Universidad Nacional Autónoma De México.

Facultad de Ingeniería

Física de semiconductores

“Implantación iónica”

PROFESORA: DRA. FÁTIMA

MOUMTADI

GRUPO: 1.

Semestre: 2018-2.
INTRODUCCIÓN
Para la construcción de dispositivos electrónicos es necesario introducir localmente
en el semiconductor cantidades controladas de impurezas en posición sustitucional
(dopantes). Para ello se utilizan generalmente alguna técnica, la necesidad de
encontrar materiales capaces de trabajar en condiciones cada vez más extremas y
agresivas ha hecho que se hayan desarrollado toda una serie de técnicas de
modificación superficial encaminadas a obtener nuevos materiales en superficie, con
propiedades diferentes a las del material base o imposibles de obtener por métodos
tradicionales. Entre estas técnicas destaca la implantación iónica, que consiste en
la aceleración y proyección de iones contra una superficie. Gracias a la energía
cinética del ion, éste penetra en la red cristalina produciendo una alteración
superficial en el comportamiento mecánico y químico, así como también en las
propiedades eléctricas, ópticas e, incluso, magnéticas.

Desde el punto de vista químico, las superficies modificadas pueden desarrollar una
serie de mecanismos protectores - por modificación en las propiedades de
adherencia de los óxidos formados o por formación de capas pasivas- que
prolongan la vida en servicio de los materiales metálicos tanto frente a la corrosión
electroquímica como a la originada por altas temperaturas.

La idea de la implantación de impurezas de semiconductores por bombardeo iónico

fue patentada por William Shockley en 1954 en los laboratorios Bell. En los últimos
años se ha convertido en una de las formas más habituales de introducir impurezas
en los semiconductores.

William Shockley

DESARROLLO
La implantación iónica es un proceso para dopar impurezas en un semiconductor,
controlando la cantidad de átomos y profundidad introducida.
Consiste en la aceleración de un haz de iones a una velocidad determinada y
hacerlo incidir contra la superficie de una muestra. Gracias a la energía cinética del
ion, éste penetra en la red cristalina produciendo una alteración superficial en el
comportamiento mecánico y químico, así como también en las propiedades
eléctricas, ópticas o magnéticas y estructurales.

Dependiendo de la energía con la que estos átomos llegan a una superficie se

pueden dar tres procesos diferentes: Si la energía es muy baja (10 Voltios de
aceleración) los átomos se depositan en superficie, creándose un recubrimiento. Si
la aceleración es mayor (500 Voltios) predomina un proceso de pulverización de la
superficie conocido como Sputtering. Puede ser útil para limpieza superficial o para
evaporar materiales para recubrimientos. Finalmente, a energías mucho mayores
 (100.000 Voltios), los átomos penetran dentro de la superficie incrustándose a una
profundidad de muchas capas atómicas.

Diferentes profundidades de la implantación iónica.

Proceso
 La implantación iónica consiste en bombardear iones de la impureza
(obtenidos de un plasma de esta) en una cámara de vacío sobre la
superficie de un material.
 Los iones de impurezas penetran en el sustrato con una alta energía y
pierden su energía mediante colisiones con los núcleos y los electrones
que acaban deteniéndolos.
 Los iones quedan parados a una determinada distancia de la superficie de
la oblea formando un perfil de implantación.
Implantador iónico
Fuente de iones en la que se produce el plasma de la impureza, normalmente a
partir de una fuente gaseosa de la misma (BF3, AsH3, PH3, SiH4), aunque puede
producirse por evaporación o por “sputtering” de una fuente sólida.
El espectrógrafo de masas desvía los iones por la aplicación de un campo
magnético producido por las bobinas del espectrógrafo.

Esquema de un implantador iónico

Cámara de implantación
Zona de focalización: el haz de iones seleccionado y acelerado es focalizado
mediante las correspondientes lentes electromagnéticas que disminuyen su
divergencia a va lores en torno al grado sexagesimal.
Zona de reflexión y barrido. Está formada por placas de desviación electrostática.

Cámara de blanco
En ella se aloja la oblea u obleas a implantar y se puede orientar adecuadamente la
muestra con relación al haz, en muchos casos, hacen un control de medición, donde
las cargas aportadas por los iones deducen de ella, la dosis de implantación que
oscilan usualmente entre 10^11 y 10^16 iones cm^2.

Esquema de la cámara de blanco.

