Ea Plab 5a

UNIVERSIDAD DE MÁLAGA. Escuela de Ingenierías Industriales.
Dept Tecnología Electrónica

GRADO EN INGENIERÍA ELECTRÓNICA INDUSTRIAL Electrónica Analógica
_____________________________________________________________________________
PRÁCTICA DE LABORATORIO N1A Grupo__A_______ Fecha_31/12/2020__
Apellidos_Salas Casas _____________________________________________

Nombre_María del Carmen_ DNI__54201252G______________________
Doble grado ingeniería electrónica industrial y eléctrica.
Asignatura:
EJERCICIO DE Electrónica
LABORATORIOAnalógica.
#1
Validación funcionamiento en laboratorio: ________________________________
Calificación Calificación Calificación

memoria montaje final
laboratorio
PRÁCTICA DE LABORATORIO N5A. AMPLIFICADOR MULTIETAPA
1. Especificaciones
Diseñar un amplificador multietapa de pequeña señal para frecuencias intermedias, basada en

los componentes utilizados en las prácticas anteriores. Deberá constar de 2 ó 3 etapas.
La configuración multietapa ha de cumplir las siguientes especificaciones:
− Impedancia de entrada > 500k

− Impedancia de salida < 75 
− Ganancia de tensión > 50 V/V
2. Consideraciones de diseño
− Se pueden utilizar transistores BJT, JFET o MOSFET (utilizar preferentemente los

componentes de prácticas anteriores).
− La alimentación del sistema ha de ser de +/- 12V.
−
3. Memoria técnica de la práctica
La memoria de la práctica ha de incluir:
1. Diseño del circuito.

2. Cálculos justificativos.
3. Simulación en Multisim, con visualización de las formas de onda.
4. Montaje virtual Multisim (protoboard).
5. Montaje y puesta en funcionamiento.
6. Fotografía de la protoboard simulada y montada.
7. Tabla comparativa de los resultados obtenidos a nivel teórico, simulación y montaje,
incluyendo valores medidos con multímetro de los parámetros de DC y formas de onda
obtenidas con el osciloscopio para los parámetros en AC.
8. Lista de materiales
UNIVERSIDAD DE MÁLAGA. Escuela de Ingenierías Industriales. Dept Tecnología Electrónica
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A partir de la configuración resultante:
1) Realizar el estudio de la polarización y del punto de trabajo de cada uno de los

transistores en cada etapa.
2) Para cada una de las etapas, dibujar el modelo equivalente en pequeña señal y calcular
los parámetros del modelo equivalente en pequeña señal. Calcular los parámetros del
cuadripolo resultante; impedancia de entrada (Zin), impedancia de salida (Zo); ganancia
en tensión Av, y ganancia en corriente Ai.
3) Dibujar la gráfica Vo y Vi /t aplicando una señal de entrada senoidal de 100 mVp y 1 kHz
para cada etapa.
4) Determinar la ganancia total AvT de la configuración multietapa para una entrada
senoidal de 100 mVp y 1kHz.
5) Simular el circuito y comparar los resultados obtenidos con los resultantes de los puntos
anteriores.
6) Realizar el montaje, utilizando los componentes que se indica en el esquema. Aplicar el
estímulo indicado y comparar los resultados obtenidos con los anteriores teóricos y en
la simulación.
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ÍNDICE.
1. INTRODUCCIÓN.
2. ETAPA 3.
2.1. CALCULOS JUSTIFICATIVOS.
2..1.1. ESTUDIO DE LA POLARIZACIÓN Y DEL PUNTO DE
TRABAJO.
2.1.2. MODELO EQUIVALENTE EN PEQUEÑA SEÑAL.
2.2..SIMULACIÓN.
2.2.1. SIMULACIÓN DEL MONTAJE.
2.2.2. SIMULACIÓN POR MEDIO DEL OSCILOSCOPIO.
3. ETAPA 2.
TRABAJO.
3.2..SIMULACIÓN.
4. ETAPA 1.
TRABAJO.
4.2..SIMULACIÓN.
5. MULTIETAPA.
5.1..SIMULACIÓN.
6.MONTAJE VIRTUAL PROTOBOARD.
7.LISTA DE MATERIALES.
8.TABLAS COMPARATIBVAS DE RESULTADOS.
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1. INTRODUCCIÓN.
Se pretende diseñar un amplificador multietapa de pequeña señal para frecuencias
intermedias, partiendo de componentes ya conocidos en las prácticas anteriores. El
amplificador en dicho caso constará de 3 etapas de forma que cumpla con las siguientes
especificaciones:
• Impedancia de entrada > 500k
• Impedancia de salida < 75 
• Ganancia de tensión > 50 V/V
2. ETAPA 3.
2.1.1. ESTUDIO DE LA POLARIZACIÓN Y DEL PUNTO DE
TRABAJO.
De acuerdo con la especificación de mantener una impedancia de salida (Zout) pequeña, en
concreto, por debajo de 75 Ω se empleará en esta etapa un transistor BJT del modelo 2N3904
cuya configuración será en colector común. Sus parámetros característicos de acuerdo con lo
especificado en la hoja de características del fabricante son:
𝛽 = 144 𝑉𝐵𝐸 = 0.8𝑉
Para llevar a cabo el estudio de la polarización y del punto de trabajo, se realiza el análisis
en continua y se considera zona de saturación.
Figura 1. Configuración de la etapa 3.
4
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Se realiza ahora una simplificación, calculando la resistencia y la tensión equivalente
Thévenin del circuito.
𝑅𝐵3_1 · 𝑅𝐵3_2 100𝑘Ω · 17.5𝑘Ω
𝑅𝐵3 = = = 14893.62Ω (1)
𝑅𝐵3_1 + 𝑅𝐵3_2 100𝑘Ω + 17.5𝑘Ω
𝑅𝐵3_1 100𝑘Ω
𝑉𝑡ℎ3 = 𝑉𝑑𝑐 · = 12𝑉 · = 10.21𝑉 (2)
𝑅𝐵3_1 + 𝑅𝐵3_2 100𝑘Ω + 17.5𝑘Ω
Tras la simplificación, se calculan los valores de polarización:
𝑉𝑡ℎ3 = 𝐼𝐵3 · 𝑅𝐵3 + 𝑉𝐵𝐸3 + 𝑉𝐸3 (3)
𝑉𝐸3 = 𝐼𝐸3 · 𝑅𝐸3 (4)
{
𝐼𝐸3 = 𝐼𝐵3 + 𝐼𝐶3 (5)
𝐼𝐶3 = 𝛽 · 𝐼𝐵3 (6)
Sustituyendo convenientemente se obtiene la corriente que circula por la base:
𝑉𝑡ℎ3 − 𝑉𝐵𝐸3 10.21𝑉 − 0.8𝑉
𝐼𝐵 = = = 365𝜇𝐴 (7)
𝑅𝐵3 + (𝛽 + 1) · 𝑅𝐸3 14893.62Ω + (144 + 1) · 75Ω
La corriente que circula por el colector:
𝐼𝐶 = 𝛽 · 𝐼𝐵 = 144 · 365𝜇𝐴 = 52.6𝑚𝐴 (8)
La corriente que circula por el emisor:
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 = 365𝜇𝐴 + 52.6𝑚𝐴 = 53𝑚𝐴 (9)
Se hallan las tensiones base, emisor y colector:
𝑉𝐸 = 𝐼𝐸 · 𝑅𝐸 = 53𝑚𝐴 · 75Ω = 3.975𝑉 (10)
𝑉𝐵 = 𝑉𝐸 + 𝑉𝐵𝐸 = 3.975𝑉 + 0.7𝑉 = 4.675𝑉 (11)
𝑉𝐶 = 𝑉𝑑𝑐 = 12𝑉 (12)
Como se cumple que 𝑉𝐶 > 𝑉𝐵 el transistor se encuentra en zona activa y por tanto, los
cálculos realizados anteriormente son válidos.
Tensión Intensidad
Colector 12 V 52.6𝑚𝐴
Base 4.675 V 365𝜇𝐴
Emisor 3.975 V 53𝑚𝐴
Tabla 1. Tríptico etapa 3.
Punto de trabajo.
𝑉𝐵𝐸 = 0.7𝑉
𝐼𝐵 = 365𝜇𝐴
𝐼𝐶 = 52.6𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 = 12𝑉 − 3.975𝑉 = 8.025𝑉 (13)
5
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La figura 2 refleja el modelo equivalente en pequeña señal de la etapa 3.
Figura 2. Configuración de la etapa 3 equivalente en pequeña señal.
En primer lugar, se realiza el cálculo de los parámetros del modelo equivalente:

