SEMICONDUCTORES

INTRODUCCIÓN
Semiconductor es un elemento que se
comporta como un conductor o como
un aislante dependiendo de diversos factores

Por eso se dice que están en un punto

intermedio entre los conductores y los aislantes.

Por ejemplo, hay materiales que a partir de una

cierta temperatura son conductores, pero por
debajo, son aislantes.

En electrónica son muy importantes los

semiconductores, ya que muchos componentes
se fabrican con ellos.
SEMICONDUCTORES
MATERIALES SEMICONDUCTORES

ESTRUCTURA DEL ÁTOMO

Como es bien sabido, el átomo esta compuesto de núcleo que contiene
subparticulas tales como:
El protón (con carga positiva) y los neutrones sin carga.
En su periferia, orbitando alrededor del núcleo están los electrones con
mucha menor masa que las partículas del núcleo (unas 2000 veces
menor).

Estos electrones pueden ser de dos tipos:

 Electrones ligados al núcleo: orbitan capas interiores del átomo,

cerca de este y muy difícilmente pueden escapar del mismo.

 Electrones de valencia: orbitan en capas exteriores del átomo, en

niveles superiores de energía y pueden escapar en determinadas
condiciones del átomo.
Del mismo modo, el átomo acepta en tales niveles electrones externos.
Los electrones de valencia determinan las propiedades químicas de los
materiales.
MATERIALES SEMICONDUCTORES

Son los electrones de valencia los que determinan también las

propiedades eléctricas de un material y así tenemos:

Materiales conductores (metales): Los metales tienen estructura

cristalina, los núcleos de los átomos que componen un metal están
perfectamente ordenados y los electrones de valencia de los mismos
están tan débilmente atados a sus respectivos átomos que cada uno
de ellos es compartido por todos los átomos de las estructura. Es por
ello que en el metal se forma un nube electrónica cuyos electrones
son compartidos por toda la estructura y ninguno de ellos esta atado
particularmente alguno de los átomos.

Material aislante: Los electrones de valencia están ligados

fuertemente a sus respectivos núcleos atómicos.
Los electrones de uno de sus átomos no son compartidos con otros
átomos.
MATERIALES SEMICONDUCTORES

Desde el punto de vista electrónico nos interesa la CONDUCTIVIDAD

eléctrica del material electrones libres que puedan ser arrastrados por un
campo eléctrico (o potencial) y contribuyan a una corriente
 MATERIALES SEMICONDUCTORES
Estos materiales se comportan como aislantes a
bajas temperaturas pero a temperaturas más altas
se comportan como conductores.
La razón de esto es que los electrones de
valencia están ligeramente ligados a sus
respectivos núcleos atómicos, pero no lo
suficiente, pues al añadir energía elevando la
temperatura son capaces de abandonar el átomo
para circular por la red atómica del material.

Los materiales semiconductores más conocidos

son: Silicio (Si) y Germanio (Ge), los cuales
poseen cuatro electrones de valencia en su último
nivel. Por otra parte, hay que decir que tales
materiales forman también estructura cristalina.

Los materiales semiconductores más

importantes son Silicio , Germanio Galio
Arsenico
MATERIALES SEMICONDUCTORES

Silicio : Si

Descubridor : Jöns Jacob Berzelius (1779-1848) (Sueco) Año : 1823

Etimología : del latín silex

En estado puro tiene propiedades físicas y químicas parecidas a

las del diamante.

El dióxido de silicio (sílice) [SiO2] se encuentra en la naturaleza en

gran variedad de formas: cuarzo, ágata, jaspe, ónice, esqueletos de
animales marinos.

Su estructura cristalina le confiere propiedades semiconductoras.

En estado muy puro y con pequeñas trazas de elementos como el
boro, fósforo y arsénico constituye el material básico en la
construcción de los chips de los ordenadores.
MATERIALES SEMICONDUCTORES

SILICIO : SI
MATERIALES SEMICONDUCTORES

ÁTOMO AISLADO DE SI (NÚMERO ATÓMICO 14)

Los dos primeros niveles (E1 y E 2) acomodan: 2 y 8 electrones

Estos electrones están ligados al átomo y no pueden ser
perturbados

 En el tercer nivel E3 restan 4 electrones, son los llamados

electrones de valencia. Pueden ser fácilmente liberados de sus
posiciones para formar enlaces.
MATERIALES SEMICONDUCTORES

Los cristales de semiconductores están formados por átomos

donde los vecinos más cercanos están enlazados de manera
covalente (mas o menos polar).

