Configuraciones de Transistor BJT

Electro C
Amplificadores básicos (sólo con configuraciones) con

transistor BJT
AUTOR
Marco Antonio Carvajal Muñiz
Para el transistor NPN P2N2222A:
Polarización fija:
Consultamos la hoja de características como se ve en la tabla 1°:
Tabla 1°: Características del transistor P2N2222A encendido.
Una vez viendo las características de 𝐼𝐶 , 𝑉𝐶𝐸 y ℎ𝐹𝐸 , tomamos las siguientes características:
𝑰𝑪 = 𝟏𝟎𝒎𝑨 𝑽𝑪𝑬 = 𝟏𝟎𝑽 𝑽𝑪𝑪 = 𝟐𝟎𝑽 𝒉𝑭𝑬 = 𝟐𝟎𝟎
Con estos valores obtenemos los restantes:
𝐼𝐶 10𝑚𝐴
𝐼𝐵 = =
ℎ𝐹𝐸 200
𝑰𝑩 = 𝟓𝟎µ𝑨
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 20𝑉 − 0.7𝑉
𝑅𝐵 = =
𝐼𝐵 50µ𝐴
𝑹𝑩 = 𝟑𝟖𝟔𝒌Ω
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 20𝑉 − 10𝑉
𝑅𝐶 = =
𝐼𝐶 10𝑚𝐴
𝑹𝑪 = 𝟏𝒌Ω
𝐼𝐸 = (ℎ𝐹𝐸 + 1)𝐼𝐵 = (200 + 1)50µ𝐴
𝑰𝑬 = 𝟏𝟎. 𝟎𝟓𝒎𝑨
𝑉𝐶𝐵 = (𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 ) − 𝑉𝐵𝐸
𝑽𝑪𝑩 = 𝟗. 𝟑𝑽
EJERCICIOS DE DIODOS EN AC Y DC ELECTRO C

El circuito se muestra en la imagen 1°.
Vcc
20V
RB RC
386kΩ 1kΩ
C2
Vo
C1 10µF
Q1
Vi 2N2222A*
10µF
Imagen 1°: Configuración polarización fija con transistor NPN 2N2222A.
La comprobación de las corrientes se aprecian en la imagen 1.1°.

𝑿𝑴𝑴𝟏 = 𝑰𝑪 𝑿𝑴𝑴𝟐 = 𝑰𝑩 𝑿𝑴𝑴𝟑 = 𝑰𝑬
Imagen 1.1°: Comprobación de intensidades con Multisim.

P á g i n a 3 | 73
La comprobación de las tensiones se aprecian en la imagen 1.2°.
𝑿𝑴𝑴𝟏 = 𝑽𝑪𝑬 𝑿𝑴𝑴𝟐 = 𝑽𝑩𝑪 𝑿𝑴𝑴𝟑 = 𝑽𝑩𝑬
Imagen 1.2°: Comprobación de tensiones con Multisim.
Los valores obtenidos en multisim son muy cercanos a los calculados.

Se introdujo una pequeña tensión de entrada de 5𝑚𝑉 de amplitud a 60Hz y se obtuvo una tensión de salida de
2V, la señal de salida fue 400 veces más grande que la señal que teníamos en la entrada. Si analizamos las dos
señales vemos un desfasamiento de 90° entre ellas, esto se debe a los capacitores de acoplamiento, se sabe que
cuando tenemos componentes capacitivos o inductivos ocurren desfasamientos en las señales.
En la hoja de características nos menciona desde un principio que el transistor NPN P2N2222A es un transistor
para amplificar señales, tendríamos un resultado diferente si este fuera un transistor de potencia y de otro tipo, de
igual forma sabemos que es un transistor bastante conocido y también se nos menciona que está conformado de
Silicio la parte semiconductora de este.
La comparación de señales y desfasamiento se muestra en la imagen 1.3°.
Señal amplificada.
Señal de entrada.

Imagen 1.3°: Señales graficadas en osciloscopio.
Ahora para comprobar esta configuración y la relación entre señal de entrada y señal amplificada, se alimentó ahora
el voltaje de entrada con 2.5mV a 60Hz (la mitad que anteriormente se usó) y obtuvimos una amplificación de 400
veces aproximadamente la señal de entrada como se muestra en la imagen 1.4°, con esto podemos confirmar que
en esta configuración y con los valores propuestos se tiene una amplificación de 400 veces aproximadamente el
valor de la señal de entrada.
Señal amplificada.
Señal de entrada.

P á g i n a 5 | 73
Ahora con estos valores ideales, pasamos al diseño con resistores comerciales:
Usando solo un resistor en cada 𝑅.
Si 𝑅𝐵 = 386𝑘Ω
𝑹𝑩 = 𝟑𝟗𝟎𝒌Ω
Si 𝑅𝐶 = 1𝑘Ω
𝑹𝑪 = 𝟏𝒌Ω
El circuito con estos valores se muestra en la figura 1.5°.
Vcc
20V
RB RC
390kΩ 1kΩ
C2
Vo
C1 10µF
Q1
Vi 2N2222A*
10µF
Imagen 1.5°: Configuración polarización fija con resistores comerciales.
Identificamos los valores que conocemos para obtener los restantes:

𝑹𝑩 = 𝟑𝟗𝟎𝒌Ω 𝑹𝑪 = 𝟏𝒌Ω 𝑽𝑪𝑪 = 𝟐𝟎𝑽 𝒉𝑭𝑬 = 𝟐𝟎𝟎

𝐼𝐵 = =
𝑅𝐵 390𝑘Ω
𝑰𝑩 = 𝟒𝟗. 𝟒𝟖𝟕𝟖µ𝑨
𝐼𝐶 = ℎ𝐸𝐹 𝐼𝐵 = 200(49.4878µ𝐴)
𝑰𝑪 = 𝟗. 𝟖𝟗𝟕𝟔𝒎𝑨
𝐼𝐸 ≅ 𝐼𝐶
𝑰𝑬 = 𝟗. 𝟖𝟗𝟕𝟔𝒎𝑨
𝑽𝑩𝑬 = 𝟎. 𝟕𝑽
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 = 20𝑉 − (9.8976𝑚𝐴)(1000Ω)
𝑽𝑪𝑬 = 𝟏𝟎. 𝟏𝟎𝟐𝟒𝑽
𝑉𝐶𝐵 = (𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 ) − 𝑉𝐵𝐸 = (20𝑉 − 9.8976𝑉) − 0.7𝑉
𝑽𝑪𝑩 = 𝟗. 𝟒𝟎𝟐𝟒𝑽
La comprobación de las corrientes se aprecian en la imagen 1.6°, solo hay pequeñas variaciones del orden de
micros, se confirmó que se cumple 𝐼𝐸 ≅ 𝐼𝐶 .
La comprobación de las tensiones se aprecian en la imagen 1.7°, los valores son muy cercanos a los calculados,
más adelante se realizó una comparación entre los valores.
𝑿𝑴𝑴𝟏 = 𝑽𝑪𝑩 𝑿𝑴𝑴𝟐 = 𝑽𝑩𝑬 𝑿𝑴𝑴𝟑 = 𝑽𝑪𝑬
P á g i n a 7 | 73
Análisis en ca
Valores conocidos:
𝑰𝑬 = 𝟏𝟎𝒎𝑨 𝒉𝑭𝑬 = 𝟐𝟎𝟎 𝑹𝑩 = 𝟑𝟗𝟎𝒌Ω 𝑹𝑪 = 𝟏𝒌Ω
Proceso para encontrar datos faltantes:
26𝑚𝑉 26𝑚𝑉
𝑟𝑒 = =
𝐼𝐸 10𝑚𝐴
𝒓𝒆 = 𝟐. 𝟔Ω
𝑍𝑖 = 𝑅𝐵 ||ℎ𝑓𝑒 𝑟𝑒 = 390𝑘Ω||200(2.6Ω)
𝒁𝒊 = 𝟓𝟏𝟗. 𝟑𝟎𝟕𝟔Ω
𝑍𝑜 = 𝑅𝐶
𝒁𝒐 = 𝟏𝒌Ω
𝑅𝐶 1𝑘Ω
𝐴𝑉 = − =−
𝑟𝑒 2.6Ω
𝑨𝑽 = −𝟑𝟖𝟒. 𝟔𝟏𝟓𝟑
Gracias al simulador sabemos que 𝐴𝑣 es igual a -400 aunque sabemos que 𝐴𝑣 calculado es de -385
aproximadamente, tenemos una variación de 15 unidades, esto se puede deber al desconocimiento del valor de
𝑟𝑜 también hay que tener en cuenta que siempre suele haber variaciones entre los valores calculados y los
simulados/medidos por las impurezas del transistor que estemos manejando, apeas de esto las dos ganancias son
bastante cercanas.
En la imagen 1.8° se ven las señales de entrada y salida del circuito amplificador con valores de resistores
comerciales, en este caso encontramos la coincidencia que tenemos resistores comerciales del valor de 1kΩ y
tenemos resistores de 390kΩ que es un valor muy cercano al resistor ideal calculado para el circuito.
Señal amplificada.
Señal de entrada.
Se cambió unicamente la frecuencia de la señal de entrada de 60Hz a 1Hz, hubo un gran cambio en la amplificación,
fue muy pequeña comparada a 60Hz, esto se puede ver en la imagen 1.9°, la amplificación fue aproximadamente
de 85mV de amplitud.
Imagen 1.9°: Señal de salida a 1Hz.

