GUÍA DE ACTIVIDADES Código: TLEC – 001

Programa de Tecnología en Electrónica Versión: 01

FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA
GUIA NÚMERO
ANÁLOGA
TEORIA DE LOS ÁTOMOS – FÍSICA DE LOS
DURACIÓN 2 Horas
SEMICONDUCTORES
REALIZACIÓN DE LA ACTIVIDAD: 6/08/2019
ENTREGA DE INFORME DE RESULTADOS: 20/08/2019
INTEGRANTES:
NOMBRE : ______________________________________________ CALIFICACIÓN
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Comentarios del Docente:
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FISICA DE LOS SEMICONDUCTORES

Objetivo:

 Determinar los diferentes conceptos asociados a la teoría de los átomos.

FÌSICA DE LOS SEMICONDUCTORES

INTRODUCCIÓN A LA TEORÍA DEL ÁTOMO.

Para el estudio del diodo de unión y de los transistores es conveniente hacer un breve bosquejo de la
estructura atómica y de la conducción en los sólidos. Wolfgang Pauli (1900-1958), físico austriaco a quien se
otorgó el Premio Nobel en 1945, postuló, en su principio de exclusión, que los electrones no pueden poseer,
sin radiar, más que ciertas cantidades permitidas de energía; sin embargo, supuso la existencia de niveles
discretos permitidos de energía u órbitas en los que puede encontrarse el electrón. Dichas órbitas estables
pueden ser determinadas por la mecánica cuántica.

También postuló que dos electrones no pueden ocupar exactamente el mismo nivel de energía, ya sea que
estén en el mismo átomo o en átomos distintos, por lo que se ha determinado que, en un átomo estable, todos
los niveles permitidos de energía más próximos al núcleo están ocupados por electrones.

El electrón, al saltar de un nivel de energía superior a otro más cercano al núcleo, radia energía
electromagnética. La radiación se produce porque el electrón necesita menos energía potencial en las órbitas
situadas más cerca del núcleo. Sin embargo, si el electrón es excitado desde una órbita interna hacia las órbitas
exteriores, absorberá energía y, si se incrementa por algún método la excitación, el electrón puede
desprenderse del núcleo, lo cual producirá la ionización o ruptura. La ionización se puede dar cuando los
materiales se someten a la acción de campos eléctricos intensos, temperaturas altas, radiaciones, etcétera.
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El nivel de energía u órbita externa de los átomos de germanio o silicio contiene cuatro electrones en su última
órbita, llamada capa de valencia, y los electrones que contiene se conocen como electrones de valencia.

Las órbitas sin ocupar, situadas por encima de las órbitas de valencia, se llaman niveles de excitación. Por ello,
al aplicarle a un electrón una energía suficiente, éste puede saltar del nivel de valencia al de excitación,
quedando los electrones tan débilmente ligados, que la aplicación de un campo eléctrico puede desplazarlos
hacia un potencial más positivo.

A temperaturas por encima del cero absoluto, habrá alguna probabilidad de encontrar electrones en los
niveles de excitación a causa de la agitación térmica.

Bandas de energía del germanio

Es conveniente que, en vez de hablar de niveles discretos de energía, hablemos de bandas de energía. Así, por
ejemplo, la figura 1 se muestra un cristal de germanio, cuyas bandas de energía son enormes y tiene billones
de átomos en estrecha aproximación y en disposición ordenada. Las franjas negras muestran las capas de
valencia partiendo desde el núcleo, que se muestra con un círculo y una cruz en su centro. Cada círculo con la
cruz indica átomos similares, los cuales producen una acción mutua que permite niveles de energía
adicionales.

Figura No. 1. Cristal de Germanio.

Si en un cristal la banda de valencia está completamente llena, no puede producirse la conducción, a menos que
se aplique un campo eléctrico suficiente para elevar algunos electrones de la banda de valencia a la de
conducción, dejando en la banda de valencia los niveles vacantes conocidos como huecos, los cuales se
consideran cargas eléctricas positivas.