Los materiales semiconductores más importantes cristalizan en el

sistema cúbico con red centrada en las caras:
MATERIALES SEMICONDUCTORES
MODELO DE BANDAS DE ENERGÍA

Niveles electrónicos de un sólido que es la unión de N átomos.

Aparecen superpuestos los niveles de energía atómicos de los N

átomos
Cada nivel se ensancha y forma una banda de valores discretos de
energía (aunque muy juntos) para contener los 4N electrones.
MATERIALES SEMICONDUCTORES

MODELO DE BANDAS DE ENERGÍA

Las energías que tienen los electrones en el cristal son
semejantes a las que tienen en los átomos libres pero los
electrones deben obedecer al principio de exclusión de Pauli (no
puede haber dos en el mismo estado cuántico)

En los sólidos, debido a la interacción entre los átomos que

forman el cristal, aparece un desdoblamiento de estados y un
desdoblamiento de energías.

Cada nivel en el átomo forma una banda. Para la distancia

interátomica de equilibrio pueden las bandas estar :

Solapadas METAL
Separadas (0.5-4 eV) SEMICONDUCTOR
Muy separadas (> 4eV) AISLANTE
MODELO DE BANDAS DE ENERGÍA
MATERIALES SEMICONDUCTORES

Estructura de un metal

Estructura de un semiconductor
MATERIALES SEMICONDUCTORES

SEMICONDUCTORES INTRINSECOS

Un semiconductor cristalino y sin impurezas ni defectos en su red

se denomina intrínseco. A 0 K su BV está llena de electrones, su BC
está vacía y su Eg < 2eV.

A temperatura de 0 K es un aislante. Al crecer la temperatura la

agitación térmica rompe algunos enlaces que quedan incompletos.

Cada enlace roto crea un par de portadores, electrón y hueco. El

semiconductor se transforma en un débil conductor. Los electrones
liberados suben a la BC y se mueven por toda la red cristalina.

Los enlaces incompletos, con un solo electrón, denominados

huecos, h+ , se mueven en la BV en el sentido de que el enlace roto
se va intercambiando entre enlaces de átomos adyacentes, como ya
vimos en el tema 2. La energía requerida pasa romper un enlace o
crear un par electrón-hueco, como ya sabemos, es el ancho de la
BP, Eg.
SEMICONDUCTORES INTRINSECOS
SEMICONDUCTORES INTRINSECOS

MODELO DE BANDAS DE ENERGÍA: CONDUCCIÓN INTRÍNSECA

a) Cristal perfecto a T=0K b) Cristal perfecto a T>0K

MODELO DE BANDAS DE ENERGÍA: CONDUCCIÓN INTRÍNSECA

En un semiconductor perfecto, las concentraciones de electrones y

de huecos son iguales:

n: número de electrones (por unidad de volumen) en la banda de

conducción
p: número de huecos (por unidad de volumen) en la banda de
valencia
ni: concentración intrínseca de portadores
MODELO DE BANDAS DE ENERGÍA: CONDUCCIÓN INTRÍNSECA

Dependencia con la Temperatura: Gráfico ni = f(T)

MATERIALES SEMICONDUCTORES:

SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS
Los semiconductores extrínsecos son soluciones sólidas
sustitucionales muy diluidas en las cuales los átomos de impureza
del soluto tienen diferentes características de valencia respecto
de la red atómica del disolvente.

Independientemente de los portadores de origen térmico pueden

existir en un cristal semiconductor electrones y/o huecos
generados por dopado.
SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS

“El dopado” consiste en la introducción controlada de impurezas en

la red. Se sustituye un elemento por otro que tenga:

Un electrón más de valencia que el sustituido, impureza donadora,

que ionizada, genera un electrón móvil por la red.

Un electrón menos de valencia que el sustituido, impureza

aceptora, que ionizada, genera un enlace incompleto móvil por la red,
que es un portador virtual denominado hueco.