La fuente de iones contiene los átomos ionizados del dopante. Estos átomos pasan
a través de un analizador magnético de masas donde los iones no deseados son
eliminados del haz de iones. A continuación, los haces de iones entran en un tubo
acelerador donde son acelerados por un campo eléctrico, adquiriendo altas
energías. El haz de iones de alta energía pasa a través de scanner verticales y
horizontales y es implantando en el substrato semiconductor.
Los iones altamente energéticos que se introducen en el interior substrato del
semiconductor pierden su energía mediante colisiones con electrones y núcleos del
semiconductor, quedando finalmente en reposo. La distancia total que recorre un ion
hasta quedar en reposo se denomina rango, R cómo muestra la figura siguiente. La
proyección de esta distancia sobre el eje de incidencia se denomina rango
proyectado, Rp. Puesto que el número de colisiones por unidad de distancia
recorrida y la energía perdida en cada colisión son variables aleatorias, por lo que
no todos los iones irán a parar a la misma distancia de la superficie, sino que existirá
una distribución espacial de los iones que tienen la misma masa y la misma energía
inicial. Las fluctuaciones estadísticas en el rango proyectado se denominan
dispersión proyectada, ΔRp. Existe también una fluctuación estadística a lo largo
del eje perpendicular a la dirección de incidencia, y se denomina dispersión lateral,
ΔR┴.
A lo largo del eje de incidencia, el perfil de las impurezas implantadas puede
aproximarse por una función gaussiana:
−(𝑥−𝑅20)2
𝑆 2∆𝑅
𝑛 (𝑥 ) =
𝑒 0
√2𝜋∆𝑅𝑝
donde S es la concentración de iones por unidad de área (dosis).

Distribución de la concentración de impurezas.

Ejemplos de distribución de diferentes dopantes del silicio.

Rango proyectado, Rp, para los dopantes más usuales en silicio, en función de la energía de
implantación.

Mecanismos de parada
Existen dos mecanismos mediante los cuales los iones pierden su energía a medida
que penetran hacia el interior del semiconductor.
El primer mecanismo es mediante la transferencia de energía a los núcleos del
substrato (Imagen 8). Esto provoca la desviación del ion incidente de su trayectoria
original, así como el que el núcleo del semiconductor abandone su posición de
equilibrio, provocando dislocaciones en la red.
Si E es la energía de un ion en un punto x de su trayectoria, definimos la potencia
de parada nuclear como la energía perdida por el ion por unidad de espacio
recorrido debido a colisiones con los núcleos de la red cristalina :
𝑑𝐸
𝑆𝑛 (𝐸) = |𝑐𝑜𝑙𝑖𝑠𝑖𝑜𝑛𝑒𝑠
𝑑𝑥
Diagrama de una colisión entre el ion de impureza (M1) con energía E0 y un ion de la red cristalina (M2)
inicialmente en reposo.

El segundo mecanismo mediante los cuales el ion implantado pierde su energía es

la interacción culombiana con la nube de electrones que rodean a los átomos de la
red cristalina en la que son implantados. Los electrones del átomo de la red
cristalina son excitados de esta forma a niveles superiores, pudiendo llegar incluso
a la ionización.

Diagrama de una colisión electrónica entre el ion implantado y la nube electrónica del substrato
implantado.

Al igual que en el caso de las colisiones nucleares, si E es la energía de un ion en

un punto x de su trayectoria, definimos la potencia de parada electrónica como la
energía perdida por el ion por unidad de espacio recorrido debido a colisiones
electrónicas:
𝑑𝐸
𝑆𝑒 (𝐸) = |𝑒
𝑑𝑥
La pérdida media de energía con la distancia recorrida puede obtenerse mediante la
superposición de los dos mecanismos:
𝑑𝐸 𝑑𝐸 𝑑𝐸
= | + | = 𝑆𝑛(𝐸) + 𝑆𝑒(𝐸)
𝑑𝑥 𝑑𝑥 𝑛 𝑑𝑥 𝑒
Si un ion posee una energía inicial 𝐸0 la distancia total recorrida hasta perder toda la
energía y quedar en reposo, es decir, el rango, R:
𝑅 𝐸0
𝑑𝐸
𝑅 = ∫ 𝑑𝑥 = 𝑆 (𝐸) + 𝑆 (𝐸)
∫
0 0 𝑛 𝑒
conocida la energía inicial del ion, 𝐸0, podemos calcular el rango R, supuestas
conocidas las funciones 𝑆𝑛(𝐸) y 𝑆𝑒(𝐸).
Estudios detallados del proceso de colisión de iones con átomos del substrato,
muestran que 𝑆𝑛(𝐸) aumenta con la energía del ion, para bajos valores de la
energía, y alcanza un valor máximo para un valor intermedio de energía. Para altas
energías, 𝑆𝑛(𝐸) disminuye con la energía debido a que las partículas a tan alta
velocidad no tienen tiempo suficiente de interacción para que se produzca una
transferencia efectiva de energía.
En el caso de 𝑆𝑒(𝐸) se ha comprobado que es proporcional a la velocidad de
incidencia del ion (o lo que es lo mismo):
𝑆𝑒(𝐸) = 𝑘𝑒√𝐸
Donde 𝑘𝑒 es igual a 10 (𝑒𝑉) /𝑐𝑚 para el silicio y 3𝑥107 (𝑒𝑉)1/2/𝑐𝑚 para el arseniuro de
7 1/2

Galio.
Conocido el rango, podemos calcular el rango proyectado y la dispersión proyectada
a partir de las expresiones aproximadas siguientes:
𝑅
𝑅𝑝 ≈ 𝑀
1+ 2
3𝑀1
2 √𝑀1𝑀2
∆𝑅𝑝 ≈ ( )𝑅𝑝
3 𝑀1
+ 𝑀2
donde 𝑀1 es la masa del ion incidente y 𝑀2 la masa de un átomo de la red cristalina
sobre la que se produce la implantación.

