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TALLER NANOTECNOLOGIA SEGUNDO CORTE GRUPO L2

NOMBRES:
Diego Alejandro Pérez Herrera COD: 2165637
1. Enumere (en inglés y español) las diferentes técnicas de
caracterización vistas en clase, luego realice un dibujo y explique con
sus propias palabras el fundamento de cada una.

En términos muy resumidos las técnicas de caracterización buscan entender el


comportamiento de los materiales, tomando como apoyo todo lo que es la
estructura interna de los materiales, para los cuales obviamente se requieren
diferentes tipos de instrumentos.
Las técnicas de caracterización vistas en clase son:
a. AFM: Atomic Force Microscopy - Fuerza atómica microscópica
Fundamento
Dentro de la fundamentación de esta técnica encontramos que puede
medir cuantitativamente la escala nanométrica de superficies y permite
visualizar su nano-textura, también se puede decir que es una técnica no
destructiva además que tiene una resolución espacial 3D muy alta.

Consiste en la utilización de una punta afilada de tamaño nominal del orden


de 10nm que escanea la superficie en uso.

STM; Scanning Tunneling Microscopy - Microscopia de túnel de barrido

Fundamento

En principio es un instrumento para producir imágenes con resolución


lateral a escala atómica, esta técnica escanea superficies conductoras con
la ayuda de un cristal piezoeléctrico a una distancia de 0,5-1nm
El STM no solo puede ser usado en UHV, sino que también en otros
sistemas como aire, agua,y varios otros líquidos y gases del ambiente
b. SEM; Scanning Electron Microscopy - microscopia electrónica de barrido.

Fundamento

Básicamente esta técnica toma imagenes de la muestra mediante un haz


de electrones de alta energía, estos haz de electrones interactúan con los
átomos de la superficie del material donde se emite una señal en forma de:
Electrones secundarios
Electrones Retro dispersados
Rayos X caracterización
c. TEM, MET; Transmission Electron Microscopy - Microscopio de transmisión
por electrones.

Fundamento

Entiendo es una técnica importante para estudiar defectos de materiales,


básicamente porque toda la información que se tiene sobre defectos seria
teoría especulativa y jamás se habría verificado sin la aplicación de la TEM.
Esta técnica puede magnificar hasta 1M de veces.

d. EDS O EDX (Energy Dispersive X-ray Spectroscopy) (espectroscopia de


rayos x de energia dispersiva)
FUNDAMENTO
Es un procedimiento estándar para identificar y cuantificar las
composiciones elementales de áreas de muestra hasta con tamaño tan
pequeño como de algunas micrometros cúbicos. El material de muestra es
bombardeado con electrones de un SEM y los rayos X producidos son
medidos con espectroscopio de rayos X.

e. XRD (X-ray Diffraction) ( difracción de rayos x)

FUNDAMENTO
La técnica permite determinar e identificar fases cristalinas presentes en
solidos
f. XPS (Espectrocopia de fotoelectrones emitidos por rayos X)

FUNDAMENTO
Para conocer esta técnica se debe comprender el efecto fotoeléctrico y de
fotoemisión, cuando un fotón se encuentra con un átomo puede ocurrir…
Que pueda atravesarlo sin interacción alguna
Que sea dispersado por un electrón de un orbital atómico con el que ocurre
una pérdida de energía.

g. PL (Photoluminescence) (Fotoluminiscencia)
h. FTIR (Fouriere Trasnsform Infrared Spectrometry) (Espectrometría infraroja
de transformada de Fouriere)

Puede ayudara identificar materiales desconocidos, se puede determinar la


calidad o la consistencia de una muestra, es una técnica no destructiva
i. Espectroscopia Raman.

Se considera una técnica vibracional al igual que fotónica de alta resolución


que proporciona en pocos segundos:
Información química y estructural de casi cualquier material o compuesto
orgánico e inorgánico permitiendo así su identificación.
Se basa en el examen de luz dispersada por un material al incidir sobre él um
haz de luz monocromático.

2 punto
 En lugar de un laser se debe usar una fuente de excitación, también se
podría usar una lampara de Xe y en este ultimo caso se necesitaría otro
monocromador para la afinación de onda.
 Fotoluminiscencia
 Quimioluminiscencia
3 punto
SEM XPS
 Utiliza 2 señales diferentes:  Se pueden identificar todos lo
SE y BSE. elementos excepto H, He en [] >
 Revela detalles de 1-5nm de 0.1%
tamaño de muestra  Determinación semicuantitativa
 Permite el estudio morfológico y de la composición elemental de
topográfico sobre la superficie la superficie. Error < +/- 10%
de los sólidos con buena  Información acerca del entorno
resolución molecular: estado de oxidación,
 De cada señal emitida por la átomos enlazantes, orbitales
interacción se obtiene una moleculares etc.
información diferente  Información sobre estructuras
 Requiere que la muestra sea aromáticas e insaturadas.
conductora  Información de grupos
 Imágenes a blanco y negro orgánicos utilizando reacciones
de derivatizacion