Cada impureza donadora genera un e- libre y se transforma en un

ion positivo fijo en la red, origina un semiconductor tipo-n, que:

Conduce por electrones y su coeficiente de Hall es negativo, RH < 0

Los electrones son mayoritarios
Los huecos son minoritarios
SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS

Cada impureza aceptora genera un h+ y se transforma en un

ion negativo fijo en la red, origina un semiconductor tipo-p,
que:

Conduce casi exclusivamente por huecos y el coeficiente de

Hall es positivo, RH > 0
Los huecos son mayoritarios
Los electrones son minoritarios

Para el Ge y el Si elementos del grupo IV, con 4 electrones

valencia, son impurezas:

Donadoras: P, As, Sb, elementos del grupo V con 5 electrones

valencia.
Aceptadoras: B, Al, Ge, In, elementos del grupo III con 3
electrones valencia.
SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS
CASO PARTICULAR DEL SILICIO
Material extrínseco Tipo n:

Se ha dopado con elementos pentavalentes

(As, P o Sb) que tienen 5 electrones en la última
capa: IMPUREZA DONADORA.

Al formarse la estructura cristalina, el quinto

electrón no estará ligado en ningún enlace
covalente.
Con muy poca energía (sólo la térmica,
300 K) el 5º electrón se separa del átomo
y pasa la banda de conducción.
La impureza fija en el espacio quedará
IONIZADA (cargada positivamente)

En un semiconductor tipo n, los dopantes

contribuyen a la existencia “extra de
electrones”, lo cuál aumenta “enormemente” la
conductividad debida a electrones .
SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS
CASO PARTICULAR DEL SILICIO
Material extrínseco Tipo P:

Cuando se sustituye un átomo de Si por un

átomo como (Boro, Galio) que tienen 3 electrones
en la última capa: IMPUREZA ACEPTADORA.

Al formarse el cristal, los tres electrones forman

el enlace covalente con los átomos de Si, pero
queda un hueco (un enlace vacante).
A ese hueco se pueden mover otros
electrones que dejarán a su vez otros
huecos en la Banda de Valencia.
La impureza fija en el espacio
quedará cargada negativamente

En un semiconductor tipo p, los dopantes

contribuyen a la existencia “extra de huecos” sin
haber electrones en la banda de conducción.
SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS

CASO PARTICULAR DEL SILICIO

MATERIALES SEMICONDUCTORES
SEMICONDUCTORES COMPUESTOS

Hay muchos compuestos de elementos diferentes que son

semiconductores. Entre los principales tipos de compuestos
semiconductores están los MX, donde M es un elemento más
electropositivo y X es un elemento más electronegativo.

De los compuestos semiconductores MX, dos grupos importantes

son los compuestos III−V y II−VI formados por elementos adyacentes
al grupo IV−A de la tabla periódica (Figura 1).

Los compuestos semiconductores III−V consisten en elementos M

del grupo III tales como Al, Ga e In combinados con elementos X del
grupo V como P, As y Sb.

 Los compuestos II−VI constan de elementos M del grupo II tales

como Zn, Cd y Hg combinados con elementos X del grupo VI como
S, Se y Te.
SEMICONDUCTORES COMPUESTOS

Figura 1
SEMICONDUCTORES COMPUESTOS

Cuando la masa molecular de un compuesto dentro de una familia

aumenta descendiendo en las columnas de la tabla periódica, disminuye
la brecha de la banda de energía, aumenta la movilidad de los electrones
(son excepciones el GaAs y el GaSb), y aumenta la constante de red.

Los electrones de los átomos más grandes y pesados tienen, en

general, más libertad de moverse y están ligados menos firmemente a
sus núcleos y, por ello, tienden a tener brechas de banda más pequeñas
y movilidades de electrones más altas.

Al moverse a través de la tabla periódica desde los elementos del

grupo IV−A a los materiales III−V y II−VI, el carácter mayor del enlace
iónico provoca que aumenten las brechas de la banda de energía y
disminuyan las movilidades de los electrones.

El mayor enlace iónico ocasiona un enlace más fuerte de los electrones
a sus núcleos de iones positivos, y por eso los compuestos II−VI tienen
brechas de banda más grandes que los compuestos III−V comparables
SEMICONDUCTORES COMPUESTOS

El arseniuro de galio es el más importante de todos los

compuestos semiconductores y se usa en muchos dispositivos
electrónicos. El GaAs se ha utilizado por mucho tiempo para
componentes discretos en circuitos de microondas.

 En la actualidad, muchos circuitos integrados digitales se fabrican

con GaAs. Los transistores de efecto de campo de semiconductor
metálico (MESFET) de GaAs son los que se usan más en los
transistores de GaAs

Vista de la sección transversal de un MESFET de GaAs.