𝐼𝐶 52.6𝑚𝐴
𝑔𝑚 = = = 2.104Ω−1 (14)
𝑉𝑇 25𝑚𝑉
𝛽 144
𝑟𝜋 = = = 68.44Ω (15)
𝑔𝑚 2.104Ω−1
𝑉𝑇 25𝑚𝑉
𝑟𝑒 = = = 0.47Ω (16)
𝐼𝑒 53𝑚𝐴
Debido a que el valor de re es muy pequeño en comparación con el resto de resistencias,
es posible despreciar dicho valor sin cometer mucho error.
Cálculo de los parámetros del cuadripolo resultante:
-Impedancia de entrada:
𝒁𝑰𝑵 = 𝑹𝑩𝟑 //[𝑟𝜋 + (𝛽 + 1) · (𝑹𝑬𝟑 //𝑹𝑳𝟑)] (𝟏𝟕)
Sustituyendo los valores en la ecuación (17) se obtiene la impedancia de entrada de la

etapa 3:
14893.62Ω · 10862.48Ω
𝒁𝑰𝑵 = = 6281.3 Ω
14893.62Ω + 4899.09Ω
-Impedancia de salida:
𝒁𝒐𝒖𝒕 = 𝑹𝑬𝟑 //[ 𝑟𝜋 + 𝑹𝑩𝟑 ] (𝟏𝟖)
Sustituyendo los valores en la ecuación (18) se obtiene la impedancia de salida de la etapa

3:
75Ω · 14962.06Ω
𝒁𝒐𝒖𝒕 = = 74.63Ω
75Ω + 14962.06Ω
Ganancia en tensión:
𝑉0 𝑉0 𝑉𝐼
∆𝑉 = = · (19)
𝑉𝑆 𝑉𝐼 𝑉𝑆
6
_____________________________________________________________________________
𝑉0 𝐼𝐸 [𝑅𝐸 //𝑅𝐿 ] 𝐼𝐵 · (𝛽 + 1)[𝑅𝐸 //𝑅𝐿 ]
= = (20)
𝑉𝐼 𝐼𝐵 · 𝑅𝜋 + 𝐼𝐶 [𝑅𝐸 //𝑅𝐿 ] 𝐼𝐵 · 𝑅𝜋 + 𝐼𝐵 · (𝛽 + 1)[𝑅𝐸 //𝑅𝐿 ]
Simplificando y desarrollando la anterior expresión se obtiene lo siguiente:
𝑅 𝑅𝐿 75Ω · 10𝑘Ω
𝑉0 (𝛽 + 1) 𝑅 𝐸·+ 𝑅 (144 + 1) · 𝑉
= 𝐸 𝐿
= 75Ω + 10𝑘Ω = 0.994 (21)
𝑉𝐼 𝑅 + (𝛽 + 1) 𝑅𝐸· 𝑅𝐿 75Ω · 10𝑘Ω 𝑉
𝜋 𝑅𝐸 + 𝑅𝐿 68.44Ω + (144 + 1) · 75Ω + 10𝑘Ω
𝑍𝑖𝑛
𝑉𝐼 𝑉𝑆 · 𝑍𝑖𝑛 + 𝑅𝑆 𝑍𝑖𝑛 6281.3 ΩΩ 𝑉
= = = =1 (22)
𝑉𝑆 𝑉𝑆 𝑍𝑖𝑛 + 𝑅𝑆 6281.3 Ω7 ΩΩ + 0Ω 𝑉
Sustituyendo los valores en la ecuación (19) se obtienen la ganancia de tensión de la

etapa 3:
𝑉0 𝑉 𝑉 𝑉
∆𝑉 = = 0.994 ·1 = 0.994 (23)
𝑉𝑆 𝑉 𝑉 𝑉
Ganancia en corriente:
Simplificando y desarrollando la expresión se obtiene la ganancia de corriente de la etapa
3:
𝑉0 𝑉
𝐼0 𝑅𝐿 ∆𝑉 · (𝑅𝑠 + 𝑍𝐼𝑁 ) 0.994 𝑉 · 6281.3 Ω 𝐴
∆𝐼 = = = = = 0.624 (24)
𝐼𝑠 𝑉𝑠 𝑅𝐿 10𝑘Ω 𝐴
𝑅𝑠 + 𝑍𝐼𝑁
2.2. REPRESENTACIÓN DE VO y VS.

Para las representaciones realizadas en el presente apartado, se ha empleado el programa
Excel y las fórmulas presentadas a continuación:
𝑉𝑆 = 𝑆𝑒𝑛𝑜(𝜔𝑡) · 𝑉𝐼 (25)
𝑉
𝑉0 = −0.994 · 𝑉𝑆 (26)
𝑉
Representación de Vo y Vs en función del tiempo:
Figura3. Representación de Vo y Vs en función del tiempo.
7
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Es notable que Vo/t prácticamente se superpone sobre Vs/t, comportándose como un
seguidor de tensión.
2.2. SIMULACIÓN.
Se procede a simular el circuito analizado teóricamente con una fuente de alimentación
de 100mV Y 1kHz de frecuencia.
Figura 4. Esquema del montaje de la etapa 3.
Del montaje se obtienen los siguientes valores:

