Dispositivos de Control Industrial

Existen numerosas operaciones industriales en las cuales se requiere que la

potencia eléctrica suministrada a una carga se haga en una forma variable y
controlable. Iluminación, control de velocidad de motores, soldadura eléctrica,
control de temperatura, presión, etc, son alguna muestra de dichas operaciones.
Los modernos sistemas industriales recurren a los dispositivos de control, los
cuales son simplemente componentes que permiten gobernar la potencia
suministrada a una carga dada.

Básicamente, los circuitos de control pueden ser clasificados en las siguientes

categorías:

- Switches manualmente operados

- Switches mecánicamente operados

- Solenoides

- Switches electromagnéticos (relays)

- Switches electrónicos (tiristores)

Esta temática tiene como objetivo analizar los diferentes sistemas de disparo
mediante la utilización de señales aplicadas a la compuerta de los switches
electrónicos ó Tiristores (SCRs: Rectificadores Controlados de Silicio y TRIACs:
Triodos AC), así como mostrar diversos aspectos involucrados en el proceso.

Dispositivos de Gatillo, Accionadores ó de Disparo

UJT: Transistor Unijuntura

El transistor unijuntura o unijunción es un dispositivo electrónico de estado sólido

de la familia de los tiristores, con unas características de gran importancia para la
comprensión de muchos circuitos, las cuales permiten una amplia aplicación en
los osciladores de baja frecuencia y circuitos de sincronización.

En la figura siguiente mostramos la estructura y el símbolo circuital para

representar el transistor unijuntura.
Como podemos ver en la estructura, un trozo de material semiconductor tipo N
está conectado a dos elementos de conexión externa (electrodos) que reciben la
denominación base 1 (B1) y base 2 (B2).

Como entre los dos puntos de conexión de estos elementos no hay uniones para
la corriente que circula lo que se ve es una resistencia óhmica.

Esta resistencia, que puede ser medida con un multímetro, tiene un valor típico
comprendido entre 4 kohms y 15 kohms.

La resistencia es conocida como "resistencia de Interbase" y se representa por

Rbb.

Cerca al centro del material semiconductor N se difunde una región tipo P de

material semiconductor, de modo que entre ellos se forma una juntura que es la
única del transistor, y de la cual deriva su nombre. En la región P se conecta el
tercer electrodo del transistor unijuntura que recibe el nombre del emisor (E).

En la práctica, para operar el transistor, se aplica una tensión positiva entre la

base 2 y la base 1 que es llevada a tierra, de modo que entre ellos circule una
pequeña corriente, determinada solamente por la resistencia óhmica entre los dos
puntos considerados, como se puede observar en la figura siguiente.
La región emisora, sin embargo, está en una posición intermedia del material tipo
N donde se ha incrustado el tipo P entre el voltaje aplicado y cero volts. Por lo
tanto, la Juntura se comporta como si tuviéramos un diodo conectado a un divisor
de tensión, como puede verse.

La juntura entre RB1 y RB2, donde el diodo está conectado, representa la posición
de la juntura del semiconductor en lo referente al material N.

El divisor de tensión entre estas dos resistencias RB1 y RB2 fija una característica
importante del transistor que es la relación intrínseca, abreviada por η . Así, si la
división de resistencia del material está exactamente en el centro, es decir, RB1 es
igual a RB2 , la relación intrínseca será de 0,5.

Si la división es tal que para el valor total de la resistencia interbase RB1 es 70%,
y RB2 el 30%, la relación intrínseca será 0,7.
Para un transistor unijuntura común, tal como 2N2646, tendremos relaciones
intrínsecas típicas entre 0,5 y 0,8. Esto significa que RB1 será como mínimo igual
a RB2 para 0.5 y 4RB2 como máximo para 0.8

Si aplicamos una tensión positiva al emisor del transistor de una juntura, para
hacer que la conducción actual suceda por este elemento, tendremos que superar
dos obstáculos.

Lo primero es la juntura del diodo que existe en el sitio, que no es más que la
juntura entre el emisor y el elemento donde se conectan las bases. Para pasar
esta juntura necesitamos 0,6 V, puesto que el material es silicio.

El segundo obstáculo es la tensión que existe en el punto en el que se conecta el

diodo, es decir, la juntura entre RB2 y RB1. El tensión en este punto es
determinado precisamente por la relación intrínseca.

Así que si aplicamos 10 V al transistor, y su relación intrínseca es 0,6, eso significa

que necesitamos 0,6 x 10 = 6 v de la relación intrínseca, y más 0,6 v de la juntura,
para superar los obstáculos y alcanzar el voltaje de disparo para hacer que el
transistor conducir.

Ahora, ¿qué sucede cuando se aplica una tensión creciente que a partir de cero
volts en el emisor llega a este punto de conducción?

