Laboratorio N° 05: EL TRANSISTOR BIPOLAR – ZONA

ACTIVA, CORTE Y SATURACIÓN

Paul Jhefry Huamán Guia
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica, Universidad Nacional de Ingeniería
Lima, Perú
phuamang@uni.pe

I. Objetivo III. Teoría

 Conocer las características técnicas y los A. TRANSISTOR BIPOLAR

requerimientos de uso del transistor.
 Adquirir destreza en el uso de los equipos y
la obtención de las curvas características del
transistor Bipolar.
 Adquirir destreza en el manejo de los
manuales y obtención de los data sheet de
los dispositivos a usar de Internet y los
equipos de medición.
 Determinar las operaciones de corte y
saturación de los transistores.
 Identificar las rectas de carga y punto de
operación.
 Adquirir destreza en el manejo de los
equipos y el ensamble de los circuitos.
 Afianzar el trabajo en equipo asumiendo
responsabilidades en el desarrollo de la
experiencia.
II. COMPETENCIAS
 Maneja correctamente el multímetro,  NPN es uno de los dos tipos de transistores
generador, fuente de alimentación y
osciloscopio, configurando y conectándolos
apropiadamente.
 Selecciona correctamente los componentes
a utilizar para el análisis de corte y
saturación del transistor bipolar.
 Elabora informes técnicos claros mediante
un formato digital establecido, detallando el
proceso de laboratorio desarrollado,
entregando puntualmente.
 Usa software de simulación y compara con
los resultados experimentales.
 Reconoce la importancia del trabajo en
equipo y se integra y participa en forma
efectiva en equipos multidisciplinarios de
trabajo.
El transistor bipolar es un dispositivo que posee
tres capas semiconductoras con sus respectivos
contactos llamados; colector (C), base (B) y emisor
(E).
La palabra bipolar se deriva del hecho que
internamente existe una doble circulación de
corriente: electrones y lagunas o agujeros.
B. CLASIFICACION DE LOS
TRANSISTORES
B.1 Por la disposición de sus capas.
NPN:
bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se
refieren a los portadores de carga mayoritarios
dentro de las diferentes regiones del transistor.
La mayoría de los transistores bipolares usados
hoy en día son NPN, debido a que la movilidad
del electrón es mayor que la movilidad de los
"huecos" en los semiconductores, permitiendo
mayores corrientes y velocidades de operación.
 Los transistores NPN consisten en una capa de
material semiconductor dopado P (la "base")
entre dos capas de material dopado N. Una
pequeña corriente ingresando a la base en
configuración emisor-común es amplificada en
la salida del colector.
 La flecha en el símbolo del transistor NPN está
en la terminal del emisor y apunta en la
dirección en la que la corriente convencional
circula cuando el dispositivo está en
funcionamiento activo.
PNP
 El otro tipo de transistor de unión bipolar es el
PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las
cargas mayoritarias dentro de las diferentes
regiones del transistor. Pocos transistores
usados hoy en día son PNP, debido a que el
NPN brinda mucho mejor desempeño en la
mayoría de las circunstancias.
 Los transistores PNP consisten en una capa de
material semiconductor dopado N entre dos
capas de material dopado P. Los transistores
PNP son comúnmente operados con el colector
a masa y el emisor conectado al terminal
positivo de la fuente de alimentación a través
de una carga eléctrica externa. Una pequeña
corriente circulando desde la base permite que
una corriente mucho mayor circule desde el
emisor hacia el colector.
 La flecha en el transistor PNP está en el
terminal del emisor y apunta en la dirección en
la que la corriente convencional circula cuando
el dispositivo está en funcionamiento activo.
B.2 Por la disipación de potencia.
El funcionamiento y utilización de los
transistores de potencia es idéntico al de los
transistores normales, teniendo como
características especiales las altas tensiones e
intensidades que tienen que soportar y, por tanto,
las altas potencias a disipar.
Existen tres tipos de transistores de potencia:
 bipolar.
 unipolar o FET (Transistor de Efecto de
Campo).
 IGBT.
B.3 Por la frecuencia de trabajo.
 El 2N2222, también identificado como
PN2222, es un transistor bipolar NPN de
baja potencia de uso general.
 Sirve tanto para aplicaciones de
amplificación como de conmutación. Puede
amplificar pequeñas corrientes a tensiones
pequeñas o medias; por lo tanto, sólo puede
tratar potencias bajas (no mayores de medio
Watts). Puede trabajar a frecuencias
medianamente altas.
 Por todas esas razones, es un transistor de
uso general, frecuentemente utilizados en
aplicaciones de radio por los constructores
aficionados de radios. Es uno de los
transistores oficiales utilizados en el BITX.
Su versatilidad ha permitido incluso al club
de radioaficionados Norcal lanzar en 1999
un desafío de construir un transceptor de
radio utilizando únicamente hasta 22
ejemplares de este transistor - y ningún
circuito integrado.
 Las hojas de especificaciones señalan como
valores máximos garantizados 500
miliamperios, 50 voltios de tensión de
colector, y hasta 500 milivatios de potencia.
La frecuencia de transición es de 250 a
300 MHz, lo que permite utilizarlo en
aplicaciones de radio de alta frecuencia
(hasta 300 MHz). La beta (factor de
amplificación, hFe) del transistor es de por
lo menos 100; valores de 150 son típicos.
 El 2N2222 es fabricado en diferentes
formatos, los más comunes son los TO-
92, TO-18, SOT-23, y SOT-223.
 C. SIMBOLOGIA DE LOS
TRANSISTORES