PARÁMETROS DE POLARIZACIÓN:
Voltaje de la base:
VB=4.76V
Voltaje del emisor:
VE=3.98V
Voltaje del colector:
VC=12V
Corriente de la base:
IB=366𝜇A
Corriente del emisor:
IE=53.1mA
8
_____________________________________________________________________________
Corriente del colector:
IC=52.7mA
PUNTO DE TRABAJO:
Se sustituyen los valores del montaje en la ecuación (13) para hallar el voltaje
colector-emisor:
VCE=VC-VE=12V-3.98V=8.02V
Se sustituyen los valores para hallar el voltaje base-emisor:
VBE=VB-VE=4.76V-3.98V=0.78V (27)
PARÁMETROS DEL MODELO EQUIVALENTE EN PEQUEÑA SEÑAL:
Se sustituyen los valores del montaje en la ecuación (14) para hallar la

transconductancia:
𝑔𝑚 = = = 2.108Ω−1
𝑉𝑇 25𝑚𝑉
Se sustituyen los valores del montaje en la ecuación (15) para hallar la 𝒓𝝅:
𝛽 144
𝑟𝜋 = = = 68.31Ω
𝑔𝑚 2.108Ω−1
Se sustituyen los valores del montaje en la ecuación (16) para hallar la re:
𝑉𝑇 25𝑚𝑉
𝑟𝑒 = = = 0.47Ω
𝐼𝑒 53.1𝑚𝐴
PARÁMETROS DEL CUADRIPOLO:
Se sustituyen los valores del montaje en la ecuación (19) hallando así la ganancia
en tensión:
𝑉0 69.9𝑚𝑉 𝑉
∆𝑉 = = = 0.989
𝑉𝑆 70.7𝑚𝑉 𝑉
en corriente:
𝐼0 6.99𝜇𝐴 𝐴
∆𝐼 = = = 0.517
𝐼𝑆 13.5𝜇𝐴 𝐴
9
_____________________________________________________________________________
Realizando la simulación por medio del osciloscopio se obtienen las siguientes figuras y
los siguientes resultados acorde con los valores reflejados en dichas gráficas.
Empleando el osciloscopio que proporciona el programa MULTISIM se visualizan las
siguientes señales:
•Canal 1: Señal Vs.
•Canal 2: Señal Vo.
Figura5. Gráfica V0/t y VS/t para t=500us.

•Canal 1: Señal VC.
•Canal 2: Señal VE.
Figura6. Gráfica VC/t y VE/t para t=2ms.
10
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•Canal 1: Señal VB.
Figura7. Gráfica VB/t y VE/t para t=2ms.
De la simulación se obtienen los siguientes valores:

Voltaje de la base:
VB=4.78V
Voltaje del emisor:
VE=3.95V
VC=12V
𝑉𝑖 −𝑉𝐵 100𝑚𝑉−4.78𝑉
IB= = = 314.2𝜇𝐴 (28)
𝑅𝐵3 14893.62Ω

𝑉 3.95𝑉
IE=𝑅𝐸 = = 52.6mA (29)
𝐸 75Ω

IC= IE – IB =52.6mA-314.2𝜇𝐴=52.3mA (30)
11
_____________________________________________________________________________
PUNTO DE TRABAJO:
colector-emisor:
VCE=VC-VE=12V-3.95V=8.05V
Se sustituyen los valores del montaje en la ecuación (27) para hallar el voltaje base-
emisor:
VBE=VB-VE=4.78V-3.95V=0.83V

transconductancia:
𝑔𝑚 = = = 2.092Ω−1
𝑉𝑇 25𝑚𝑉
𝛽 166
𝑟𝜋 = = = 79.57Ω
𝑔𝑚 2.092Ω−1
𝑉𝑇 25𝑚𝑉
𝑟𝑒 = = = 0.47Ω
en tensión:
𝑉0 99𝑚𝑉 𝑉
∆𝑉 = = = 0.99
𝑉𝑆 100𝑚𝑉 𝑉
12
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3. ETAPA 2.
TRABAJO.
De acuerdo con la especificación de mantener una impedancia de salida (Zout) pequeña, para
la última etapa se emplea un transistor BJT en configuración de colector común por lo que la
ganancia en tensión será muy cercana a la unidad. Mientras que de acuerdo con la
especificación de mantener una impedancia de entrada (Zin) elevada, para la primera etapa se
emplea un transistor JFET por lo que la ganancia en tensión será muy pequeña teniendo
entonces que aportar la ganancia en tensión en la segunda etapa, empleando entonces un
transistor BJT en configuración de emisor común. Sus parámetros característicos de acuerdo
con lo especificado en la hoja de características del fabricante son:
𝛽 = 158 𝑉𝐵𝐸 = 0.656𝑉
Se realiza ahora una simplificación, calculando la resistencia y la tensión equivalente

Thévenin del circuito.
𝑅𝐵2_1 · 𝑅𝐵2_2 10𝑘Ω · 140𝑘Ω
𝑅𝐵2 = = = 9333.333Ω (31)
𝑅𝐵2_1 + 𝑅𝐵2_2 10𝑘Ω + 140𝑘Ω
𝑅𝐵2_1 10𝑘Ω
𝑉𝑡ℎ2 = 𝑉𝑑𝑐 · = 12𝑉 · = 0.8𝑉 (32)
𝑅𝐵2_1 + 𝑅𝐵2_2 10𝑘Ω + 140𝑘Ω
13
_____________________________________________________________________________
Tras la simplificación, se calculan los valores de polarización:
𝑉𝑡ℎ = 𝐼𝐵 · 𝑅𝑡ℎ + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐸 (33)
𝑉𝐸 = 𝐼𝐸 · 𝑅𝐸 (34)
{
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 (35)
𝐼𝐶 = 𝛽 · 𝐼𝐵 (36)
Sustituyendo convenientemente se obtiene la corriente que circula por la base:
𝑉𝑡ℎ − 𝑉𝐵𝐸 0.8𝑉 − 0.656𝑉
𝐼𝐵 = = = 12.2𝜇𝐴 (37)
𝑅𝐵2 + (𝛽 + 1) · 𝑅𝐸 9333.333Ω + (158 + 1) · 15Ω
Sustituyendo en la ecuación (36) se obtiene la corriente que circula por el colector:
𝐼𝐶 = 𝛽 · 𝐼𝐵 = 158 · 12.2𝜇𝐴 = 1.93𝑚𝐴
Sustituyendo en la ecuación (35) la corriente que circula por el emisor:
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 = 12.2𝜇𝐴 + 1.93𝑚𝐴 = 1.94𝑚𝐴
Se hallan las tensiones base, emisor y colector:
𝑉𝐸 = 𝐼𝐸 · 𝑅𝐸 = 1.94𝑚𝐴 · 15Ω = 0.0291𝑉
𝑉𝐵 = 𝑉𝐸 + 𝑉𝐵𝐸 = 0.0291𝑉 + 0.656𝑉 = 0.685𝑉 (38)
𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 · 𝑅𝐶 = 12𝑉 − 1.94𝑚𝐴 · 2𝑘Ω = 8.14𝑉 (39)
Como se cumple que 𝑉𝐶 > 𝑉𝐵 el transistor se encuentra en zona activa y por tanto, los
cálculos realizados anteriormente son válidos.
Tensión Intensidad
Colector 8.14 V 1.93𝑚𝐴
Base 0.685 V 12.2𝜇𝐴
Emisor 0.0291 V 1.94𝑚𝐴
Punto de trabajo.
𝑉𝐵𝐸 = 0.656𝑉
𝐼𝐵 = 12.2𝜇𝐴
𝐼𝐶 = 1.93𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 = 8.14𝑉 − 0.0291𝑉 = 8.1109𝑉 (40)
14
_____________________________________________________________________________
La figura 4 refleja el modelo equivalente en pequeña señal del circuito.

