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TRANSISTORES
Garcia Changuluisa Bryan Fernando
Departamento de Eléctrica, Electrónica y Telecomunicaciones,1 Universidad de las Fuerzas Armadas ESPE, Sangolqui, Ecuador
bfgarcia@espe.edu.ec
I. D EFINICI ÓN .
Se llama transistor (del inglés: transfer resistor, 00 resistor de
transferencia00 ) a un tipo de dispositivo electrónico semiconductor,
capaz de modificar una señal eléctrica de salida como respuesta a
una de entrada, sirviendo como amplificador, conmutador, oscilador
o rectificador de la misma.
Es un tipo de dispositivo de uso común en numerosos aparatos,
como relojes, lámparas, tomógrafos, celulares, radios, televisores y,
sobre todo, como componente de los circuitos integrados (chips o
microchips).
Los transistores tienen su origen en la necesidad de controlar el
flujo de la corriente eléctrica en diversas aplicaciones, como parte
de la evolución del campo de la electrónica. Su antecesor directo fue
un aparato inventado por Julius Edgar Lilienfeld en Canadá en 1925,
pero no serı́a hasta mediados de siglo cuando podrı́a implementarse
usando materiales semiconductores (en lugar de tubos al vacı́o).
Los primeros logros en este sentido consistieron en la ampliación
de la potencia de una señal eléctrica a partir de conducirla a través
de dos puntales de oro aplicados a un cristal de germanio.
El nombre de transistor fue propuesto por el ingeniero
estadounidense John R. Pierce, a partir de los primeros modelos
diseñados por los Laboratorios Bell. El primer transistor de contacto
apareció en Alemania en 1948, mientras que el primero de alta
frecuencia fue inventado en 1953 en los Estados Unidos.
Estos fueron los primeros pasos hacia la explosión electrónica de
la segunda mitad del siglo XX, que permitieron, entre muchas otras
cosas, el desarrollo de las computadoras.
Fig. 1 Interior del transistor NPN.
Fig. 2 Interior del transistor NPN.
II. F UNCIONAMIENTO .
Los transistores operan sobre un flujo de corriente, operando
como amplificadores (recibiendo una señal débil y generando una
fuerte) o como interruptores (recibiendo una señal y cortándole el
paso) de la misma. Esto ocurre dependiendo de cuál de las tres
posiciones ocupe un transistor en un determinado momento, y que
son:
• En activa : Se permite el paso de un nivel de corriente variable
(más o menos corriente).
• En corte : No deja pasar la corriente eléctrica.
• En saturación : Deja pasar todo el caudal de la corriente
eléctrica (corriente máxima).
En este sentido, el transistor funciona como una llave de paso
de una tuberı́a: si está totalmente abierto deja entrar todo el caudal
del agua, si está cerrado no deja pasar nada, y en sus posiciones
intermedias deja pasar más o menos agua.
III. C ARACTERISTICAS DE LAS CAPAS
SEMICONDUCTORAS .
A. Colector
Capa semiconductora de mayor tamaño por ende es la capa que
disipa mayor potencia su función es la de recolectar los portadores
de carga generadas desde el emisor.
B. Base
Capa semiconductora de menores dimensiones en el transitor,
pobremente dopada, es decir es el terminal que presenta mayor valor
de resistencia.
C. Emisor
Capa semiconductora de mayores dimensiones que la base y menor
que el colector. Capa mayormente dopada, y su función es de emitir
a los portadores libre de carga
IV. T IPOS DE TRANSISTORES .
A. Bipolares
El transistor de unión bipolar (Bipolar Junction Transistor, o sus
siglas BJT) es un dispositivo electrónico que consistente en dos
uniones PN que permite controlar el paso de la corriente a través de
sus terminales.
Se les denomina bipolares ya que la conducción tiene lugar
gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos
positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
número de aplicaciones; aunque tiene ciertos inconvenientes, entre
ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Controlados por corriente.
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V. C IRCUITOS DE POLARIZACI ÓN .

A. Polarización fija.

Fig. 3 Bipolar NPN.

Fig. 4 Bipolar PNP.

Fig. 7 Circuito de polarización fija.

VBE = 0.7[V ]

−V cc + IB (RB ) + VBE = 0
V cc−VBE
⇒ IB = RB

B. Efecto de campo
⇒ IC = βIB

También llamado de efecto de campo de unión (JFET), fue el IE = IB + IC

primer transistor de efecto de campo en la práctica. Lo forma una
barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. IE = IB + βIB )

⇒ IE = IB (1 + β)
En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico,
tenemos ası́ un transistor de efecto de campo tipo N de la forma VE = 0[V ]
más básica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material
N y se conectan externamente entre sı́, se producirá una puerta. VB = VBE + VE

IC (RC ) = V cc + VC
A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro
drenador. Aplicando tensión positiva entre el drenador y el surtidor
y conectando a puerta al surtidor, estableceremos una corriente, ⇒ VC = V cc − IC (RC )
a la que llamaremos corriente de drenador con polarización cero.
Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensión de
estrangulamiento, cesa la conducción en el canal. B. Auto polarización, Estabilizador por emisor.

Controlados por voltaje.

Fig. 5 Ejecto de campo NPN.

Fig. 8 Circuito de auto polarización, Estabilizador por emisor.

Para encontrar punto de operación:

−V cc + IB (RB ) + VBE + IE (RE )

IE = IB + IC
Fig. 6 Ejecto de campo PNP.
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⇒ IE = IB (1 + β) PMOS
0 = −V cc + IB (RB ) + VBE + IB (RE ) + IB (RE )(β)

V cc−VBE
⇒ IB = RB +RE +RE β

⇒ IC = βIB
⇒ IE = IC − IB
⇒ VE = IE (RE ) Fig. 11 PMOS.

⇒ VB = VBE − VE
⇒ VC = V cc − IC (RC )
⇒ VCE = VC − VE
A. Compuerta NOT.

C. Polarización por divisor de tensión.

Fig. 12 ircuito compuerta lógica NOT.

Fig. 13 Tabla de verdad compuerta lógica NOT.

Fig. 9 Circuito de polarización por divisor de tensión.

I1 = I2 + IB

VC −VB VB
⇒ RB1
= RB2
+ IB B. Compuerta NOR.
⇒ VB = VBE + IE (RE )
IE = IB + IC

⇒ IE = (1 + β)IB
⇒ IC = βIB
⇒ VE = IE (RE )
⇒ VB = VBE − IE (RE )
⇒ VC = V cc − IC (RC )

VI. C IRCUITOS EQUIVALENTES A COMPUERTAS L ÓGICAS

CON TRANSISTORES .
Fig. 14 ircuito compuerta lógica NOR.
NMOS

Fig. 10 NMOS. Fig. 15 Tabla de verdad compuerta lógica NOR.

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C. Compuerta NAND.

Fig. 16 Circuito compuerta lógica NAND.

Fig. 17 Tabla de verdad compuerta lógica NAND.

R EFERENCES
[1] https://www.quieroapuntes.com/transistores.

[2] https://www.areatecnologia.com/TUTORIALES/EL%20TRANSISTOR.htm.

[3] https://https://www.ingmecafenix.com/electronica/el-transistor/.

[4] http://https://concepto.de/transistor/.

[5] http://www.electronicasi.com/ensenanzas/electronica-
elemental/electronica-basica/transistores/.