Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
ABIGAIL MELENDEZ
LABORATORIO III
10.30.20
TRABAJO TEORICO
El transistor bipolar fue el primer dispositivo activo de estado sólido. Fue inventado en
1949 en los Laboratorios Bell por W. Schockley, J. Bardeen y W. Brattain (que recibieron
el premio Nobel en 1956). También se suele denominar por sus siglas inglesas BJT
(bipolar junction transistor).
Se trata de un dispositivo formado por dos uniones y que tiene tres terminales (llamados
emisor, base y colector). Hay dos tipos, npn y pnp:
Entre sus principales aplicaciones podemos distinguir:
· Analógicas: amplificadores, seguidores de tensión
· Digitales: conmutadores
En este apartado vamos a introducir el BJT como una fuente de corriente controlada por
tensión. Supongamos una unión PN polarizada en inverso. Se puede considerar que es una
fuente de corriente casi ideal porque la corriente que la atraviesa es independiente de la
tensión entre sus extremos
Puede distinguirse cuatro zonas del transistor:
Región De Corte: Donde ambas uniones están conectadas en contra. La
corriente de base es muy pequeña, y no fluye, para todos los efectos, corriente al
emisor.
Región Lineal Activa: El transistor actúa como un amplificador lineal. La unión
BE está conectada en directo y la unión CB está en reversa.
Región De Saturación: Ambas uniones están conectadas en directo. Cuando un
transistor trabaja en esta región este funciona como interruptor.
Región De Ruptura: Que determina el límite físico de operación del transistor.
TRABAJO PRACTICO