𝑔𝑚 = = = 0.0772Ω−1 (41)
𝑉𝑇 25𝑚𝑉
𝛽 158
𝑟𝜋 = = = 2046.63Ω (42)
𝑔𝑚 0.0772Ω−1
𝑉𝑇 25𝑚𝑉
𝑟𝑒 = = = 12.83Ω (43)
Debido a que el valor de re es muy pequeño en comparación con el resto de resistencias,
es posible despreciar dicho valor sin cometer mucho error.
Impedancia de entrada:
𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝐵2 //𝑟𝜋 (44)
Sustituyendo los valores en la ecuación (44) se obtiene la impedancia de entrada de la
etapa 2:
9333.333Ω · 2046.63Ω
𝑍𝑖𝑛 = = 1678.55Ω
9333.333Ω + 2046.63Ω
Impedancia de salida:
𝑍𝑜𝑢𝑡 = 𝑅𝑐2 = 2𝑘Ω
Ganancia en tensión:
∆𝑉 = = · (45)
𝑅𝑐· 𝑅𝐿 2𝑘Ω · 6281.3Ω
𝑉0 −𝐼𝐶 [𝑅𝑐 //𝑅𝐿 ] −𝛽𝐼𝐵 [𝑅𝑐 //𝑅𝐿 ] −𝛽 𝑅𝑐 + 𝑅𝐿 −158 · 2𝑘Ω + 6281.3Ω 𝑉
= = = = = −142.79 (46)
𝑉𝐼 𝐼𝐵 · 𝑅𝜋 𝐼𝐵 · 𝑅𝜋 𝑅𝜋 1678.55Ω 𝑉
15
_____________________________________________________________________________
𝑍𝑖𝑛
𝑉𝐼 𝑉𝑆 · 𝑍𝑖𝑛 + 𝑅𝑆 𝑍𝑖𝑛 2046.63Ω 𝑉
= = = =1 (47)
𝑉𝑆 𝑉𝑆 𝑍𝑖𝑛 + 𝑅𝑆 2046.63Ω + 0Ω 𝑉
Sustituyendo los valores en la ecuación (45) se obtienen la ganancia de tensión de la etapa

2:
𝑉0 𝑉 𝑉 𝑉
∆𝑉 = = −142.79 · 1 = −142.79
𝑉𝑆 𝑉 𝑉 𝑉
Ganancia en corriente:
𝑉0 𝛽𝐼 [𝑅 //𝑅𝐿 ] 𝑅 𝑅𝐿 2𝑘Ω · 6281.3Ω
𝐼0 𝑅𝐿 − 𝐵 𝑅𝑐 −𝛽 𝑅 𝑐·+ 𝑅 /𝑅𝐿 −158 ·
∆𝐼 = = = 𝐿
= 𝑐 𝐿
= 2𝑘Ω + 6281.3Ω (48)
𝐼𝑆 𝐼 + 𝑉𝐼 𝐼𝐵 · 𝑅𝜋
𝐼𝐵 + 𝑅
𝑅𝜋
𝑅𝐿 (1 + 𝑅 )
2046.63Ω
𝐵 𝑅 6281.3Ω(1 + )
𝑡ℎ 𝑡ℎ 𝑡ℎ 9333.333𝑘Ω
De la ecuación (48) se obtienen la ganancia de corriente de la etapa 2:

𝐼0 𝐴
∆𝐼 = = −31.30
𝐼𝑆 𝐴
3.2. REPRESENTACIÓN DE VO y VS.

𝑉
𝑉0 = −142.79 · 𝑉𝑆 (50)
𝑉
16
_____________________________________________________________________________
3.3. SIMULACIÓN.
de 100mV Y 1KHz de frecuencia.

Voltaje de la base:
VB=0.686V
Voltaje del emisor:
VE=0.0291V
VC=8.14V
IB=12.2𝜇A
IE=1.94mA
17
_____________________________________________________________________________
IC=1.93mA
PUNTO DE TRABAJO:
colector-emisor:
VCE=VC-VE=8.14V-0.0291V=8.1109V
Se sustituyen los valores para hallar el voltaje base-emisor:
VBE=VB-VE=0.686V-0.0291V=0.6569V (51)

transconductancia:
𝑔𝑚 = = = 0.0772Ω−1
𝑉𝑇 25𝑚𝑉
𝛽 158
𝑟𝜋 = = = 2046.63Ω
𝑔𝑚 0.0772Ω−1
𝑉𝑇 25𝑚𝑉
𝑟𝑒 = = = 12.88Ω
en tensión:
𝑉0 −2.83𝑉 𝑉
∆𝑉 = = = −40.03
en corriente:
𝐼0 −451𝜇𝐴 𝐴
∆𝐼 = = = −23.99
𝐼𝑆 18.8𝜇𝐴 𝐴
18
_____________________________________________________________________________
Figura12. Gráfica V0/t y VS/t para t=1ms.

19
_____________________________________________________________________________


Voltaje de la base:
VB=0.68V
Voltaje del emisor:
VE=0.03V
VC=8.1V
𝑉𝑖 −𝑉𝐵
IB= = 12.4𝜇𝐴 (52)
𝑅𝐵3

𝑉 0.03𝑉
IE=𝑅𝐸 = = 2mA (53)
𝐸 15Ω

IC= IE – IB =2mA-12.4𝜇𝐴=1.98mA (54)
20
_____________________________________________________________________________
PUNTO DE TRABAJO:
colector-emisor:
VCE=VC-VE=8.1V-0.03V=8.07V
Se sustituyen los valores del montaje en la ecuación (51) para hallar el voltaje base-
emisor:
VBE=VB-VE=0.68V-0.03V=0.6559V

transconductancia:
𝑔𝑚 = = = 0.0792Ω−1
𝑉𝑇 25𝑚𝑉
𝛽 160
𝑟𝜋 = = = 2020.20Ω
𝑔𝑚 0.0792Ω−1
𝑉𝑇 25𝑚𝑉
𝑟𝑒 = = = 12.5Ω
𝐼𝑒 2𝑚𝐴
en tensión:
𝑉0 3.2𝑚𝑉 𝑉
∆𝑉 = = = 32
en corriente:
𝑉0 3.2𝑚𝑉
𝐼0 = = = 0.509𝜇𝐴
𝑅𝐿 6281.33Ω
𝑉𝑖 − 𝑉𝑆 99.9𝑚𝐴 − 100𝑚𝑉
𝐼𝑆 = = = 10𝜇𝐴
𝑅𝑆 1𝑘Ω
𝐼0 9.9𝜇𝐴 𝐴
∆𝐼 = = = 0.99
𝐼𝑆 10𝜇𝐴 𝐴
21
_____________________________________________________________________________
4. ETAPA 1.
TRABAJO.
De acuerdo con la especificación de mantener una impedancia de entrada (Zin) elevada, en
concreto, superior a 500 kΩ se empleará en esta etapa un transistor JFET del modelo 2N3821
ya que tanto para los transistores JFET o los MOSFET, se considera la impedancia de entrada
infinita.
En primer lugar, han de establecerse los parámetros que definen al transistor JFET
empleado (2N3821), consultando la hoja de características del fabricante:
Figura 15. Hoja de características del transistor JFET 2N3821.
Para la realización del presente documento se han seleccionado los siguientes parámetros:
IDSS=1.75mA VP=-1.25V
22
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Se trata de una polarización mixta.
𝑹𝟐 𝟐𝑴Ω
𝑽𝑮 = 𝑽𝑫𝑫 · = 𝟏𝟐𝑽 · = 𝟏. 𝟑𝟔𝑽 (𝟓𝟓)
𝑹𝟏 + 𝑹𝟐 𝟐𝑴Ω + 𝟏𝟓. 𝟕𝑴Ω
Inicialmente se considera condición de saturación y se calcula la intensidad del drenador

con la fórmula correspondiente:
𝑽𝑮𝑺 𝟐
𝑰𝑫 = 𝑰𝑫𝑺𝑺 · (𝟏 − ) (𝟓𝟔)
𝑽𝑷
𝑽𝑮𝑺 = 𝑽𝑮 − 𝑽𝑺 = 𝑽𝑮 − 𝑰𝑫 𝑹𝑺 (𝟓𝟕)
Se sustituye la VGS de la (57) en la ecuación (56):

