1.

1
Sólidos cristalinos
Estados: Sólido, lı́quido, gaseoso, plasma, BEC →Fases
Orden: Propiedad que tienen algunos conjuntos de cosas (átomos, iones, moléculas,
. . . ). Indica que si se conoce la disposición (posición, estado) de una de las cosas, existe
un n◦ determinado de cosas (siguientes, contı́guas, . . . ) de las que podemos determinar
su disposición.
Alcance (del orden): Distancia caracterı́stica en la que existe orden.
~ ∀~x PROP.(~x) = PROP.(~x + d)
Invariancia translacional discreta: ∃d; ~
ˆ ∀ ∈ < ∀~x PROP.(~x) = PROP.(~x + d)
Invariancia translacional continua: ∃d; ˆ
Invariancia bajo rotaciones continuas: ∀~x PROP.(~x) = PROP.(k~xk)
Homogeneidad, isotropı́a, anisotropı́a. Ejemplo: cemento armado vs. gelatina

Material fundido - fluct., T ↓ → centro de solidificación → semillas aleatorias → granos

→ lı́mite de grano → Material policristalino.
Fluctuaciones=f(control del proceso de enfriamiento, τ )
τ ↑↑ → monocristales, τ ∼ → policristales, τ ↓ → vı́treos, amorfos
Estados metaestables e inestables
Empaquetados óptimos: Capas rı́gidas (enlace: Van der Waals o metálico)
en cristales iónicos: + de 1 especie. Adireccional ⇒ empaquetado compacto
Si anión no toca catión ⇒ inestable
r+ /r− determina aprox. la estructura
en enlaces covalentes: función de onda direccional ⇒ + estructuras

Grafito (enlace mixto: covalente en planos y VdW interplanos) → dureza pequeña y

caracterı́sticas metálicas anisótropas

Sb, Bi (VB): Comportamiento metálico (enlaces interplanos) → en fase lı́quida se

pierde la covalencia en planos → empaquetamiento compacto → se contraen

© W. González-Viñas
 1.1.a

Buckminsterfullereno (C60)

C60 (buckminsterfullereno) FCC ρ =1.65g/cm3, aislante, a=1.4nm ν = 108Hz

K3C60 metal molecular, T < 18K superconductor
© W. González-Viñas
Impurezas ⊂ C60 ⇒ semiconductor
 1.2
Red de Bravais
d
~ =
X
R ni~ai
a i=1 a’
B
C
A D
BCC FCC
recíprocas
a3 E a1 a2
a2
kj k j a3
O
i a1 i
0 0 0
~a1 = aı̂, ~a2 = a̂, ~a3 = a2 (ı̂ + ̂ + k̂) ~a1 = a2 (̂ + k̂), ~a2 = a2 (ı̂ + k̂), ~a3 = a2 (ı̂ + ̂)
– Celda de Wigner-Seitz © W. González-Viñas
+
– – Celda unidad primitiva
n◦ coord. 8 n◦ coord. 12
−−→ −−→ −−→ −−→ −−→ −−→
OE = [110], OC = [002], OB = [1̄02] (OE) (OB) (OD)
−−→ −−→ →
OA = [1̄1̄2], OD = [01̄2] < 110 > = < 1̄02 > = < 01̄2 > = . . .
Base: entidad
h i fı́sica
h en cada i nudo hn oi
~ a ~ a
BCC=SC 0 +SC 2 (ı̂ + ̂ + k̂) =SC 0, 2 (ı̂ + ̂ + k̂)
h i h i hn oi
~ a ~ a
“SZn”=FCC 0 +FCC 4 (ı̂ + ̂ + k̂) =FCC 0, 4 (ı̂ + ̂ + k̂)
h i hn oi
“NaCl”=FCC ~0 +FCC 2 ı̂ =FCC ~0, 2 ı̂
a  a

Polimorfismo, alotropı́a
Sistemas cristalinos (7): cúbico (3), tetragonal (2), ortorrómbico (4),
monoclı́nico (2), triclı́nico (1), hexagonal (1), trigonal (1)
·7 grupos puntuales (base simetrı́a esférica)
·14 redes de Bravais←grupos espaciales 3-d (base simetrı́a esférica)
·32 grupos puntuales cristalográficos (base arbitraria)
·230 estructuras cristalinas←grupos espaciales cristalográficos (base arbitraria)
Empaquetados óptimos:
FCC(12, fea=0.74) CPH(12,0.74) BCC(8,0.68) SC(6)
C60, Zn, Cd, Ti, Mg, Co Cr, Fe, W Po
(2 espec.) BCC(r + /r− ≥0.73) “NaCl”(r +/r− ≥0.414) “ZnS”
CsCl, 8 NaCl, 6 C, ZnS, 4
 1.3
Red recı́proca
~ son los nudos de una red de Bravais, los {K}
Si {R} ~ que verifiquen
~ ∃n ∈ Z K
∀R ~ ·R
~ = 2πn son los nudos de la red recı́proca
~
recı́pr.(recipr.(R)) recipr.(BCC)=FCC recipr.(SC)=SC·α
Primera zona de Brillouin=Celda de Wigner-Seitz de la red recı́proca
Índices de Miller (nms): componentes del menor vector de la red recı́-
proca normal al plano considerado, en la base de los
vectores primitivos de la red recı́proca
{nms}: planos cristalográficos equivalentes

