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Transistor
Transistor
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Transistor
Tipo Semiconductor
Símbolo electrónico
Índice
1Historia
2Funcionamiento
3Tipos de transistor
o 3.1Transistor de contacto puntual
o 3.2Transistor de unión bipolar
o 3.3Transistor de efecto de campo
o 3.4Fototransistor
4Transistores y electrónica de potencia
5Construcción
o 5.1Material semiconductor
6El transistor bipolar como amplificador
o 6.1Emisor común
7Diseño de una etapa en configuración emisor común
o 7.1Base común
o 7.2Colector común
8El transistor bipolar frente a la válvula termoiónica
9Véase también
10Referencias
11Bibliografía
12Enlaces externos
Historia[editar]
Artículo principal: Historia del transistor
Réplica del primer transistor en actividad, que hoy pertenece a la empresa Lucent Technologies
Funcionamiento[editar]
El transistor consta de tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con
materiales específicos en cantidades específicas) que forman dos uniones
bipolares: el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y
la tercera, que está intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos
portadores (base). A diferencia de las válvulas, el transistor es un dispositivo
controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseño de
circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, 32a diferencia de
los resistores, condensadores e inductores que son elementos pasivos.33
De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es función
amplificada de la que se inyecta en el emisor, pero el transistor solo gradúa la
corriente que circula a través de sí mismo, si desde una fuente de corriente
continua se alimenta la base para que circule la carga por el colector, según el tipo
de circuito que se utilice. El factor de amplificación o ganancia logrado entre
corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor. Otros
parámetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor
son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base,
Potencia Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde
se grafican los distintos parámetros tales como corriente de base, tensión Colector
Emisor, tensión Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de
esquemas(configuraciones) básicos para utilización analógica de los transistores
son emisor común, colector común y base común.
Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET,
MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utiliza la corriente que se inyecta en el
terminal de base para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensión
presente en el terminal de puerta y gradúa la conductancia del canal entre los
terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la conductancia es nula y el canal se
encuentra estrangulado, por efecto de la tensión aplicada entre Compuerta y
Fuente, es el campo eléctrico presente en el canal el responsable de impulsar los
electrones desde la fuente al drenaje. De este modo, la corriente de salida en la
carga conectada al Drenaje (D) será función amplificada de la tensión presente
entre la compuerta y la fuente, de manera análoga al funcionamiento del triodo.
Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integración a
gran escala disponible hoy en día; para tener una idea aproximada pueden
fabricarse varios cientos de miles de transistores interconectados, por centímetro
cuadrado y en varias capas superpuestas.
Tipos de transistor[editar]
Distintos encapsulados de transistores.
Construcción[editar]
Material semiconductor[editar]
Características del material semiconductor
Tensión Máxima
Material Movilidad de Movilidad de
directa temperatura de
semiconducto electrones huecos
de la unión unión
r m2/(V·s) @ 25 °C m2/(V·s) @ 25 °C
V @ 25 °C °C
Los primeros transistores bipolares de unión se fabricaron con germanio (Ge). Los
transistores de Silicio (Si) actualmente predominan, pero ciertas versiones
avanzadas de microondas y de alto rendimiento ahora emplean el compuesto
semiconductor de arseniuro de galio (GaAs) y la aleación semiconductora de
silicio-germanio (SiGe). El material semiconductor a base de un elemento (Ge y
Si) se describe como elemental.
Los parámetros en bruto de los materiales semiconductores más comunes
utilizados para fabricar transistores se dan en la tabla adjunta; estos parámetros
variarán con el aumento de la temperatura, el campo eléctrico, nivel de impurezas,
la tensión, y otros factores diversos.
La tensión directa de unión es la tensión aplicada a la unión emisor-base de un
transistor bipolar de unión con el fin de hacer que la base conduzca a una
corriente específica. La corriente aumenta de manera exponencial a medida que
aumenta la tensión en directa de la unión. Los valores indicados en la tabla son las
típicos para una corriente de 1 mA (los mismos valores se aplican a los diodos
semiconductores). Cuanto más bajo es la tensión de la unión en directa, mejor, ya
que esto significa que se requiere menos energía para colocar en conducción al
transistor. La tensión de unión en directa para una corriente dada disminuye con el
aumento de la temperatura. Para una unión de silicio típica, el cambio es de –
2.1 mV/°C.34 En algunos circuitos deben usarse elementos compensadores
especiales (sensistores) para compensar tales cambios.
La densidad de los portadores móviles en el canal de un MOSFET es una función
del campo eléctrico que forma el canal y de varios otros fenómenos tales como el
nivel de impurezas en el canal. Algunas impurezas, llamadas dopantes, se
introducen deliberadamente en la fabricación de un MOSFET, para controlar su
comportamiento eléctrico.