𝑽𝑮 − 𝑰𝑫 𝑹𝑺 𝟐
𝑰𝑫 = 𝑰𝑫𝑺𝑺 · (𝟏 − ) (𝟓𝟖)
𝑽𝑷
Una vez sustituidos los valores en la ecuación (57), se despeja la intensidad del drenador:
𝟏. 𝟑𝟔 − 𝑽 − 𝑰𝑫 · 𝟏𝟎𝟎𝟎Ω 𝟐
𝑰𝑫 = 𝟎. 𝟎𝟎𝟏𝟕𝟓𝑨 · (𝟏 − )
−𝟏. 𝟐𝟓𝑽
Obteniéndose la siguiente ecuación de segundo grado:

𝟏𝟓𝟔. 𝟐𝟓𝑰𝟐𝑫 − 𝟐. 𝟑𝟔𝟓𝟔𝟐𝟓𝑰𝑫 + 𝟎. 𝟎𝟎𝟐𝟗𝟖 = 𝟎 (𝟓𝟗)
De donde se obtienen dos posibles soluciones para la corriente de drenador:

𝑰𝑫𝟏 = 𝟎. 𝟎𝟎𝟒𝟔𝟒𝟕𝑨
𝑰𝑫𝟐 = 𝟎. 𝟎𝟎𝟏𝟒𝟔𝟔𝑨
Para seleccionar el valor adecuado se sustituye las intensidades obtenidas en la ecuación

[3] siendo válida aquella intensidad que de un valor de VGS inferior a VP:
𝑽𝑮𝑺𝟏 = 𝑽𝑮 − 𝑰𝑫 𝑹𝑺 = 𝟏. 𝟑𝟔𝑽 − 𝟎. 𝟎𝟎𝟒𝟔𝟒𝟕𝑨 · 𝟏𝟎𝟎𝟎Ω = −𝟏𝟑. 𝟑𝟖𝑽 (𝟔𝟎)
𝑽𝑮𝑺𝟐 = 𝑽𝑮 − 𝑰𝑫 𝑹𝑺 = 𝟏. 𝟑𝟔𝑽 − 𝟎. 𝟎𝟎𝟏𝟒𝟔𝟔𝑨 · 𝟏𝟎𝟎𝟎Ω = −𝟎. 𝟏𝟎𝟔𝑽 (𝟔𝟏)
Concluyendo por tanto que la corriente de drenador es 1.46mA ya que para el otro valor
de corriente la tensión VGS se encuentra fuera de la curva del transistor.
Debido a que la intensidad de la puerta es prácticamente nula gracias a que la impedancia
de la puerta de entrada es muy grande, la intensidad de drenador y surtidor es la misma:
IG=0A
ID= IS=1.46mA
La tensión de surtidor:
𝑽𝑺 = 𝑰𝑫 𝑹𝑺 (𝟔𝟐)
𝑽𝑺 = 𝟏. 𝟒𝟔𝒎𝑨 · 𝟏𝒌Ω = 𝟏. 𝟒𝟔𝑽
23
_____________________________________________________________________________
La tensión de drenador:
𝑽𝑫 = 𝑽𝑫𝑫 − 𝑰𝑫 𝑹𝑫 (𝟔𝟑)
𝑽𝑫 = 𝟏𝟐𝑽 − 𝟏. 𝟒𝟔𝒎𝑨 · 𝟒𝒌Ω = 𝟔. 𝟏𝟔𝑽
Una vez se obtienen los valores para rellenar el tríptico, se realiza la comprobación para
saber si la suposición de saturación es correcta:
𝑽𝑫𝑺 − 𝑽𝑮𝑺 > −𝑽𝑷 (𝟔𝟒)
𝑽𝑫𝑺 = 𝑽𝑫 − 𝑽𝑺 = 𝟔. 𝟏𝟔𝑽 − 𝟏. 𝟒𝟔𝑽 = 𝟒. 𝟕𝑽 (65)
𝑽𝑮𝑺 = 𝑽𝑮 − 𝑽𝑺 = 𝟏. 𝟑𝟔𝑽 − 𝟏. 𝟒𝟔𝑽 = −𝟎. 𝟏𝑽 (66)
𝟒. 𝟕𝑽 − (−𝟎. 𝟏𝑽) > −(−𝟒𝑽)

4.8𝑉 > 4𝑉
Por tanto, los valores calculados anteriormente resultan válidos ya que se encuentra en
zona de saturación.
V(V) I(mA)
D 6.16 1.46
G 1.36 0
S 1.46 1.46
Parámetros del punto de trabajo (Q):

𝑽𝑫𝑺 = 𝟒. 𝟕𝑽
𝑽𝑮𝑺 = −𝟎. 𝟏𝑽
𝑰𝑫 = 𝟏. 𝟒𝟔𝒎𝑨

La figura 17 refleja el modelo equivalente en pequeña señal del circuito.
24
_____________________________________________________________________________
2 · 𝐼𝐷𝑆𝑆 𝐼𝐷
𝑔𝑚 = √ (67)
−𝑉𝑃 𝐼𝐷𝑆𝑆
2 · 1.75𝑚𝐴 1.46𝑚𝐴 𝐴
𝑔𝑚 = √ = 0.002557
− − 1.25𝑉 1.75𝑚𝐴 𝑉

𝑅𝐺1_1 · 𝑅𝐺1_2
𝑍𝐼𝑁 = 𝑅𝐺 = 𝑅𝐺1_1 //𝑅 = (𝟔𝟖)
𝐺1_2 𝑅𝐺1_1 + 𝑅𝐺1_2
15.7𝑀Ω · 2𝑀Ω
𝑍𝐼𝑁 = = 1774011.3Ω = 1774.011kΩ
15.7𝑀Ω + 2𝑀Ω
𝒁𝒐𝒖𝒕 = 𝑹𝑫 = 𝟒𝒌Ω (𝟔𝟗)
-Ganancia de tensión:
∆𝑉 = = · (70)
𝑉0 −𝐼𝐷 (𝑅𝐷 //𝑅𝐿 ) −𝑔𝑚 · 𝑉𝐺𝑆 (𝑅𝐷 //𝑅𝐿 ) 𝑅𝐷 · 𝑅𝐿

= = = −𝑔𝑚(𝑅𝐷 //𝑅𝐿 ) = −𝑔𝑚 (𝟕𝟏)
𝑉𝐼 𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐺𝑆 𝑅𝐷 + 𝑅𝐿
Sustituyendo los valores en la ecuación (71) se obtiene:

𝑉0 𝐴 4𝑘Ω · 1.678𝑘Ω 𝑉
= −0.002557 · = −3.02
𝑉𝐼 𝑉 4𝑘Ω + 1.678𝑘Ω 𝑉
𝑅𝐺
𝑉𝐼 𝑉𝑆 𝑅𝐺 + 𝑅𝑆 𝑅𝐺 1774.011kΩ 𝑉
= = = = 0.99 (72)
𝑉𝑆 𝑉𝑆 𝑅𝐺 + 𝑅𝑆 1774.011kΩ + 1kΩ 𝑉
Sustituyendo la ecuación (71) y (72) en la ecuación (70) se obtiene la ganancia de tensión:

𝑉0 𝑉0 𝑉𝐼 𝑅𝐷 · 𝑅𝐿 𝑅𝐺
∆𝑉 = = · = −𝑔𝑚 · (73)
𝑉𝑆 𝑉𝐼 𝑉𝑆 𝑅𝐷 + 𝑅𝐿 𝑅𝐺 + 𝑅𝑆
Sustituyendo los valores en la ecuación (73) se obtienen la ganancia de tensión:

𝐴 4𝑘Ω · 1.678𝑘Ω 1774.011kΩ 𝑉
∆𝑉 == −0.002557 · · = −2.99
𝑉 4𝑘Ω + 1.678𝑘Ω 1774.011kΩ + 1kΩ 𝑉
25
_____________________________________________________________________________
Ganancia de corriente:
𝑉0 −𝐼𝐷 (𝑅𝐷 //𝑅𝐿 ) 𝑅 ·𝑅
𝐼0 −𝑔𝑚 · 𝑉𝐺𝑆 (𝑅𝐷 //𝑅𝐿 ) −𝑔𝑚 𝑅 𝐷 + 𝑅𝐿
𝑅𝐿 𝑅𝐿 𝐷 𝐿
∆𝐼 = = = = = (74)
𝐼𝑆 𝑉𝑆 𝑅𝑆 + 𝑅𝐺 𝑅𝑆 + 𝑅𝐺 𝑅𝑆 + 𝑅 𝐺
𝑉𝐼 · 𝑅 𝑉𝐺𝑆 · 𝑅
𝑅𝑆 + 𝑅𝐺 𝐺 𝐺 (𝑅𝑆 + 𝑅𝐺 ) · 𝑅𝐺
𝑅𝑆 + 𝑅𝐺 𝑅 𝑆 + 𝑅𝐺
Simplificando la ecuación anterior se calcula la ganancia de corriente con la siguiente
expresión:
𝑅𝐷 · 𝑅𝐿
∆𝐼 = −𝑔𝑚 ·𝑅 (75)
𝑅𝐷 + 𝑅𝐿 𝐺
Sustituyendo los valores en la ecuación (75) se obtienen la ganancia de corriente:

𝐴 4𝑘Ω · 1.678𝑘Ω 𝑉
∆𝐼 = −0.002557 · · 1774.011kΩ = −5361347.75
𝑉 4𝑘Ω + 1.678𝑘Ω 𝑉
NOTA: La ganancia en corriente suele ser muy grande debido a que la impedancia de la puerta es muy grande.
4.2. REPRESENTACIÓN DE VO Y VS.

𝑉
𝑉0 = −2.99 · 𝑉𝑆 (77)
𝑉
26
_____________________________________________________________________________
4.3. SIMULACIÓN.
de 100mV Y 1kHz de frecuencia.

Voltaje del drenador:

VD=6.14V
Voltaje del surtidor:
VS=1.46V
Voltaje de la puerta:
VG=1.36V
27
_____________________________________________________________________________
Corriente del drenador:
ID=1.46mA
Corriente del surtidor:

IS=1.46mA
Corriente de la puerta:
IG=10.7pA
PUNTO DE TRABAJO:
drenador-surtidor:
VDS=VD-VS=6.14V-1.46V=4.68V
puerta-surtidor:
VGS=VG-VS=1.36V-1.46V=-0.1V

transconductancia:
2 · 𝐼𝐷𝑆𝑆 𝐼𝐷 2 · 1.75𝑚𝐴 1.47𝑚𝐴 𝐴

𝑔𝑚 = √ = √ = 0.002566
−𝑉𝑃 𝐼𝐷𝑆𝑆 − − 1.25𝑉 1.75𝑚𝐴 𝑉
en tensión:
𝑉0 −188𝑚𝑉 𝑉
∆𝑉 = = = −2.66
en corriente:
𝐼0 −112𝜇𝐴 𝐴
∆𝐼 = = = − 2879.18
𝐼𝑆 38.9𝑛𝐴 𝐴
28
_____________________________________________________________________________

•Canal 1: Señal VD.
•Canal 2: Señal VS.
Figura21. Gráfica VD/t y VS1/t para t=2ms.
29
_____________________________________________________________________________
•Canal 1: Señal VG.
Figura22. Gráfica VG/t y VS1/t para t=2ms.

Voltaje del drenador:

VD=6.16V
Voltaje del surtidor:
VS=1.45V
Voltaje de la puerta:
VG=1.36V
Corriente del drenador:
𝑉𝑑𝑐 − 𝑉𝐷 12𝑉 − 6.16𝑉
𝐼𝐷 = = = 1.46𝑚𝐴 (78)
𝑅𝐷 4𝑘Ω
Corriente del surtidor:
𝑉𝑆 1.45𝑉
𝐼𝑆 = = = 1.45𝑚𝐴 (79)
𝑅𝑆 1𝑘Ω
30
_____________________________________________________________________________
Corriente de la puerta:
𝑉𝐺 1.36𝑉
𝐼𝐺 = = ≈ 0𝐴 (80)
𝑅𝐺 ∞
PUNTO DE TRABAJO:
Se sustituyen los valores del montaje en la ecuación (65) hallando así el voltaje
drenador-surtidor:
VDS=VD-VS=6.16V-1.45V=4.71V
Se sustituyen los valores del montaje en la ecuación (66) hallando así el voltaje
puerta-surtidor:
VGS=VG-VS=1.36V-1.45V=-0.09V

transconductancia:
2 · 𝐼𝐷𝑆𝑆 𝐼𝐷 2 · 1.75𝑚𝐴 1.46𝑚𝐴 𝐴

𝑔𝑚 = √ = √ = 0.002557
−𝑉𝑃 𝐼𝐷𝑆𝑆 − − 1.25𝑉 1.75𝑚𝐴 𝑉
Se sustituyen los valores del montaje en la ecuación (70) hallando así la ganancia en
tensión:
𝑉0 258𝑚𝑉 𝑉
∆𝑉 = = = −2.58
Se sustituyen los valores del montaje en la ecuación (74) hallando así la ganancia en
corriente:
𝑉0 258𝑚𝑉
𝐼0 = = = 153.70𝐴
𝑅𝐿 1678.55Ω
𝑉𝑖 − 𝑉𝑆 99.4687𝑚𝐴 − 100𝑚𝑉
𝐼𝑆 = = = −0.53𝜇𝐴
𝑅𝑆 1𝑘Ω
𝐼0 153.70𝐴 𝐴
∆𝐼 = = = −289290419.7
𝐼𝑆 −0.53𝜇𝐴 𝐴
31
_____________________________________________________________________________
5. MULTIETAPA.
El circuito multietapa se refleja en la siguiente figura:
Figura23. Configuración del transistor multietapa.

