Universidad popular del cesar, Facultad de Ingeniería y Ciencias Tecnológicas.

Prog: Ingeniería Electrónica

ANÁLISIS DEL GRADO DE CONTROL DE LOS DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS DE POTENCIA
MEDIANTE LA GRÁFICA VOLTAJE VS CORRIENTE.
Curso de ELECTRÓNICA DE POTENCIA.
Doc. Ing. LUISA SALAZAR GIL.

GUERRA RUIZ NICOLÁS ALFREDO, nalfredoguerra@unicesar.edu.co,

TAPIA HERNÁNDEZ WALTER DAVID wtapia@unicesar.edu.co.
Valledupar, Cesar, Colombia.
RESUMEN - Los dispositivos electrónicos de potencia como los diodos, transistores de potencia, el tiristor, así
como los derivados de estos tales como los triac, diac, conmutador unilaterales o SUS, transistor uni-unión UJT,
el transistor uni-unión programable o PUT y el diodo de Shockley, hacen posible que la electrónica de potencia
pueda expresar de manera precisa su finalidad, la cual es el estudio de estos dispositivos y sistemas para el
procesamiento, control y conversión de la energía eléctrica. Por lo tanto, en este apartado se estará abordando
algunas propiedades de los dispositivos de potencia más usuales tocados en clase y también en comparar el
comportamiento de estos dispositivos que constituyen la base de los sistemas de potencia.
1. INTRODUCCIÓN. circuito abierto, respectivamente, realizando
aplicaciones de conmutación.
Los dispositivos de electrónicos de potencia
convierten la energía eléctrica de un tipo a otro, En este estudio, la finalidad es
utilizando dispositivos electrónicos semiconductores analizar el comportamiento de cada dispositivo
que funcionan como interruptores, con el fin de electrónico semiconductor con base al
controlar o modificar tensiones o corrientes. Estos comportamiento de la Tensión versus la corriente en
dispositivos tienen una gran variedad de los mismos.
aplicaciones, abarcan desde los equipos de
2. MARCO TEÓRICO.
conversión de alta potencia, como los sistemas de
La demanda de energía eléctrica crece con
trasmisión de corriente continua, hasta aparatos de
relación directa a la mejora de la calidad de vida. La
utilidad común, tales como los destornilladores
concepción de esta asignatura está basada en la
eléctricos sin cables o como las fuentes de
descripción de los principales sistemas que se
alimentación para ordenadores. En general, los
encargan de procesar la energía eléctrica. Dado que
sistemas de potencia se utilizan para accionar
el desarrollo de esta disciplina es constante, debido
cualquier dispositivo que requiera de una entrada de
fundamentalmente a que está ligada al crecimiento
energía eléctrica distinta a la que suministra la fuente
del campo de aplicación y a la mejora de las
de alimentación primaria, como en los Circuitos
prestaciones de los semiconductores de potencia,
Electrónicos Rectificadores, los Circuitos
nuestro objetivo es presentar las estructuras de los
Reguladores de Tensión Alterna, los Circuitos
convertidores estáticos, sus características y sus
Electrónicos Inversores, entre otros más, circuitos
campos de aplicación. Los componentes
electrónicos que procesan milivatios o megavatios de
semiconductores de potencia que vamos a
acuerdo a la necesidad de los distintos de sistemas.
caracterizar se pueden clasificar en tres grupos de
Para estos objetivos, es de gran acuerdo a su grado de controlabilidad:
importancia conocer el comportamiento de cada uno 2.1 Diodos, Estado de ON y OFF
de los dispositivos electrónicos de potencia, los controlables por el circuito de potencia
cuales realizan funciones como interruptores 2.2 Tiristores, Fijados a ON por una señal
electrónicos, que se caracterizan por dos estados; de control, pero deben conmutar a OFF mediante
Activado (On) y Desactivado (Off), lo que el circuito de potencia.
corresponde idealmente a un circuito cerrado y un
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2.3 Conmutadores Controlables:
Conmutados a ON y a OFF mediante señales de
control.(BJT, MOSFET, GTO, IGBT's).
Figura 1: Símbolo del Diodo de Potencia. Fuente
3 OBJETIVOS. Las características de V vs I se pueden
3.1 Analizar el grado de control de los expresar por una ecuación llamada ecuación de
dispositivos electrónicos de potencia diodo Schokley para el funcionamiento de estado
mediante la gráfica Voltaje vs Corriente, de permanente, donde se ven involucradas
acuerdo a su grado de controlabilidad. propiedades como por ejemplo la corriente del
3.2 Identificar los dispositivos de potencia. diodo ID, el voltaje del diodo VD, la corriente de
fuga o de saturación IS, el voltaje térmico del
4 DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS DE diodo VT, y un coeficiente de emisión o factor de
POTENCIA. idealidad cuyo valor numérico varía según el
material, siendo 1 para cuando se trata de un
Los dispositivos semiconductores electrónicos diodo de Germanio y 2 para cuando es uno de
de potencia se clasifican en tres grupos, de acuerdo a Silicio. Lo anterior resumido en la siguiente
su grado de controlabilidad: ecuación.
𝑉
4.1 Diodos. ( 𝐷)
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝑛𝑉𝑇 − 1)
4.2 Tiristores.
4.3 Conmutadores Controlables: Tomaremos como ejemplo la siguiente
4.3.1 Transistor de unión Bipolar información para ver la curva característica del
(BJT). diodo.
4.3.2 Transistor de Efecto de
Campo (MOSFET).
4.3.3 Transistores bipolares de
puerta aislada (IGBT).