Las columnas de movilidad de electrones y movilidad de huecos de la tabla
muestran la velocidad media con que los electrones y los huecos se difunden a
través del material semiconductor con un campo eléctrico de 1 voltio por metro,
aplicado a través del material. En general, mientras más alta sea la movilidad
electrónica, el transistor puede funcionar más rápido. La tabla indica que el
germanio es un material mejor que el silicio a este respecto. Sin embargo, el
germanio tiene cuatro grandes deficiencias en comparación con el silicio y
arseniuro de galio:
Recta de carga
Esta recta se traza sobre las curvas características de un transistor que
proporciona el fabricante. Los puntos para el trazado de la misma son: y la
tensión de la fuente de alimentación
En los extremos de la misma, se observan las zonas de corte y de saturación, que
tienen utilidad cuando el transistor actúa como interruptor. Conmutará entre ambos
estados de acuerdo a la polarización de la base.
La elección del punto Q, es fundamental para una correcta polarización. Un criterio
extendido es el de adoptar , si el circuito no posee . De contar con como es el
caso del circuito a considerar, el valor de se medirá desde el colector a masa.
El punto Q, se mantiene estático mientras la base del transistor no reciba una
señal.
Ejercicio
Procederemos a determinar los valores de
Datos:
Esta aproximación se admite porque
Para que el circuito opere en una zona de eficacia, la corriente a través del divisor
de voltaje y , debe ser mucho mayor que la corriente de base; como mínimo en
una relación 10:1
utilizando el valor de obtenido anteriormente
La resistencia dinámica del diodo en la juntura del emisor , se calcula tomando el
valor del voltaje térmico en la misma, y está dado por:
Con este valor, se procede a calcular la ganancia de voltaje de la etapa;
No se toma en cuenta ya que el emisor se encuentra a nivel de masa para la
señal por medio de , que en el esquema se muestra como ; entonces, la
impedancia de salida , toma el valor de si el transistor no tiene carga. Si se
considera la carga , se determina por considerando que tiene el valor ,
Al considerar la, la ganancia de tensión se ve modificada:
La impedancia de entrada en la base del transistor para el ejemplo, está dada por
Mientras que la impedancia de entrada a la etapa, se determina:
La reactancia de los capacitores no se ha tenido en cuenta en los cálculos, porque
se han elegido de una capacidad tal, que su reactancia en las frecuencias de
señales empleadas.
Base común[editar]
Base común
La base común se suele utilizar para adaptar fuentes de señal de baja impedancia
de salida como, por ejemplo, micrófonos dinámicos.
Colector común[editar]
Colector común
Las válvulas necesitan tensiones muy altas, del orden de las centenas de
voltios, que son peligrosas para el ser humano.
Las válvulas consumen mucha energía, lo que las vuelve particularmente
poco útiles para el uso con baterías.
El peso: El chasis necesario para alojar las válvulas y los transformadores
requeridos para su funcionamiento sumaban un peso importante, que iba
desde algunos kilos a decenas de kilos.
El tiempo medio entre fallas de las válvulas termoiónicas, el cual es muy
corto comparado con el de los transistores, sobre todo a causa del calor
generado.
Retardo en el arranque: Las válvulas presentan una cierta demora en
comenzar a funcionar, ya que necesitan estar calientes para establecer la
conducción.
El efecto microfónico: Muy frecuente en las válvulas a diferencia de los
transistores, que son intrínsecamente insensibles a él.
Tamaño: Los transistores son más pequeños que las válvulas. Aunque
existe unanimidad sobre este punto, conviene hacer una salvedad: en el caso
de dispositivos de potencia, estos deben llevar un disipador, de modo que el
tamaño que se ha de considerar es el del dispositivo (válvula o transistor) más
el del disipador. Como las válvulas pueden funcionar a temperaturas más
elevadas, la eficiencia del disipador es mayor en ellas que en los transistores,
con lo que basta un disipador mucho más pequeño.
Los transistores trabajan con impedancias bajas, o sea con tensiones
reducidas y corrientes altas; mientras que las válvulas presentan impedancias
elevadas y por lo tanto trabajan con altas tensiones y pequeñas corrientes.
Costo: Los transistores costaban menos que las válvulas, desde su
lanzamiento inicial y se contó con la promesa de las empresas fabricantes de
que su costo continuaría bajando (como de hecho ocurrió) con suficiente
investigación y desarrollo.
Como ejemplo de todos estos inconvenientes se puede citar a la primera
computadora digital, llamada ENIAC, la cual pesaba más de treinta toneladas y
consumía 200 kilovatios, suficientes para alimentar una pequeña ciudad, a causa
de sus aproximadamente 18 000 válvulas, de las cuales algunas se quemaban
cada día, necesitando una logística y una organización importantes para mantener
este equipo en funcionamiento.
El transistor bipolar reemplazó progresivamente a la válvula termoiónica durante la
década de 1950, pero no del todo. En efecto, durante los años 1960, algunos
fabricantes siguieron utilizando válvulas termoiónicas en equipos de radio de gama
alta, como Collins y Drake; luego el transistor desplazó a la válvula de los
transmisores pero no del todo en los amplificadores de radiofrecuencia. Otros
fabricantes de instrumentos eléctricos musicales como Fender, siguieron utilizando
válvulas en sus amplificadores de audio para guitarras eléctricas. Las razones de
la supervivencia de las válvulas termoiónicas son varias:
Véase también[editar]
Historia del transistor
Quiteron
Semiconductor
Transistor de aleación
Transistor de película delgada
Transistor de unión bipolar
Transistor IGBT
Transistor uniunión
Válvula termoiónica
Datasheet