SEMICONDUCTORES

De acuerdo con la cantidad de energía que debe recibir un electrón para saltar el intervalo entre la banda de
valencia y la de conducción, los materiales pueden clasificarse eléctricamente en: aisladores, semiconductores,
conductores y superconductores.
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Figura No. 2. Anchura relativa de los intervalos de los materiales.

Conducción Intrínseca

Si se toma una barra de germanio o de silicio puro y se somete a una temperatura baja, habrá pocos electrones
disponibles para saltar a la banda de conducción, por lo que el material aparecerá como un aislador. Sin
embargo, si la temperatura se eleva lo suficiente, la resistencia de la barra disminuye, haciendo que la
temperatura comunique a los electrones de valencia una energía cinética suficiente para que pocos electrones
salten a la banda de conducción, en la que tendrán libertad para actuar como portadores de corriente, cuando
estén bajo la influencia de un campo eléctrico.

La figura 3 muestra átomos de silicio, los cuales tienen cuatro electrones en su última órbita.

El lugar que marca la punta de una flecha indica que existe un hueco, cuya carga eléctrica se considera positiva
e intrínseca del silicio.

Figura No. 3. La ruptura de un enlace covalente produce un electrón y un hueco.

En la figura 3 se observa que, al saltar el intervalo que hay entre la banda de valencia y la de conducción, se
rompió el enlace covalente y en la región de donde provino el electrón quedó un hueco. Dicho hueco atraerá a
un electrón de enlace covalente inmediato, el cual dejará también un hueco en su posición anterior, por lo que
un tercer electrón llenará el hueco dejado por el segundo electrón, y así sucesivamente. Observe que los
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electrones se desplazan en la banda de conducción y los huecos en la banda de valencia. Al aplicar un campo
eléctrico, los huecos son atraídos hacia la terminal negativa, mientras que [os electrones se irán hacia la
terminal positiva.

La conducción que implica la generación de huecos-electrones se llama conducción intrínseca. Este tipo de
conducción no es deseable, por tener los dos tipos de carga eléctrica (huecos-positivos, electrones-negativos).
Por otra parte, los huecos no circulan por el circuito exterior sino sólo por el interior del elemento. La
conductividad del silicio aumenta proporcionalmente con el número de portadores de corriente.

Elementos contaminados

En la sección anterior se vio que no es conveniente manejar cantidades iguales de huecos y de electrones, sino
que se deben usar unos u otros. La forma para lograr lo anterior consiste en mezclar entre sí los siguientes
elementos químicos:

Al agregarle al germanio o al silicio diminutas cantidades de un elemento trivalente como el boro, se formará el
elemento impuro aceptor tipo P, rico en huecos, es decir, que tiene abundancia de cargas positivas. En la figura
4 se muestra que, para cada hueco que aparece en cada uno de los átomos trivalentes, habrá un electrón que lo
ocupe

Una mezcla electrones de la tercera y quinta columna de la tabla periódica forma el conjunto de compuestos un
poco más covalentes, los cuales se convierten en una serie de semiconductores, cuyas propiedades son
similares en muchos aspectos a las de los materiales correspondientes a la cuarta columna de la tabla periódica.

Hoy día tiene mucho uso el arseniuro de galio, que es muy similar al germanio o al silicio, sólo que los átomos de
galio y de arsénico se alteran en la red cristalina de tal forma que cada átomo de galio está rodeado por cuatro
átomos de arsénico y, a su vez, cada átomo de arsénico está rodeado por cuatro de galio. Los electrones
sobrantes de los átomos pentavalentes del arsénico llenan los huecos producidos por los átomos trivalentes del
galio, de manera que el cristal equivale a los átomos tetravalentes.

Con el arseniuro de galio (GaAs) se puede obtener el elemento tipo P, añadiéndole pequeñas cantidades de
átomos de un elemento de la segunda columna como el cinc, que tiene dos electrones de valencia. Dichos
átomos reemplazan a los átomos trivalentes del galio y suministran un hueco además de aceptar el electrón que
le cede el átomo de arsénico.
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También con el GaAs se obtiene el elemento tipo N, agregándole átomos de la columna VI, como el selenio, que
tiene seis electrones de valencia. Estos átomos reemplazan a los átomos de arsénico, suministran un electrón
libre y además ceden un electrón para que ocupe el hueco de los átomos de galio.