5 CARACTERÍSTICAS DE LOS
DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS DE
POTENCIA.

3.1 Diodos de potencia.

Hacen parte de un grupo de tres equipos de Figura 2: Código para el modelar el
dispositivos de potencia denominados comportamiento de la curva V vs I de un diodo de
Dispositivos Semiconductores; éste grupo de potencia. Fuente: Autores.
diodos de potencia son los denominados
dispositivos no controlados ya que no disponen
de ninguna terminal de control externo, sino que
el único procedimiento de control consiste en
invertir la tensión ánodo cátodo, poseen dos
estados de conexión por lo que son mayormente
conocido como interruptores unidireccionales.
El símbolo del diodo de potencia es el siguiente,
donde se puede apreciar el ánodo y el cátodo:

Figura 3: Gráfica Ecuación de Shockley.

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3.2 Tiristores.
Este dispositivo denominado
rectificador controlado de silicio o señal de control en la compuerta o gate del tiristor.
semiconductor SCR opera en conducción
cuando una señal de control externa que se
aplica en uno de los terminales, llamado puerta,
es un elemento unidireccional, conmutador casi
ideal, un rectificador y un amplificador a la vez;
en la siguiente imagen se resalta el símbolo que
los identifica y los pines que lo constituyen:
Figura 4: Símbolo y configuración.
Este dispositivo está conformado por 3
terminales un ánodo, un cátodo y una compuerta o
mejor conocida “gate”, su funcionamiento se
asemeja al de un relevador o un interruptor
mecánico, Ya que cuando se aplica una corriente a la
terminal gate este se activa y obtiene la característica
de dejar pasar a la electricidad, más sin embargo, el
bloqueo o el paso de activo a desactivo lo determina
el propio circuito de potencia, es decir, se tiene
control externo para poner en conducción pero no el
del apagado o bloqueo del mismo.
En la curva característica están definidas
tres zonas que literalmente definen el
comportamiento del tiristor SCR.
La primera es cuando el dispositivo se
comporta como circuito abierto y es debido a que se
encuentra el estado de bloqueo directo.
Figura 5. Curva característica V – I sin corriente de
puerta.
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La segunda es cuando el dispositivo está en
conducción, producida por la presencia de una
Figura 6. Curva característica V – I con corriente de
puerta Fuente: Daniel W. Hart. Electrónica de
potencia. Prentice Hall.
La tercera zona hace énfasis a que el tiristor está
conectado de tal manera que equivale a un circuito
abierto, lo cual pasa cuando se polariza inversamente
la unión ánodo-cátodo.
3.3 Transistor de unión Bipolar (BJT).
En un transistor bipolar existen tres regiones
de operación: de corte, activa y de saturación. En la
región de corte el transistor está desactivado o la
corriente de base no es suficiente para activarlo
teniendo ambas uniones polarización inversa. En la
región activa, el transistor actúa como un
amplificador, donde la corriente del colector queda
amplificada mediante la ganancia y el voltaje VCE
disminuye con la corriente de base: la unión CB tiene
polarización inversa y la BE directa. En la región de
saturación el transistor actúa como interruptor
teniendo una corriente de base lo suficientemente
grande para disminuir la VCE: ambas uniones están
polarizadas directamente.
Figura 7. Símbolo y característica V-I de los
transistores bipolares
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La figura anterior muestra el símbolo y característica turn-off delay, td (off), es el tiempo que necesita para
estática de un transistor bipolar NPN. Tal como se descargar dicha capacidad.
muestra en su característica V vs I, una corriente de base
suficientemente grande IB>IC/hfe (dep. de la I colector) 3.5 Transistores bipolares de puerta aislada
llevará al componente a la plena conducción. En el estado
(IGBT).
de conducción la tensión VCE(sat) está normalmente
entre 1-2V. En la siguiente figura se muestra el símbolo y
la característica V-I de funcionamiento de un IGBT:
La característica de transferencia se muestra en la
siguiente figura:

Figura 10. Símbolo y característica V-I de los

Figura 8. Características de transferencia en un
transistor bipolar.
Manejan menores voltajes y corrientes que el
SCR, pero son más rápidos. Fáciles de controlar por
el terminal de base, aunque el circuito de control
consume más energía que el de los SCR. Su principal
ventaja es la baja caída de tensión en saturación.
Como inconvenientes destacaremos su poca
ganancia con v/i grandes, el tiempo de
almacenamiento y el fenómeno de avalancha
secundaria.
3.4 Transistor de Efecto de Campo (MOSFET).
transistores IGBT.
El IGBT combina las ventajas de los MOSFETs y de los
BJTs, aprovechando la facilidad del disparo del MOSFET
al controlarlo por tensión y el tipo de conducción del
bipolar, con capacidad de conducir elevadas corrientes
con poca caída de tensión. El IGBT tiene una alta
impedancia de entrada, como el Mosfet, y bajas pérdidas
de conducción en estado activo como el Bipolar. Pero no
presenta ningún problema de ruptura secundaria como los
BJT.
El IGBT es inherentemente más rápido que el BJT. Sin
embargo, la velocidad de Conmutación del IGBT es
inferior a la de los MOSFETs. Veamos a continuación una
gráfica, donde se compara la caída directa de tensión
respecto a la corriente entre un Mosfet y un IGBT de
similares características:

Figura 9. Símbolo y característica V vs I de los

transistores MOSFET.
La capacidad Gate-to-drain,
CGD, se comporta como una función no lineal con la
tensión, siendo uno de los parámetros más
importantes al representar un lazo de realimentación
entre la salida y la entrada del circuito. CGD se suele
llamar Capacidad de Miller debido a que causa que
la capacidad de entrada dinámica sea mayor que la
suma de las capacidades estáticas. Turn-on delay, Figura 10. Comparación de la caída de tensión directa
td(on), es el tiempo que se tarda en cargar a la en un MOSFET y un IGBT.
capacidad de entrada del componente antes de que la
corriente por del drenador comience. Similarmente,
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4 CONCLUSIONES: 5 REFERENCIAS.
4.1 Llevando a conclusión el objetivo principal 5.1 DANIEL W. HART, Electrónica De
de ésta práctica se puede afirmar que cada Potencia. Pretince Hall Editioral 1997.
uno de estos componentes posee ciertas 5.2 ALEXANDER B. MONTILLA, Electrónica de
propiedades similares, es decir; que el Potencia: Aspectos Generales y
comportamiento de éstos respecto a las Convertidores Electrónicos. Universidad
variaciones de Tensión vs Corriente tiene Simón Bolívar.
gran relación, ya que por ejemplo todos estos
dispositivos cuentan con la particularidad de
bloquear el paso de la corriente en tensión
inversa, aunque ésta propiedad es debido a su
construcción de materiales semiconductores
no es menos importante de las demás,
también que a nivel funcional solo se
comportan como interruptores estáticos.
4.2 El tiristor es un dispositivo unidireccional;
deja pasar corriente en un solo sentido
después de que se haya aplicado una señal de
control a su puerta, Para mantener un tiristor
en estado conductor es necesario que exista
una corriente mínima que mantenga la
conducción del tiristor (o del triac); en caso
contrario, basculará al estado “bloqueado”,
Esta corriente, IH, es la corriente de
mantenimiento.
4.3 Los MOSFET son transistores basados en un
único portador, más simples y sencillos de
fabricar que los bipolares. Son estructuras
con un canal y un electrodo denominado
puerta (gate). Pueden ser de acumulación o de
deplexión. Los IGBT son transistores
bipolares de puerta aislada que combina las
ventajas de los BJT y los MOSFET. Los
IGBT también se controlan por tensión, pero
su manejo es más sencillo que en un
MOSFET. El nivel de pérdidas de los IGBT
en conducción es mucho más bajo que los
MOSFET pero son más lentos.
4.4 Los IGBT son transistores bipolares de puerta
aislada que combina las ventajas de los BJT
y los MOSFET. Los IGBT también se
controlan por tensión, pero su manejo es más
sencillo que en un MOSFET. El nivel de
pérdidas de los IGBT en conducción es
mucho más bajo que los MOSFET pero son
más lentos.
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