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OBJETIVO
Medir los parámetros de las bobinas de FI de AM
INFORME PREVIO
1) Determine la expresión de Vo1 y Vo2 (conectado a la resistencia de salida RL = 10K) en
forma literal del amplificador mostrado en la figura #1( colector conectado a Vo1). En
función de que parámetro principal se encuentra Vo(t). Considere Lin, Cin , Rp de la
bobina y capacidades parasitas del transistor.
2) Haga un análisis DC y determine el valor de la resistencia R2 para obtener una corriente
entre 100 y 300 µA.
3) Describa la manera de obtener:
a) El factor de calidad de la bobina
b) Resistencia de pérdidas de la bobina.
4) Indique las consideraciones que se deben de tomar en cuenta para escoger los transistores.
5) Presente la simulación del circuito (diagrama esquemático y resultados de las señales
obtenidas).
Bobina de FI
VCC
R4
Vo2
TX1 1K
VCC
C4
10uF
Q3
Vo1
V1
12Vdc
Q2N2222
R5 1K R3
1K C1
Q1 V2
Q2N2222
10uF
R2
Q2 12Vdc
1K Q2N2222
V3
VEE
1 R1
VEE
0
0
Figura #1
LISTA DE COMPONENTES
1. Arme el circuito de la figura #1 usando una bobina con factor de acoplamiento k = 0.1
2. Con la fuente de señales alterna del simulador aplique V3= 20mVp-p (figura #1) y
usando el análisis AC Sweep/ Noise con la opción General: Settings obtenga la respuesta en
frecuencia del amplificador, anote el valor de la frecuencia de resonancia y el ancho de
banda BW. Luego usando una fuente de señales sinusoidal aplique V3= 100mVp-p y el
análisis Time Domain (Transient) con la opción General: Settings Run to time: 5ms
sintonice el circuito tanque hasta obtener la máxima amplitud de salida (Vo2 máximo).
4. Coloque las puntas del osciloscopio en Vo2 y Vo1, luego sintonice el circuito tanque
variando la frecuencia del generador hasta obtener la máxima salida en Vo2 y llene el
cuadro I - A
BOBINA
Vo2
CUADRO
I-A
Vo1