Comparacién entre los semiconductores intrinsecos y extrinsecos, 2. El dopaje de un material semiconductor En un semiconductor intrinseco, la adicién de impureza con un semiconductor puro no tiene lugar, mientras que el semiconductor extrinseco se forma al derribar impureza en un semiconductor puro. La densidad de electrones y agujeros en el semiconductor intrinseco es el mismo, es decir, el numero de electrones libres presentes en la banda de conduccion es igual al numero de agujeros en la banda de valencia. Pero en el caso de los semiconductores extrinsecos, el numero de electrones y agujeros no es igual. En un semiconductor de tipo p, los orificios estan en exceso y el semiconductor de tipo n el numero de electrones es mayor que el numero de orificios. La conductividad eléctrica de un semiconductor intrinseco es baja., Mientras que en el semiconductor extrinseco la conductividad eléctrica es alta. un material semiconductor es extrinseco cuando es contaminado con impurezas en minimas proporciones (una particula entre un millon). A este proceso de contaminacién se le conoce como dopaje que a su vez se manifiesta en dos tipos: Tipo N y Tipo P. En el caso del tipo N, se contamina el material con atomos de valencia 5. Al momento de introducirlos se fuerza al quinto electron a vagar por el material ya que no encuentra un lugar estable donde situarse. A estos electrones se les llama electrones mayoritarios. Asi mismo, durante el tipo N se contamina el material con atomos de valencia 3. Debido a esto, queda un hueco donde deberia ir un electron. Este hueco transita facilmente por el material como si fuera un portador de carga positiva. A estos huecos se les conoce como portadores mayoritarios.