E. CURVAS

Aqui mostramos las curvas del transistor BJT.

Donde:
IB: es la corriente en la base
IE: es la corriente en el emisor
IC: es la corriente en el colector
Además en todo transistor se cumple la siguiente
relación
I C =β × I B
Los transistores de unión bipolar tienen diferentes
β +1
I E= I regiones operativas, definidas principalmente por la
β C forma en que son polarizados:
β: indica la ganancia de corriente en un transistor REGIÓN ACTIVA
BJT.
Como acabamos de ver un transistor está
D. POLARIZACION DEL TRANSISTOR trabajando en la zona activa cuando la unión de
emisor se polariza en directa y la unión de
Cuando hablamos del diodo, veíamos que tenía dos colector en inversa. En el caso de un transistor
posibilidades de polarización; directa e inversa. pnp, para polarizar la unión de emisor en
Ahora que trabajamos con el transistor que posee directa habrá que aplicar una tensión positiva
dos uniones, una entre emisor y base (unión JE) y la del lado del emisor, negativa del lado de la
zona entre base y colector (unión JC) las cuales base, o lo que es lo mismo una tensión VBE
pueden ser polarizadas de forma similar al diodo. positiva. De igual manera, para polarizar la
Para que un transistor bipolar funcione unión de colector en inversa hay que aplicar
adecuadamente, es necesario polarizarlo una tensión VCB negativa.
correctamente. Para ellos se debe cumplir que: La
juntura BASE - EMISOR este polarizado
directamente, y La juntura COLECTOR – BASE
este polarizado inversamente.
Ejemplo: Si el transistor es NPN, la base debe tener
un voltaje positivo con respecto al emisor y el
colector debe tener un voltaje también positivo
pero, mayor que el de la base. En el caso de un
transistor
PNP debe ocurrir lo contrario. REGION DE CORTE

La combinación de estas dos polarizaciones entre  Un transistor esta en corte cuando la corriete de

las dos regiones nos permitirá hacer trabajar al
diodo en cuatro zonas de trabajo distintas.
colector = la corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor
del transistor es el voltaje de alimentación del
circuito.
Como no hay corriente circulando, no hay caída
de voltaje, ver Ley de Ohm. Este caso normalmente
se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib = 0).

b. Polarizar el dispositivo y medir C V y B V

. para completar la siguiente tabla:
REGION DE SATURACION

Un transistor está saturado cuando la corriente de

colector = la corriente de emisor = la corriente
máxima, (Ic = Ie = I máxima)
c. A partir de esta tabla graficar la curva de
En este caso la magnitud de la corriente depende transferencia de entrada a salida V C vs V Si
del voltaje de alimentación del circuito y de es necesario, tomar medidas de puntos
los resistores conectados en el colector o el emisor intermedios.
o en ambos, ver L a ley de Ohm. d. Graficar la curva de transferencia de
corrientes ( I C vs I B ) y el beta de las mismas
Este caso normalmente se presenta cuando (BETA vs I C). Ejemplo:
la corriente de base es lo
suficientemente grande como para inducir
una corriente de colector ß veces más grande.
( recordar que Ic = ß * Ib)