MATERIALES SEMICONDUCTORES

SEMICONDUCTORES AMORFOS

Se utilizan para las memorias de ordenador y en celdas solares,

debido a que éstos poseen propiedades ópticas fotovoltaicas
(relacionadas con la energía eléctrica obtenida del sol), además por la
facilidad de crear capas delgadas y de gran superficie.
 DENSIDAD DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTOR
Ley de acción de masas

En un semiconductor tanto intrínseco como extrínseco, se cumple:

A una Temperatura dada: el producto de las densidades de los

dos tipos de portadores e mantiene constante

En un semiconductor extrínseco, el incremento de un tipo de

portador tiende a reducir el otro.
Ley de cuasi-neutralidad eléctrica (general)

Lo que indica que las cargas positivas deben ser igual que las
negativas
DENSIDAD DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTOR

Leyes de acción de masas y de cuasi-neutralidad eléctrica. Casos

particulares
 TRANSPORTE DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTOR

El movimiento de electrones y huecos (partículas cargadas) da

lugar a una corriente.

Esta corriente es la manera de operar de los dispositivos

electrónicos, que a su vez controlan la corriente en la malla en la
que están situados.

Veamos los diferentes fenómenos a los que están expuestos los

portadores:

Movimiento aleatorio térmico

Arrastre o desplazamiento
Difusión
Generación-recombinación
TRANSPORTE DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTOR

Movimiento aleatorio térmico

En equilibrio térmico, los portadores dentro del semiconductor están siempre en
movimiento térmico aleatorio.

La mecánica estadística nos dice que: un portador a una temperatura T tiene
una energía térmica media de 3KBT/2

Esta energía térmica le sirve para moverse

(convertirla en energía cinética) a una velocidad
térmica : vth

El portador se mueve rápidamente dentro del

cristal en todas las direcciones alternando
recorridos libres y colisiones con los átomos de la
red.
En equilibro térmico y sin campo eléctrico aplicado
(E=0), el movimiento de todos los portadores se
cancela y la corriente media en cualquier dirección
es nula.
TRANSPORTE DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTOR

Aplicación de un campo eléctrico (E): arrastre o deriva

Movimiento de los portadores

Cuando se aplica E: los portadores sufren

una fuerza igual a :
F= - e E para electrones (acelerados en
sentido opuesto al campo)
F= e E para huecos (acelerados en el sentido
del campo)
Movimiento de un electrón
Estas fuerzas proporcionan una aceleración bajo la acción de un E
(2ª ley de Newton), una velocidad media neta
que se puede escribir (estadísticamente, en
media)
Aplicación de un campo eléctrico (E): arrastre o deriva

Cálculo de las corrientes de arrastre

Consideramos un pedazo de semiconductor homogéneo de área A

transversal y longitud L.

Semiconductor tipo N homogéneo:

La corriente eléctrica (nº de portadores que atraviesan una superficie

por unidad de tiempo) es:
Cálculo corrientes las corrientes de arrastre

El campo eléctrico es constante y

depende de la diferencia de
potencial externo aplicado entre
extremos:

La resistencia de la muestra está

relacionada con su
conductividad/resistividad:

Sustituyendo en la ecuación
anterior, obtenemos que en un
semiconductor se cumple la Ley de
OHM:

Siendo la conductividad del

semiconductor debida a los
electrones:
Cálculo corrientes las corrientes de arrastre E

 De manera análoga en un semiconductor tipo P homogéneo:

TRANSPORTE DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTOR

Fenómenos de difusión
La difusión ocurre como consecuencia de la no-homogeneidad de
concentración, los portadores se difunden desde donde la
concentración es mas alta hacia donde es más baja.

Cómo son partículas cargadas este movimiento da lugar a corrientes

de difusión: obedecen a la Ley de Fick:
TRANSPORTE DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTOR

Fenómenos de generación-recombinación (g-r)

En equilibrio térmico: Para una Tª dada, los portadores poseen una
energía térmica:

Algunos electrones de la BV pueden alcanzar la BC, dejando un

hueco en la BV Se genera un par e-h: fenómeno de generación.
Fenómenos de generación-recombinación (g-r)
También un electrón de la BC puede pasar a la BV (desaparece un
par electrón-hueco) fenómeno de recombinación.

