PC 4 DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRONICOS I

Alumno: Mario Sebastian, Alonso Viena

Sección 7 (14-16 pm)

1. Un transistor NPN con β=50 se utiliza en un circuito EC con V cc=10 v y Rc =2 k Ω. La

polarización se obtiene conectando una resistencia de 100 k Ω entre el colector y la
base. Obtener I b , I c y V ce para los casos:
a. Suponer V BC =0
V CC −V BE 10−0 −5
I b: = 3 3
=4.950 x 10 I c : I b . β=( 4.950 x 10−5 ) ( 50 ) =2.475 x 10−3
( β +1 ) RC + R b ( 50+1 ) 2 x 10 +100 x 10
V ce :V CC−I C . RC =10−( 2.475 x 10−3 ) ( 2 x 103 )=5.05 v
b. Si el transistor es de Si
V CC −V BE
I b: =9.7 x 10−5 I c : β . I b=( 50 ) ( 9.7 x 10−5 ) =4.85 x 10−3
( β +1 ) RC + R b
V ce :V CC−I C . RC =10−(4.85 x 10−3)(2 x 10 3)=0.3 v
c. Si el transistor es de Ge

V CC −V BE −5
I b: =9.9 x 10 I c : β . I b=( 50 ) ( 9.7 x 10−5 ) =4.95 x 10−3
( β +1 ) RC + R b
V ce :V CC−I C . RC =10−(4.85 x 10−3)( 2 x 10 3)=0.1 v

2. Para un circuito de auto polarización (H), se tiene como valores de componentes:

V CC =20 v , RC =2k Ω, Re =0.1 k Ω, R1=100 k Ω, R2=5 k Ω.
El transistor es PNP – Ge con β=50. Determinar I C , I B , I E y V CE .

V CC −V CE 20−0
IC: = =9.523 x 10−3
RC + Re 3 3
( 2 x 10 ) + ( 0.1 x 10 )
R1 . R 2 V −V BE 20−0
Rb = =4761.90I b : = =2.028 x 10−3
R1 + R 2 Rb + ( β +1 ) R e 4761.90+ (51 ) 100

I b=I E =2.028 x 10−3 V ce :V CC−I C .(R ¿ ¿ C+ R e )=20−( 9.523 x 10−3 )(2 x 103 +0.1 x 103 )=0.017 v ¿

3. Para un circuito de polarización fija V CC =12 v , RC =1.2k Ω, R B=270 k Ω

a. Transistor NPN – Ge con β=50. Hallar I B , I C , I E y V CE

V CC −V cE −5
IC: =3.62 x 10
Rc
V CC −V BE −5
I b: =3.62 x 10 I c : β . I b=( 50 ) ( 3.62 x 10−5 ) =1.811 x 10−3
Rb
V ce :V CC−I C . RC =12−(1.81 x 10−3 )( 1.2 x 10 3)=9.83 v
4. En un circuito de polarización Colector-Base: V CC =15 v , R C=2.2 k Ω , R B=39 k Ω
a. Q: NPN – Si con β=50. Obtener I B , I C , I E y V CE

V CC −V BE 15−0
I b: = =9.920 x 10−4
( β +1 ) RC + R b ( 50+1 ) ( 2.2 x 103 ) + ( 39 x 10 3 )

I c : β . I b=( 50 ) ( 9.920 x 10−5 )=4.96 x 10−3

I C =I e =4.96 x 10−3

V ce :V CC−I C . RC =15−( 4.96 x 10−3 )( 2.2 x 10 3 )=4.08 v

o V
5. Obtener AV = V para los circuitos de los problemas 1 y 3.
i
CIRCUITO 1
a. R L=3.9 k Ω
V i=I b hie =26 mV
( 2 x 103 ) ( 3.9 x 103 )
V o =2.475 x 10−3 x =3.2720
( 5.9 x 10 3)
3.2720
AV = =125.846
26 x 10−3

b. Sin R L (¿ ∞ )
V i=26 mV
V o =( 2.475 x 10−3 ) ( 2 x 103 ) =4.95
4.95
AV = =190.384
26 x 10−3

CIRCUITO 2
a. R L=3.9 k Ω

V i=26 mV
(1.2 x 103 )(3.9 x 103 )
V o =3.47 x 10−3 x =16.239
5.1 x 103
16.239
AV = =624.576
26 x 10−3

b. Sin R L (¿ ∞ )

V i=26 mV
V o =4.164
4.164
AV = =160.153
26 x 10−3

o V
6. Obtener AV = V para el circuito del problema 2, si R L=3.3 kΩ.
i
a. Con Ce presente

V i=26 mV
−3(2 x 103 )(3.3 x 103)
V o =3.802 x 10 x =4.734
5.3 x 103
4.734
AV = =182.076
26 x 10−3

b. Sin Ce

V i=26 mV +51 x 100=5100,026 v

(2 x 103 )(3.3 x 103)
V o =3.802 x 10−3 x =4.734
5.3 x 103
4.734
AV = =0.928 x 10−3
5100.026

o V
7. Obtener AV = V para el circuito del problema 4
i

a. R L=4.7 k Ω .

β=50
V i=26 mV
(2.2 x 103)(4.7 x 103 )
V o =4.76 x 10−3 x =49.218
6.9 x 103
49.218
AV = =1893.015
26 x 10−3

b. Sin R L (¿ ∞ )

V i=26 mV +51 x 100=5100,026 v

(2 x 103 )(3.3 x 103)
V o =3.802 x 10−3 x =4.734
5.3 x 103
4.734
AV = =0.928 x 10−3
5100.026