Ejemplo 12.

Ejemoplo 12.1
Del circuiro de l figura 13.6 Rediseñe eñ circuito de la figura 6 para que opere
a 10 kHz con los mismos valore de resistencia. Si a 10 kHz, el operacional
proporciona un desfase de -5.7° ¿Cuál será la frecuencia de oscilación?
Para la figura 13.5

Para el circuito 13.8

La resistencia R1 del circuito original de puente de Wien es remplazada por la
combinación serie de R1A = 300 ohms y un MOSFET del arreglo 14007. El
MOSFET es usado en la región triodo como una resistencia controlada por
voltaje. La resistencia del canal rDSon vs. el voltaje de control de compuerta
VGS se muestra en la figura 4. Notar que a medida que el voltaje de
compuerta aumenta, rDSon disminuye y la ganancia no-inversora del
amplificador U1, aumenta
El amplificador operacional U2 es configurado como una etapa inversora con
una ganancia = -51. Esto permite que el voltaje de salida sea razonablemente
grande (del orden de 5V pico), al tiempo que se mantiene baja la salida V1 del
amplificador operacional U1 (y más importante todavía, el VDS del MOSFET).
RB1 y RB2 forman un divisor de voltaje que polariza el sustrato del MOSFET
en -1V, el cual es un voltaje más negativo que los terminales S o D del
MOSFET
El diodo D1 rectifica Vout, el cual será senoidal (¡esperamos¡). VR es por lo
tanto una onda seno rectificada de media onda, la cual cae sobre R5 para
inyectar una corriente en el punto de suma de U3. La resistencia R6 absorbe
una corriente constante de 15 uA desde el punto de suma. La diferencia de
corriente Iå es integrada en el condensador C1 para producir el voltaje de
compuerta VG del MOSFET. La resistencia RG es para protección del MOSFET.