CAPITULO VIL: — CIRCUITOS, MODELOS DE DIODOS Y FUENTES DE ALIMENTACION 7.4. INTRODUCCION Desde el descubrimiento del efecto rectificador de la union p-n en la década de los 40, se ha desarrollado una gran variedad de dispositivos cuyo funcionamiento esté basado fundamentalmente en las propiedades de la unién p-n. Entre ellos, cabe destacar sobre todo los disposttives opto-electrénicos, tales como los fotodetectores y los diodos emisores de luz, asi como los modemos diodos laser. Entre las muchas aplicaciones de estos dispositivos hay que citar por ejemplo el campo de las comunicaciones por fibra 6ptica, mediante las cuales es posible transmitir mucha mayor informacién que en los sistemas de comunicacion por cable convencional. En este capitulo se trata de dar una vision general de los fundamentos fisicos de los diodos de unién p-n, con la relacién de sus variables en los circultos electrénicos, mas 0 menos complejos, desarrollados para sacar mejor partido de ellos. 7.2. APROXIMACIONES DE DIODOS En la seccién anterior vimos que la unién p-n permite un flujo abundante de carga cuando da una polarizacién en directa, y un nivel muy pequefio de corriente cuando la polarizacién es en inversa. Ambas condiciones se resumen en la figura 7.1 con el vector de cortiente grueso en la figura 7.1 en correspondencia con la direccidn de la fecha del simbolo de diodo y el vector significativamente menor en la direccion opuesta de la figura 7.1b, que representa la corriente de saturacién en inversa. Una analogia utilizada con frecuencia para describir el comportamiento de un diodo semiconductor es un interruptor mecanico. En la figura 7.1a el diodo esta actuando como un interruptor cerrado que permite un flujo abundante de carga en la direcci6n indicada. En la figura 7.1b el nivel de cortiente es tan pequefio en la mayoria de los casos que puede ser aproximado como 0 A y representado por un interruptor abierto. + Vo _ Ww 4 o—p}—_+ — —- <_— Ip Is a. (a) (b) Figura 7.1. Diodo semiconductor ideal: (a) polarizado en directa; (b) polarizado en inversa. En otras palabras: El diodo semiconductor se comporta como un interruptor mecdnico en el sentido de que puede controlar el flujo de corriente entre sus dos terminales. Sin embargo, también es importante tener en cuenta que:El diodo semiconductor es diferente del interruptor mecdnico en el sentido de que cuandd éste se cierra s6lo permite que la corriente fluya en una direccién. Idealmente, para que el diodo semiconductor se comporte como un cortocircuito en la region de polarizacion en directa, su resistencia debera ser de 0 Q. En la region de polarizacién en inversa su resistencia deberé ser de» Q para representar el equivalente a Un circuito abierto. Tales niveles de resistencia en las regiones de polarizacién en directa y en inversa producen las caracteristicas de la figura 7.2. Caracteristicas ideales a. \ To 10 ma Vp Caracteristicas reales Figura 7.2. Caracteristicas de semiconductor ideales contra reales. 7.2.4. Circuito equivalente Un circuito equivalente es una combinacién de elementos apropiadamente seleccionados para que representen mejor las caracteristicas terminales reales de un dispositivo 0 sistema en una regién de operacién particular. En otras palabras, una vez que se define el circuito equivalente, el simbolo del dispositive puede ser eliminado de un esquema y el circuito equivalente insertado en su lugar sin afectar gravemente el comportamiento real del sistema. Con frecuencia. el resultado es una red que se puede resoiver con técnicas tradicionales de andlisis de circuito.Tipo Condiciones Modelo Caracteristicas Modelo lineal por segmentos eet rm iadel o % ~*F ‘des! Modelo simpliticado Ra owe it t—- . Vy did. «teat + Dispositivo ideal Rea 7 Tprom >———-< ~ Engg > Vg odo = ‘deal Figura 7.3. Modelos de circuitos equivalente. 