[EXAMEN 1] Electrónica Digital

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Calificación: Fecha: 03/02/2011
Profesor: Gerson Villa González Materia: Electrónica Digital

Conteste de manera correcta el siguiente cuestionario:

1.

2. ¿Cuántos protones contiene el a. Cobre

núcleo de un átomo de cobre? b. Germanio
a. 1 c. Silicio
b. 4 d. Ninguno de los anteriores
c. 18 8. ¿Qué número de protones posee un
d. 29 átomo de silicio?
3. La carga resultante de un átomo a. 4
neutro de cobre es: b. 14
a. 0 c. 29
b. +1 d. 32
c. -1 9. Los átomos de silicio se combinan en
d. +4 una estructura ordenada que recibe
4. Si a un átomo de cobre se le extrae el nombre de
su electrón de valencia, la carga a. Enlace covalente
resultante vale: b. Cristal
a. 0 c. Semiconductor
b. +1 d. Orbital de valencia
c. -1 10. Un semiconductor intrínseco
d. +4 presenta algunos huecos a
5. La atracción que experimenta hacia temperatura ambiente causados por
el núcleo el electrón de valencia de a. El dopaje
un átomo de cobre es: b. Electrones libres
a. Ninguna c. Energía térmica
b. Débil d. Electrones de valencia
c. Fuerte 11. Cada electrón de valencia en un
d. Imposible describir semiconductor intrínseco establece
6. ¿Cuántos electrones de valencia un
tiene un átomo de silicio? a. Enlace covalente
a. 0 b. Electrón libre
b. 1 c. Hueco
c. 2 d. Recombinación
d. 4 12. La unión de electrón libre con un
7. El semiconductor más empleado es hueco recibe el nombre de

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a. Enlace covalente b. Hacia el potencial positivo

b. Tiempo de vida c. En el circuito externo
c. Recombinación d. Ninguna de las anteriores
d. Energía térmica 19. ¿Cuántos huecos presenta un
13. A temperatura ambiente un cristal conductor?
de silicio intrínseco se comporta a. Muchos
como: b. Ninguno
a. Una batería c. Solos los producidos por la
b. Un conductor energía térmica
c. Un aislante d. El mismo número que de
d. Un hilo de cobre electrones libres
14. El tiempo que transcurre entre la 20. En un semiconductor intrínseco, el
creación de un hueco y su número de electrones libres es
desaparición se conoce como: a. Igual al número de huecos
a. Dopaje b. Mayor que el número de
b. Tiempo de vida huecos
c. Recombinación c. Menor que el número de
d. Valencia huecos
15. Al electrón de valencia de un d. Ninguna de las anteriores
conductor se le denomina también 21. La temperatura de cero absoluto es
por igual a
a. Electrón ligado a. -273°C
b. Electrón libre b. 0°C
c. Núcleo c. 25°C
d. Protón d. 50°C
16. ¿Cuántos tipos de flujo de 22. A la temperatura de cero absoluto
portadores presenta un conductor? un semiconductor intrínseco
a. 1 presenta
b. 2 a. Pocos electrones libres
c. 3 b. Muchos huecos
d. 4 c. Muchos electrones libres
17. ¿Cuántos tipos de flujo de d. Ni huecos ni electrones libres
portadores presenta un 23. A temperatura ambiente un
semiconductor? semiconductor intrínseco tiene
a. 1 a. Algunos electrones libres y
b. 2 huecos
c. 3 b. Muchos huecos
d. 4 c. Muchos electrones libres
18. Cuando se aplica una tensión a un d. Ningún hueco
semiconductor, los huecos circulan 24. El número de electrones libres y
a. Distanciándose del potencial huecos en un semiconductor
negativo

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intrínseco aumenta cuando la d. Tipo p

