TECNOLÓGICO NACIONAL DE MÉXICO

“Beta y su concepto”
Israel Azael Rosas Chávez
Instituto tecnológico superior de Irapuato, Silao-Irapuato km 12.5 El Copal, 36821 Irapuato, Gto.
Tel. 462-288-64-03, israel-azael@hotmail.es

Resumen:
La siguiente investigación tiene la finalidad de comprender el funcionamiento del factor de
amplificación de corriente en directa con el emisor común, con relación a la configuración
aplicada en circuitos que permita identificar el principio de eficiencia de un transistor bjt y
configuraciones a partir de las características del colector.
I. Introducción y huecos generados en la zona de barrera
(corriente de generación) y portadores
Cuando se estudia el principio de
minoritarios de la región p (electrones) y
funcionamiento de un transistor de bjt, se
n (huecos). Cualquier hueco que nace en
tienen parámetros que nos indican si es
la región n a una distancia menor que la
npn o pnp y en ellos las características de
longitud de difusión tiene la probabilidad
funcionamiento de los diodos y el voltaje
de alcanzar la región de agotamiento,
de ruptura que tienen, por ende, cuando se
sucediendo que el campo eléctrico lo
habla del parámetro beta, se comprende
mandara a la base del colector
que nos indica la eficiencia del transistor,
inmediatamente. Generando que no todos
relacionada con la corriente de colector
los huecos puedan recombinarse con los
con la corriente de base, cuanto mayor es
electrones de la base, ya que son
el número de beta, más eficiente es el
capturados por el campo de barrera del
transistor, donde el transistor funcionara
colecto. Dando así, que mientras más
con una corriente de base pequeña pero
pequeña sea la región de la base, mayor
capaz de entregar una corriente de
será el número de huecos que llegan al
colector grande.
colector. [2]
II. Desarrollo
Teniendo esto en cuenta se dice que la
Cuando hablamos de beta se comprende corriente que debe ser amplificada se
como la relación de la corriente de aplica a la base, y la señal de salida se
colector y la corriente de base del registra en el emisor o colector. Esta señal
transistor, donde sabremos cuantas veces será amplificada. El factor de
es mayor la corriente de colector que la amplificación, también llamado ganancia
corriente de base, donde se evalúa la de corriente, se detona por β y se define
eficacia del transistor al realizar su como la razón entre las corrientes del
función dentro de un circuito eléctrico, En colector y la base. Ecuación 1.[3]
esto se entiende que cuando se polariza
I c =β∗I b
una pequeña corriente que fluye a través
de la unión base colector. Esta corriente 1.1 ecuación de beta
es la de saturación. La forman electrones

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Por consiguiente, se comprende que los
huecos que dejan al emisor, o se
recombinan con la base o se marchan
hacia el colector. De esta manera se tiene.
[3]
α de un circuito equivalente hibrido y fe
β=
1−α
1.2 Ecuación de beta
donde α es el factor de transporte de la
base.
Fig.1.1 la corriente que circula por el
colector está controlada por la diferencia
de voltaje entre el emisor y la base.
Cuando se tiene que los niveles de cd
están relacionados con beta y en ellos
determinan un punto de operación
particular en las características. Denotado
por los niveles I c −I b en la ecuación de
beta.[1]
Ic
β cd =
Ib
dispositivo con β=200, la corriente del
colector es 200 veces a la magnitud de la
corriente de la base. En las hojas de
especificaciones normalmente se
especifica β cd como h fe, donde h proviene
proviene de la amplificación de corriente
directa y la configuración emisor común.
Por ello cuando se habla de β se
comprende como el factor de
amplificación de corriente directa en el
emisor común, ya que normalmente la
corriente de salida para una configuración
en emisor común y la corriente en la base
es la corriente de entrada.[1]
Ahora para realizar el cálculo de para una
región de las características definidas por
un punto de operación, se requiere de una
restricción en la constante en el trazo de
una línea vertical al voltaje y el cambio
dado por la ecuación dada de I b, por
consiguiente se eligen dos puntos a uno u
otro a lado del punto a lo largo del eje
vertical a distancias aproximadamente
iguales a uno u otro lado del punto en esta
situación. Fig. 1.2. [1]

1.2 Ecuación de beta

De esta manera se comprende un rango
para los dispositivos en donde beta
aproximadamente 50 a más de 400, con
mayores valores en el intervalo medio,
como para α, el parámetro de beta revela
la magnitud relativa de una corriente con
respecto a otra. En el cual para un

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Fig.1.2 Determinación de beta a partir de

las características del colector.

Si las características de un transistor son

parecidas a la fig.1.2. El nivel de beta
seria el mismo en todas las regiones de las
características. Tomando en cuenta que el
incremento de beta es fijo de 10 μ y la
separación entre las curvas es la misma.
[1]

1) R. L. Boylestad, L. Nashelsky,
Electrónica: teoría de circuitos y
dispositivos electrónicos, Décima
edición, 2009, Pearson, Ciudad de
México, Pág.223-226.
2) M. Rayas, J. L. Trueba,
Electromagnetismo, circuitos y
Fig.1.2 características de beta en las semiconductores, Primera edición,
cuales es la misma a cualquier parte. 2007, Madrid, Dykinson. Pág.274-
280.
3) J. A. Leñero. Bardallo,
Fundamentos de la electrónica y
los semiconductores, Primera
edición, 2018, Cádiz, Servicio de
Publicaciones de la Universidad
de Cádiz, Pág. 112-120.