unión pn. Es decir, si analizamos la estructura microscópica del diodo observamos que el
semiconductor cambia de tipo p a tipo n al recorrerlo (Figura 2.7). Los detalles de los procesos
físicos que describen el funcionamiento del diodo son propios de una disciplina llamada
“dispositivos semiconductores” y queda fuera de este texto. De modo que presentaremos el diodo
“visto” desde afuera. Llamaremos ánodo al terminal conectado a la región tipo p y cátodo al
conectado a la tipo n.

Cuando entre ánodo y cátodo (en ese orden) cae una tensión, que no depende del tiempo, de
valor VD, la corriente ID que fluye a través del diodo depende de la tensión de la manera que
mostramos en la Figura 2.8.b. Esta curva es la característica i-v del diodo. Es evidente que no se
trata de una línea recta, por lo tanto este dispositivo es un resistor no lineal.

Observamos en la figura que si vD es menor o igual que cierto valor negativo y fijo (es fijo para un
diodo, pero no es el mismo para cualquier diodo) que llamaremos tensión Zener o tensión de
ruptura, -Vz (tal como la hemos definido, la cantidad Vz es positiva), la corriente que fluye por el
diodo es negativa y puede ser grande. una corriente negativa significa que su sentido es cátodo-
ánodo, osea, en el sentido opuesto al indicado en la Figura 2.8.a.

Si aumentamos el valor de VD hasta uno superior a la tensión Zener vemos que fluye una corriente
negativa y muy pequeña a través del diodo (en la figura esta corriente está aumentada para que la
podamos ver). La corriente es casi constante y se llama corriente inversa de saturación, Is.

Cuando VD es superior o igual a cero diremos que el diodo está polarizado en directa (si VD <0
diremos que está en inversa). En directa el diodo sólo permite el paso de una corriente positiva.
Vemos en la Figura 2.8.b que en las proximidades del valor nulo de VD esta corriente es pequeña
pero que cuando la tensión supera cierto valor, que llamaremos tensión umbral del diodo, Vγ (de
valor próximo a 0.7 V para todos los diodos de silicio) la corriente crece con una pendiente muy
grande.

Además de esta corriente, cuando la tensión aplicada al diodo varía en el tiempo aparece un
término de corriente adicional, iC. Utilizamos letras minúsculas para denotar corrientes o
tensiones que varían con el tiempo y mayúsculas para las que son invariables con el tiempo.
Podemos añadir esta corriente a la expresada por la característica i-v (que corresponde al régimen
estático) en forma de la corriente que fluye por un capacitor no lineal cuya capacitancia, CD,
depende de vD en una forma parecida a la mostrada en la Figura 2.9.a. Por lo tanto, en régimen
dinámico la corriente iD que “entra” al diodo es la suma de la estática (ID) y la dinámica (iC). Esto
lo indicamos con el circuito de la Figura 2.9.b donde la fuente de corriente controlada por tensión
modela la corriente estática de la Figura 2.8.b.

Una vez que hemos expuesto la forma en que opera el diodo, nos ocuparemos en los próximos
apartados de dar expresiones algebraicas para las curvas características ID-VD y CD-vD del
dispositivo, con esto definiremos sus ecuaciones constitutivas. Realizaremos la presentación de
estas expresiones separando el régimen estático del dinámico. Pero antes dedicamos unas líneas a
un tipo especial de diodo: el diodo Zener