Es importante resaltar como en equilibrio, ambos fenómenos se

compensan:
APLICACIONES DE LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES

Diodo

Componente electrónico que permite el paso

de la corriente en un solo sentido. Los diodos
más empleados en los circuitos electrónicos
actuales son los diodos fabricados con material
semiconductor.

El más sencillo, el diodo con punto de

contacto de germanio, se creó en los primeros
días de la radio, cuando la señal radiofónica se
detectaba mediante un cristal de germanio y un
cable fino terminado en punta y apoyado sobre
él. En los diodos de germanio (o de silicio)
modernos, el cable y una minúscula placa de
cristal van montados dentro de un pequeño
tubo de vidrio y conectados a dos cables que se
sueldan a los extremos del tubo.
APLICACIONES DE LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES

TRANSISTOR
El transistor fue desarrollado por los
físicos estadounidenses Walter Houser
Brattain, John Bardeen y William Bradford
Shockley de los Bell Laboratories..

Es un dispositivo de estado sólido

consistente en una pequeña pieza de
material semiconductor, generalmente
germanio o silicio, en el que se practican
tres o más conexiones eléctricas. Los
componentes básicos del transistor son
comparables a los de un tubo de vacío
triodo e incluyen el emisor, que
corresponde al cátodo caliente de un
triodo como fuente de electrones.
APLICACIONES DE LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES

CIRCUITO INTEGRADO
Dispositivo electrónico miniaturizado consistente en un sistema
interconectado de elementos activos ( diodos, transistores) y
pasivos (resistencias, condensadores), intimamente unido a un
material semiconductor, y capaz de realizar las mismas
funciones que un circuito electrónico completo.
APLICACIONES DE LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES

AMPLIFICADOR
Dispositivo para aumentar la amplitud, o potencia, de una señal
eléctrica. Se utiliza para ampliar la señal eléctrica débil captada por la
antena de un receptor de radio, la emisión débil de una célula
fotoeléctrica, la corriente atenuada de un circuito telefónico de larga
distancia, la señal eléctrica que representa al sonido en un sistema de
megafonía y para muchas otras aplicaciones.
APLICACIONES DE LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES

TERMISTORES:
Se basan en la propiedad de que la conductividad depende de la
temperatura para medir dicha temperatura. También se usan en
otros dispositivos, como en alarmas contra incendio.
APLICACIONES DE LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES

TRANSDUCTORES DE PRESIÓN

Al aplicar presión a un semiconductor, los átomos son forzados a

acercarse, el gap de energía se estrecha y la conductividad
aumenta. Midiendo la conductividad, se puede conocer la presión
que actúa sobre ese material.
APLICACIONES DE LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES

RECTIFICADORES (DISPOSITIVOS DE UNIÓN TIPO P-N):

Se producen uniendo un semiconductor tipo n con otro tipo p,
formando una unión tipo p-n. Los electrones se concentran en la
unión tipo n y los huecos en la unión p. El desequilibrio electrónico
resultante crea un voltaje a través de la unión.
PROPIEDADES ELECTRICAS DE LOS MATERIALES
SEMICONDUCTORES
MATERIALES SEMICONDUCTORES
IMPORTANCIA EN LA VIDA DIARIA

Los semiconductores son una parte

importante de tu vida diaria, informa el
Departamento de Ciencia de los Materiales e
Ingeniería de la Universidad de Illinois Urbana-
Champaign, ya que se utilizan en la creación
de dispositivos electrónicos comunes.

Los semiconductores son parte de los

televisores, de los equipos de diagnóstico
médico eficiente, de los videojuegos, de las
computadoras y de las radios.

Sin la presencia de los semiconductores en

los dispositivos electrónicos comunes tu vida
sería más difícil.
MATERIALES SEMICONDUCTORES

FUTURO
El futuro de los semiconductores tiene un gran potencial. El campo de
las telecomunicaciones es un área en la que los semiconductores están
siendo aplicados.

Internet necesita la tecnología que haga posible recibir y entregar

información con rangos rápidos de velocidad.

 La optoelectrónica es otra área en la que los semiconductores ya se

están aplicando. Gran parte de la información enviada a través de largas
distancias utiliza pulsos de luz que se envían a través de cables de fibra
óptica. Los semiconductores que detectan estos pulsos son un área en la
que la investigación está fuertemente enfocada