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Profesora:
I. RESUMEN
III. TAREA
TRANSISTOR BJT
El transistor bjt se puede usar en circuitos de control en los cuales es necesario activar o
desactivar algún dispositivo, para ello se lo polariza para que trabaje en regiones de corte
y saturación en forma alternada, se dice que el transistor bjt trabajará como conmutador,
como interruptor o como switch.
El
el uso
cualdel
se bjt en corte
quiere y saturación
controlar es muy
el encendio y elútil, por ejemplo
apagado de unasibombilla,
se tiene un circuito
pero mediante
resulta que el
circuito no es capaz de suministrar suficiente corriente para encender la bombilla, es en
estos casos que se utiliza el bjt en corte y saturación.
La siguiente figura muestra la forma mas común de polarizar el transistor bjt, en este caso
un npn, cuando se lo quiere polarizar para que trabaje en ccorte
orte y saturación, RC representa
la carga que se quiere controlar como por ejemplo un led, una bombilla, un contactor, un
motor, entre muchos otros dispositivos, la cual necesita para que funcione adecuadamente
una tensión y una corriente, la tensión VCC del circuito de polarización se iiguala
guala a la tensión
que necesita la carga, la corriente IC será la corriente que necesita la carga; a través de RB
llegará la señal de control, la cual debe tener suficiente tensión para encender el diodo base
emisor, es decir la tensión mínima de control tiene que ser mayor a VBE=0,7V, la tensión
sobre RB dependerá de la cantidad de corriente que se tome de la señal la cual será igual a
IB.
En la imagen, la señal es una onda cuadrada, la cual tiene un valor m
mínimo
ínimo de 0V y un valor
máximo de VBB.
Para que el transistor entre en corte IC tiene que ser cero IC=0, lo cual o
ocurre
curre si IB=0, y esto
será cuando VBB=0.
VCE=VCC-RC*IC
Para que el transistor entre en saturación, la VCE=0, en teoría entre el colector y el emisor
habrá un cortocircuito, en realidad la VCE nunca es cero, pero para facilitar los cálculos se
asume que es cero, al hacer
hacer esto se obtiene la corriente de colector de saturación:
ICsat=VCC/RC
Que es la corriente que la carga necesita para funcionar adecuadamente, una vez que se
tiene el valor de la corriente que necesita RC, a partirde IC=β*IB se puede obtener el valor
de la corriente de la base necesaria para obtener la corriente de saturación, la cual es:
IB=ICsat/β
Resulta que β se ve afectada por la temperatura y por la IC, por lo cual si β cambia, IB
cambiará y esta a su vez cambiará el valor de IC, lo cual podría sacar al transistor
transistor de la
saturación, por ese motivo se hace que IB=5*ICsat/β, de esta forma se logra asegurar la
saturación ya que si β cambia IB cambiará pero ICsat no se verá afectada.
VBB=IB*RB+VBE, de donde
RB= (VBB-0,7)/(5*ICsat/β)
Donde:
ICsat=VCC/RC
VCEcorte=VCC
Es importante llegar a comprender el uso del transistor bipolar en corte y saturación ya que
se utilizará muchas veces, uno de ellos es por ejemplo en el puente H para el cambio de
sentido de giro de un motor de continua.
En el siguiente vídeo se comenta sobre el uso del transistor bipolar en corte y saturación, así
como sobre la recta de carga, esta recta de carga será muy utilizada en los circuitos de
polarización del transistor bipolar en la región activa.
FOTOTRANSISTOR
Principio de funcionamiento
En este punto la acción convencional del transistor se lleva a cabo con los electrones
inyectados del emisor cruzando la pequeña región de la base y alcanzando el colector que
es más positivo. Este flujo de electrones constituye una corriente de colector inducida por
la luz. Los pares electrón-hueco fotoinducidos contribuyen a la corriente de base y si el
fototransistor se conecta en configuración de emisor común, la corriente de base inducida
por la luz, aparece como corriente de colector multiplicada por β o hfe.
Aplicaciones
Mouse
Controles de iluminación
Lectores de cinta
Lápices ópticos
Control remoto
Longitud de onda
Material
del espectro
del espectro electromagnético rango (nm)
Silicio 190 –1100
Germanio 400 –1700
Optoacoplador
Los fotoemisores que se emplean en los optoacopladores de potencia son diodos que
emiten rayos infrarrojos (IRED) y los fotoreceptores pueden ser tiristores o transistores.
