SIMULACIÓN MEDIANTE COMSOL

1) TÍTULO

Título del informe final:

Simulación en COMSOL de un fotodiodo PIN de arseniuro de galio

Título original del artículo:

Artículo principal de referencia: GaAs PIN Photodiode. Autores: Y. Kagawa and T.

Yamabuchi.

2) OBJETIVOS

Objetivos generales

 Demostración de cómo usar la optoelectrónica de semiconductores y la

interfaz de dominio de frecuencia.

Objetivos específicos
 Modelar un fotodiodo p-i-n simple de GaAs en COMSOL.

3) MARCO TEÓRICO

Fotodiodo

Los fotodiodos son dispositivos semiconductores que convierten la luz incidente en

corriente. Los fotones incidentes con energía mayor que la banda prohibida pueden
absorberse interactuando con un electrón en la banda de valencia y promoviéndolo a
través de la banda prohibida hacia la banda de conducción. Así, cada fotón absorbido
crea un agujero en la banda de valencia y un electrón en la banda de conducción. Si el
dispositivo está diseñado apropiadamente, estos portadores fotogenerados
adicionales se pueden separar y recolectar, lo que da como resultado una corriente
desde los terminales del dispositivo. [1]

Ilustración 1 Fotodiodo PIN de InGaAs

2
 Fuente de la imagen: https://www.hamamatsu.com/jp/en/product/type/G6849/index.html

Ilustración 2 Representación de las bandas de energía de un material

Fuente de la imagen: http://solete.nichese.com/efecto.html

El principio básico de un fotodiodo p-i-n es bastante sencillo. Se trata de una unión p-n
en la que se ha insertado entre las regiones fuertemente dopadas n y p una capa, zona
o región de carácter intrínseco i, es decir, no dopada o ligeramente dopada. La
inclusión de esta región intrínseca hace que el dispositivo sea mucho más eficiente que
una unión p-n estándar, entendiendo por eficiencia la proporción entre la luz que le
llega y la que es capaz de absorber y convertir en corriente eléctrica. [2]

Ilustración 3 Esquema de un fotodiodo p-i-n bajo polarización inversa.

Fuente de la imagen: http://deeea.urv.cat/public/PROPOSTES/pub/pdf/223pub.pdf

Modelo físico matemático del fotodiodo p-i-n [2]

El modo de operación normal de un fotodiodo se da siempre para una tensión de

polarización inversa Vbias, y la fotocorriente viene dada por la siguiente expresión:

donde Iph es la fotocorriente de salida del fotodiodo, Iphoto es la corriente inducida

mediante la radiación de luz, y Idark es la corriente de oscuridad. Esta última es

3
 principalmente el resultado de cuatro efectos: la corriente de difusión, la
corriente de recombinación, la corriente de superficie y la corriente de
avalancha. Su naturaleza es similar a la corriente inversa de saturación de una
unión p-n, y se expresa mediante la ecuación:

Donde

Bajo condiciones de funcionamiento normal, la fotocorriente es de bastantes órdenes

de magnitud mayor que la corriente de oscuridad, con lo que Iph se puede considerar
prácticamente igual a Iphoto.

La zona de carga espacial W del dispositivo comprende la región intrínseca más las
extensiones dentro de las regiones py n. El ancho de las zonas de carga espacial de las
regiones p y n se expresan mediante las siguientes ecuaciones derivadas de las de un
diodo de unión p-n:

donde εr es la constante dieléctrica relativa y Vbias es la tensión de polarización.

El siguiente paso es ver el desarrollo del proceso analítico para hallar la

expresión de la fotocorriente generada por el dispositivo.

Bajo condiciones estables, la densidad de corriente total (corriente por unidad de área
del fotodiodo) a través de la región de carga espacial polarizada inversamente
se puede expresar mediante la siguiente expresión:

donde Jdr es la densidad de corriente de arrastre de portadores generados dentro de la

región de carga espacial, y Jdiff es la densidad de corriente de difusión debida a los
portadores generados fuera de dicha zona. Se puede derivar ahora la corriente total
bajo la suposición que la generación térmica de corriente puede ser despreciada,
y que la superficie de la región p es mucho más estrecha que 1/α.

4
 Ilustración 4 Funcionamiento de un fotodiodo. Bandas de energía. Características de la generación de portadores.

Fuente de la imagen: deeea./public/PROPOSTES/pub/pdf/223pub.pdf

La proporción de pares hueco-electrón generados viene dada por la siguiente

ecuación:

donde Φ0 es el flujo de fotones incidentes por unidad de área y se expresa como:

donde Popt es la intensidad de la luz incidente, ν es su frecuencia, h es la

constante de Planck, R es el coeficiente de reflexión y A es el área del dispositivo.