IV. Desarrollo de la experiencia

Materiales:
 01 transistor NPN 2N2222 ó 2N3904 e. Armar el circuito de la figura 3
 01 protoboard
 01 Resistencia de 100Ω; 2de 1KΩ de 1W
 02 Fuente DC; puntas de prueba
 01 protoboard y cables conectores
 01 multímetro
 Resistencias:10KΩ;15KΩ;56KΩ;22KΩ;
180KΩ; 3.3KΩ;6.2KΩ;10KΩ;47KΩ ,
510KΩ;2KΩ de 1W
 01 Potenciómetro lineal de 50KΩ y 500 KΩ f.Medir las tensiones V C , V E y V B para trazar la
0.5W recta de carga del circuito, variando R6.
 01 Generador de funciones
 02 transistores BJT iguales BC548A
 02 Diodos LED
 01 Osciloscopio, puntas de prueba
 01 amperímetro analógico
Procedimiento:

a. Armar el circuito de la figura 2: g. Determinar las corrientes y graficar la recta

de carga en el plano I_C vs V_CE del
transistor. Indicar la zona de operación
correspondiente.
 25 99 68 16 52 16 85 54

V 9 10 11 12 13 14 15 16
V C ( v) 9.4 9.33
9.27 9.21 9.17 9.12 9.09 9.06
V B (v ) 6.49 7.21
7.96 8.65 9.41 10.1 10.8 11.6
h. Graficar en un mismo plano las diferentes
rectas de carga, a colores, indicando las zonas I C (mA ) 6.27 6.51 6.69 6.81 6.92 7.01 7.08 7.15
IB 32.1 35.9 39.8
de operación. Adjuntar las datasheet con los 43.5 47.5 51.2 54.9 59
datos de los transistores utilizados. 195. 181. 168. 156. 145. 136. 128. 121.
Beta 35 34 09 55 68 91 96 19
i. Armar el circuito de la figura 2, conectar los
diodos LED en serie con las resistencias R1 y
R2, colocar en V3 una fuente DC y Zona de Zona Activa Zona de
reemplazar R1 por un potenciómetro. Corte Saturación
j. Para determinar la región activa varíe el voltaje V BE < 0.66 v 0.66 v< V BE <0.8 v V BE =4.68 v
de entrada V3 y realice las mediciones I B=0 A 2.53 uA< I B < 726uA I B=48.2 mA
necesarias, de tal forma que pueda determinar I C =0 A 0.73 mA < I C <9.44 mA I C =9.47 mA
el intervalo de voltaje (V(min) < V3 < I E =0 A 0.73 mA < I E <10.2mA I E =57.7 mA
V(max)) que mantiene al transistor operando V CE =12 v 9.10 v<V CE <12 v V CE =0.31 v
en la región activa.
k. Para determinar cuando el transistor está en c. Con los valores obtenidos con el simulador,
corte o está en saturación, aumentar de 1v en haga las gráficas de las curvas: I C vs V CE ;
1v el V(max) DC de V3; hasta encontrar un I C vs I B ; Beta vs I C ; I B vs V BE; y obtenga el
cambio en V0. Luego repetir el
procedimiento disminuyendo V(min) de V3 gráfico de respuesta en frecuencia indicando
desde el último valor de v, hasta cero. la ganancia de tensión vs. Frecuencia
En la simulación determinar la resistencia R1 que usando la escala logarítmica.
facilite el corte y saturación de manera más rápida I_C vs V_CE
y usar ese valor en la práctica de laboratorio.
i. Tomar datos y completar la siguiente tabla: 8
7
6
5
I_C (mA)