7.3. RESISTENCIAS DEL DIODO En la practica, ningun diodo es un diodo ideal, este significa que ni acta como un conductor perfecto cuando esta en polarizado directa ni acta como un aislante cuando esta polarizado a la inversa. En otras palabras, un diodo real ofrece una resistencia muy pequefia (no cero) cuando estd polarizado directamente y se denomina resistencia directa. Considerando que, ofrece una resistencia muy alta (no infinita) cuando se invierte la polarizacion y se llama como resistencia inversa La corriente directa que fluye a través de un diodo puede ser constante, es decir, corriente continua 0 cambio, es decir, corriente altema. La resistencia directa se clasifica como: Resistencia estatica y Resistencia dinamica Resistencia estatica o DC Es la resistencia ofrecida por el diodo al flujo de CC a través de él cuando le aplicamos un voltaje de CC. Matematicamente, la resistencia estatica se expresa como la relacion de la tension de CC aplicada a través de los terminales del diodo a la CC que fluye a través de ella y produce un punto de operacién en la curva de caracteristicas que no cambia con el tiempo. La resistencia del diodo en el punto de operacién se halla determinando los niveles correspondientes de VD e ID como se muestra en la figura 7.4 y aplicando la siguiente ecuacién:Vp (V) Figura 7.4. Determinacién de la resistencia de cd de un diodo en un punto de operacion particular. Debido a la variacién quasi-exponencial de la intensidad con el vottaje, la resistencia estatica del diodo, esto es el cociente Vil, siendo | la corriente total, tiene un valor dependiente del voltaje aplicado. Por ello es mas frecuente usar en las especificaciones el valor del voltaje en directo, Vp, necesario para alcanzar una determinada corriente Ip. Asi mismo, se suele dar dentro de las especificaciones la corriente de saturacién en polarizacién inversa, Is. EJemplo 7.1. Determine los niveles de resistencia de cd del diodo de la figura 7.5 con: a. Ip = 2mA (bajo nivel) b. In = 20mA (alto nivel) c. Vp =-10 V (polarizado en inversa) Jom) Figura 7.5. Solucién: a. Con Ip = 2MA, Vp =0.5V (en la curva) yb. Con Ip = 20 MA, Vp = 0,8 V (enla curva) y Vy 0.8V Rp=—2 = = 400 Ty 20mA c. Con Vp = -10 V, Ip = -ls = -1 “A (en la curva) y ky = 2 = 1°" - oma DP In lpA L que confirma con claridad algunos de los comentarios anteriores con respecto 2 los niveles de resistencia de cd de un diodo. Resistencia de CA o dinamica Si se aplica una entrada senoidal en lugar de una de cd, la situacién cambiar por completo. La entrada variable moveré el punto de operacién instanténeo hacia arriba y hacia abajo de una regién de las caracteristicas, y por lo tanto define un cambio especifico de la corriente y voltaje como se muestra en la figura 7.6. Sin ninguna sefial variable aplicada, el punto de operacién seria el punto Q que aparece en la figura 7.6, determinado por los niveles de cd aplicados. La designacién de punto Q se deriva de la palabra quiescente, que significa ‘fijo o invariable”. one 1294 DAA. fara \ Figura 7.6. Definicion de la resistencia dinamica 0 resistencia de ca. Una linea recta trazada tangente a la curva por el punto Q como se muestra en la figura 7.7 definiré un cambio particular del voltaje y corriente que se puede utilizar para determinar la resistencia de ca o dinamica en esta region de las caracteristicas del diodo. Se debera hacer un esfuerzo por mantener el cambio de voltaje y corriente lo mas pecuefio posible y equidistante a ambos lados del punto Q.AV; Figura 7.7. Célculo de la resistencia dinamica en el punto P de funcionamiento del diodo. Se suele dar entonces como parémetro caracteristico del diodo la resistencia incremental 0 dindmica, definida como rs = (dV/dl), la cual depende obviamente del voltaje V en el punto de operacién. El valor de rq coincide con el inverso de la pendiente de la curva caracteristica del diodo en el punto de operacién AVg i Al, Donde A indica un cambio finito de la cantidad. Cuanto mas inclinada sea la pendiente, menor sera el valor de AV, con el mismo cambio de ls y menor es la resistencia. La resistencia de ca en la region de levantamiento vertical de la caracteristica es, por consiguiente, bastante pequefia, en tanto que la resistencia de ca es mucho mas alta con niveles de corriente bajos. En general, por consiguiente, cuanto mas bajo esté el punto de operacién (menor cortiente o menor voltaje), mas alta es la resistencia de ca. En polarizacién en directo, el