P á g i n a 9 | 73
Al cambiar ahora la frecuencia de 60Hz a 120Hz no hubo ningún cambio, la amplitud también fue de 2V
aproximadamente, esto se ve en la imagen 1.10°.
Imagen 1.10°: Señal de salida a 120Hz.
Nuevamente al cambiar la frecuencia pero ahora a 1kHz, la amplififación también fue de 2V de amplitud (imagen
1.11°).
Imagen 1.11°: Señal de salida a 1kHz.

Al varia el voltaje y mantener la frecuencia constante (60Hz) hubo ciertos cambios, al cambiar el voltaje ca de
entrada de 5mV de amplitud a 1mV, la amplitud que se obtuvo a la salida fue de 400mV aproximadamente, la
amplificación fue 400 veces más grandes come se esperaba.
Esto se puede ver en la imagen 1.12°.
Imagen 1.12°: Señal de salida con 1mVp 60Hz de

entrada.
Al alimentar la entrada con 30mVp a 60Hz, la salida ya no tuvo fidelidad, la amplificación no se obtuvo al máximo
según la ganancia de voltaje, se apreció que la señal se deformó en el semiciclo positivo y está por demás decir
que en voltajes más elevados la señal se deformará más y más. Lo anterio dicho se ve en la imagen 1.13°.
Imagen 1.13°: Señal de salida con 30mVp 60Hz de

entrada. P á g i n a 11 | 73
Se continuó alternando valores de frecuencias y voltajes llegando a la conclusión de que el amplificador funcionará
en intervalos de 1mV a 15mV de amplitud en la señal de entrada y de 50Hz en adelante, se omitieron valores arriba
y debajo de este intervalo en dónde la amplificación también es fiel, para mantener un estándar de calidad en el
amplificador y evitarnos problemas.
En la siguiente tabla 2° se muestra la comparación entre valores de tensión e intensidad en cd con valores ideales
de resistores y valores comerciales.
Tabla 2°: Tabla comparativa entre valores de intensidad y corriente.

Valores 𝑰𝑩 𝑰𝑪 𝑰𝑬 𝑽𝑩𝑬 𝑽𝑪𝑬 𝑽𝑪𝑩
Resistores 50µA 10mA 10.05mA 0.7V 10V 9.3V
Ideales
Resistores 49.4878µA 9.8976mA 9.8976mA 0.7V 10.1024V 9.4024V

Comerciales
Se modificó ℎ𝐹𝐸 de un valor de 200 a 20 es decir la reducimos a un 90%, los resultados obtenidos se muestran en
la imagen 1.9°.
Imagen 1.9°. Intensidades con ℎ𝐹𝐸 reducida a un 90%.

Conclusión: Sabemos que la corriente en colector depende de nuestro ℎ𝐹𝐸 , a menor ℎ𝐹𝐸 menor corriente en 𝐼𝐵
si analizamos la tabla 2° nos percatamos que los valores son muy cercanos unos con otros, si lo llevaramos a la
práctica física el amplificador resultaría con una buena fidelidad para la obtención de los valores esperados, también
debemos recordar que los resistores comerciales no tiene los valores exactos de ohms que tienen en su código de
colores. Esto nos puede beneficiar para acercarnos más al valor ideal o perjudicarnos y alejarnos más de tal valor.
Polarización estabilizado en emisor:

Tomando las mismas características de 𝐼𝐶 , 𝑉𝐶𝐸 y ℎ𝐹𝐸 encontramos los valores restantes.
𝑰𝑪 = 𝟏𝟎𝒎𝑨 𝑽𝑪𝑬 = 𝟏𝟎𝑽 𝑽𝑪𝑪 = 𝟐𝟎𝑽 𝒉𝑭𝑬 = 𝟐𝟎𝟎
𝐼𝐶 10𝑚𝐴
𝐼𝐵 = =
ℎ𝐹𝐸 200
𝑰𝑩 = 𝟓𝟎µ𝑨
𝑰𝑬 = 𝟏𝟎𝒎𝑨
Sabemos qué:
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 ∴ 10 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸
Se propusieron valores de 𝑉𝐶 y 𝑉𝐸 para poder encontrar los valores de los resistores, estos valores pueden
propornerse dependiendo de la aplicación voltaje que queramos en colector y en emisor, no necesariamente deben
ser propuestos sin sustento.
Los valores propuestos fueron:
𝑉𝐶 = 15𝑉
𝑉𝐸 = 5𝑉
Comprobando:
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 ∴ 10𝑉 = 15𝑉 − 5𝑉
P á g i n a 13 | 73
Ya con estos valores encontrados fácilmente se encontraron los valores restantes.
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶 20𝑉 − 15𝑉
𝑅𝐶 = =
𝐼𝐶 10𝑚𝐴
𝑹𝑪 = 𝟓𝟎𝟎Ω
𝑉𝐸 5𝑉
𝑅𝐸 = =
𝐼𝐶 10𝑚𝐴
𝑹𝑬 = 𝟓𝟎𝟎Ω
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝑉𝐸 20𝑉 − 0.7𝑉 − 5𝑉
𝑅𝐵 = =
𝐼𝐶 10𝑚𝐴⁄
⁄ℎ 200
𝐹𝐸
𝑹𝑩 = 𝟐𝟖𝟔𝒌Ω
𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐸 = 0.7𝑉 + 5𝑉
𝑉𝐵 = 5.7𝑉
𝑉𝐶𝐵 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐵 = 15𝑉 − 5.7𝑉
𝑽𝑪𝑩 = 𝟗. 𝟑𝑽
El circuito propuesto se muestra en la imagen 2°.
Vcc
20V
RB
RC
286kΩ
500Ω
Q1
2N2222A*
RE
500Ω
Imagen 2°: Configuración estabilizado en emisor con transistor NPN 2N2222A.

𝑿𝑴𝑴𝟏 = 𝑽𝑪𝑩 𝑿𝑴𝑴𝟐 = 𝑽𝑩𝑬 𝑿𝑴𝑴𝟑 = 𝑽𝑪𝑬
P á g i n a 15 | 73
Nuevamente se alimentó el voltaje de entrada con 5mVp a 60Hz y en el voltaje de salida se obtuvo una tensión de
5mVp a 60Hz, la amplificación en la configuración polarización estabilizado en emisor con los valores propuestos
no es posible, en este caso resultó la misma señal de entrada y de salida, únicamente tienen de diferente las
impedancias y se encuentras desfasadas 180°. Las señales se pueden ver en la imagen 2.3°.
Señal de salida.
Señal de entrada.
Para comprobar la amplificación en esta configuración, se alimentó el circuito nuevamente solo que ahora con
2.5mVp a 60Hz y se generó una señal de salida de 2.5mVp a 60Hz. Esta comprobación se ve en la imagen 2.4°.
Señal de salida.
Señal de entrada.
Imagen 2.4°: Señales graficadas de entrada y salida.

osciloscopio.

Ahora con los valores ideales encontrados, pasamos al diseño con resistores comerciales:
Usando solo un resistor en cada 𝑅.
Si 𝑅𝐵 = 286𝑘Ω
𝑹𝑩 = 𝟑𝟎𝟎𝒌Ω
Si 𝑅𝐶 = 500Ω
𝑹𝑪 = 𝟓𝟏𝟎Ω
Si 𝑅𝐸 = 500Ω
𝑹𝑬 = 𝟓𝟏𝟎Ω
Con estos valores de resistores comerciales realizamos los calculos para comparar los resultados que obtengamos
con los valores ideales de voltaje y corriente.
Identificamos valores conocidos:
𝑹𝑪 = 𝟓𝟏𝟎Ω 𝑹𝑩 = 𝟑𝟎𝟎𝒌Ω 𝑽𝑪𝑪 = 𝟐𝟎𝑽 𝒉𝑭𝑬 = 𝟐𝟎𝟎 𝑹𝑬 = 𝟓𝟏𝟎Ω
Encontramos los valores restantes:

𝐼𝐵 = =
𝑅𝐵 + (ℎ𝐹𝐸 + 1)𝑅𝐸 300𝑘Ω + (201)510Ω
𝑰𝑩 = 𝟒𝟕. 𝟗𝟒𝟗𝟏µ𝑨
𝐼𝐶 = 𝐼𝐵 ℎ𝐹𝐸 = (47.9491µ𝐴)(200)
𝑰𝑪 = 𝟗. 𝟓𝟖𝟗𝟖𝒎𝑨
𝑉𝑪𝑬 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 20𝑉 − 9.5898𝑚𝐴(510Ω + 510Ω)

𝑽𝑪𝑬 = 𝟏𝟎. 𝟐𝟏𝟖𝟒𝑽
𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸
𝑰𝑬 = 𝟗. 𝟓𝟖𝟗𝟖𝒎𝑨
𝑽𝑩𝑬 = 𝟎. 𝟕𝑽
P á g i n a 17 | 73
𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 𝐼𝐶 = 20𝑉 − 510Ω(9.5898𝑚𝐴)
𝑉𝐶 = 15.1092𝑉
𝑉𝐵 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝑅𝐵 𝐼𝐵 = 20𝑉 − 0.7𝑉 − (300𝑘Ω)(47.9491µ𝐴)
𝑉𝐵 = 4.9153𝑉
𝑉𝐶𝐵 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐵 = 15.1092𝑉 − 4.9153𝑉

𝑽𝑪𝑩 = 𝟏𝟎. 𝟏𝟗𝟑𝟗𝑽
El circuito con estos valores de resistores comerciales se muestran en la imagen 2.5°.
Vcc
20V
RC
RB
510Ω
300kΩ
C1
Vo
10µF
C3 Q1
Vi 2N2222A*
10µF
RE
510Ω
Imagen 2.5°: Circuito con resistores comerciales.