La impedancia de entrada del circuito multietapa es la impedancia de salida de la tercera
etapa:
𝒁𝒐𝒖𝒕 = 𝑹𝑬𝟑 //[ 𝑟𝜋 + 𝑹𝑩𝟑 ]
75Ω · 14962.06Ω
𝒁𝒐𝒖𝒕 = = 74.63Ω
75Ω + 14962.06Ω
La impedancia de entrada del circuito multietapa es la impedancia de entrada de la primera
etapa:
𝑹𝑮𝟏_𝟏 · 𝑹𝑮𝟏_𝟐
𝒁𝑰𝑵 = 𝑹𝑮 = 𝑹𝑮𝟏_𝟏 //𝑹 =
𝑮𝟏_𝟐 𝑹𝑮𝟏_𝟏 + 𝑹𝑮𝟏_𝟐
15.7𝑀Ω · 2𝑀Ω
𝑍𝐼𝑁 = = 1774011.3Ω = 1774.011kΩ
15.7𝑀Ω + 2𝑀Ω
La ganancia de tensión del circuito multietapa es la multiplicación de la ganancia de tensión
de cada etapa:
𝑉 𝑉 𝑉 𝑉
∆𝑉 = ∆𝑉1 · ∆𝑉2 · ∆𝑉3 = −2.99 · −142.79 · 0.993 = 423.95 (81)
𝑉 𝑉 𝑉 𝑉
5.1. SIMULACIÓN.
de cada etapa:
32
_____________________________________________________________________________
𝑉 𝑉 𝑉 𝑉
∆𝑉 = ∆𝑉1 · ∆𝑉2 · ∆𝑉3 = −2.66 · −40.03 · 0.989 = 105.31
𝑉 𝑉 𝑉 𝑉

de cada etapa:
𝑉 𝑉 𝑉 𝑉
∆𝑉 = ∆𝑉1 · ∆𝑉2 · ∆𝑉3 = −2.58 · −32 · 0.99 = 81.73
𝑉 𝑉 𝑉 𝑉
Concluyendo entonces que el esquema multietapa satisface las condiciones requeridas
por el enunciado:
• Impedancia de entrada > 500k
• Impedancia de salida < 75 
• Ganancia de tensión > 50 V/V
Nota: No tiene demasiado sentido calcular la ganancia total de corriente del transistor
multietapa ya que presenta una ganancia muy elevada debido a que en la primera etapa
se tiene un JFET.
33
_____________________________________________________________________________
5.2. REPRESENTACIÓN DE VO Y VS.
𝑉
𝑉0 = 423.95 · 𝑉𝑆 (77)
𝑉
6. MONTAJE VIRTUAL PROTOBOARD.

Empleando la protoboard proporcionada por el programa MULTISIM, se realiza el
montaje real del circuito en esta:
Figura26. Representación del montaje virtual en una protoboard.
Siendo:
•Cable rojo: conexión a la fuente de alimentación.
•Cable verde: conexiones intermedias.
•Cable negro: conexión a masa.
34
_____________________________________________________________________________
7. LISTA DE MATERIALES.
La siguiente tabla muestra los componentes necesarios para la configuración del circuito
analizado:
LISTA DE COMPONENTES
Etapa item ID QTY Descripción
1 RG1_2 1 Resistencia 15.7 Mohm 1/4 W
2 RG1_1 1 Resistencia 2.0 Mohm 1/4 W
3 RS, RS1 2 Resistencia 1K ohm 0,25w

±5%
4 RD1 1 Resistencia 4K Ohm 1/4W -
5%
5 RL1 1 Resistencia 1.6K Ohm 1/4W -
5%
1 6 C3, C4, C5 3 Condensador 1𝜇𝐹
Vi Fuente alimentación
7 1 VELLEMAN
LABPS3020100mV,1kHz
8 Vdc 1 LUXOR-16P15 FUENTE
ALIMENTACION 12V
9 Q1 1 2N3821 Motorola x1PC
Transistor Jfet Canal N
10 RB2_2 1 Resistencia 140 kohm 1/4 W
11 RB2_1 1 Res CarbonFilm 10k Ohm,1/4

W,5%
12 RC2 1 Resistencia 1K ohm 0,25w
±5%
13 RE2 1 Resistencia 15 Ohm 1/4W -
5%
5%
2 15 C3, C4, C5 3 Condensador 1𝜇𝐹
16 1 VELLEMAN
LABPS3020100mV,1kHz
ALIMENTACION 12V
18 Q2 1 Transistor 2N3904 DIOTEC
SEMICONDUCTOR
19 RB2_2 1 Resistencia 17.5 kohm 1/4 W
20 RB2_1 1 Res CarbonFilm 100k Ohm,1/4

W,5%
21 RE2 1 Resistencia 75 Ohm 1/4W -
5%
3 5%
23 C3, C4, C5 3 Condensador 1𝜇𝐹
24 1 VELLEMAN
LABPS3020100mV,1kHz
ALIMENTACION 12V
35
_____________________________________________________________________________
26 Q2 1 Transistor 2N3904 DIOTEC
SEMICONDUCTOR
Tabla4. Lista de componentes.
8.TABLAS COMPARATIBVAS DE RESULTADOS.

ETAPA N. 1
ÍTEM 1 Parámetros de polarización
VC/ VD VB/VG VE/VS IC/ID IB/IG IE/IS
TEÓRICA 6.16V 1.36V 1.46V 1.46mA 0mA 1.46mA
SIMULACIÓN 6.16V 1.36V 1.45V 1.46mA 0A 1.45mA
MONTAJE 6.14V 1.36V 1.46V 1.46mA 10.1pA 1.46mA
Tabla5. Parámetros de polarización.
ÍTEM 2 Punto de trabajo

VBE/VGS VCE/VDS IC/ID
TEÓRICA -0.1V 4.7V 1.46mA
SIMULACIÓN -0.09 4.71V 1.46mA
MONTAJE -0.1V 4.68V 1.46mA
Tabla6. Punto de trabajo.
ÍTEM 3 Parámetros modelo equivalente en pequeña señal

Gm (A/V)
TEÓRICA 0.002557
SIMULACIÓN 0.002557
MONTAJE 0.002566
Tabla7. Parámetros del modelo equivalente en pequeña señal.
ÍTEM 4 Parámetros del cuadripolo

Zin (kΩ) Zout (kΩ) 𝑉 𝐴
Av ( ) Ai ( )
𝑉 𝐴
TEÓRICA 1774.011 4 -2.99 -386353.19
SIMULACIÓN X X -2.58 -289290419.7
MONTAJE X X -2.66 -2879.18
Tabla8. Parámetros del cuadripolo.
36
_____________________________________________________________________________
Dibujar las gráficas Vo/t y Vi /t para una Vi = 100 mVp y 1 kHz
ÍTEM 5
senoidal
Para las representaciones realizadas en el presente apartado, se
ha empleado el programa Excel y las fórmulas presentadas a
continuación:
𝑉
𝑉0 = −2.99 · 𝑉𝑆 (2)
𝑉
TEÓRICA
Realizando la simulación por medio del osciloscopio se

obtienen las siguientes figuras y los siguientes resultados
acorde con los valores reflejados en dichas gráficas.
Empleando el osciloscopio que proporciona el programa
MULTISIM se visualizan las siguientes señales:
SIMULACIÓN
37
_____________________________________________________________________________
•Canal 1: Señal VD.
Figura3. Gráfica VD/t y VS1/t para t=2ms.