valor de rs es siempre pequefio, en la region de unos pocos ohmios. En cambio para voltajes inversos, la resistencia rd es en general muy elevada. A menudo, desde un punto de vista practico, se hace una aproximacién lineal por tramos de la caracteristica | — V del diodo sustituyéndolo por una resistencia infinita para voltajes inferiores al umbral y por una resistencia constante igual al valor de rg (para el voltaje de trabajo) en la region de voltajes superiores al umbral (linea a trazos en la figura anterior). En la region de ruptura el diodo se sustituye también a veces por una resistencia de valor cero Ejemplo 7.2. Para las caracteristicas de la figura 7.8: a. Determine la resistencia de ca con Ip = 2 mA b. Determine la resistencia de ca con Ip = 25 mA. c. Compare los resultados de las partes (a) y (b) con las resistencias de cd en cada nivel de corriente.oh ban uid OP ar or as Ua OS 06 07-08 09 1 To aN Figura 7.8. Ejemplo 7.2. Solucién: a. Con Ip = 2 mA, la linea tangente en |p = 2 mA se traz6 como se muestra en la figura 1.27 y se eligié una variacién de 2 mA por encima y debajo de la corriente de diodo especificada. Con Ip = 4 mA, Vp = 0.76 Vy con Ip = 0 MA, Vp = 0.85 V. Los cambios resultantes de la corriente y voltaje son, respectivamente, Ala =4 mA -OmA=4mA AVg = 0.76 V - 0.65 V=0.11V Y la resistencia de ca es AVy _ O.11V = = 27502 Al, 4mA va b. Con Ip = 25 mA, la linea tangente en Ip = 25 mA se trazé como se muestra en a figura 1.27 y se eligié una variacién de 5 mA por encima y debajo de la corriente de diodo especificada. Con Ip = 30 MA, Vp = 0.8 Vy con Ip = 20 mA, Vp = 0.78 V. Los cambios resultantes de la corriente y voltaje son, respectivamente, Ald = 30 mA -20mA= 10 mA AVd = 0.8V -0.78 V=0.02V Y la resistencia de ca es: _ AV, _ 0.02V Al, 10mA =20 va c. Con In = 2 MA, Vo=0.7VyVp _ 0.7V Rp=7-= Ip 2mA La cual excede por mucho la re de 27.5 2. Con Ip = 25 mA, Vp = 0.79Vy _ Vy _ 0.79V Ip 25mA = 31.620 'D La cual excede por mucho la ra de 2 2. 7.4. ANALISIS CIRCUITAL CON Vo = f (Vi) = 3500 Figure 7.10: (a) Circuito equivalente. (b) Comportamiento del diodo. (c) Curva volvi.R Figure 7.11: (a) Circuito equivalente. (b) Modelo del diodo. (c) Curva volvi. 7.5. ANALISIS POR MEDIO DE LA RECTA DE CARGA El andlisis de circuitos electrénicos puede seguir uno de dos caminos: utilizar las caracteristicas reales, o aplicar un modelo aproximado para el dispositivo. Para el andlisis inicial de! diodo incluiremos sus caracteristicas reales para mostrar con claridad cémo interactuian las caracteristicas de un dispositivo y los parametros de la red. Una vez que haya confianza en los resultados, se empleard el modelo por segmentos aproximado para verificar dichos resultados utilizando las caracteristicas completas. Es importante entender el rol y la respuesta de varios elementos de un sistema electrénico para no tener que recurrir continuamente a procedimientos matematicos larguisimos. Esto en realidad se logra por el proceso de aproximacién, el cual puede llegar a ser una habilidad para usted. Aunque los resultados obtenidos por medio de las caracteristicas reales suelen ser algo diferentes de los obtenidos mediante una serie de aproximaciones, tenga en cuenta que las caracteristicas obtenidas de una hoja de especificaciones pueden ser ligeramente diferentes de las del dispositivo en uso. El circuito de la figura. se reduce a determinar los niveles de corriente y voltaje que satisfagan, al mismo tiempo, tanto las caracteristicas de! diodo como los parémetros seleccionados de la red Ip (ma) Ip, >t Yo = + «Sr 0 Vv) (@ ) Figura 7.12. Configuracién del diodo en serie: (a) circuito; (b) caracteristicas.En la figura las caracteristicas del diodo se colocan en el mismo sistema de ejes como una linea recta definida por los pardmetros de la red, la cual se llama recta de carga porque la carga aplicada R define la interseccién en el eje vertical. Por consiguiente, el andlisis a seguir se llama andlisis por medio de la recta de carga. La interseccién de las dos curvas definira la solucion para la red, asi como los niveles de corriente y voltaje. EI hecho de que la direccién de esta corriente