ELECTRONICA GENERAL

BJT en la región activa Fecha__23/2/21_

Práctica número 4

Nombre Yeremy Simeoli Matricula_____2018-3358____

Objetivo: Analizar el funcionamiento de un transistor en la región activa.

I- Realice la simulación y trace la forma de onda a la entrada del transistor y la de

la salida. Compare la fase de salida con relación al ángulo de fase de la
entrada __180__ grados.

A
m
p
l
i
t
u
d
 Amplitud pico a pico de la salida Vsal(pp)__0.9V__. Amplitud pico a pico de la
entrada Vent(pp)_0.19V_. Amplificación (Vsal(pp)/ Vent(pp)_4.7__ .
II- Anote las lecturas de vb_0.07v__ y vc____0.32v___ , calcule vc/vb = __4.57__
compare este resultado con la primera amplificación calculada Aproximadas
(iguales, aproximadas, diferentes)
III- Determine por medio de los probadores ya instalados y algunas operaciones
aritméticas, los valores de polarización de base, colector y emisor VB_1.121v_
VE__9.0140v__, VC___0.421v___, VCE ___8.592v_____
IV- ¿Podemos decir que se puede tomar Rc/RE como una aproximación de la
amplificación?____se puede considerar como una buena aproximacion____
V- ¿Cuál es la función de Cb? reactancia capacitiva ( Acoplamiento, carga,
reactancia capacitiva)