temperatura 31. ¿Cuántos electrones libres contienen
a. Disminuye un semiconductor tipo p?
b. Aumenta a. Muchos
c. Se mantiene constante b. Ninguno
d. Ninguna de las anteriores c. Solo los producidos por la
25. El flujo de electrones de valencia energía térmica
hacia la izquierda significa que los d. El mismo número que de
huecos circulan hacia huecos
a. La izquierda 32. La plata es el mejor conductor. ¿Cuál
b. La derecha es el número de electrones de
c. En cualquier dirección valencia que tiene?
d. Ninguna de las anteriores a. 1
26. Los huecos se comportan como b. 4
a. Átomos c. 18
b. Cristales d. 29
c. Cargas Negativas 33. Si un semiconductor intrínseco tiene
d. Cargas Positivas un billón de electrones libres a la
27. ¿Cuántos electrones de valencia temperatura ambiente, ¿Cuántos
tienen los átomos trivalentes? pre4sentará a la temperatura de
a. 1 75oC?
b. 3 a. Menos de un billón
c. 4 b. Un billón
d. 5 c. Más de un billón
28. ¿Qué número de electrones de d. Imposible de contestar
valencia tiene un átomo donador? 34. Una fuente de tensión es aplicada a
a. 1 un semiconductor tipo p. Si el
b. 3 extremo izquierdo del cristal es
c. 4 positivo, ¿en qué sentido circularán
d. 5 los portadores mayoritarios?
29. Si quisiera producir un 35. ¿Cuál de los siguientes conceptos
semiconductor tipo p, ¿Qué está menos relacionado con los otros
emplearía? tres?
a. Átomos aceptadores a. Conductor
b. Átomos donadores b. Semiconductor
c. Impurezas pentavalentes c. Cuatro electrones de
d. Silicio valencia
30. Los huecos son minoritarios en un d. Estructura cristalina
semiconductor tipo 36. ¿Cuál de las siguientes temperaturas
a. Extrínseco es aproximadamente igual a la
b. Intrínseco temperatura ambiente?
c. Tipo n a. 0oC

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b. 25oC a. Al dopaje
c. 50oC b. A la recombinación
d. 75oC c. A la barrera de potencial
37. ¿Cuántos electrones hay en el orbital d. A los iones
de valencia de un átomo de silicio 44. La barrera de potencial de un diodo
dentro de un cristal? de silicio a temperatura ambiente es
a. 1 de
b. 4 a. 0.3V
c. 8 b. 0.7V
d. 14 c. 1V
38. Los iones positivos son átomos que d. 2mV por oC
a. Han ganado un protón 45. Para producir una gran corriente en
b. Han perdido un protón un diodo de silicio polarizado en
c. Han ganado un electrón directa, la tensión aplicada debe de
d. Han perdido un electrón superar
39. ¿Cuál de los siguientes conceptos a. 0V
describe un semiconductor tipo n? b. 0.3V
a. Neutro c. 0.7V
b. Cargado positivamente d. 1V
c. Cargado negativamente 46. En un diodo de silicio la corriente
d. Tiene muchos huecos inversa es normalmente
40. Un semiconductor tipo p contiene a. Muy pequeña
huecos y b. Muy grande
a. Iones positivos c. Cero
b. Iones negativos d. En la región de ruptura
c. Átomos pentavalentes 47. La corriente superficial de fuga es
d. Átomos donadores parte de
41. ¿Cuál de los siguientes conceptos a. La corriente de polarización
describe un semiconductor tipo p? directa
a. Neutro b. La corriente de ruptura en
b. Cargado positivamente polarización directa
c. Cargado negativamente c. La corriente inversa
d. Tiene muchos electrones d. La corriente de ruptura en
libres polarización inversa
42. ¿Cuál de los siguientes elementos no 48. La tensión que provoca el fenómeno
se puede mover? de avalancha es
a. Huecos a. La barrera de potencial
b. Electrones libres b. La zona de deplexión
c. Iones c. La tensión de codo
d. Portadores mayoritarios d. La tensión de ruptura
43. ¿A qué se debe la zona de 49. La difusión de electrones libres a
deplexión? través de la unión de diodo produce

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a. Polarización directa a. 7 por 100

b. Polarización inversa b. 100 por 100
c. Ruptura c. 200 por 100
d. La zona de deplexión d. 2 mV
50. Cuando la tensión inversa crece de
5V a 10V, la zona de deplexión
a. Se reduce
b. Crece
c. No le ocurre nada
d. Se rompe
51. Cuando un diodo es polarizado en
directa, la recombinación de
electrones libres y huecos puede
producir
a. Calor
b. Luz
c. Radiación
d. Todas las anteriores
52. Si aplicamos una tensión inversa de
20 V a un diodo, la tensión en la zona
de deplexión será de
a. 0V
b. 0.7V
c. 20V
d. Ninguna de las anteriores
53. Cada grado de aumento de
temperatura en la unión decrece la
barrera de potencial en
a. 1 mV
b. 2 mV
c. 4 mV
d. 10 mV
54. La corriente inversa de saturación se
duplica cuando la temperatura de la
unión se incrementa
a. 1oC
b. 2oC
c. 4oC
d. 10oC
55. La corriente superficial de fuga se
duplica cuando la tensión inversa
aumenta

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