Imagen 2.6°: Comprobación de intensidades con valores resistivos comerciales.
𝑿𝑴𝑴𝟐 = 𝑽𝑪𝑩 𝑿𝑴𝑴𝟑 = 𝑽𝑩𝑬 𝑿𝑴𝑴𝟏 = 𝑽𝑪𝑬
Imagen 2.7°: Comprobación de tensiones con valores resistivos comerciales.

P á g i n a 19 | 73
Los valores obtenidos son cercanos a los calculados con los valores de resistencias comerciales, hay ciertas
diferencias entre el circuito con resistencias ideales y el circuito con resistencias comerciales, de 10mA que
necesitábamos en nuestro circuito se redujo 5mA, es una diferencia importante a tomar en cuenta.
En la tabla 3° se muestra de una manera más clara los valores de tensiones e intensidades de cada circuito.

Resistores 50µA 10mA 10mA 0.7V 10V 9.3V
Ideales
Resistores 47.9491µA 9.5898mA 9.5898mA 0.7V 10.2184V 10.1939V

Comerciales
Análisis ca
Valores ya encontrados:
𝑹𝑪 = 𝟓𝟏𝟎Ω 𝑹𝑩 = 𝟑𝟎𝟎𝒌Ω 𝒉𝑭𝑬 = 𝟐𝟎𝟎 𝑹𝑬 = 𝟓𝟏𝟎Ω 𝑰𝑬 = 𝟗. 𝟓𝒎𝑨
Proceso para encontrar valores restantes:
𝑟𝑒 = =
𝐼𝐸 9.5𝑚𝐴
𝒓𝒆 = 𝟐. 𝟕Ω
𝑍𝑏 = ℎ𝐹𝐸 (𝑟𝑒 + 𝑅𝐸 ) = 200(2.7Ω + 510Ω)
𝑍𝑏 = 102.54𝑘Ω
𝑍𝑖 = 𝑅𝐵 ||𝑍𝑏 = 300𝑘Ω||102.54𝑘Ω
𝒁𝒊 = 𝟕𝟔. 𝟒𝟏𝟗𝟕𝒌Ω
𝑍𝑜 = 𝑅𝐶
𝒁𝒐 = 𝟓𝟏𝟎Ω
𝑅𝐶 ℎ𝐹𝐸 510Ω(200)
𝐴𝑣 = − =−
𝑍𝑏 102.54𝑘Ω
𝑨𝒗 = −𝟎. 𝟗𝟗𝟒𝟕
Nos percatamos que la ganancia de voltaje es de aproximadamente -1 como era de esperarse ya que no hay
amplificación en este diseño.

Se cambió el voltaje de entrada de 5mVp a 60Hz a una tensión 1Vp a 60Hz, la señal de salida se mantuvo sin
deformaciones como se muestra en la figura 2.8°.
Señal de salida.
Señal de entrada.

osciloscopio.
Se volvió a cambiar el voltaje de entrada a 10mVp a 60Hz y en esta ocasión la señal de salida se deformó
considerablemente (Imagen 2.9°).
Señal de salida.
Señal de entrada.

osciloscopio.
Después de variar voltajes se cambió la frecuencia de 60Hz a 1Hz, el voltaje se mantuvo constante en 1Vp, en la
salida se obtuvo una señal en buen estado como se aprecia en la imagen 2.10°.
P á g i n a 21 | 73
Señal de salida.
Señal de entrada.

osciloscopio.
Al cambiar drásticamente la frecuencia a 1GHz la señal de salida tuvo fidelidad aún, en esta configuración las
frecuencias en las que puede trabajar el diseño es un intervalo muy extenso, la comparación de señales se ve en
la imagen 2.11°.
Señal de salida.
Señal de entrada.

osciloscopio.
Se modificó el ℎ𝐹𝐸 para notar si había cambios en el circuito, de ℎ𝐹𝐸 = 200 se cambió a ℎ𝐹𝐸 = 20 los resultados
obtenidos en las intensidades se aprecian en la imagen 2.12°.

Imagen 2.12°: Comprobación de intensidades con valores resistivos comerciales.
Conclusión: En esta ocasión al reducir nuestro ℎ𝐹𝐸 nuestras intensidades se redujeron en proporción a la
disminución del ℎ𝐹𝐸 , estas intensidades se redujeron a una quinta parte, exactamente lo mitad a lo que se redujo
nuestro ℎ𝐹𝐸 , respecto a los cambios de valores de tensiones y corrientes entre los valores de resistores ideales y
comerciales, hubo un aumento en las tensiones y por consecuencia una disminución de las intensidades. Con el
cambio de ℎ𝐹𝐸 nuestra 𝐼𝐵 aumentó algunos micro amperes mientras que en polarización fija no cambió en ningún
momento con la manipulación de ℎ𝐹𝐸 .
Polarización por divisor de voltaje
Tomamos los valores que obtuvimos de la hoja de características para encontrar los valores de los resistores:
𝑽𝑪𝑬 = 𝟏𝟎𝑽 𝑽𝑪𝑪 = 𝟐𝟎𝑽 𝒉𝑭𝑬 = 𝟐𝟎𝟎
Se propusieron los siguientes valores de resistores para realizar los cálculos correspondientes, aprovechando estas
propuestas se utilizaron valores comerciales.
𝑹𝟐 = 𝟏𝟖𝒌Ω 𝑹𝑬 = 𝟒𝟕𝟎Ω
P á g i n a 23 | 73
Calculos para encontrar los resistores faltantes:
𝑉𝐸 = 𝐼𝐶 𝑅𝐸 = (10𝑚𝐴)(470Ω)
𝑉𝐸 = 4.7𝑉
𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐸 = 0.7𝑉 + 4.7𝑉
𝑉𝐵 = 5.4𝑉
𝑅2 𝑉𝐶𝐶 (18𝑘Ω)(20𝑉)
𝑅1 = − 𝑅2 = − 18𝑘Ω
𝑉𝐵 5.4𝑉
𝑹𝟏 = 𝟒𝟖. 𝟔𝟔𝟔𝟕𝒌Ω
𝑉𝑪 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝐸 = 10𝑉 + 4.7𝑉 = 14.7𝑉

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶 20𝑉 − 14.7𝑉
𝑅𝐶 = =
𝐼𝐶 10𝑚𝐴
𝑹𝑪 = 𝟓𝟑𝟎Ω
El circuito con estos resistores se muestra en la imagen 3°:
Vcc
20V
RC
R1
530Ω
48.6667kΩ
C1
Vo
10µF
C3 Q1
Vi 2N2222A*
10µF
R2
RE
18kΩ
470Ω
Imagen 3°: Polarización por divisor de voltaje con resistores ideales.

Calculos para comprobar los valores de resistores:
𝑅𝑇ℎ = 𝑅1 ||𝑅2 = 48.6667𝑘Ω||18𝑘Ω
𝑅𝑇ℎ = 13.14𝑘Ω
𝑅2 𝑉𝐶𝐶 (18𝑘Ω)(20𝑉)
𝐸𝑇ℎ = =
𝑅1 + 𝑅2 48.6667𝑘Ω + 18𝑘Ω
𝐸𝑇ℎ = 5.4𝑉
𝐸𝑇ℎ − 𝑉𝐵𝐸 5.4𝑉 − 0.7𝑉
𝐼𝐵 = =
𝑅𝑇ℎ + (ℎ𝐹𝐸 + 1)𝑅𝐸 13.14𝑚𝐴 + (201)470𝑘Ω
𝑰𝑩 = 𝟒𝟑. 𝟔𝟕𝟔𝟐µ𝑨
𝐼𝐶 = ℎ𝐹𝐸 (𝐼𝐵 )
𝑰𝑪 = 𝟖. 𝟕𝟕𝟖𝟗𝒎𝑨
𝑰𝑬 = 𝟖. 𝟕𝟕𝟖𝟗𝒎𝑨
𝑽𝑩𝑬 = 𝟎. 𝟕𝑽
Los resultados simulados de las tensiones en Multisim aparecen en la imagen 3.1°.
𝑿𝑴𝑴𝟐 = 𝑽𝑩𝑬 𝑿𝑴𝑴𝟑 = 𝑽𝑪𝑬
Imagen 3.1°: Tensiones con resistores ideales simulado.
P á g i n a 25 | 73
Los resultados simulados de la corriente en Multisim aparecen en la imagen 3.2°.
Imagen 3.2°: Intensidades con resistores ideales simulado.
Notamos pequeños cambios entre los voltajes calculados y simulados, pero son bastante cercanos a los esperados,
estos resultados serían los ideales si los resistores encontraros fueran comerciales.
El circuito de la imagen 3.1° fue alimentado con 5mVp a 60Hz en el voltaje de entrada, al hacer esto en el voltaje
de salida se obtuvo una señal de 5.4mVp a 60Hz aproximadamente, en esta configuración obtuvimos una
amplificación muy pequeña, podríamos decir que no hay amplificación realmente.
Las señales graficadas en el osciloscopio se muestran en la imagen 3.3°, la escala de la señal se aprecia en la
parte inferior del osciloscopio.