4
3
2
1
0
8.5 9 9.5 10 10.5 11 11.5 12 12.5
V. Respuesta a Preguntas V_CE (Voltios)

a. Realice los cálculos para hallar I B , I C

empleando el simulador ORCAD / Pspice o
similar.
b. Simule los pasos de la guía de laboratorio y
anote las tensiones y corrientes que se piden
en el experimento.
V 0 1 2 3 4 5 6 7 8
1
V C ( v) 2 11.7 11.2 10.7 10.4 10.1 9.82 9.64 9.5
V B (v ) 0 0.83 1.51 2.21 2.92 3.63 4.35 5.07 5.77
I C (mA )0 0.51 1.49 2.41 3.24 4 4.7 5.34 5.93
I B (uA) 0 1.71 5.36 9.14 12.9 16.7 20.6 24.4 28.3
Beta 298. 277. 263. 251. 239. 228. 218. 209.
 I_C vs I_B
8
7
6
5
I_C(mA)

4
3
2
1
0
0 10 20 30 40 50 60 70

I_B(mA)

Beta vs I_C
350
300
250
200
Beta

150
100
50  2N 3904
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8

I_C ( mA)

I_B vs V_BE
70
60
50
I_B (mA)

40
30
20
10
0
0 2 4 6 8 10 12 14

V_BE (Voltios)

d. Obtenga el Data Sheet del transistor y

determine las características de corte y
saturación, así como el punto de operación
del 2N 2222 y el 2N 3904.
e. Que voltaje AC de entrada puede soportar el
 2N 2222 transistor 2N 2222 y el 2N 3904.
 2N 3904
 R2
1k V1
12V

+0.51
AC mA
R1 Q1
+1.71 BC548
180k AC µA

+11.7
AC Volts
+1.00

 2N 2222
AC Volts

+0.51
AC mA
+0.83
AC Volts

Para V = 2v

R2
1k V1
12V

+1.49
AC mA
R1 Q1
VI. Simulaciones 180k
+5.36
AC µA
BC548

 Circuito de la Figura 2 con Voltaje +11.2

alterna(AC) +2.00
AC Volts

AC Volts
Para V = 0v
+1.50
AC mA
+1.51
AC Volts

R2
1k V1
12V

Para V = 3v
AC mA
0.00

R2
1k V1
12V

R1 Q1
0.00 BC548
180k AC µA
+2.41
AC mA

+12.0
AC Volts
0.00
AC Volts
AC mA
0.00

0.00
AC Volts
R1 Q1
+9.14 BC548
180k AC µA

+10.7
AC Volts
Para V = 1v +3.00
AC Volts
+2.42
AC mA

+2.21
AC Volts

Para V = 4v
 Para V = 7v
R2
1k V1
12V R2
1k V1
12V

+3.24
AC mA

+5.34
AC mA
R1 Q1
+12.9 BC548
180k AC µA R1 Q1
+24.4 BC548
+10.4 180k AC µA
AC Volts
+4.00 +9.64
AC Volts AC Volts
+3.25
AC mA +7.00
+2.92 AC Volts

+5.37
AC mA
AC Volts
+5.07
AC Volts

Para V = 5v
Para V = 8v
R2
1k V1
12V R2
1k V1
12V
+4.00
AC mA

+5.93
AC mA
R1 Q1
+16.7 BC548
180k AC µA R1 Q1
+28.3 BC548
+10.1 180k AC µA
AC Volts
+5.00 +9.50
AC Volts AC Volts
+4.02
AC mA

+8.00
+3.63 AC Volts
+5.96
AC mA
AC Volts
+5.77
AC Volts

Para V = 6v
Para V = 9v
R2
1k V1
12V
+4.70
AC mA

R1 Q1
+20.6 BC548
180k AC µA

+9.82
AC Volts
+6.00
AC Volts
+4.72
AC mA

+4.35
AC Volts
 Para V = 12v
R2
1k V1
12V R2
1k V1
12V

+6.27
AC mA

+6.81
AC mA
R1 Q1
+32.1 BC548
180k AC µA R1 Q1
+43.5 BC548
+9.40 180k AC µA
AC Volts
+9.00 +9.21
AC Volts AC Volts
+6.31
AC mA +12.0
+6.49 AC Volts