El transistor cambia repentinamente su resistencia entre el Emisor y la Base 1,

siendo capaz de conducir una corriente relativamente alta. Esta resistencia que,
como hemos visto, puede tener valores entre 4 000 ohms hasta 15 000 ohms o
más, cae repentinamente a un valor que puede ser tan bajo como algunos ohms
solamente. Un valor típico para esta resistencia, en 2N2646, es solamente 20
ohms.

Podemos decir entonces, que un transistor unijuntura se comporta como un

interruptor controlado por voltaje . En el momento del disparo, su resistencia cae
bruscamente caracterizando una curva en la que tenemos una resistencia
negativa, como se muestra en la figura siguiente.

Oscilador de Relajación con UJT: A continuación se muestra el diagrama de un

circuito denominado Oscilador de Relajación el cual es utilizado en el disparo tanto
de SCRs como de TRIACs. Como puede observarse en las formas de onda el
periodo de oscilación es T el cual dependerá de la constante de tiempo RC y del
factor intrínseco η.

Si se plantean LVK entre el terminal de emisor y tierra se tiene que:

VE=VD + VB1 = VD + η VBB con lo que el punto crítico de disparo Vp = 0,7 + η VBB
PUT: Transistor Programable Unijuntura

El Transistor Programable Unijuntura, es también un dispositivo semiconductor de

la familia de los tiristores.

Es un dispositivo semiconductor constituido por 4 capas de materiales de

polaridad alterna PNPN. Su símbolo circuital y su circuito equivalente, que puede
ser dado por dos transistores realimentados, se muestran a continuación.

El PUT permite programar el punto de disparo, y se va a comportar como un

transistor unijuntura (UJT) en el cual el disparo es determinado por los resistores
externos R1 y R2, como se muestra en la figura siguiente. En esta figura también
se tienen los procedimientos de cálculo para determinar los resistores.
Así, haciendo una analogía ahora con el transistor unijuntura, los resistores
externos, determinan la relación intrínseca del componente, o sea, la tensión de
emisor en la cual ocurre el disparo.

La curva característica del PUT es similar a la del UJT y si planteamos LVK entre
los terminales de ánodo y cátodo tendremos:

VAK=VAG+ VGK = VD + VGK

Su punto crítico de disparo será:

Vp = VAG + η VBB = VD + η VBB con lo que Vp = 0,7 + VG

Diodo Shockley

El diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados

estables: uno de bloqueo o de alta impedancia y otro de conducción o baja
impedancia. Está formado por cuatro capas de material semiconductor tipo P y N,
dispuestas alternadamente.
La característica Tensión-Corriente (V-I) se muestra en la figura. La región I es la
región de alta impedancia, y la III, la región de baja impedancia. Para pasar del
estado de apagado al de conducción, se aumenta la tensión en el diodo hasta
alcanzar la tensión de conmutación, denominada Vs. La impedancia del diodo cae
bruscamente, haciendo que la corriente que lo atraviesa se incremente y
disminuya la tensión, hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la región III (Punto B).
Para volver al estado de apagado, se disminuye la corriente hasta la corriente de
mantenimiento, denominada Ih. En ese instante el diodo aumenta su impedancia,
reduciendo, todavía más la corriente, mientras aumenta la tensión en sus
terminales, cruzando la región II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la región
I (Punto A). La tensión inversa de avalancha es denominada Vrb.

Si se invierten los ejes se tendría una curva similar a la mostrada:

DIAC: Diodo AC
El DIAC es un dispositivo semiconductor bidireccional de dos terminales. Es un
diodo bidireccional que conduce sólo tras haberse superado su voltaje de disparo
y permanece en ese estado mientras lo circule una mínima corriente denominada
corriente de mantenimiento o de sustentación. La mayoría de los DIACs, a
diferencia de los Diodos Shockley cuyo nivel de disparo oscila en valores cercanos
a 5 voltios, se caracterizan por tener una tensión de disparo de alrededor de 30
voltios.
Los DIAC son un tipo de tiristor, y se usan normalmente para disparar a los
TRIACs(Triodos AC).
Es un dispositivo semiconductor de dos terminales denominados terminal 1 y
terminal 2. Actúa como un elemento bidireccional que se activa cuando el voltaje
entre sus terminales alcanza el voltaje de accionado, el cual puede estar entre 20
y 36 volts dependiendo del proceso de fabricación.

Existen dos tipos de DIAC:

 DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin conexión de base y

con las regiones de colector y emisor iguales y muy dopadas. El dispositivo
permanece bloqueado hasta que se alcanza una tensión de avalancha en la
unión del colector. Esto inyecta corriente en la base que obliga a la conducción
del transistor, produciéndose un efecto regenerativo. Al ser un dispositivo
simétrico, funciona igual en ambas polaridades, intercambiando el emisor y
colector sus funciones.
 DIAC de cuatro capas. Consiste en dos diodos Shockley conectados en
antiparalelo, lo que le da la característica bidireccional.
A continuación se muestra su símbolo circuital y su curva característica.