Señal amplificada.
Señal de entrada.
Al tener analizado todo el circuito con resistores ideales, se pasó al análisis con resistores comerciales:
Si 𝑅1 = 48.6667𝑘Ω
𝑹𝟏 = 𝟒𝟕𝒌Ω
Si 𝑅2 = 18𝑘Ω
𝑹𝟐 = 𝟏𝟖𝒌Ω
Si 𝑅𝐸 = 470Ω
𝑹𝑬 = 𝟒𝟕𝟎Ω
Si 𝑅𝐶 = 530Ω
𝑹𝑪 = 𝟓𝟏𝟎Ω
𝑽𝑪𝑪 = 𝟐𝟎𝑽 𝒉𝑭𝑬 = 𝟐𝟎𝟎
𝑅𝑇ℎ = 𝑅1 || 𝑅2 = 47𝑘Ω||18𝑘Ω
𝑅𝑇ℎ = 13.0154𝑘Ω
𝑅2 𝑉𝐶𝐶 (18𝑘Ω)(20)
𝐸𝑇ℎ = =
𝑅1 + 𝑅2 47𝑘Ω + 18𝑘Ω
𝐸𝑇ℎ = 5.5385𝑉
P á g i n a 27 | 73
𝐸𝑇ℎ − 𝑉𝐵𝐸 5.5385𝑉 − 0.7𝑉
𝐼𝐵 = =
𝑅𝑇ℎ + (ℎ𝐹𝐸 + 1)𝑅𝐸 13.0154𝑘Ω + (201)470Ω
𝑰𝑩 = 𝟒𝟓. 𝟎𝟏𝟓𝟒µ𝑨
𝐼𝐶 = ℎ𝐹𝐸 (𝐼𝐵 ) = 200(45.0154µ𝐴)
𝑰𝑪 = 𝟗. 𝟎𝟎𝟑𝟏𝒎𝑨
𝑰𝑬 = 𝟗. 𝟎𝟎𝟑𝟏𝒎𝑨
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐸 + 𝑅𝐶 ) = 20𝑉 − 9.0031𝑚𝐴(470Ω + 510Ω)
𝑽𝑪𝑬 = 𝟏𝟏. 𝟏𝟕𝟔𝟗𝑽
𝑽𝑩𝑬 = 𝟎. 𝟕𝑽
El circuito se muestra en la imagen 3.4°:
Vcc
20V
R1 RC
47kΩ 510Ω
C2
C1 10µF
Q1
2N2222A*
10µF
R2
18kΩ
RE
470Ω
Imagen 3.4°: Circuito con resistores ideales.
Los valores de tensiones se muestran en la imagen 3.5° simulados en Multisim.

𝑿𝑴𝑴𝟐 = 𝑽𝑩𝑬 𝑿𝑴𝑴𝟏 = 𝑽𝑪𝑬
Imagen 3.5°: Tensiones del circuito.
Los resultados simulados de la corriente en Multisim aparecen en la imagen 3.6°.
𝑿𝑴𝑴𝟏 = 𝑰𝑪 𝑿𝑴𝑴𝟐 = 𝑰𝑩
𝑿𝑴𝑴𝟑 = 𝑰𝑬
Imagen 3.6°: Intensidades del circuito.
P á g i n a 29 | 73
Los valores que nos marca el simulador son bastante cercanos a los valores ideales que se quieren en esta
configuración, estos cambios de valores del simulador con los calculados se deben a la configuración de Multisim,
desde las configuraciones anteriores se puede apreciar que 𝑉𝐵𝐸 no es exactamente 700mV,
Análisis ca
𝑟𝑒 = =
𝐼𝐸 9.0031𝑚𝐴
𝒓𝒆 = 𝟐. 𝟖𝟖𝟕𝟗Ω
𝑍𝑖 = 𝑅1 ||𝑅2 ||ℎ𝑓𝑒 𝑟𝑒 = 47𝑘Ω||18𝑘Ω||2.8879(200)
𝒁𝒊 = 𝟓𝟓𝟑. 𝟎𝟑𝟕𝟗Ω
𝑍𝑜 = 𝑅𝐶
𝒁𝒐 = 𝟓𝟏𝟎Ω
𝑅𝐶 510
𝐴𝑣 = − =−
𝑅𝐸 470
𝑨𝒗 = −𝟏. 𝟎𝟖𝟓𝟏
Verificamos que la ganancia de voltaje es correcta, tenemos una gananciade -1.0851 que práctiamente es una
ganancia de -1.
Nuevamente se alimentó el circuito con un voltaje de entrada de 5mVp y en la salida se obtuvo igualmente una
señal de salida de 5.4mVp (Imagen 3.7°).
Señal amplificada.
Señal de entrada.
Imagen 3.7°: Señales de entrada y salida.

Se modificó el voltaje de entrada a 14Vp a 60Hz y en a salida se obtuvo una señal muy deformada comparada con
la que teníamos en la entrada, esto se muestra en la imagen 3.8°.
Señal de salida.
Señal de entrada.
Al ingresar un voltaje de 5mVp pero a 5MHz la señal de saluda tuvo fidelidad sin importar el gran cambio de 60Hz
a 5MHz (Imagen 3.9°).
Señal de salida.
Señal de entrada.
Imagen 3.9°: Señales de entrada y salida. P á g i n a 31 | 73

Este diseño puede funcionar correctamente de 5mVp a 4Vp y de una frecuencia de 10Hz a 5mHz.
En la tabla 4° se muestran los valores de intensidades y tensiones del circuito ideal y con resistores comerciales.

Valores 𝑰𝑩 𝑰𝑪 𝑰𝑬 𝑽𝑩𝑬 𝑽𝑪𝑬
Resistores 𝟒𝟑. 𝟔𝟕𝟔𝟐µ𝑨 𝟖. 𝟕𝟕𝟖𝟗𝒎𝑨 𝟖. 𝟕𝟕𝟖𝟗𝒎𝑨 0.7V 10V
Ideales
Resistores 𝟒𝟓. 𝟎𝟏𝟓𝟒µ𝑨 𝟗. 𝟎𝟎𝟑𝟏𝒎𝑨 𝟗. 𝟎𝟎𝟑𝟏𝒎𝑨 0.7V 11.1769V

Comerciales
Se disminuyó el ℎ𝐹𝐸 a 20 y se midieron las intensidades para apreciar los cambios que hubo, los resultados con
ℎ𝐹𝐸 a 20 se muestran en la imagen 3.9°.
Imagen 3.9°: Intensidades del circuito con ℎ𝐹𝐸 = 20

Conclusión: En polarización por divisor de voltaje, si modificamos a ℎ𝐹𝐸 , 𝐼𝐵 cambia drásticamente comparado con
las demás configuraciones vistas, respecto a 𝐼𝐶 e 𝐼𝐵 se redujeron como era de esperarse, por consecuencia el
voltaje también cambia, la amplificación fue pequeña respecto a la configuración en polarización directa.
Para el transistor PNP BD136:

Las características eléctricas de este transistor se muestran en la tabla 5°, se encerró con un círculo rojo las
características a usar.
Tabla 5°: Características eléctricas del transistor PNP BD136.
Polarización fija:
Con los valores de:
𝑽𝑪𝑪 = −𝟐𝟎𝑽 𝑽𝑪𝑬 = −𝟐𝑽 𝑰𝑪 = −𝟓𝒎𝑨 𝒉𝑭𝑬 = 𝟐𝟓
Se obtendrás los restantes para la configuración de polarización fija.
𝐼𝐶 −5𝑚𝐴
𝐼𝐵 = =
ℎ𝐹𝐸 25
𝑰𝑩 = −𝟐𝟎𝟎µ𝑨
𝑰𝑬 = −𝟓𝒎𝑨
−𝑉𝐶𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 −20𝑉 + 2𝑉
𝑅𝐶 = =
𝑹𝑪 = 𝟑. 𝟔𝒌Ω
−𝑉𝐶𝐶 + 𝑉𝐵𝐸 −20𝑉 + 0.7𝑉
𝑅𝐵 = =
𝐼𝐵 −200µ𝐴
P á g i n a 33 | 73
𝑹𝑩 = 𝟗𝟔. 𝟓𝒌Ω
𝑉𝐶𝐵 = (−𝑉𝐶𝐶 + 𝐼𝐶 𝑅𝐶 ) + 𝑉𝐵𝐸 = (−20𝑉 + 5𝑚𝐴(3.6𝑘Ω)) + 0.7𝑉
𝑽𝑪𝑩 = −𝟏. 𝟑𝑽
Vcc
-20V
RB RC
96.5kΩ 3.6kΩ
C2
Vo
C1 10µF
PNP
Vi BD136*
10µF
Imagen 4°: Configuración polarización fija con transistor PNP BD136.
La comprobación de tesiones en Multisim se muestran en la imagen 4.1°, los valores obtenidos en la simulación
son cercanos a los obtenidos mediante el cálculo, todos los voltajes son negativos por la polarización del circuito y
al ser un transistor PNP, también lo podemos corroborar apreciando el signo que tienen los valores de intensidad
y voltajes proporcionados por el fabricante en la tabla 5°.
𝑿𝑴𝑴𝟏 = 𝑽𝑪𝑬 𝑿𝑴𝑴𝟐 = 𝑽𝑪𝑩 𝑿𝑴𝑴𝟑 = 𝑽𝑩𝑬
Escogimos unos valores relativamente bajos para el diseño del circuito, el transistor PNP BD136 es un transistor
de potencia y podríamos exigirle un poco más respecto a su intensidad.
Imagen 4.1°: Valores de tensiones del circuito en Multisim.
Los valores de intensidades del circuito se muestran en la imagen 4.2°.

Imagen 4.2°: Valores de intensidades del circuito en Multisim.

P á g i n a 35 | 73
En el voltaje de entrada se alimentó con una señal ca de 7mVp a 50kHz y en el voltaje de salida se obtuvo una
señal de aproximadamente 3V a 50kHz, la señal de entrada aumento 600 veces como era de esperarse debido a
la configuración que se manejó en este caso. Esta amplificación se muestra en la imagen 4.3°.
Señal amplificada.
Señal de entrada.
Imagen 4.3°: Voltajes de entrada y salida del circuito.
Después se realizó el diseño del circuito con valores de resistores comerciales:

Si 𝑅𝐶 = 3.6𝑘Ω:
𝑹𝑪 = 𝟑. 𝟔𝒌Ω
Si 𝑅𝐵 = 96.5𝑘Ω:
𝑹𝑩 = 𝟏𝟎𝟎𝒌Ω
Ahora con los siguientes valores se realizó el cálculo de los valores restantes:
𝑽𝑪𝑪 = −𝟐𝟎𝑽 𝒉𝑭𝑬 = 𝟐𝟓 𝑹𝑪 = 𝟑. 𝟔𝒌Ω 𝑹𝑩 = 𝟏𝟎𝟎𝒌Ω
−𝑉𝐶𝐶 + 𝑉𝐵𝐸 −20𝑉 + 0.7𝑉
𝐼𝐵 = =
𝑅𝐵 100𝑘Ω
𝑰𝑩 = −𝟏𝟗𝟑µ𝑨
𝐼𝐶 = ℎ𝐹𝐸 (𝐼𝐵 ) = 25(−193µ𝐴)
𝑰𝑪 = −𝟒. 𝟖𝟐𝟓𝒎𝑨
𝑰𝑬 = −𝟒. 𝟖𝟐𝟓𝒎𝑨
𝑉𝐶𝐸 = −𝑉𝐶𝐶 + 𝐼𝐶 𝑅𝐶 = −20𝑉 + (4.825𝑚𝐴)(3.6𝑘Ω)
𝑽𝑪𝑬 = −𝟐. 𝟔𝟑𝑽
𝑉𝐶𝐵 = (−𝑉𝐶𝐶 + 𝐼𝐶 𝑅𝐶 ) + 𝑉𝐵𝐸 = (−20𝑉 + 4.825𝑚𝐴(3.6𝑘Ω)) + 0.7𝑉
𝑽𝑪𝑩 = −𝟏. 𝟗𝟑𝑽
𝑽𝑩𝑬 = 𝟎. 𝟕𝑽
El circuito se muestra en la imagen 4.4°.
Vcc
-20V
RB RC
100kΩ 3.6kΩ
C2 Vo
C1 10µF
Vi PNP
BD136*
10µF
Al realizar la simulación en Multisim de los valores de tensión e intensidad se obtuvieron resultados muy cercanos
a los calculados, en este caso solo se tuvo que modificar el valor de un resistor ideal ya que al calcular 𝑅𝐶 resultó
en un valor ya comercial, debido a esto se esperó que los valores entre los ideales y los obtenidos con valores
comerciales de resistores no cambien mucho.
Los valores de tensiones se muestran en la imagen 4.5°.
P á g i n a 37 | 73
Los valores de intensidades se muestran en la imagen 4.6°.


Análisis ca
𝑟𝑒 = =
𝐼𝐸 5𝑚𝐴
𝒓𝒆 = 𝟓. 𝟐Ω
𝑍𝑖 = 𝑅𝐵 ||ℎ𝐹𝐸 𝑟𝑒 = (100𝑘Ω||25(5.2Ω))
𝒁𝒊 = 𝟏𝟐𝟗. 𝟖𝟑𝟏𝟐Ω
𝑍𝑜 = 𝑅𝐶
𝒁𝒐 = 𝟑. 𝟔𝒌Ω
𝑅𝐶 3.6𝑘Ω
𝐴𝑣 = − =−
𝑟𝑒 5.2Ω
𝑨𝒗 = −𝟔𝟗𝟐. 𝟑𝟎𝟕𝟔𝟗
Tenemos una enorme diferencia de 92 unidades entre la ganancia de voltaje calculada y la medida, también hubo
una diferencia en el transistor NPN, al ser una configuración muy inestable, puede varian en la configuración del
transistor en el simulador que usemos o en la consideración de 𝑟𝑜 , en la figura 4.7° se muestra las señales de
entrada y salida, con un voltaje de entrada de 7mVp a 50kHz y un voltaje de salida de 3V a 50kHz.
Señal amplificada.
Señal de entrada.
Imagen 4.7°: Señales de entrada y salida del circuito.
Al ingresar un voltaje de 14mVp a 50kHz la señal de salida cambió considerablemente con el pequeño cambio de
voltaje, algo esperado en esta configuración, la comparación de señales se muestra en la figura 4.8°
P á g i n a 39 | 73
Señal amplificada.
Señal de entrada.
Al ingresar un voltaje de entrada de 7mVp a 5MHz en la salida se obtuvo una amplificación aproximadamente una
tercera parte de lo que debería ser, se muestra en la imagen 4.9°.
Señal amplificada.
Señal de entrada.
En este caso el ℎ𝐹𝐸 se modificó de 25 a 250 (se aumentó 10 veces), los resultados de las corrientes se muestran
en la imagen 4.10°, se apreció que realmente 𝐼𝐵 no cambió de valor con el cambio tan drástico de ℎ𝐹𝐸 mientras
que las intensidades restantes de 𝐼𝐸 e 𝐼𝐶 únicamente aumentaron aproximadamente 2mA, aquí se puede ver una
clara diferencia entre transistores PNP y NPN.
Imagen 4.10°: Valores de tensiones con ℎ𝐹𝐸 = 250.
A continuación se deja una tabla comparativa para apreciar los cambios entre el diseño con transistores ideales y
comerciales (Tabla 6° ).
Resistores −𝟐𝟎𝟎µ𝑨 −𝟓𝒎𝑨 −𝟓𝒎𝑨 0.7V -2V −𝟏. 𝟑𝑽
Ideales
Resistores −𝟏𝟗𝟑µ𝑨 −𝟒. 𝟖𝟐𝟓𝒎𝑨 −𝟒. 𝟖𝟐𝟓𝒎𝑨 0.7V −𝟐. 𝟔𝟑𝑽 −𝟏. 𝟗𝟑𝑽
Comerciales
Conclusión: En polarización fija la amplificación sigue siendo alta en transistores BJT PNP, las intensidades de
esta configuración no tuvieron muchos cambios al momento de variar ℎ𝐹𝐸 , en estos transistores PNP los valores
vienen dados como negativos por el fabricante en la hoja de características debido a la polarización de 𝑉𝐶𝐶 es
necesario esta polarización para que funcione nuestro transistor BJT PNP.
P á g i n a 41 | 73
Polarización estabilizado en emisor
Recordando los valores tomados anteriormente:
A continuación se obtuvieron los resultados faltantes.

