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R2
VUT = (+V sat ) (1)
R1 + R 2
R2
V LT = (−V sat ) (2)
R1 + R2
-
I carga a C desde VUT
Rf
hasta VLT
-
+ VC - I
+V
-
- VC + +
-V R1
Voltaje inicial = VUT Vo = -Vsat
+
VLT R2
-
Frecuencia de oscilación
10 T = 2RC = 1/f
VUT
5 VC
0 Tiempo
-5
VLT
-10 t1 = RfC t2 = RfC
-15 V0 = -Vsat
Resolución:
86 kΩ
VUT = (15) ≈ 7V
186 kΩ
86 kΩ
V LT = ( −15) ≈ −7V
186 kΩ
T = (2)(100kΩ)(0.1µF ) = 20ms
1 1
f = = = 50 Hz
T 20ms
−t / R f C
VC = V f + (Vi − V f )e
Desarrollando :
+ V sat − V LT
t1 = R f C ln
(4)
+ V sat − V LT
R + 2R2
t1 = R f C ln 1
R1
con R = 0.86R1
R + 2 * 0.86 R1
t1 = R f C ln 1 = R f C ln(2.72) ≈ R f C
R 1
como t1 = t2
T = 2*Rf*C (5)
Generador de Onda Triangular
C = 0.05µF
pR = 28kΩ
Ri = 14kΩ +15V
- R = 10kΩ +15V
741 -
+ 301
-15V +
VA -15V
VB
VA y VB (V)
15 VB en función de t
+Vsat
10
5 VA en función
VUT
de t
0 t (ms)
1 2 3
-5 VLT
-10
-Vsat
-15
(b) Formas de onda
Frecuencia de operación
−V sat
VUT = − (6)
p
+V sat
V LT = − (7)
p
en donde
pR
p= (8)
R
Si los voltajes de saturación son razonablemente iguales, la frecuencia
de operación estará dada por:
p
f = (9)
4 Ri C
−V sat − 13.8
p=− =− = +2.76 ≈ 2.8
VUT 5
Si R = 10kΩ y pR = 28kΩ
p 2.8
Ri = = = 14kΩ
4 fC 4 *1000 * 0.05µ
−V sat + 0.6
VUT = (10)
p
C = 0.05µF
pR = 28kΩ D
Ri = 14kΩ +15V
- R = 10kΩ +15V
741 -
+ 301
-15V +
VA -15V
VB
(a) Generador de onda triangular unipolar.
VA y VB (V)
15 VB en función de t
+Vsat
10
VA en función
de t
5 VUT
0 t (ms)
1 2 3
-5
-10
-Vsat
-15
(b) Formas de onda
Figura 7. El diodo D en (a) convierte el
generador de onda triangular bipolar en
un generador de onda triangular unipolar.
Las formas de onda correspondientes
se muestran en (b).
La frecuencia de oscilación se calcula aproximadamente por:
p
f ≈ (11)
2 Ri C
Ejemplo:
Resolución:
pR 28kΩ
p= = = 2.8
R 10kΩ
De la Ec.(10)
De la Ec.(11)
p 2.8
f = = = 1000 Hz
2 Ri C 2(28kΩ)(0.05µF )
Generador de onda diente de sierra
Vo ramp Ei
= (12)
t Ri C
Tensión en C
I
VC = t (13)
C
dV I
Velocidad de barrido = = (14)
dt C
Vref = 10V
Q1
15 Vref Vo comp
Vo ramp (V)
La rampa se eleva hasta alcanzar
el voltaje pico definido por Vref
10 Vref = 10
5 5
0 t (ms) 0 t (ms)
10 20 5 10
La tasa de la subida está definida por:
-5 Vo ramp
Ei /RiC = Vo ramp/t
-10
Vo comp
-15
Procedimiento de diseño:
El tiempo correspondiente al periodo de una onda diente de sierra esta
determinado por
V ref
T= (16)
E i / Ri C
por lo tanto
1 Ei
f =
(17)
i V ref
R C
Ejemplo de diseño :
Procedimiento de diseño:
1 1V
f = = 100 Hz
(10kΩ)(0.1µF ) 10V
1 RC ln V s R
T= = = RC ln1 + 2
f Vs − V p R1
VS
Ánodo
R R1
Compuerta
Ánodo Compuerta
PUT PUT
+
+
VA C
+ R 2 VG
-
RS VRS -
-
Cátodo
Cátodo
+ Región inestable
VP
+ (-R)
VAG
P
-
Estado
N G
Encendido
VAK Compuerta
P VF
Vv
N
-
Estado
Apagado IA
K IP IV IF
Cátodo
RB2
G
+ A
VBB
+
VAK PUT
RB1
VG
K
- -
R
donde η =
B1
R B1 + R B 2
El potencial de disparo (Vp) o voltaje necesario para “disparar” el
dispositivo está dado por Vp = ηVBB + VD.
Sin embargo Vp representa la caída de voltaje VAK (la caída de voltaje a
través del diodo conductor). Para el silicio, es típicamente 0.7, por lo
tanto Vp = ηVBB + 0.7 = VG + 0.7V
V BB
T = RC ln
V BB − V P
o cuando Vp = ηVBB
R
T = RC ln1 + B1
RB2
VBB
VC
R RB2
IA
VBB
VC
Vp
C K
RB1
RK
IpR = VBB - Vp
V BB − V p
R MAX =
Ip
VBB − VV
RMIN =
IV
VC
VC
VK=VA-VV
VK
VG=ηVBB
VG