CONDUCCIÓN EN LOS SÓLIDOS

La particularidad de los sólidos cristalinos es que los electrones están sujetos a un

potencial periódico (tridimensionalmente periódico). Esa periodicidad y el hecho de que
los electrones externos de los átomos sólo “ven” el campo producido por los iones y los
electrones internos, hacen que la estructura de los niveles de energía de los electrones y
su comportamiento sea bastante inusual. Solamente la Mecánica Cuántica aplicada a un
modelo del cristal puede dar cuenta de estas peculiaridades.

Se considerará un modelo unidimensional de un cristal, ya que las

particularidades aparecen con claridad y es mucho más sencillo de describir.

En la figura está representada la

Energía de un electrón en función del
“número de onda”, que es proporcional al
impulso del electrón:
p
k

La parábola de trazos es la relación válida para
un electrón libre:
p2 2 2
E  k
2 m 2m

Cuando está presente el potencial periódico, los efectos cuánticos se hacen muy
importantes en las cercanías de ciertos valores de k; que en la figura aparecen como k1,
k2, etc. Cerca de esos valores de k la energía del electrón (en el cristal) se aparta
considerablemente del valor clásico libre, resultando en una discontinuidad y una
curvatura de la relación entre E y k. La discontinuidad hace aparecer bandas de
energía prohibidas, y la curvatura, un comportamiento sumamente extraño. Nótese de
la figura que la curvatura en la banda inferior para k < k1 pero k  k1 es negativa; y para
k > k1 pero k  k1 la curvatura es positiva. La curvatura de la “banda” es proporcional a
la derivada segunda de la energía con respecto al número de onda k.

El valor medio de la aceleración del electrón, sometido a un campo eléctrico E,

según la Mecánica Cuántica es:
4 2 d 2 E
a  e 2
 dk 2

Notar que la primera E es el campo eléctrico y la de la derivada segunda es la energía

del electrón (en el cristal).
 Si el electrón pertenece a la región de curvatura positiva, se acelerará en la
dirección y sentido contrarios al campo eléctrico (lo cual no es ninguna novedad, ya que
tiene carga negativa), pero si está en una región de curvatura negativa, la aceleración que
aparece tiene la dirección y el sentido del campo eléctrico (como si fuese una carga
positiva).

De ese modo la Mecánica Cuántica ilustra que el movimiento colectivo de los

electrones en el cristal no es clásico, sino que en determinadas ocasiones todo sucede
como si la carga que se mueve fuese una carga positiva.

A los electrones que se mueven “decentemente” se les llamará simplemente

electrones o portadores de carga negativa, a los electrones “raros” se les llamará
lagunas o huecos, o bien portadores de carga positiva.

En Física del Sólido se acostumbra a definir una cantidad:

1
2  d 2E 
m  2 2 
*

4  dk 

que se denomina masa efectiva del portador de carga o del electrón.

Si un material es muy puro, y la

estructura de bandas es similar a la de la figura
de la derecha, sus propiedades eléctricas
dependen del Nivel de Fermi.

En el cero absoluto, cada posible estado

del electrón en el cristal puede estar lleno como
máximo con dos electrones (porque el spin del
electrón puede tener dos valores). De esa manera
los electrones se acumulan llenando las bandas
desde el estado de menor energía posible ¡hasta
que se acaban los electrones!. La energía del
último estado lleno es el nivel de Fermi del
cristal.

En la figura se muestra una estructura de

bandas simplificada, en ella aparecen tres
bandas.
 A temperaturas muy bajas, cerca del cero absoluto los electrones: a) pueden
“alcanzar” para llenar las dos bandas representadas abajo y una parte de la banda
superior (nivel de Fermi Ef1), b) pueden alcanzar para llenar la banda inferior y
parcialmente la banda intermedia (nivel de Fermi Ef2), o c) alcanzar exactamente para
llenar dos bandas, de modo que el próximo electrón deba pertenecer a la banda superior.

La ubicación del nivel de Fermi es determinante de las propiedades eléctricas del

cristal. Cuando una banda está parcialmente llena o parcialmente vacía, el electrón
puede adquirir, por ejemplo por excitación térmica, una pequeña energía extra, y su
estado pasa a ser uno próximo en la misma banda.