𝐼𝐵 = =
ℎ𝐹𝐸 25
𝑰𝑩 = −𝟐𝟎𝟎µ𝑨
Sabemos qué:
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 ∴ −2 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸
Proponiendo valores para 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 .
𝑉𝐶 = −2.5𝑉
𝑉𝐸 = −0.5𝑉
Una vez propuestos estos dos valores se continuó:
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶 −20𝑉 − (−2.5𝑉)
𝑅𝐶 = =
𝑹𝑪 = 𝟑. 𝟓𝒌Ω
𝑉𝐸 −0.5𝑉
𝑅𝐸 = =
𝑹𝑬 = 𝟏𝟎𝟎Ω
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝑉𝐸 −20𝑉 + 0.7𝑉 + 0.5𝑉
𝑅𝐵 = =
𝐼𝐶 −5𝑚𝐴⁄
⁄ℎ 25
𝐹𝐸
𝑹𝑩 = 𝟗𝟒𝒌Ω
𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐸 = −0.7𝑉 + (−0.5𝑉)
𝑉𝐵 = −1.2𝑉
𝑉𝐶𝐵 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐵 = −2.5𝑉 − (−1.2𝑉)
𝑽𝑪𝑩 = −𝟏. 𝟒𝑽

Vcc
-20V
RC
RB 3.5kΩ
94kΩ
C1
Vo
10µF
C2 PNP
Vi BD136*
10µF
RE
100Ω
Imagen 5°: Configuración estabilizado en emisor con transistor PNP

BD136.
Los valores de las tensiones se muestran en la imagen 5.1°.

P á g i n a 43 | 73
Los valores de las tensiones se muestran en la imagen 5.2°.
Señal amplificada.
Señal de entrada.
Imagen 5.3°: Comparación de señales de entrada y salida.

Para analizar la amplificación en esta configuración se ingresó un voltaje ac de entrada de 5mVp a 60Hz de
amplitud, en el voltaje de salida se obtuvo un voltaje de 180mVp a 60Hz aproximadamente, la amplificación fue de
36 veces la señal de salida, la comparación se muestra en la imagen 5.3°.
Después se pasó al diseño con valores resistivos comerciales.
Si 𝑅𝐶 = 3.5𝑘Ω:
𝑹𝑪 = 𝟑. 𝟔𝒌Ω
Si 𝑅𝐵 = 94𝑘Ω:
𝑹𝑩 = 𝟗𝟏𝒌Ω
Si 𝑅𝐸 = 100Ω:
𝑹𝑬 = 𝟏𝟎𝟎Ω
El circuito queda como se ve en la imagen 5.4°, los valores resistivos no cambiaron mucho ya que los valores
ideales quedaron muy cercanos con los valores comerciales de resistores que tenemos disponibles.
Vcc
-20V
RB RC
91kΩ 3.6kΩ
C2 Vo
C1 10µF
Vi PNP
BD136*
10µF
RE
100Ω
P á g i n a 45 | 73
Proceso para encontrar valores faltantes (los resultados se dan con signo negativo como en las hojas de
características):
𝑉𝐶𝐶 + 𝑉𝐵𝐸 20𝑉 + 0.7𝑉

𝐼𝐵 = =
𝑅𝐵 + (ℎ𝐹𝐸 + 1)𝑅𝐸 91𝑘Ω + 26(100)
𝑰𝑩 = −𝟐𝟐𝟏. 𝟏𝟓𝟑𝟖µ𝑨
𝐼𝐶 = (ℎ𝐹𝐸 )𝐼𝐵 = 26(−221.1538µ𝐴)

𝑰𝑪 = −𝟓. 𝟕𝟒𝟗𝟗𝒎𝑨
𝑰𝑬 = −𝟓. 𝟕𝟒𝟗𝟗𝒎𝑨
𝑉𝐶𝐸 = −𝑉𝐶𝐶 + 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = −20𝑉 + 5.7499𝑚𝐴(3600 + 100)

𝑽𝑪𝑬 = −𝟏. 𝟒𝟕𝟒𝟔𝑽
𝑽𝑩𝑬 = 𝟎. 𝟕𝑽
𝑉𝐸 = 𝐼𝐶 𝑅𝐸 = (−5.7499𝑚𝐴)(100Ω)
𝑉𝐸 = −574.99𝑚𝑉
𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐸 = −0.7𝑉 − 0.57499𝑉
𝑉𝐵 = −1.27499𝑉
𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝐸 = −1.3746𝑉 − 0.57499𝑉
𝑉𝐶 = −1.9959𝑉
𝑉𝐶𝐵 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐵 = −1.9959𝑉 + 1.27499𝑉
𝑽𝑪𝑩 = −𝟕𝟐𝟎. 𝟗𝟏𝒎𝑽
Los valores de tensiones simulados en Multisim se muestran en la imagen 5.5°.


Notamos diferencias de milivolts en las 3 mediciones, pero la más clara al menos en la magnitud del valor es de
XMM2, al ser un valor en mV el hecho de que haya una diferencia de casi 250mV entre los valores calculados y
simulados es algo a tomar en cuenta. Se apreció que también 𝑉𝐵𝐸 no es exactamente -700mV, esto puede ser el
motivo de las diferencias de valores. Los valores de intensidades simulados en Multisim se muestran en la imagen
5.6°.
P á g i n a 47 | 73
𝑿𝑴𝑴𝟏 = 𝑰𝑪 𝑿𝑴𝑴𝟑 = 𝑰𝑩 𝑿𝑴𝑴𝟐 = 𝑰𝑬
Imagen 5.6°: Valores de intensidades del circuito.

.Multisim.
En este caso los valores fueron bastante parecidos entre los calculados y simulados, se cumple que 𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸 al
igual que 𝐼𝐵 suele ser sumamente pequeña comparada con las demás corrientes del circuito.
Análisis ca
𝑍𝑖 = 𝑅𝐵 ||ℎ𝐹𝐸 𝑅𝐸 = 91𝑘Ω||25(100Ω)
𝒁𝒊 = 𝟐. 𝟒𝟑𝟑𝟐𝒌Ω
𝑍𝑜 = 𝑅𝐶
𝒁𝒐 = 𝟑. 𝟔𝒌Ω
𝑟𝑒 = =
𝐼𝐸 5𝑚𝐴
𝒓𝒆 = 𝟓. 𝟐Ω
𝑅𝐶 3.6𝑘Ω
𝐴𝑣 = − =−
𝑅𝐸 100Ω
𝑨𝒗 = −𝟑𝟔
Nuevamente se introdujo un voltaje de entrada de 5mVp y la señal de salida fue amplificada 36 veces como era de
esperarse al calcular la ganancia de voltaje. Esto se muestra en la imagen 5.7°.

Señal amplificada.
Señal de entrada.
Al ingresar un voltaje de 1Vp a 60Hz, la señal de salida se deformó considerablemente como era de esperarse en
esta configuración, la forma de la señal en la salida se ve en la figura 5.8°.
Señal amplificada.
Señal de entrada.
Al ingresar un voltaje de 5mVp a 5MHz la señal de salida perdió amplificación y únicamente la señal de salida
aumentó 10 veces únicamente en vez de 36 (imagen 5.9°).
P á g i n a 49 | 73
Señal amplificada.
Señal de entrada.
Haciendo más variaciones el frecuencia y voltaje se llegó a la conclusión que este diseño sirve correctamente de
5mVp a 500mVp en frecuencias de 60Hz a 1MHz.
Se modificó ℎ𝐹𝐸 de 25 a 250 para notar si había cambios, en este caso se aumentó ℎ𝐹𝐸 10 veces, hubo cambios
en corrientes y voltajes como se aprecia en la imagen 5.10° y 5.11° respectivamente, el cambio más considerable
es de 𝑉𝐶𝐸 paso de volts a milivolts. Al momento de alimentarlo con una señal de entrada de 5mV, a la salida se
obtuvo una señal mucho más pequeña y solo con pequeños picos en el semiciclo negativo, podemos decir que hay
una rectificación de media onda en el ciclo negativo, pero mucho más pequeña.
Esto se muestra en la imagen 5.12°.

Imagen 5.10°: Valores de intensidades del circuito con ℎ𝐹𝐸 = 250.
Notamos un pequeño cambio entre las corrientes de colector y emisor como se esperaba, pero siguen siendo
aproximadamente igual, la corriente en base es mucho menor que las corrientes antes mencionadas, al ser
alimentado con voltaje DC, los capacitores se comportan como circuitos abiertos.
Respecto a los voltajes cambian considerablemente al modificar nuestra beta, el hecho de no saber el valor de beta
correctamente puede ser un factor considerable a tomar en cuenta en esta configuración.
𝑿𝑴𝑴𝟏 = 𝑽𝑪𝑬 𝑿𝑴𝑴𝟐 = 𝑽𝑪𝑩

𝑿𝑴𝑴𝟑 = 𝑽𝑩𝑬
Imagen 5.11°: Valores de tensiones del circuito con P á g i n a 51 | 73

ℎ𝐹𝐸 = 250.
Señal atenuada.
Señal de entrada.
Imagen 5.12°: Señales de entrada y salida con ℎ𝐹𝐸 = 250.
En la tabla 7° se comparan los resultados de corrientes y voltaje entre el diseño con resistores ideales y
comerciales.