~b1 = 2π ~a2 × ~a3 ~b2 = 2π ~a3 × ~a1 ~b3 = 2π ~a1 × ~a2 ⇒ ~ai · ~bj = 2πδij
~a1 · ~a2 × ~a3 ~a1 · ~a2 × ~a3 ~a1 · ~a2 × ~a3

Cristal nudos (= ion = núcleo + e− interiores) a T=0K



e− de valencia
Potencial: iones + e− de valencia
(periódico)

Potencial efectivo: iones + e− de valencia (excepto 1)

(periódico)
N átomos multi-e− −→ 1 e− en potencial efectivo
Teorema de Bloch: Vef. periódico (periodo ∼ red de Bravais)
~
⇒función de onda Ψ~k = U · eık·~r , U periódica
© W. González-Viñas
⇒los estados del cristal se pueden etiquetar por ~k (+ spin) ∈ espacio
recı́proco. E(~k) ∼ banda de energı́a
→E(~k) periódica en la red recı́proca
→partı́culas con M anisótropa y distinta de me− (<0 ó >0)
→de forma efectiva (sin implicar restricción) supondremos M>0, modifican-
do q para tener comportamientos correctos

1 ∂ 2E
Mij−1 ∼ 2
~ ∂ki∂kj
 1.4

Estructura de bandas del Na (1s22s22p63s1)

Energía
compacto dos átomos

3p

3s e− valencia

2p

2s
1s

Distancia
equilibrio aislado

Principio de exclusión de Pauli

-Interacción de Pauli ⇒ desdoblamiento de lineas
↓ ↓ © W. González-Viñas
distancia distancia
-N átomos; N ∼ 1023 ⇒ cuasicontinuo de lineas (bandas)
de estados de energı́a
-Bandas separadas por zonas libres de estados ⇒ zonas prohibidas
-Los e− llenan las bandas de energı́a por orden creciente de energı́a
(espı́n 1/2) ⇒ energı́a de Fermi, superficie de Fermi
-Banda de valencia, banda de conducción
↓
campo cristalino ≈ 0 → e− gas de Fermi →libre
→interactuante
Gas de Fermi libre: (si no: por zonas)
Vcelda unid.
densidad de estados (espacio recı́proco) → (2π)3

#e− valencia = 4π 3 V
k
3 F (2π)3
·2

~2 kF2
EF = 2m
 1.5
Semiconductor-aislante (frontera)

a=3.57Å
Bandas de energía (C: diamante)
15
E(eV)

10



































































































































































































5
















































































BANDA




























































































































 






















 



 



 



 



 



 



 



 



 



 



 



 



 



 



 



 



 



 



 



 



 



 




 



 












































E

=5.5eV PROHIBIDA



















































































0







































g


















































































































































































































 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 







 




























































































































































































































−5 
































































































































−10

−15
L Γ X U,K Γ
1/2(1,1,1) (0,0,0) (0,1,0) 5/8(0,1,1) k

K L

U Γ © W. González-Viñas
a
X 1 zona de Brillouin
diamante = fcc[{~0, a4 (1, 1, 1)}]

-Las bandas de energı́a se etiquetan con ~k

Momento cristalino : ~~k
-Las bandas vacı́as no contribuyen a la conducción (sin e− )
-Las bandas llenas no contribuyen a la conducción (#e−(~k) = #e−(−~k))
aunque haya campo E ~
-Tampoco a la magnetización (#e−(↑) = #e−(↓))
aunque haya campo H ~
 1.6
Semiconductor intrı́nseco

Bandas de energía (Ge) a=5.66Å

15
E(eV)

10

5
           e  ligeros −                           
0                                      
                                      
e− pesados
Banda prohibida E g =0.67eV

           h  pesados                           
h ligeros
−5

−10

−15
L Γ X U,K Γ
1/2(1,1,1) (0,0,0) (0,1,0) 5/8(0,1,1) k

© W. González-Viñas
-En muchos casos las transiciones de menor energı́a permitidas conlle-
van un cambio en el momento cristalino (transiciones indirectas)
⇒ P~ se conserva por otros mecanismos
−→ vibraciones de la red (fonones)
-Cerca de los mı́nimos y de los máximos de las bandas los e− y los huecos
interactúan mucho menos ⇒≈ libres
 1.7
-Si se aplica un potencial externo lentamente variable (Ep = αx; λcampo 
λinterat. ) éste modifica en cada punto el origen de energı́as