Cuando aparece una tensión sobre los terminales del diodo IRED, este emite un haz de
rayos infrarrojo que transmite a través de una pequeña guía-ondas de plástico o cristal
hacia el fotorreceptor. La energía luminosa que incide sobre el fotorreceptor hace que
este genere una tensión eléctrica a su salida. Este responde a las señales de entrada,
que podrían ser pulsos de tensión.
V. EQUIPO
Resistencias
Transistor BJT
Multímetro digital
Osciloscopio digital
Cables
Capacitores 5V
Fuente DC
Fuente AC
Diodo LED
Diodo IR
Fototransistor
Primera Parte:
1. Monte el circuito de la figura 12.2. Mida IB, IC, VCE, VBE y compare sus resultados con
los calculados en el paso 1 ¿Esta el transistor en la región de amplificación? (Los
condensadores C1 y C2 se usaran para el acoplamiento de señales de voltaje
senoidal) Calcule el β de sus medidas realizadas.
2. Ingrese una señal de voltaje senoidal Vpe ≤ 5 V, observe las señales de entrada y
salida en el osciloscopio. Registre la ganancia A= Ve/Vpe. Varie el voltaje Vpe,
mientras obtenga una señal amplificada en la salida, registre la ganancia.
Segunda Parte:
El circuito receptor está basado en el fototransistor IR ST-1KL3B, que recibe en la
base de radiación emitida por el emisor. Este fototransistor tiene 3 pines, el pin de
la base queda libre. El emisor debe estar cerca de la base del fototransistor y
adecuadamente alineado.
El diodo led D2 permitirá observar que el fototransistor está operativo. Mida el
voltaje de colector emisor, Vce, la corriente en el emisor Ie y Ve, voltaje en el emisor
(sin led D2) ¿Esta el fototransistor en la región de saturación? Tape el diodo IR, ¿que
observa?
Paso 1.
Calculo de β:
Paso 2.
gPROMEDIO = 3,48
Paso 3.
La corriente y el voltaje medidos se encuentran en la hoja de datos. A continuación se
muestra el circuito completo.
TAPADO CON LELD TAPADO SIN LED SIN TAPAR SIN LED
VCE 1.414V 103.4mV 127mV
VE 1.89V 4.877V 4.843V
IE 7.92mA 0.5mA 0.49mA
Observamos que al tener el circuito sin el LED tapado el voltaje VCE es ligeramente
menor que al taparlo, en cambio el voltaje del emisor VE se mantiene prácticamente
igual. Reconocemos que se encuentra en saturación debido a que el Voltaje
colector emisor es pequeño (condición de saturación) V CE≈0.
IX. OBSERVACIONES, DISCUSION DE RESULTADOS Y COMENTARIOS
C OMENTARIOS
Se tuvo que hacer uso de resistencias y voltaje de entrada distintas a las primeras
mostradas en la hoja de datos que se usaron para calcular el VTH Y RTH, ello debido a
que se hicieron cálculos erróneos que posteriormente pudimos corregir a tiempo.
Podemos observar errores muy pequeños en el paso 1 cuando usamos el β calculado
en del experimento 12.
El β calculado en el paso 1 es muy cercano al calculado en el exp
experimento
erimento anterior con
Las resistencias usadas para el optoacoplador son distintas a las mostradas en la figura
12.3 pero no influyen en el funcionamiento de este.
X. CONCLUSIONES
Los valores calculados y obtenidos experimentalmente no difieren en mucho y los
errores obtenidos son pequeños como para concluir que son aceptables.
La ganancia de nuestro transistor BJT es alrededor del triple, y cumple su función de
amplificación cuando se encuentra en zona de operación.
El circuito optoacoplador funciona correctamente con las condiciones propuestas y los
valores obtenidos concuerdan con la teoría.
XI. BIBLIOGRAFIA
http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/tutorial_genera
http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/tutorial_general/eltransistorcom
l/eltransistorcomoamplificador
oamplificador
.html
https://hetpro-store.com/TUTORIA
https://hetpro-store.com/TUTORIALES/transistor-bjt/
LES/transistor-bjt/
http://www.educachip.com/optoacoplador-que-es
http://www.educachip.com/optoacoplador-que-es-y-como-utilizarlo/
-y-como-utilizarlo/
https://unicrom.com/regiones-saturacion-ruptura-inversa-transistor/
https://unicrom.com/regiones-de-operacion-del-jfet/