Ventajas
 Es un proceso rápido, homogéneo y reproducible.
 El número de átomos implantados y su energía se controla con
mucha exactitud.
 Permite fabricar dispositivos de dimensiones muy pequeñas.
Desventajas
 El daño generado al implantar los iones representa un problema. Se acentúa
cuando la dosis o la energía de implantación es alta. Esto hace que
aparezcan defectos en la red cristalina que pueden ser eléctricamente
activos y afectan al funcionamiento del dispositivo en cuestión.
 La mayoría de las impurezas introducidas ocupan posiciones intersticiales,
por lo que no serán eléctricamente activas, siendo necesario un
tratamiento térmico a altas temperaturas para reordenar los átomos de
forma cristalina.
 La dirección de los iones implantados en la red cristalina no se
puede controlar y su aprovechamiento es complejo dada la dificultad
de reproducción de las condiciones necesarias.
 Es inconvecniente la sofisticación y el costo del equipo implantador.
APLICACIONES
Como ya se mencionó anteriormente, dependiendo de la energía con la que los
átomos llegan a una superficie se pueden dar tres procesos diferentes:
 Si la energía es muy baja (10 Voltios de aceleración)
Esta aplicación es muy usada para revestir dispositivos protésicos, ya que se
busca una alta resistencia a la corrosión química y a la fricción .

 Si la aceleración es mayor (500 Voltios)

 Dopado
La introducción de impurezas en un semiconductor es la aplicación
más común de la implantación de iones. Los iones dopantes de boro,
fósforo o arsénico entre otros suelen proceder de fuentes gaseosas
debido a su gran pureza, si bien estos gases pueden ser muy tóxicos.
Una vez implantados en el semiconductor, cada átomo dopante origina
un desplazamiento de carga en el semiconductor (hueco o electrón,
dependiendo de si es un dopante tipo P o tipo N), de forma que se
modifica la conductividad del semiconductor a su alrededor.

 Pulverización catódica
La pulverización catódica (o por su designación en inglés:
sputtering) es un proceso físico en el que se produce la vaporización
de los átomos de un material sólido denominado "blanco" mediante el
bombardeo de éste por iones energéticos. Este es un proceso muy
utilizado en la formación de películas delgadas sobre materiales,
técnicas de grabado y técnicas analíticas.
La pulverización catódica está causada principalmente por el
intercambio de momento entre los iones y los átomos del material,
debido a colisiones. Se puede pensar en el proceso como una partida
de billar a nivel atómico, con los iones (bola blanca) golpeando una
agrupación de átomos densamente empaquetados (bolas de billar).
Aunque la primera colisión empuja a los átomos más hacia dentro en
la agrupación, colisiones posteriores entre los átomos pueden tener
como resultado que algunos de los átomos cerca de la superficie sean
expulsados. El número de átomos expulsados de la superficie por ion
incidente es el rendimiento de pulverización ("sputter yield") y es una
medida importante de la eficiencia del proceso. Algunos factores que
influyen en este parámetro son la energía de los iones incidentes, sus
masas y las de los átomos del blanco y la energía de enlace del
sólido.
  A energías mucho mayores (100.000 Voltios)
 Refuerzo de herramientas de acero
Es posible implantar iones de nitrógeno u otros en herramientas de
acero tales como brocas de taladros. El cambio estructural causado
por la implantación produce una compresión de superficie en el acero,
protegiéndolo de la propagación de roturas y haciéndolo más
resistente ante estas. El cambio químico, por su parte, puede hacer
que la herramienta sea más resistente a la corrosión.

CONCLUSIÓN
Como resultado de la presente investigación, se logró demostrar la gran
importancia que tiene este reciente método en la vida cotidiana, debido
principalmente a la versatilidad que presenta al modificarse el potencial eléctrico,
así como su exactitud y rapidez de implementación. Siendo de nuestro principal
interés en esta ocasión, en los semiconductores; representa uno de los
procedimientos más utilizados hoy en día. Sin embargo, cuenta con varias
desventajas, incluyendo su precio de fabricación y mantenimiento, limitando su
capacidad y reproducibilidad, que con el tiempo y la inclusión de nuevas
tecnologías podrían ser erradicados.

FUENTES
 Streetman and Banerjee, Solid State Electronic Devices, Prentice Hall,
Fifth edition, 2000.
 Impurificación Controlada de Semiconductores. Consultado el 25
de noviembre de 2017, de UGR Sitio web:
http://electronica.ugr.es/~amroldan/deyte/cap10.htm
 Implantación iónica. Consultado el 25 de noviembre de 2017, de
QuieroApuntes Sitio web: http://quieroapuntes.com/implantacion-ionica.html