INGENIERIA DE HARDWARE

MEMORIAS

Ing. Juan Jose Gutiérrez Miranda

 MEMORIA FLASH

 La memoria ideal debería tener:

 Una alta capacidad de almacenamiento.
 Ser no volátil.
 Disponer de capacidad de lectura y escritura en el propio sistema.
 Tener una velocidad de operación comparativamente rápida.
 Ser efectiva en términos de coste.

La única que tiene todas las características es la memoria Flash.

 DEFINICIÓN

 Las memorias flash son memorias de lectura/escritura de alta densidad.

 No Volatiles.
 Estas memorias se utilizan frecuentemente en lugar de las unidades de disco
duro.
 Alta densidad significa que puede incluirse un gran número de celdas en un
área de superficie dada del chip.
 Mientras más alta sea la densidad, más bits podrán almacenarse en un chip de
un tamaño determinado.
 CÉLULA DE UNA MEMORIA FLASH
 El transistor MOS de puerta apilada consta de una puerta de control y una
puerta flotante, además del drenador y la fuente.
 Se almacena un 0 cuando existe una cantidad significativa de carga y un 1
cuando la carga es menor, o inexistente.
 FUNCIONAMIENTO
PROGRAMACIÓN
 Inicialmente, todas las células se encuentran en el estado 1, porque la carga
fue eliminada de las células en una operación previa de borrado.
 La operación de programación añade electrones (carga) a la puerta flotante
de aquellas células que deban almacenar un 0.
 No se añade carga a aquellas células que deban almacenar un 1.

LECTURA
Durante una operación de lectura, se aplica una tensión positiva a la puerta de
control.
BORRADO
 Se elimina la carga de todas las células de memoria
 Para ello, se aplica a la fuente del transistor una tensión suficientemente
positiva con respecto a la puerta de control.

 Con el fin de extraer la carga de la puerta flotante durante la operación de

borrado.
 TIPOS DE MEMORIA FLASH

 Memoria flash de tipo NOR.

 Memorias flash de tipo NAND.

Comparación:

 La densidad de almacenamiento de los chips NOR es actualmente bastante mayor

en las memorias NAND.
 El coste de NOR es mucho mayor.
 La velocidad de lectura es muy superior en NOR (50-100 ns) frente a NAND (10
μs)
 La fiabilidad de los dispositivos basados en NOR es realmente muy alta