4 punto
Algunas de las aplicaciones de TEM son
Estudio de Ultra-estructuras de tejidos vegetales, animales y humanos.
Las muestras deben tener un espesor de varios cientos de nanómetros o
menos, dependiendo del voltaje de operación del instrumento; mantener las
caras planas y paralelas entre sí. Para lograr etas especificaciones se
requieren equipos especializados y el control en cada una de las etapas,
todo para verificar el respectivo cumplimento de las especificaciones.
5 punto

Una fuente de luz nanoscopica, generalmente una punta de fibra óptica con
apertura mas pequeña de 100nm, barre la superficie de la muestra en la
región llamada campo óptico cercano. Da la capacidad de estudiar las
propiedades ópticas de la muestra
6 punto
1. Estiramiento simétrico
2. Estiramiento asimétrico
3. Tijereteo en el plano
4. Aleteo fuera del plano
5. Balanceo en el plano
6. Torsión fuera del plano

7 punto
Para producir rayos X para fines de difracción, se debe aplicar un voltaje
mínimo de 35kventre un cátodo y un ánodo metálicos y ambos deben estar
en el vacío.
Se debe usar una muestra pulverizada de muchos cristales, para que tenga
lugar una orientación al azar y asegurar que algunas partículas estarán
orientadas en el haz de rayos X para que cumplan las condiciones de
difracciones de la ley de bragg.

 Cuando es alcanzado por un haz de radiación cuya longitud de onda es de


similar magnitud a la distancia interatómica, éste se difunde dando lugar a
diferentes tipos de interferencias que son constructivas en unas direcciones
privilegiadas.
Así la intensidad del haz difractado depende de la disposición geométrica
de los átomos y de la clase de átomos presentes. Esto hace que cada
sustancia cristalina presente su propio espectro de difracción y éste sea
una auténtica “huella dactilar” del mismo, permitiendo su identificación en
cualquier mezcla donde esté presente.
Por ejemplo, un análisis convencional de una muestra podría decir que
tiene oxígeno y silicio, pero a partir de la difracción de rayos X podemos
determinar la clase de óxido de silicio (cuarzo, cristobalita, tridimita, etc.).
Así mismo, el estudio teórico del espectro de difracción de un nuevo
compuesto permite la determinación de su estructura.

8 punto
Técnic Ventaja Técnic Desventaja
a a
AFM  Alta velocidad de AFM  Fuerzas laterales-
barrido distorsión de
 Resolución imagen.
atomica  Posible aparición
 Cambios bruscos fuerzas normales
dde topografía fuertes
 Combinación
fuerzas anteriores;
pueden disminuir
resolución espacial
y dañar muestras
SEM  Tiene una SEM  Posee una
velocidad de proyección perfilo
lectura en tiempo métrica en 2D
real.  Requiere de un
 Permite un mayor costoso medio de
campo de barrido vacio
en comparación  Requiere
con AFM preparaciones
 Permite especiales
mediciones de (recubrimientos
precisión metálicos o de
topografica carbón)
STM  Puede ser usado STM  Se requiere de
en UHV, aire, superficies muy
agua y otros limpias para sus
medios. barridos

TEM  Proporciona TEM  Las técnicas de


resultados muy preparación
precisos de amplia cumple con
resolución y protocolos
magnificación. establecidos, pero
son vulnerables y
variados al tipo de
investigación.
 Los elevados
costos de los
equipos.
 Debida adecuación
de una
infraestructura para
un buen
funcionamiento de
los equipos
EDS  Recibe los rayos X EDS  Recoge durante un
procedentes de determinado
cada uno de los tiempo,
puntos de la normalmente del
superficie sobre orden de minutos,
los que pasa el los fotones de RX
haz de electrones que proceden de la
 Podemos obtener muestra,
información clasificándolos
analítica según su energía.
cualitativa y
cuantitativa de
áreas del tamaño
que deseemos de
la superficie.

XRD Técnica que goza de XRD Técnica de elevado coste


mayor prestigio en la en su instrumentación
comunidad científica para
dilucidar estructuras
cristalinas.
XPS  Identificación de XPS  Baja resolución
todos los espacial.
elementos excepto 
H, He en
concentraciones
mayores a 0.1%
 Flexibilidad para
ser usada em uma
gran variedad de
muestras.
 Información del
entorno molecular
PL  Determinación de
las propiedades
de los
nanomateriales
FITR  Es una tecnica no  están relacionadas
destructiva con esa
 Proporciona un sensibilidad
método de extremadamente
medición preciso alta que obliga a
 No requiere utilizar artas
calibración externa cantidades de
muestra, y a que
en general se
requiere mucha
preparación de
muestra
Raman  Es posible la  Su principal
medición sin desventaja es que
contacto con la algunas muestras
muestra, aún a presentan
través de vidrio o fluorescencia, lo
plásticos. Se que puede
suelen usar fibras enmascarar la
ópticas. TruScan señal Raman y
tiene un dificultar las
volumen/área mediciones.
de muestreo
relativamente
grande (área de
~2mm en el plano
de la muestra).

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