Figura No. 4. Átomo aceptor tipo P. Figura No. 5. Nivel de aceptores fáciles de
alcanzar por los electrones de la banda de
valencia.

Ahora el germanio se mezcla con una diminuta cantidad de fósforo o de cualquier otro elemento de la quinta
columna de la tabla periódica. El fósforo tiene cinco electrones en su última órbita, con lo que siempre habrá un
electrón libre, ya que cuatro electrones de los átomos de germanio se enlazarán con cuatro electrones del
fósforo, y quedará un electrón sin lugar a donde ir. El exceso de electrones que posee la fusión de los dos
elementos se conoce como elemento impuro donador tipo N.

Física de los semiconductores.

Figura No. 6. Átomo aceptor tipo N. Figura No. 7. Nivel de donadores fáciles de
excitarse por los electrones de la banda de
conducción.
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En la figura 7 se observa que el nivel de donadores está ocupado por el quinto electrón débilmente ligado al
átomo donador.

El germanio y el silicio tienen cuatro electrones de valencia, lo que hace que el contaminado de ellos con los
elementos de la tercera y quinta columna de la tabla periódica produzca efectos similares. Sin embargo, la
diferencia principal entre el germanio y el silicio reside en el ancho del intervalo de energía entre la banda de
valencia y la de conducción: el intervalo en el silicio es mayor, por lo que se requiere más energía para romper
un enlace covalente y transferir el electrón desde la banda de valencia a la de conducción. Esto significa que,
para una temperatura dada, el silicio puro tiene menos portadores de corriente disponibles que el germanio
puro. Por otra parte, aunque la resistividad del silicio es mayor, puede resultar desventajosa en algunos casos,
ya que el efecto total de la temperatura sobre los transistores de silicio es menor que sobre los de germanio.

Responda las siguientes preguntas teniendo en cuenta el texto “Física de los Semiconductores”:

1. Explique el principio de exclusión de Pauli.

2. ¿Radia energía un electrón cuando se acerca al núcleo?

3. Diga cuáles son los dos elementos con que se fabrican esencialmente los diodos.

4. ¿Cuántos electrones de valencia tienen el silicio y el germanio?

5. ¿Qué significa nivel de excitación?

6. ¿Puede un campo eléctrico exterior influir fácilmente en un electrón que está en un nivel de excitación?

7. ¿Qué produce un electrón cuando salta de una órbita a otra?

8. ¿Cuándo absorbe energía un electrón?

9. ¿Cuándo se produce la ionización o ruptura de un electrón?

10. ¿A qué se le llama capa de valencia?

11. ¿Qué es la banda de energía y qué es la de conducción?

12. ¿Qué hace que una barra de germanio o de silicio disminuya su resistencia?

13. ¿A qué se le llama conducción intrínseca?

14. ¿Cuál es el mecanismo por el que se generan los huecos?

15. ¿Cuáles son los portadores de corriente predominante en un material tipo P?

16. Mencione algunos elementos contaminados.

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17. ¿Cuáles son los portadores de corriente que predominan en un material tipo P?

18. ¿Por qué se prefiere el silicio al germanio?

19. Descargue el simulador de circuitos eléctricos Proteus, siga las indicaciones de instalación, no descargue el
portable.
Recurso:
https://www.youtube.com/watch?v=sqzRvkLVh9g

a. Observe e tutorial de introducción a Proteus.

b. Observe, simule e implemente el ejemplo propuesto para familiarizarse con la interfaz de Proteus y
realizar la comparación entre el circuito ideal (simulación) y el real.
Recurso:
“Ejemplo, como crear un puente de diodos en Proteus y su explicación de componentes”.
https://www.youtube.com/watch?v=DtQ59sRUOAY

Observación: Es necesario el uso de recursos informáticos, para el desarrollo de los informes y simulaciones para
cada una de las actividades.