UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER

ESCUELA DE INGENIERÍAS ELÉCTRICA, ELECTRÓNICA Y DE TELECOMUNICACIONES

Perfecta Combinación entre Energía e Intelecto

FUENTES DE CORRIENTE
Informe de Laboratorio No.5
DIEGO FERNANDO GUARIN M. Cód. 2071215, RAMIRO ENRIQUE DORADO Z. Cód. 2073731
Presentado a: Ing. Javier Mier

RESUMEN: En esta práctica se realizó el diseño y la

simulación de dos fuentes de corriente usando
transistores CMOS tipo n de tal forma que se pudiese
observar el comportamiento de estas para diferentes
valores de cargas resistivas y asi poder encontrar
cual tiene mejor regulación.

I. ANALISIS DE DATOS

1. Para el primer montaje, se realizó el diseño de una
fuente de corriente simple de 500µA. El circuito fue el
siguiente:
Fig.3 Io vs VDD - Fuente de corriente sencilla
De las gráficas podemos apreciar en que regiones el
circuito mantiene su corriente, es decir, hasta cual es
el valor máximos de carga antes de que la corriente
comience a decaer y cual el valor de tensión
adecuado para obtener la corriente requerida.

Al realizar el montaje físico se obtuvo la siguiente

información:

RL[Ω] ID[µA]
9800 530
19700 522
32700 506
42600 418
52500 341
Fig.1 Fuente de corriente sencilla Tabla. 1 Io Vs RL Real – Fuente Sencilla

Fig. 2 Io Vs RL - Fuente de corriente sencilla

Fig. 4 Gráfica Real - Io Vs RL

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En la figura 4 se observa como el circuito físico

reacciona de igual manera que en la simulación al
variar la resistencia de carga. Se puede observar
además que para ningún valor de resistencia usado la
corriente es constante.

Del diseño de la fuente de corriente sencilla se

encontró que la resistencia máxima que se puede
agregar como carga es más o menos de 33.1kΩ, lo
cual se corrobora con el valor arrojado en la
simulación.

2. Para la fuente de corriente Wilson es necesario

conocer los valores del parámetro Gamma presente
en los transistores ya que para hacer su diseño se
tuvo en cuenta el efecto cuerpo presente en este tipo
de dispositivos. El valor de gamma fue hallado de
igual manera que con el valor de Vt solo que ahora se
alimenta por el Body del transistor y se mide el valor
de tensión en el cual la corriente tiene un incremento
repentino, es decir, cuando el transistor sale de su
región de corte. Fig.6 Fuente de corriente Wilson

M1
V1
M b re a k N 5
V3
0Vdc
V2
0Vdc

0
Fig. 7 Io Vs RL - Fuente de corriente Wilson
Fig.5 Circuito para hallar Gamma

El valor promedio del parámetro gamma fue:

γ=2.175

Ya teniendo el gamma respectivo del transistor se

realizó la simulación y los resultados son mostrados a
continuación.

Fig.8 Io vs VDD - Fuente de corriente Wilson

En la gráfica de Io Vs RL podemos apreciar que la

fuente de corriente Wilson reacciona mejor a la
variación en la carga y además tiene un valor más
estable de corriente. En la gráfica que varía V DD
podemos observar que al igual que la fuente de
corriente sencilla, después de alcanzar la tensión de
polarización la corriente se establece en un valor casi
constante.

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Al realizar el montaje físico se obtuvo la siguiente

información: - Fuente Wilson

RL[Ω] ID[µA] 311u−500 u

%Iref = =37,8 %
10000 311 500u
26700 311
42−32
36600 310 %Ro= =3 1 ,25 %
41600 310 32
48300 308
53000 292 II. OBSERVACIONES
74000 214
Tabla. 2 Io Vs RL Real – Fuente Wilson  Los transistores usados para hacer el montaje
físico de la fuente de corriente Wilson
provienen de dos circuitos integrados
diferentes que, a pesar de haber sido
comprados al tiempo y ser aparentemente del
mismo lote, pueden tener diferencias en sus
parámetros internos de fabricación lo cual
puede generar error en los cálculos.
 El valor de carga máximo en cada montaje
físico fue tomado aproximado ya que es muy
difícil variar el valor de la esta de manera
precisa hasta encontrar donde cambia la
corriente.
Fig. 9 Gráfica Real - Io Vs RL

Al hacer el montaje físico de la fuente de corriente

III. CONCLUSIONES
Wilson no se logró obtener el valor de la corriente
establecido en el diseño pero si logró comportarse de
igual manera que en la simulación, es decir, la  Se encontró que las dos fuentes de corriente
corriente se mantiene mejor que en la fuente sencilla. se comportan tal y como se observa en la
El valor de la corriente con que fue diseñado el teoría de la materia, cada una con sus
circuito fue de 500µA pero el montaje físico solo ventajas y desventajas.
entregó 311µA, por lo cual ser hace necesario hacer  Se observó que la fuente de corriente Wilson
una corrección del parámetro Gamma. Donde el tiene mejor regulación que la fuente sencilla,
nuevo gamma es:
ya que es más estable a la variación de la
r =2,053 carga pero al tener el doble de transistores
que la fuente sencilla, consume mayor
Porcentajes de Error potencia.
 Después que las fuentes dejan de mantener
- Fuente sencilla su corriente, esta cae de forma cuadrática
debido a que este es el comportamiento de la
51 9 u−500u
%Iref = =3 ,8 % corriente cuando los transistores están en la
500 u región de tríodo.

33 . 1−32 IV. REFERENCIAS

%Ro= =3 , 4 %
32
[1] Sedra y Smith, Circuitos Microelectrónicos, 4
Edición, 1998, Oxford México.

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[2] Analysis and desing of analog integrated circuits , 4

edicion Gray Hurst Lewis Meyer.