La corriente de arrastre se puede expresarse según la ecuación:

La densidad de corriente de difusión se expresa como:

Entonces se obtiene la densidad de corriente total como la suma de las dos

componentes Jdr y Jdiff:

5
 Bajo condiciones de operación normal, el término en el cual se encuentra pn0 es muy
pequeño, así que se puede considerar que la fotocorriente es proporcional al flujo
de fotones incidente, y por tanto queda definida por la siguiente expresión:

Marco general de la simulación del fotodio p-i-n [1]

Este modelo simula una estructura p-i-n rectangular simple de GaAs. La geometría y el
perfil de dopaje se muestran en la Ilustración 5, junto con el diagrama de nivel de
energía del dispositivo. La estructura p-i-n es eficaz para dispositivos fotodiodos debido
a la naturaleza inclinada de las bandas de conducción y valencia, que tienen la energía
más alta en el contacto p y la más baja en el contacto n. Cuando un fotón es absorbido
creando un electrón y un agujero, el electrón es barrido hacia el contacto n mientras
que el agujero es barrido en la dirección opuesta hacia el contacto p. El contacto p está
conectado a tierra y el contacto n está configurado en 2 V, por lo que el dispositivo
funciona con polarización inversa. Este modo de funcionamiento a veces se denomina
modo fotoconductor, ya que la luz absorbida se utiliza para generar una corriente. Para
una longitud de onda dada de luz incidente, la corriente es linealmente proporcional a
la irradiancia. El sesgo inverso también aumenta tanto la pendiente de los niveles de
energía como el ancho de la capa de agotamiento, lo que resulta en un tiempo de
respuesta reducido. Sin embargo, esto se produce a expensas de un aumento de la
corriente oscura, ya que fluye más corriente en ausencia de luz debido al sesgo.

Ilustración 5 Diagrama de geometría, dopaje y nivel de energía del dispositivo.

Fuente de la imagen:
https://www.comsol.com/model/download/559011/models.semicond.gaas_pin_photodiode.p
df

4) PASOS DE LA SIMULACIÓN
5)

6
 NUEVA VENTANA

En la nueva ventana, haga clic en ModalWizard.

MODEL WIZARD

1. En la ventana ModelWizard, haga clic en 2D

2. En el árbol Select Physics, seleccione Semiconductor> Semiconductor Optoelectronics,

Frequency Domain.

7
 3. Luego de hacer click en Add, aparecerá la siguiente pantalla.

4. Hacer click en Study aparecerá la siguiente pantalla.

8
 5. En el árbol SelectStudy, seleccione PresetStudiesforSelectedMultiphysics> Frequency-
Stationary.

9
 6. Click en Done.

DEFINICIONES GLOBALES

Introduzca algunos parámetros que se utilizarán en el modelo.

1. En la ventana Model Builder, en Definiciones globales, haga clic en Parámetros 1.

10
 2. En la ventana Configuración para parámetros, busque la sección Parámetros.

3. En la tabla, ingrese la siguiente configuración:

11
 GEOMETRIA I

Cree la geometría del modelo. La escala de longitud de um es apropiada y la geometría

consta de un solo rectángulo.

1. En la ventana Model Builder, en Componente 1 (comp1), haga clic en Geometría 1.

12
 2. En la ventana Configuración de Geometría, busque la sección Unidades.

3. En la lista Unidad de longitud, elija µm.

13
 RECTANGULO 1 (r1)

1. En la barra de herramientas de Geometría, haga clic en Primitivas y elija Rectángulo.

Cambie a las estadísticas de portadores de Fermi-Dirac, que son apropiadas para las
altas concentraciones de dopaje utilizadas en este dispositivo.

SEMICONDUCTOR (Semi)

1. En la ventana Configuración de Semiconductor, busque la sección Propiedades del

modelo.

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 2. En la lista de estadísticas del operador, elija Fermi-Dirac.

SEMICONDUCTOR (Semi)

Rectangle 1 (r1)

1. En la ventana Model Builder, en Component1 (comp1)> Geometry, haga clic en

Rectángulo 1 (r1).

15
 2. En la ventana Configuración de Rectángulo, busque la sección Tamaño y forma.

3. En el campo de texto Ancho, escriba w_dom.

4. En el campo de texto Alto, escriba h_dom.

16
 5. Haga clic en Crear todos los objetos.

SEMICONDUCTOR (S E M I)

Modelo analítico de dopaje 1

1. En la barra de herramientas de Física, haga clic en Dominios y seleccione Modelo de

dopaje analítico.
2. En la ventana Configuración para Modelo de dopaje analítico, escriba Dopaje p
constante en la Etiqueta campo de texto.

17
 3. Seleccione solo el dominio 1.

4. Busque la sección Impurezas. En la N Campo de texto A0, escriba 1e14 [1 / cm ^ 3].

18
 Modelo analítico de dopaje 2

1. En la barra de herramientas de Física, haga clic en Dominios y seleccione Modelo

de dopaje analítico.
2. En la ventana Configuración de Modelo analítico de dopaje, escriba p dopaje en el
campo de texto Etiqueta.

3. Seleccione solo el dominio 1.

19
 4. Busque la sección Distribución. De la lista, elija Box.

5. Busque la sección Impurezas. En la N Campo de texto A0, escriba 1e18 [1 / cm ^ 3].

6. Busque la sección Región uniforme. Especifique la r0 vector como:

20
6) REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS

 [1] COMSOL. (2017). GaAs PIN Photodiode. COMSOL Multiphysics Application

Library.
https://www.comsol.com/model/download/559011/models.semicond.gaas_pin_p
hotodiode.pdf
 [2] Pavón Mera, E. (2001). Modelización, simulación y caracterización de
fotodiodos p-n y p-i-n. Universitat Rovira i Virgili.
http://deeea.urv.cat/public/PROPOSTES/pub/pdf/223pub.pdf

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