E E

B. C.
Banda prohibida
B. V. αx
x x
V=ex
V=0
T=0K Ep= α x

-En un átomo con comportamiento metálico, las capas electrónicas es-

tán semillenas ⇒ la energı́a de Fermi está dentro de una banda de
energı́a (banda de conducción) que está semillena. La corriente eléc-
trica es 0 (E(~k) = E(−~k)), pero si se impone un campo eléctrico hay
conducción electrónica ⇒ material conductor
L
E E
Energía de Fermi
I e

e e
x x

E=−eV V
T=0K

© W. González-Viñas
 1.8
-En un semimetal el máximo de la banda de valencia está por encima
del mı́nimo de la de conducción ⇒ en el estado de mı́nima energı́a la
banda de valencia no está llena del todo y hay algunos (pocos) e− en
~ hay conducción, pero poca ⇒
la banda de conducción. Si se aplica E
material semimetálico
L
E
E

Banda de conducción

Banda de valencia
x
x

V
E=−eV
T=0K

-En un aislante, la banda de valencia está llena y separada de la de

conducción por una banda prohibida. Aunque se aplique E ~ a T = 0K NO
hay conducción electrónica (princ. exclusión de Pauli evita el mov. de
e−) ⇒ material aislante
L
E E
E’g < Eg

Banda de conducción
Band−gap

Eg Zona prohibida E’g

Banda de valencia

x x

V
E=−eV
T=0K

Diferencia entre aislante y semiconductor intrı́nseco : magnitud del

“band-gap”: aislante & 2 − 3eV © W. González-Viñas
semiconductor . 2eV
 1.9
−
Promoción de e en aislantes
Efecto túnel, transiciones indirectas (band-gap’s indirectos, es necesaria
la conservación del momento total)
L
E
T=0K
E=−eV
e−

© W. González-Viñas
Promoción por agitación térmicas, fotoconductividad

Energı́a de promoción Eg . hν opaco

KB T  E g Eg > hν transparente

E E

hν
−
e

x x
T>0K T=0K

(@Eg → metales opacos a la luz visible)

 1.10
Semiconductores extrı́nsecos impurezas y defectos
nuevas propiedades optoelectrónicas
Niveles poco profundos: → impurezas quı́micamente similares ⇒ apare-
cen niveles cercanos a las bandas
Nivel donador (impureza donadora. Ej. P (5 e− val.) en Si (4 e− val.)) ⇒
+e− ⇒ nivel cercano a banda de conducción ⇒ a T>0K #e−#h →
semiconductor tipo N (n>p) → carga móvil. Carga estática → 0/+
E E n>p (tipo N)

0 +
e

x x
T=0K T>0K

Nivel aceptador (impureza aceptadora. Ej. B (3 e− val.) en Si (4 e− val.)) ⇒

−e− ⇒ nivel cercano a banda de valencia ⇒ a T>0K #h#e− →
semiconductor tipo P (p>n) → carga móvil. Carga estática → 0/−
E E p>n (tipo P)

0
e _

x x
T=0K T>0K

Niveles profundos: → impurezas muy distintas ⇒ niveles alejados de las

bandas (p. ej. Au en Si). Carga estática → +/0/−
E

0.555eV
1eV
0.343eV

x
T=0K

poco profundos: modif. prop. electrónicas (∃+ carga móvil))

Niveles © W. González-Viñas
profundos: afecta prop. ópticas (nuevas lineas de absorción y emisión)
 1.11
Diferencias estructura sólido–molécula

• átomos
•regularidad (cristalinos)
distancia entre planos, orientación
posición átomos, iones o moléculas

Difracción = λ . distancia interplanos ∼ 10−10m ⇒ radiación X (o γ)

desviación propagación rectilinea → patrón interferencia:
(6= reflexión, refracción) ondas dispersadas por cada átomo
modulación (factor) por el tipo de átomo
átomos Z ↑ difracción + eficaz

difracción (Σ tipos de átomos ) = Σ difracción tipos de átomos

planos distancia densidad centros dispersores

a d1 1/d1
b d2 0.7/d1 =1/d2
c d3 0.45/d1 =1/d3

b b b c c c
a
d2 d3 d1
a

© W. González-Viñas
 1.12

1 2
θ θ
3
4 interferencia
difracción
5 constructiva
de
Bragg 2dsin θ =mλ
6 d
mλ
2d ≤ 1

cond. Bragg: expresa refuerzo entre todos los rayos que inciden con
un ángulo para un grupo de planos paralelos.

d, λ fijos ⇒ máx. y mı́n. (interferencia destructiva)

si conocemos λ podemos determinar d

⇒ haz de rayos monocromático, paralelo

Tubo de rayos X Detector

θ
Ranura θ
θ Cristal

espectrómetro de cristal

© W. González-Viñas
 1.13

Pantalla

manchas
de Monocristal

Laue Rayos X
Rayos X dispersados
incidentes

(a) (b)

cristal en polvo
∼ policristal
∼ material no cristalino

⇓
direcciones al azar
⇓
patrón de Debye-Scherrer
∼
manchas de Laue
rotadas

© W. González-Viñas
Cristal
pulverizado
patrón de φ
Debye-Scherrer

(a) (b)