Si los electrones llenan completamente una banda, como en el tercer caso, para
excitar al electrón hay que darle mucha energía, la suficiente como para “saltar” de una
banda a otra.

Si la zanja de energía (en inglés Gap) es grande, por ejemplo de 6eV ó 7eV, esto
no se consigue ni a temperatura ambiente: El material será un aislador. Si la zanja de
energía es más o menos pequeña, por ejemplo menor de 2eV, a temperatura ambiente la
“cola” de la distribución de energías indica que hay una probabilidad pequeña pero
distinta de cero de que un electrón pase de la banda inferior (llena) a la banda superior
(vacía): El material será un semiconductor. En principio, un semiconductor puro es
aislante en el cero absoluto, porque no hay excitaciones térmicas que puedan producir
saltos de electrones. En un semiconductor puro (intrínseco) la conductividad disminuye
al bajar la temperatura, al revés de lo que ocurre con los metales.

Otra posibilidad, que no está representada, es que por las características del
cristal las bandas se solapen, es decir, que haya una zona de una banda inferior que se
superponga con otra zona de la banda superior. En este último caso tenemos un metal,
un buen conductor. La conductividad de los metales no es infinita porque los electrones
interactúan con las imperfecciones de la red cristalina, o con impurezas. Esta interacción
tiene mayor probabilidad a temperaturas elevadas, de modo que la conductividad
disminuye con el aumento de la temperatura.

Volviendo al interesante caso de los semiconductores, si un electrón se excita a

un estado que corresponde a una banda superior, en ese nuevo estado funciona como una
partícula de masa positiva y conduce la corriente eléctrica como un electrón “común”.

En la banda inferior, el electrón que saltó dejó un lugar vacío. Los otros
electrones se mueven colectivamente de modo que el lugar vacío se llena, apareciendo
otro lugar vacío para otro valor del número de ondas. Se puede demostrar (como lo
hicieron Koppman y Heisenberg) que este proceso se puede describir como el
movimiento de un hueco, en la banda inferior. El resultado es que el hueco se mueve
como si llevara carga positiva y tuviese la masa del electrón (un hueco es como una
burbuja en un mar de electrones).
 Si se introducen impurezas en el cristal (muy pequeña cantidad: un átomo de
impureza cada 106 átomos del cristal), puede hacerse más fácil que un electrón llegue a
la banda superior (impureza donora) o que salga de la banda inferior (impureza
aceptora).

Los átomos donores tienen un electrón en un estado cuya energía es cercana a la

banda superior, de modo que la excitación térmica lleva a todos los electrones de esos
átomos a la banda superior y allí pueden participar de la conducción (si se quedaran en
los átomos de impureza no lo harían).

Un cristal con impurezas donoras tendrá una cantidad apreciable de electrones

de conducción y se le llamará Tipo N.

Si la impureza es aceptora, los estados disponibles (vacíos) están cerca de la

banda inferior, la excitación térmica permite que un electrón de esa banda se ubique en
la impureza, dejando un hueco en la banda inferior (la impureza aceptora se “roba” un
electrón). Esos huecos o lagunas pueden participar en la conducción como si fuesen
cargas positivas. Ese material se llama Tipo P.

A menos que se hagan esfuerzos muy grandes en el proceso de purificación, no

se consigue que en un material haya solamente un tipo de portador de carga, pero uno de
ellos está presente en cantidad muchísimo más elevada que el otro. Los materiales
industriales tipo P son materiales en donde la mayoría de los portadores son huecos,
pero hay algunos electrones de conducción. Lo inverso ocurre con los materiales
industriales tipo N. Se habla entonces de portadores mayoritarios y de portadores
minoritarios.