+6.85
AC mA
AC Volts
+8.65
AC Volts

Para V = 10v
Para V = 13v
R2
1k V1
12V R2
1k V1
12V
+6.51
AC mA

+6.92
AC mA
R1 Q1
+35.9 BC548
180k AC µA
R1 Q1
+47.5 BC548
+9.33 180k AC µA

AC Volts +9.17
+10.00
AC Volts
AC Volts +13.0
+6.55
AC mA

AC Volts
+7.21
+6.97
AC mA
AC Volts +9.41
AC Volts

Para V = 11v
Para V = 14v
R2
1k V1
12V
+6.69
AC mA

R1 Q1
+39.8 BC548
180k AC µA

+9.27
AC Volts
+11.0
AC Volts
+6.73
AC mA

+7.96
AC Volts
 R2 R2
1k V1 1k V1
12V 12V

+7.15
AC mA
+7.01
AC mA
R1 Q1 R1 Q1
+51.2 BC548 +59.0 BC548
180k AC µA 180k AC µA

+9.12 +9.06
AC Volts AC Volts
+14.0 +16.0
AC Volts AC Volts

+7.21
AC mA
+7.06
AC mA

+10.1 +11.6
AC Volts AC Volts

Para V = 15v

R2
1k V1
12V
+7.08
AC mA

R1 Q1
+54.9 BC548
180k AC µA

+9.09
AC Volts
+15.0
AC Volts
+7.13
AC mA

+10.8
AC Volts

 Circuito de la Figura 3 con Voltaje

continua(DC) variando la
Para V = 16v resistencia.
Para 56kΩ
 R2 R2
1k 1k

R1

+5.20
R1

+2.95
mA

mA
47k 47k

V1 Q1 V1 Q1
12V +22.6 BC548 +11.2
12V BC548
µA µA
+6.80 +9.05
Volts Volts

R4 R4
+5.94 56k +3.66 22k
Volts R3 Volts R3
+5.22 1k +2.96 1k
Volts
Volts

Para 47kΩ
Para 15kΩ
R2
1k
R2
1k

R1
+4.79
mA

47k

R1

+2.12
mA
47k

V1 Q1
12V +20.3 BC548
µA
+7.21
V1 Q1
Volts +7.70
12V BC548
R4 µA
+9.88
+5.52 47k
Volts R3 Volts
+4.81 1k
Volts R4
+2.82 15k
Volts R3
+2.12 1k
Volts

Para 22kΩ
Para 3.3kΩ
 Para la Zona Activa (mínima)
R2 R1
1k
1k
D1 V1
LED-GREEN 12V

+0.73
mA
R1

+0.16
mA
47k

D2
V1 Q1 R2
+2.53
Q1
BC548
12V +0.54 BC548 180 µA
µA LED-GREEN
+11.8 V2
0.9V
Volts
+9.10

+0.73
R4 +0.66

mA
Volts
Volts
+0.79 3.3k
Volts R3
+0.16 1k
Volts

Para la Zona Activa (maxima)

R1
1k

 Circuito de la Figura 2 con Voltaje D1

LED-GREEN
V1
12V
Continua (DC)

+9.44
mA
Para la Zona de Corte
R1
1k
D1 V1
LED-GREEN 12V D2
R2 Q1
+726 BC548
180 µA
LED-GREEN
V2
0.00
mA

3.1V

+0.33
+10.2
+0.80
mA
Volts
Volts

D2
R2 Q1
0.00 BC548
180 µA
LED-GREEN
V2
0V Para la Zona de Saturación
+12.0
R1
0.00
0.00
mA

Volts 1k
Volts
D1 V1
LED-GREEN 12V
+9.47
mA

D2
R2 Q1
+48.2 BC548
180 mA
LED-GREEN
V2
15.7V

+0.31
+57.7

+4.68
mA

Volts
Volts
 VII. Bibliografia
[1] Anonimo, "Transistor Bipolar", recuperado
de
http://cvb.ehu.es/open_course_ware/castellano/tecnic
as/electro_gen/teoria/tema-4-teoria.pdf.
[2] Dpto. Tecnología Electrónica, "Dispositivos
Electronicos I" Recuperado de:
http://mdgomez.webs.uvigo.es/DEI/Guias/tema5.pdf
[3] Anonimo, "DatasheetCatalog", Recuperado
de:http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet
2/1/026yudu3urfdud404g8c2g11rpcy.pdf
[4] Anonimo, "Alldatasheet", Recuperado de:
http://html.alldatasheet.com/html-
pdf/15077/PHILIPS/2N3904/745/3/2N3904.
html