Resistores −𝟐𝟎𝟎µ𝑨 −𝟓𝒎𝑨 −𝟓𝒎𝑨 -0.7V -2V −𝟏. 𝟑𝑽
Ideales
Resistores −𝟏𝟗𝟑µ𝑨 −𝟒. 𝟖𝟐𝟓𝒎𝑨 −𝟒. 𝟖𝟐𝟓𝒎𝑨 -0.7V −𝟐. 𝟔𝟑𝑽 −𝟏. 𝟗𝟑𝑽
Comerciales
Conclusión: Hay que ser sumamente cuidadosos al momento de calcular las resistencias para nuestra
configuración, algunos valores erróneos que tengamos pueden ocasionar el efecto de la imagen 5.10°, no importa
en valor que tenga ℎ𝐹𝐸 , 𝐼𝐵 se mantendrá estable solo con ligeras variaciones del oren de micros, siempre hay que
saber qué modelo de transistor estamos usando para tener los valores correctos tomados de su hoja de
características y poder obtener los valores restantes correctamente.

Configuración divisor de voltaje
Recordando los valores de la hoja de características
Se obtuvieron los resultados faltantes.

Para aplicar en análisis aproximado en esta configuración debemos cumplir lo siguiente:
ℎ𝐹𝐸 (𝑅𝐸 ) ≥ 10𝑅2
Se propusieron valores de resistores:

𝑹𝑬 = 𝟐𝒌Ω
𝑹𝟐 = 𝟏𝒌Ω
Se sustituyó para comprobar:

25(2𝑘Ω) ≥ 10(1𝑘Ω)
50𝑘Ω ≥ 10𝑘Ω
𝑉𝐸 = 𝐼𝐶 𝑅𝐸 = −5𝑚𝐴(2𝑘Ω)
𝑉𝐸 = −10𝑉
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 ∴ 𝑉𝐶 = 𝑉𝐸 + 𝑉𝐶𝐸
𝑉𝐶 = −10𝑉 − 2𝑉
𝑉𝐶 = −12𝑉
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶 −20𝑉 + 12𝑉
𝑅𝐶 = =
𝑹𝑪 = 𝟏. 𝟔𝒌Ω
𝑉𝐵 = 𝑉𝐸 + 𝑉𝐵𝐸 = −10𝑉 − 0.7𝑉

𝑉𝐵 = −10.7𝑉
𝑉𝐶𝐵 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐵 = −12𝑉 + 10.7𝑉
𝑽𝑪𝑩 = −𝟏. 𝟑𝑽
𝑽𝑩𝑬 = −𝟎. 𝟕𝑽
P á g i n a 53 | 73
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵 −20𝑉 + 10.7𝑉
𝑅1 = =
𝑉𝐵 −10.7𝑉⁄
⁄𝑅 1𝑘Ω
2
𝑹𝟏 = 𝟖𝟔𝟗. 𝟏𝟓𝟖𝟗Ω
𝐼𝐵 = =
𝛽 25
𝑰𝑩 = −𝟐𝟎𝟎µ𝑨
El circuito se muestra en la imagen 6°, en esta ocasión de manera oportuna 3 de los 4 resistores resultaron ser
valores comerciales, pero por otro lado se utilizó el método aproximado para calcular los valores de resistores,
corrientes y voltaje, se espera que tengan variaciones de milis y micros entre los valores calculados y simulados en
Multisim, hay que recordar que el análisis aproximado no es tan preciso como el análisis exacto, más adelante se
realizará en análisis del circuito con análisis exacto ya con los resistores comerciales.
Vcc
-20V
R1 RC
869.1589Ω 1.6kΩ
C2 Vo
C1 10µF
Vi PNP
BD136*
10µF
R2
1kΩ
RE
2kΩ
Imagen 6°: Configuración divisor de voltaje con transistor PNP

BD136.

Los valores de tensiones se muestran en la imagen 6.1°.

Imagen 6.1°: Tensiones del circuito en Multisim.
Los valores de intensidades se muestran en la imagen 6.2°.
Imagen 6.2°: Intensidades del circuito en Multisim.

P á g i n a 55 | 73
En los voltajes notamos cambios de 300mV aproximadamente y en intensidades notamos cambios más pequeños,
en la intensidad de base tenemos solo una diferencia de 8 micros y 300 micros en las intensidades restantes,
respecto a 𝑉𝐵𝐸 no es exactamente 700mV que afecta en los resultados obtenidos en los cálculos. Para ver la
amplificación se colocó un voltaje ca de entrada de 5mVp de amplitud a 60 Hertz y en la salida se obtuvo una señal
ca casi 4.8mVp, en este diseño la señal se atenúa en vez de ser amplificada. (Imagen 6.3°).
Señal atenuada.
Señal de entrada.
Análisis con resistores comerciales
Únicamente 𝑅1 no tiene un valor comercial.

Si 𝑅1 = 869.1589Ω
𝑹𝟏 = 𝟖𝟐𝟎Ω
El circuito con resistores comerciales se muestra en la imagen 6.4°.

Vcc
-20V
R1 RC
820Ω 1.6kΩ
C2 Vo
C1 10µF
Vi PNP
BD136*
10µF
R2
1kΩ
RE
2kΩ
Imagen 6.4°: Configuración divisor de voltaje con resistores comerciales.
𝑅𝑇ℎ = 𝑅1 ||𝑅2 = 820Ω||1𝑘Ω

𝑅𝑇ℎ = 450.5494Ω
𝑅2 𝑉𝐶𝐶 1𝑘Ω(−20𝑉)
𝐸𝑇ℎ = =
𝑅1 + 𝑅2 820Ω + 1000Ω
𝐸𝑇ℎ = −10.989𝑉
𝐸𝑇ℎ − 𝑉𝐵𝐸 −10.989𝑉 + 0.7𝑉
𝐼𝐵 = =
𝑅𝑇ℎ + (𝛽 + 1)𝑅𝐸 450.5494Ω + (26)2000Ω
𝑰𝑩 = −𝟏𝟗𝟔. 𝟏𝟔𝟓𝟕µ𝑨
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 = 25(−196.1657µ𝐴)
𝑰𝑪 = −𝟒. 𝟗𝟎𝟒𝟏𝒎𝑨
𝑰𝑬 = −𝟒. 𝟗𝟎𝟒𝟏𝒎𝑨
𝑽𝑩𝑬 = −𝟎. 𝟕𝑽
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = −20 + 5𝑚𝐴(1.6𝑘Ω + 2𝑘Ω)
𝑽𝑪𝑬 = −𝟐𝑽
P á g i n a 57 | 73
𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 = −20𝑉 + 5𝑚𝐴(1.6𝑘Ω)
𝑉𝐶 = −12𝑉
𝑉𝐸 = 𝐼𝐶 𝑅𝐸 = −5𝑚𝐴(2𝑘Ω)
𝑉𝐸 = −10𝑉
𝑉𝐵 = 𝑉𝐸 + 𝑉𝐵𝐸 = −10𝑉 − 0.7𝑉
𝑉𝐵 = −10.7𝑉
𝑉𝐶𝐵 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐵 = −12𝑉 + 10.7
𝑽𝑪𝑩 = −𝟏. 𝟑𝑽
Los valores de tensiones simulados en Multisim se ven en la imagen 6.5°.

Imagen 6.5°: Tensiones del circuito en Multisim.
Los valores de intensidades simuladas en Multisim se ven en la imagen 6.6°.

Imagen 6.6°: Intensidades del circuito en Multisim.
Análisis ca
𝑟𝑒 = =
𝐼𝐸 5𝑚𝐴
𝒓𝒆 = 𝟓. 𝟐Ω
𝑍𝑖 = 𝑅1 ||𝑅2 ||ℎ𝐹𝐸 𝑟𝑒 = 820Ω||1𝑘Ω||25(5.2Ω)
𝒁𝒊 = 𝟏𝟎𝟎. 𝟖𝟖𝟗𝟔Ω
𝑍𝑜 = 𝑅𝐶
𝒁𝒐 = 𝟏. 𝟔𝒌Ω
𝑅𝐶 1.6𝑘Ω
𝐴𝑣 = − =−
𝑅𝐸 2𝑘Ω
𝑨𝒗 = −𝟎. 𝟖
Efectivamente como se esperaba la ganancia de voltaje es menor a 1, lo que indica una atenuación en la señal de
salida.
Al cambiar el voltaje de entrada a 14Vp a 60Hz la señal se deformó considerablemente perdiendo toda fidelidad del
diseño, el resultado de esto aparece en la imagen 6.7°.
P á g i n a 59 | 73
Señal de salida.
Señal de entrada.
Se ingresó un voltaje de 5mVp a 5MHz y en la salida se generó una señal igualmente de 5mVp a 5MHz, pero esta
cambia en qué tanto están desfasadas, parece que las señales están más desfasadas de 180° (imagen 6.8°).
Señal de salida.
Señal de entrada.
Este diseño atenuador funciona correctamente desde 5mVp a 8Vp, con frecuencias de 20Hz a 1MHz.