Juntura PN

Existen maneras de hacer buenos contactos con los materiales semiconductores

(por ejemplo los alambres de oro se funden muy fácilmente con el silicio), en ese caso
los contactos se llaman Óhmicos y la corriente puede circular por ellos en todas
direcciones sin dificultad. Pero si se conecta un semiconductor tipo P con un
semiconductor tipo N, la unión (PN o NP) tiene propiedades muy interesantes. En primer
lugar, y aún cuando no haya ningún generador externo conectado, la difusión de los
portadores hace que la zona P se vuelva negativa (porque pierde huecos y gana
electrones por difusión) y la zona N se hace positiva (porque pierde electrones y recibe
huecos por difusión). Esto hace aparecer una diferencia de potencial entre la zona P y la
zona N; el campo eléctrico resultante es quien “frena” la difusión y se alcanza el
equilibrio.
 La diferencia de potencial entre ambas partes de la juntura o unión PN, se llama
Barrera de Potencial, y generalmente es de unas décimas de voltios, en una extensión
muy pequeña, de modo que el campo en la zona de la juntura es muy grande. Eso hace
que la zona de contacto entre el material tipo P y el material tipo N contenga muy pocos
portadores de carga; se le llama zona de exclusión o zona de depleción (es un
anglicismo). La existencia de esta zona es muy importante en las aplicaciones, ya que su
extensión depende de la pureza de los materiales y del potencial exterior aplicado.

En la figura adjunta se muestra

un esquema de una juntura PN. En la
parte superior el potencial exterior es
negativo en la zona P y positivo en la
zona N, (polarización inversa), los
portadores se alejan de la unión y no
hay conducción de corriente (o ésta es
muy pequeña). En la parte inferior la
tensión exterior es positiva del lado P
y negativa del lado N (polarización
directa), los portadores se acercan a
la unión, donde se “recombinan”, o
sea, cada electrón ocupa el estado
vacío que había dejado el hueco por
excitación térmica, y hay conducción
de corriente.

El proceso es bastante complicado, puesto que cuando no hay potencial aplicado

hay dos corrientes opuestas (débiles), una de origen térmico (corriente térmica) y otra
que tiene origen en la recombinación de huecos y electrones (corriente de
recombinación). La corriente térmica no varía, pero la corriente de recombinación
aumenta considerablemente al aplicar el potencial en forma directa.

Esta es la esencia de las

propiedades no óhmicas de las
junturas PN, cuya curva
característica corriente–tensión se
ilustra en la curva de la derecha (en
Electrónica lo único que importa es
esta curva).

Notar que las escalas del lado

de tensiones y corrientes positivas
(polarización directa) no son las
mismas que las escalas para tensiones
y corrientes negativas (polarización
inversa).
 Cuando la polarización es directa, la juntura (también se le llama diodo) acusa
una corriente apreciable después de unos 0,3V; y con 0,5V la corriente es de unos 12A.
Pero si la tensión se aplica en sentido contrario la corriente sube a 0,5A recién a los 50V,
y se estabiliza en ese valor hasta unos 150V en donde vuelve a aumentar, porque la
juntura se destruye. De modo que se puede aceptar que en sentido directo se conduce la
corriente con facilidad, mientras que en sentido inverso es muy difícil que pase
corriente.

La relación corriente-tensión es definitivamente no-lineal, porque el proceso no

es una movilización de los electrones libres como en los metales, y por eso mismo no
sigue la Ley de Ohm.

La relación entre corriente y tensión es exponencial (más una constante), pero si

la corriente es elevada, la relación corriente-tensión comienza a ser esencialmente lineal
porque comienzan a ser muy importantes las resistencias de los conductores que llegan a
la juntura (eso se nota en la zona en que la tensión es mayor de 0,5V ó 0,6 V).

Estos dispositivos de dos terminales reciben el nombre de DIODOS. Lo que se

necesita conocer de un diodo son los siguientes parámetros:

 Tensión en la cual comienza la conducción cuando se le polariza en forma

directa.

 Resistencia equivalente para corrientes “altas” (la pendiente de la zona lineal).

 Corriente permanente máxima.

 Corriente de impulso máxima (Surge Current).

 Tensión máxima inversa (VPI).

La Surge Current es la corriente que aguantan por un momento los conductores

interiores del diodo y la juntura, es muy importante en el diseño para proteger a un
rectificador de la corriente inicial, que aparece al conectar el dispositivo. Muchas veces
se le puede aproximar por 50 veces la corriente máxima.