•Canal 1: Señal VG.
Figura4. Gráfica VG/t y VS1/t para t=2ms.
38
_____________________________________________________________________________
MONTAJE
Tabla9. Representación gráfica de Vo y Vs en función del tiempo y montaje del

circuito.
ETAPA N. 2
TEÓRICA 8.14V 0.685V 0.0291V 1.93mA 12.2𝜇A 1.94mA
SIMULACIÓN 8.1V 0.68V 0.03V 1.98mA 12.4 𝜇A 2mA
MONTAJE 8.14V 0.686V 0.0291V 1.93mA 12.2𝜇A 1.94mA
TEÓRICA 0.6559V 8.1109V 1.93mA
SIMULACIÓN 0.65V 8.07V 1.98mA
MONTAJE 0.6569V 8.1109V 1.93mA
Gm (A/V)
TEÓRICA 0.0772
SIMULACIÓN 0.0792
MONTAJE 0.0772
Zin (Ω) Zout (𝒌Ω) 𝑉 𝐴
Av ( ) Ai ( )
𝑉 𝐴
TEÓRICA 1678.55 2 -142.79 -31.30
SIMULACIÓN X X -32 X
MONTAJE X X -40.03 -23.99
39
_____________________________________________________________________________

ÍTEM 5
senoidal
continuación:
𝑉
𝑉0 = −142.79 · 𝑉𝑆 (50)
𝑉
TEÓRICA

SIMULACIÓN
40
_____________________________________________________________________________

41
_____________________________________________________________________________
MONTAJE
Tabla14. Representación gráfica de Vo, Vi y Vs en función del tiempo y montaje

del circuito.
ETAPA N. 3
TEÓRICA 12V 4.675V 3.975V 52.6mA 365𝜇A 53mA
SIMULACIÓN 12V 4.78V 3.95V 52.3mA 314.2𝜇A 52.6mA
MONTAJE 12V 4.76V 3.98V 52.7mA 366𝜇A 53.1mA

TEÓRICA 0.7V 8.025V 52.6mA
SIMULACIÓN 0.83V 8.05V 52.3mA
MONTAJE 0.78V 8.02V 52.7mA

Gm(A/V)
TEÓRICA 2.104
SIMULACIÓN 2.092
MONTAJE 2.108
42
_____________________________________________________________________________
𝑉 𝐴
Zin (Ω) Zout (Ω) Av ( ) Ai ( )
𝑉 𝐴
TEÓRICA 6281.3 Ω 74.63 0.994 0.624
SIMULACIÓN X X 0.99 X
MONTAJE X X 0.989 0.517

ÍTEM 5
senoidal

continuación:
𝑉
𝑉0 = −0.994 · 𝑉𝑆 (2)
𝑉
TEÓRICA

SIMULACIÓN Empleando el osciloscopio que proporciona el programa
43
_____________________________________________________________________________


44
_____________________________________________________________________________
MONTAJE
Tabla19. Representación gráfica de Vo, Vi y Vs en función del tiempo y montaje

del circuito.
45
_____________________________________________________________________________
RESULTADOS MULTIETAPA
Zin (kΩ) Zout (Ω) 𝑉 𝐴
Av ( ) Ai ( )
𝑉 𝐴
TEÓRICA 1774.011 74.63 423.95 X
SIMULACIÓN X X 81.73 X
MONTAJE X X 105.31 X

ÍTEM 2
senoidal
continuación:
𝑉
𝑉0 = 423.95 · 𝑉𝑆 (2)
𝑉
TEÓRICA

SIMULACIÓ
N
46
_____________________________________________________________________________
Empleando la protoboard proporcionada por el programa

MULTISIM, se realiza el montaje real del circuito en esta:
Figura3. Representación del montaje virtual en una

protoboard.
Siendo:
•Cable rojo: conexión a la fuente de alimentación.
MONTAJE
•Cable verde: conexiones intermedias.
•Cable negro: conexión a masa.
El circuito multietapa se refleja en la siguiente figura:
Figura4. Configuración del transistor multietapa.
Tabla 21. Representación gráfica de Vo, Vi y Vs en función del tiempo y montaje

del circuito.
47

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UNIVERSIDAD DE MÁLAGA. Escuela de Ingenierías Industriales.

Dept Tecnología Electrónica

PRÁCTICA DE LABORATORIO N1A Grupo__A_______ Fecha_31/12/2020__

Apellidos_Salas Casas _____________________________________________

Validación funcionamiento en laboratorio: ________________________________

Calificación Calificación Calificación

PRÁCTICA DE LABORATORIO N5A. AMPLIFICADOR MULTIETAPA

Diseñar un amplificador multietapa de pequeña señal para frecuencias intermedias, basada en

La configuración multietapa ha de cumplir las siguientes especificaciones:

− Impedancia de entrada > 500k

− Se pueden utilizar transistores BJT, JFET o MOSFET (utilizar preferentemente los

La memoria de la práctica ha de incluir:

1. Diseño del circuito.

1) Realizar el estudio de la polarización y del punto de trabajo de cada uno de los

Figura 1. Configuración de la etapa 3.

Figura 2. Configuración de la etapa 3 equivalente en pequeña señal.

En primer lugar, se realiza el cálculo de los parámetros del modelo equivalente:

Sustituyendo los valores en la ecuación (17) se obtiene la impedancia de entrada de la

Sustituyendo los valores en la ecuación (18) se obtiene la impedancia de salida de la etapa

Sustituyendo los valores en la ecuación (19) se obtienen la ganancia de tensión de la

2.2. REPRESENTACIÓN DE VO y VS.

Figura3. Representación de Vo y Vs en función del tiempo.

Figura 4. Esquema del montaje de la etapa 3.

Del montaje se obtienen los siguientes valores:

Se sustituyen los valores del montaje en la ecuación (14) para hallar la

Figura5. Gráfica V0/t y VS/t para t=500us.

Empleando el osciloscopio que proporciona el programa MULTISIM se visualizan las

Figura6. Gráfica VC/t y VE/t para t=2ms.

Figura7. Gráfica VB/t y VE/t para t=2ms.

De la simulación se obtienen los siguientes valores:

Corriente del emisor:

Corriente del colector:

PARÁMETROS DEL MODELO EQUIVALENTE EN PEQUEÑA SEÑAL:

Se sustituyen los valores del montaje en la ecuación (14) para hallar la

Figura 8. Configuración de la etapa 2.

Se realiza ahora una simplificación, calculando la resistencia y la tensión equivalente

Figura 9. Configuración de la etapa 2 equivalente en pequeña señal.

En primer lugar, se realiza el cálculo de los parámetros del modelo equivalente:

Sustituyendo los valores en la ecuación (45) se obtienen la ganancia de tensión de la etapa

De la ecuación (48) se obtienen la ganancia de corriente de la etapa 2:

3.2. REPRESENTACIÓN DE VO y VS.

Representación de Vo y Vs en función del tiempo:

Figura10. Representación de Vo y Vs en función del tiempo.

Figura 11. Esquema del montaje de la etapa 2.

Del montaje se obtienen los siguientes valores:

PARÁMETROS DEL MODELO EQUIVALENTE EN PEQUEÑA SEÑAL:

Se sustituyen los valores del montaje en la ecuación (41) para hallar la

Figura12. Gráfica V0/t y VS/t para t=1ms.

Empleando el osciloscopio que proporciona el programa MULTISIM se visualizan las

Figura13. Gráfica VC/t y VE/t para t=1ms.

Empleando el osciloscopio que proporciona el programa MULTISIM se visualizan las

Figura14. Gráfica VB/t y VE/t para t=1ms.

De la simulación se obtienen los siguientes valores:

Corriente del emisor:

Corriente del colector:

PARÁMETROS DEL MODELO EQUIVALENTE EN PEQUEÑA SEÑAL:

Se sustituyen los valores del montaje en la ecuación (41) para hallar la

Figura 15. Hoja de características del transistor JFET 2N3821.

Figura 16. Configuración de la etapa 1.

Inicialmente se considera condición de saturación y se calcula la intensidad del drenador

Se sustituye la VGS de la (57) en la ecuación (56):

Obteniéndose la siguiente ecuación de segundo grado:

De donde se obtienen dos posibles soluciones para la corriente de drenador:

PRÁCTICA DE LABORATORIO N1A GrupoA_____ Fecha_31/12/2020__