sea la misma que la de la flecha que aparece en el simbolo del diodo revela que éste esta “encendido” y que conduciré un alto nivel de cortiente. En otras palabras, el voltaje aplicado produjo una situacién de polarizacién en directa. Con la direccién de la corriente establecida, las polaridades del voltaje a través del diodo y el resisior se pueden superponer. La polaridad de Vo y la direccién de Ip revelan con claridad que el diodo si se encuentra en estado de polarizacién en directa, lo que produce un voltaje a través del diodo de aproximadamente 0.7 Vy una corriente de 10 mA 0 mas. Las intersecciones de la recta de carga con las caracteristicas de la anterior figurase determinan aplicando primero la ley de voltajes de Kirchhoff en el sentido de las manecillas del reloj, lo que da por resultado. +E-Vp-V, E=Vp)+IR 0 7A Las dos variables de la ecuacién (7.1), Vo e lp son las mismas que las de! diodo que aparecen en los ejes de la figura 7.12b. Esta semejanza permite graficar la ecuacién (7.1) en las mismas caracteristicas de la figura 7.12b. Las intersecciones de la recta de carga con las caracteristicas se determinan facilmente sabiendo que en cualquier parte del eje horizontal Io = 0 A. y que en cualquier parte del eje vertical Vo = 0 V. Si establecemos que Vo = 0 V en la ecuacién (7.1) y resolvemos para Ip, obtenemos la magnitud de Ip en el eje vertical. Por consiguiente, con Vp = 0 V, la ecuacién (7.1) se vuelve E=Vp+bR OV +IpR =0V 72 Como se muestra en la figura 7.13. Si establecemos que Ip = 0 en la ecuacién (7.1) y resolvemos para Vo, obtenemos la magnitud de Vp en el eje horizontal. Por consiguiente, con Ip=0, la ecuacién (7.1) se vuelve: E=Vp+ IR = Vp + (OA)R Vp = Elion 73Ip Carscteristicas (dispositive) punto @ Recta de carga (red) Yep E Yo Figura 7.13. Dibujo de la recta de carga y la seleccién del punto de operacién. Como se muestra en la figura 7.13. Una linea recta trazada entre los dos puntos definird la recta de carga como se ilustra en la figura 7.10. Si cambia el nivel de R (la carga), la interseccién con el eje vertical también lo hard. El resultado seré un cambio de la pendiente de la recta de carga y un punto de interseccién diferente entre ésta y las caracteristicas del dispositivo. Ahora tenemos una recta de carga definida por la curva de la red y la curva de las caracteristicas definidas por el dispositivo. El punto de interseccion entre las dos es el punto de operacién de este circuito. Basta trazar una linea hasta el eje horizontal para que podamos determinar el voltaje de! diodo Vo, en tanto que una linea horizontal desde el punto de interseccién hasta el eje vertical proporcionara el nivel de Ipa. La corriente Ip es en realidad la que circula a través de toda la configuracion en serie de la figura 7.12a. En general, el punto de operacién se llama punto quiescente (abreviado “punto Q”) para reflejar sus cualidades “fijas, inamovibles” como definidas por una red de cd La solucién obtenida en la interseccién de las dos curvas es la misma que se obtendria por medio de una solucién matematica simulténea de: E VW Ip - = 1 (ols — OR OR [derivada de la ec. (7.1)] In = Le 1) Ejemplo 7.3. Para la configuracién del diodo en serie de la figura 7.11a, que emplea las caracteristicas de la figura 7.14b, determine a. VoaY loa b. VeA fp (ma) »4-- t+ oy = wt >I ot when t » * + OSEM Vy EHH} po OP os o8 TH) + ay o Figura 7.14. a) Circuito b) Caracteristicas Solucion: E 10V Ibe | = 20mA R\y,-ov De ecuacién 7.2. ~ 05kO De ecuacion 7.3, V0 = Elion = WV La recta de carga resultante aparece en ia figura 7.15 H/o (ma) _-- Reta de carga olost 2 3 4 +=«5 +6 7 8 10 ¥,(V) \ Vp, = 0.78 V a Figura 7.15 La interseccién entre la recta de carga y la curva de las caracteristicas define el punto Q como: Voo=0.78V Ino = 18.5 mA El nivel de Vo es ciertamente una estimacion y la escala seleccionada limita la precision de Ip. Un mayor grado de precisién requeriria una grdfica mucho més grande y tal vez compleja de manejar.b. Va =IaR = IpaR = (18.5 mMA\(1 kQ) = 18.5 V 7.6. CONFIGURACIONES DE DIODOS EN SERIE CON ENTRADA DC 7.7. CONFIGURACIONES DE DIODOS EN PARALELO Y EN SERIE-PARALELO