AMPLIFICADOR CON TRANSISTOR DE

EFECTO DE CAMPO
Mafla Bladimir, Picoita Cristian, Silva Kevin
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Escuela Politécnica Nacional
wladimir.mafla@epn.edu.ec, cristian.picoita@epn.edu.ec, kevin.silva@epn.edu.ec

Resumen- Este documento presenta el preparatorio de la

novena práctica de Laboratorio de Dispositivos Electrónicos, en
esta práctica se analiza e implementa un circuito de
polarización para JFET y también se analiza e implementa un
amplificador usando JFET.

I. PREPARATORIO
A. Consultar sobre MOSFET características y
ventajas.

CARACTERISTICAS
Las características fundamentales de los MOSFETS son las
siguientes:
Máxima tensión drenador-fuente
Máxima corriente de drenador
Resistencia en conducción
Tensiones umbral y máximas de puerta
Velocidad de conmutación

VENTAJAS
1) Son dispositivos controlados por tensión con una
impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012 ohmios).
2) Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
3) Los FET son más estables con la temperatura que los BJT.
4) Los FET son más fáciles de fabricar que los BJT pues
precisan menos pasos y permiten integrar más dispositivos en
un CI.
5) Los FET se comportan como resistencias controlados por
tensión valores pequeños de tensión drenaje-fuente.
6) La alta impedancia de entrada de los FET les permite
retener carga el tiempo suficiente para permitir su utilización
como elementos de almacenamiento. C. Consultar la hoja de datos del JFET J304 y
7) Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y comprar para la práctica.
conmutar corrientes grandes.

B. Revisar las hojas de datos de al menos 4 MOSFETS

y presentar un cuadro con los valores de los
parámetros más importantes.
 D. Consultar sobre el voltaje de pinch-of y como CONFIGURACIÓN FUENTE COMÚN
calcularlo.

VP (Pinch-Off Voltage): es la tensión de estrangulamiento del

canal. Al igual que IDSS, presenta fuertes dispersiones en su
valor.

1. VDD se mantiene fijo.

2. Aumentar VGG para que la corriente ID se haga cero,
entonces el valor de VGG=VP. CONFIGURACIÓN DRENAJE COMÚN

E. Consultar sobre la representación en AC de JFET y

MOSFET.
JFET

CONFIGURACIÓN COMPUERTA COMÚN

G. Resolver el siguiente circuito en DC y AC, dibujar

los voltajes de salida:

MOSFET

RG=10M
RS=220+2700=2920
VGS=VG-VS
VG=24V
VS=2920*ID
VGS=24+2920*IDID= (VGS-24)/2920 -- (1)
ID=IDSS (1-VGS/VP) ^2
ID=100mA*(1-VGS/25) ^2 -- (2)
F. Consultar sobre las configuraciones de
VGS1=24.24V VGS2=27.895V
amplificación que tiene el JFET y MOSFET
ID=0.8219uA
gm=(2IDSS/VP)*(1-VGSQ/VP)
gm=(2*100mA/25)*(1-24.24/25)
gm=2.432*10^-40.24ms
RL`=5.6K||10K=3589.74
Av=-(gm*RL`)/(1+gm*RS1)=-(0.24*10*^-3*3589.74)/
(1+0.24*10*^-3*220)
Av=-5.5

H. Realizar las simulaciones de los circuitos presentados

tanto en QUCS como Proteus.

Circuito 1

I. Presentar los voltajes de polarización y las gráficas en

papel milimetrado

Anexo #1,#2 y #3

REFERENCIAS
[1] Sanchez T. (2006), Dispositivos Electrónicos.Quito-
Ecuador.Departamento de Electrónica, Telecomunicaciones y Redes de
Información.

[2] Chuquimarca J.(2017), Slide Share. Diseño de Amplificador con

impedancia de entrad. https://es.slideshare.net/jessechuquimarca/diseo-
de-amplificador-en-configuracin-de-emisor-comn-con-un-tbj-78297348
Circuito 2

Circuito 3