Los valores obtenidos fueron mejores con análisis exacto que con aproximado como era de esperarse, los valores
son buenos comparados con los valores ideales, no encontramos mucha diferencia entre voltajes y corrientes, para
un mejor análisis se muestran ambos resultados en la tabla 8°.

Resistores −𝟐𝟎𝟎µ𝑨 −𝟓𝒎𝑨 −𝟓𝒎𝑨 -0.7V -2V −𝟏. 𝟑𝑽
Ideales
Resistores −𝟏𝟗𝟔. 𝟏𝟔𝟓𝟕µ𝑨 −𝟒. 𝟗𝟎𝟒𝟏𝒎𝑨 −𝟒. 𝟗𝟎𝟒𝟏𝒎𝑨 -0.7V −𝟐. 𝑽 −𝟏. 𝟗𝟑𝑽
Comerciales
Se modificó ℎ𝐹𝐸 de 25 a 250 (10 veces más grande) para saber si esta configuración era sensible a modificaciones
de ℎ𝐹𝐸 , al aplicar el voltaje de entrada ac también de 5mVp a 60Hz la señal de salida fue exactamente la misma
(Imagen 6.9°) que con ℎ𝐹𝐸 = 25, en divisor de voltaje no fue afectada la amplificación en ningún momento.
Señal amplificada.
Señal de entrada.
Imagen 6.9°: Señales de entrada y salida con ℎ𝐹𝐸 = 250.
Conclusión: En configuración divisor de voltaje nuestra amplificación es la misma sin importar la magnitud de beta
en el transistor PNP que estemos usando, la intensidad en base en la mayoría de los casos será del orden de
micros y siempre será menor que las corrientes de base y emisor, resulta mejor usar el análisis exacto para
encontrar valores desconocidos, pero es más fácil usar el método aproximado.
P á g i n a 61 | 73
Conclusión
En configuración de polarización fija la amplificación es muy grande comparada con la configuración estabilizado
en emisor y configuración divisor de voltaje, en todos los cases las señales de entrada y salida se encuentran
desfasadas, en el transistor NPN las amplificaciones de divisor de voltaje y estabilizado en emisor fueron casi las
mismas, pero en el transistor PNP, las amplificaciones fueron diferentes, al ser el transistor NPN amplificador como
lo dice sus hojas de características no hubo problema a diferencia al usar en transistor PNP que era un amplificador
de potencia, las amplificaciones no fueron tan grandes pero si la hubo.
La beta de ambos transistores interviene de forma significativa para la amplificación de la configuración polarización
fija, para la configuración en divisor de voltaje la beta no interfiere en la amplificación y en configuración estabilizado
en emisor se puede decir que se encuentra entre las configuraciones antes mencionadas, el fallo en algún cálculo
de corriente, tensión o de un resistor va a provocar graves errores en el circuito deseado y por lo tanto, en la
amplificación del circuito, estos errores pueden ir desde los mínimos hasta tener una atenuación en vez de una
amplificación en la salida, normalmente el resistor de colector es más grande que el resistor de emisor.
Los transistores PNP se deben polarizar de forma negativa y los transistores NPN de forma positiva para que
puedan funcionar de forma correcta, debemos tener cuidado con el propósito del transistor que usaremos, los
fabricantes nos especifican para que fue creado cada transistor, si bien pueden funcionar para otro propósito no lo
harán de forma tan buena como lo harían aplicándolo a su propósito.
Los resultados de voltajes y tensiones fueron cercanos en cada una de las configuraciones tanto en el transistor
PNP y NPN, únicamente cambió la estabilidad de cada uno de ellos, un punto importante al hacer mediciones es
tener en cuenta la resistencia del multímetro ya sea como voltímetro o amperímetro, al ser cantidades pequeñas
de voltaje e intensidad, si el instrumento de medición no es de buena calidad no será buena idea confiar en los
valores que muestre el multímetro.
Los capacitores mostrados en cada uno de los circuitos solo entrar en función cuando se aplica la señal de ca en
la entrada, en el análisis de CD se comportan como un circuito abierto, estos también intervienen en el
desfasamiento de las señales, la configuración a usar dependerá de lo que el diseñador quiera ya sea amplificación,
conmutador, una amplificación con poca o mucha fidelidad etc.
En configuración polarización por divisor de voltaje si el resistor en emisor y colector son iguales no habrá
amplificación, si el resistor en colector es mayor habrá amplificación y por el contrario si el resistor en emisor es
mayor tendremos una atenuación a la salida de nuestro diseño, sin importar si el transistor es NPN y PNP.

Hojas de características de los transistores usados
P á g i n a 63 | 73
P á g i n a 65 | 73
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Configuraciones de Transistor BJT

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Electro C

Amplificadores básicos (sólo con configuraciones) con

Consultamos la hoja de características como se ve en la tabla 1°:

Tabla 1°: Características del transistor P2N2222A encendido.

EJERCICIOS DE DIODOS EN AC Y DC ELECTRO C

Imagen 1°: Configuración polarización fija con transistor NPN 2N2222A.

La comprobación de las corrientes se aprecian en la imagen 1.1°.

Imagen 1.1°: Comprobación de intensidades con Multisim.

Imagen 1.2°: Comprobación de tensiones con Multisim.

Los valores obtenidos en multisim son muy cercanos a los calculados.

EJERCICIOS DE DIODOS EN AC Y DC ELECTRO C

Imagen 1.4°: Señales graficadas en osciloscopio.

Imagen 1.5°: Configuración polarización fija con resistores comerciales.

Identificamos los valores que conocemos para obtener los restantes:

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 20𝑉 − 0.7𝑉

Imagen 1.6°: Comprobación de intensidades con Multisim.

Imagen 1.8°: Señales graficadas en osciloscopio.

Imagen 1.9°: Señal de salida a 1Hz.

Imagen 1.10°: Señal de salida a 120Hz.

Imagen 1.11°: Señal de salida a 1kHz.

EJERCICIOS DE DIODOS EN AC Y DC ELECTRO C

Imagen 1.12°: Señal de salida con 1mVp 60Hz de

Imagen 1.13°: Señal de salida con 30mVp 60Hz de

Tabla 2°: Tabla comparativa entre valores de intensidad y corriente.

Resistores 49.4878µA 9.8976mA 9.8976mA 0.7V 10.1024V 9.4024V

Imagen 1.9°. Intensidades con ℎ𝐹𝐸 reducida a un 90%.

EJERCICIOS DE DIODOS EN AC Y DC ELECTRO C

Polarización estabilizado en emisor:

Los valores propuestos fueron:

Imagen 2°: Configuración estabilizado en emisor con transistor NPN 2N2222A.

EJERCICIOS DE DIODOS EN AC Y DC ELECTRO C

Imagen 2.1°: Comprobación de intensidades con Multisim.

Imagen 2.2°: Comprobación de tensiones con Multisim.

Imagen 2.3°: Señales graficadas en osciloscopio.

Imagen 2.4°: Señales graficadas de entrada y salida.

EJERCICIOS DE DIODOS EN AC Y DC ELECTRO C

Encontramos los valores restantes:

𝑉𝑪𝑬 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 20𝑉 − 9.5898𝑚𝐴(510Ω + 510Ω)

𝑉𝐶𝐵 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐵 = 15.1092𝑉 − 4.9153𝑉

El circuito con estos valores de resistores comerciales se muestran en la imagen 2.5°.

Imagen 2.5°: Circuito con resistores comerciales.

La comprobación de las corrientes se aprecian en la imagen 2.6°.

EJERCICIOS DE DIODOS EN AC Y DC ELECTRO C

Imagen 2.7°: Comprobación de tensiones con valores resistivos comerciales.

Tabla 2°: Tabla comparativa entre valores de intensidad y corriente.

Valores 𝑰𝑩 𝑰𝑪 𝑰𝑬 𝑽𝑩𝑬 𝑽𝑪𝑬 𝑽𝑪𝑩

Resistores 47.9491µA 9.5898mA 9.5898mA 0.7V 10.2184V 10.1939V

EJERCICIOS DE DIODOS EN AC Y DC ELECTRO C

Imagen 2.8°: Señales graficadas de entrada y salida.

Imagen 2.9°: Señales graficadas de entrada y salida.

Imagen 2.10°: Señales graficadas de entrada y salida.

Imagen 2.11°: Señales graficadas de entrada y salida.

EJERCICIOS DE DIODOS EN AC Y DC ELECTRO C

Imagen 2.12°: Comprobación de intensidades con valores resistivos comerciales.

Polarización por divisor de voltaje

𝑉𝑪 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝐸 = 10𝑉 + 4.7𝑉 = 14.7𝑉

Imagen 3°: Polarización por divisor de voltaje con resistores ideales.

EJERCICIOS DE DIODOS EN AC Y DC ELECTRO C

Imagen 3.1°: Tensiones con resistores ideales simulado.

Imagen 3.2°: Intensidades con resistores ideales simulado.

EJERCICIOS DE DIODOS EN AC Y DC ELECTRO C

Imagen 3.3°: Señales graficadas en osciloscopio.

Imagen 3.4°: Circuito con resistores ideales.