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¿ Qué eran las memorias? (Artículo extraído de nuestros boletines técnicos Nº5 y 9)
Las memorias son dispositivos semiconductores que sirven para guardar información;
dicha información puede estar conformada por datos a ser procesados, comandos de
programas o programas enteros inclusive.
Estructuralmente pueden estar compuestas por Flip-Flop's o por celdas capacitivas
(En el caso de las RAM dinámicas), o por conexionado interno de matrices de diodos
(En el caso de algunas PROM).
Tecnológicamente pueden estar constituidas por MOS, o por TTL, o por conexionado
interno de matrices de diodos.
La capacidad de memoria se mide en Bytes, unidad consistente de 8 bits. La variedad
de capacidades de memoria varía de unos pocos Bytes a varios Mega Bytes (MB), según
para el tipo de aplicación que se requieran.
En una memoria existen las líneas de datos, las líneas de direccionamiento o ADDRESS
y las líneas de control, además de las de alimentación.
La organización interna de un memoria está constituída por celdas (o casilleros de
memoria) de un Byte c/u, las cuales tienen asignada una dirección de memoria (o
número de casillero). El conjunto de celdas constituye la llamada matriz de memoria.
Para realizar operaciones con las celdas dentro de la memoria existen los
decodificadores de direccionamiento, el control de secuencia (comandado por el
Clock) y las puertas de entrada/salida de datos (controladas por el Chip Selection y
la orden R/W, escritura/lectura).
Con las líneas ADDRESS el microprocesador tiene cómo seleccionar una posición de
memoria para leer o escribir un dato. Esta selección o posicionamiento es más
conocido por direccionamiento. A través de estas líneas el µP solamente indica cuál
será la celda a ser escrita o leída.
Con las líneas de datos (o BUS de datos) el microprocesador recibe o envía
información desde o hacia la memoria, cuando lee o escribe.
Las llamadas líneas de control son: La orden de lectura/escritura (R/W), el Clear
(borrado), el chip selection (CP) y el Clock.
La línea R/W es utilizada por el µP para comandar la memoria en un proceso en el
cual va a leer o escribir.
Ejemplo 1: Si el µP quiere leer el contenido de la celda con direccionamiento
01010011, primero comanda las líneas de ADDRESS para que muestren esa cifra, en
Memorias RAM
Dentro de las de lectura/escritura están las conocidas RAM (Random Access Memory),
sigla que en castellano significa memoria de acceso aleatorio; nombre inapropiado
éste, pues el acceso, que consiste en el direccionamiento y la selección del chip de
parte del µP, nunca se hace al azar; es una operación precisa en la cual está
definida perfectamente la dirección de memoria con la cual ha de trabajar el µP.
Lo único aleatorio sería qué tipo de operación llevaría a cabo el micro con la
posición de memoria direccionada, si de escritura o de lectura, pues esto último
siempre dependerá del procesamiento de datos que estuviere llevando cabo el micro en
su momento.
El funcionamiento de este tipo de memoria es idéntico al descripto más arriba. En
cuanto a su construcción, se basa en la matriz de Flip-Flop's que pueden estar
implementados con TTL o MOS.
Las prestaciones de este tipo de memoria la hacen capaz de procesar datos de
tratamiento temporario, pues pueden grabar información, dar la información grabada,
o modificar parte de la que tienen almacenada.
La única desventaja es su volatibilidad ya que, cuando dejan de ser alimentadas,
pierden las informaciones almacenadas. Por ello también se las conoce como memorias
volátiles.
Memorias dRAM
Dentro de las RAM, existe un grupo llamado RAM dinámicas (dRAM). Las RAM
anteriormente descriptas son alimentadas con tensión continua (De ahí su nombre de
RAM estáticas). Pero las de este segundo grupo son alimentadas por una señal
cuadrada, llamada tensión de refresco, además de las tensiones de alimentación
tradicionales.
El desarrollo de este grupo se debió al esfuerzo por conseguir chips cada vez más
grandes en capacidad de memoria y más económicos en consumo y, ¿por qué no?, en
precio.
Técnicamente este grupo de RAM's se basa en el uso de la acumulación de tensión en
un capacitor. La célula de memoria, que representa a un bit, que en las RAM comunes
está conformada por un Flip-Flop, aquí está básicamente conformada por un capacitor
que recibe carga o no, según vaya a almacenar un uno o un cero.
Como es natural que existan fugas en este tipo de componente, la información
almacenada se conserva gracias a la tensión de refresco, la cual repone la carga del
capacitor cíclicamente.
2, Boletín Informativo Nº11.
La frecuencia de la señal de refresco puede alcanzar valores de 500 Hertz (2
milisegundos) debido a que constructivamente los capacitores son muy pequeños (por
ello pierden carga rápidamente), con los fines de ocupar menor espacio y tener una
velocidad alta en los cambios de estado.
Con este tipo de RAM los fabricantes han ahorrado en gastos de producción, pues es
mucho más fácil "integrar" un capacitor, aprovechando la capacidad del substrato,
que integrar Flip-Flop's. Por ello han reducido el tamaño de la célula, lo que
permite mayor capacidad de memoria por integrado, y han disminuido el consumo del
chip, con lo que los rangos de temperatura de trabajo se han reducido notablemente.
Además de esta última ventaja, han agregado la posibilidad de trabajo STAND-BY para
cuando el micro no trabaja con el chip, con la cual el mismo sólo consume unos pocos
milivatios, pues en ese estado son inhibidas todas sus funciones, menos la de
refresco.
El otro gran grupo de tipos de memoria es el de sólo lectura. Con esto se significa
que el micro puede acceder a la información grabada en este tipo de memoria, pero no
modificarla.
Para comenzar destacaremos a las memorias de sólo lectura no modificables, que son
las ROM y las PROM. ¿Qué queremos decir con esto? Que este tipo de memorias, una
vez grabadas, no son dables a ser reprogramadas. Quedan con lo grabado por los
siglos de los siglos.
El otro subgrupo de memorias de sólo lectura está conformado por las memorias
reprogramables. A su vez, entre ellas existen diferencias en su modo de borrado y
reprogramación.
Memorias EPROM
El subgrupo de las EPROM (Eraseable PROM) se destaca por que constructivamente sus
componentes tienen una ventana que se halla directamente sobre la matriz del chip.
Cuando se hace necesaria una regrabación del chip, se somete al mismo a una
radiación de luz ultraviloeta muy intensa, con lo que se borra el contenido
almacenado y se torna disponible para una nueva grabación.
Memorias E²PROM
El otro subgrupo es el de las EEPROM ó E² PROM(Electrically Eraseable PROM), cuyo
método de borrado y grabación consiste en la aplicación, de una manera determinada,
de pulsos de tensión. En las memorias más antiguas de este tipo se precisaba una
línea de tensión de valor bastante superior al de alimentación del chip. Hogaño, ya
se encuentran algunas que manejan la operación de escritura sólo con la tensión de
alimentación normal.
Este grupo tiene una capacidad de memoria bastante inferior a la de las EPROM
debido a su complejidad estructural intrínseca. Pero tienen la ventaja de ser
regrabables durante un procesamiento de datos, sin sacarlas de su emplazamiento. Son
básicamente de sólo lectura; pero pueden ser usadas como de escritura "lenta"
(Alrededor de 10 mS) para el almacenamiento prolongado de nuevos datos.
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