INSTITUTO DE EDUCACIÓN SUPERIOR TECNOLÓGICO PÚBLICO

“APARICIO POMARES” - HUÁNUCO

CARRERA PROFESIONAL: Electrotecnia Industrial

NOMBRE DEL MÓDULO PROFESIONAL: Mantenimiento de

máquinas y equipos eléctricos

NOMBRE DE LA UNIDAD: Didáctica Tecnología de Materiales

SEMESTRE: III

TEMA: Magneto-resistencia,válvulas de spin.

RECURSOS DE CLASE: PDF

EVALUACIÓN:explorar nuevas tecnologías magnéticas

DOCENTE: Lic.Educ Micheleban Gustavo Herrera Acosta

FECHA: 24– 06 - 2020

 Magnetorresistencia gigante

La magnetorresistencia gigante (en inglés, Giant Magnetoresistance Effect o GMR) es

un efecto mecánico cuántico que se observa en estructuras de película
delgada compuestas de capas alternadas ferromagnéticas y no magnéticas. Se manifiesta
en forma de una bajada significativa de la resistencia eléctrica observada bajo la
aplicación de un campo magnético externo: cuando el campo es nulo, las dos capas
ferromagnéticas adyacentes tienen una magnetización antiparalela puesto que están
sometidas a un acoplamiento ferromagnético débil entre las capas. Bajo efecto de un
campo magnético externo, las magnetizaciones respectivas de las dos capas se alinean y
la resistencia de la multicapa cae de manera súbita. Los spines de los electrones de la
sustancia no magnética se alinean en igual número de manera paralela y antiparalela al
campo magnético aplicado, y por tanto sufren un cambio de difusión magnética en una
menor medida respecto a las capas ferromagnéticas que se magnetizan de forma
paralela.

Descubrimiento
Este efecto fue descubierto de forma independiente en 1988 por un equipo liderado
por Peter Grünberg del Jülich Research Centre en capas cristalinas de Fe/Cr/Fe, los
cuales poseen la patente y en capas de Fe/Cr por el grupo de Albert Fert de
la Universidad de París-Sur, quienes por primera vez observaron el fenómeno en las
multicapas que dio lugar al nombre y que primeramente explicaron la física subyacente.
Un equipo de IBM liderado por Stuart Parkin reconoció rápidamente las posibilidades
de utilización del efecto para un sensor de campo magnético y, por consiguiente, para
la cabeza de lectura en un disco duro de ordenador y replicó el efecto en capas
policristalinas en 1989. En diciembre de 1997 IBM liberó al mercado el primer
dispositivo comercial basado en este efecto.
El descubrimiento de esta tecnología supuso para Peter Grünberg y Albert
Fert el Premio Nobel de Física del año 2007.
Tipos de fenómenos GMR
Magnetorresistencia gigante en las multicapas
En este caso, al menos dos capas ferromagnéticas están separadas por una película
ultradelgada (cerca de 1 nanómetro) de metal no ferromagnético (por ejemplo, dos
capas de hierro separadas por el cromo: Fe / Cr / Fe). Para ciertos espesores,
el acoplamiento RKKY entre las capas ferromagnéticas adyacentes, se hace un
acoplamiento antiferromagnético: a nivel energético, se hace preferible para las capas
adyacentes que sus magnetizaciones respectivas se alineen de manera antiparalela. La
resistencia eléctrica del dispositivo normalmente es más grande en el caso antiparalelo,
y la diferencia puede alcanzar varias decenas de porcentuales a temperatura ambiente.
En estos dispositivos, la capa intermediaria corresponde al segundo pico
antiferromagnético en la oscilación antiferromagnético-ferromagnético del
acoplamiento RKKY.
La magnetoresistencia gigante fue observada por primera vez en una configuración
multicapa, trabajándose con apilamientos de 10 o más capas.

Magnetorresistencia gigante de válvula de spin

En el GMR de válvula de spin dos capas ferromagnéticos están separadas por una capa
no magnética (aproximadamente 3 nm), pero sin acoplamiento RKKY. Si el campo
coercitivo de ambos electrodos ferromagnéticos es diferente, es posible conmutarlos
independientemente. Así, podemos realizar una alineación paralela o antiparalela, y la
resistencia debe ser más grande en el caso antiparalelo. Este sistema es a veces llamado
válvula de espín puesto que permite controlar el espín de los electrones que circulan.
Esta es la que presenta mayor interés comercial puesto que es la configuración usada en
la mayoría de los discos duros.

Magnetorresistencia gigante granular

El magnetoresistencia gigante granular es un fenómeno que se produce
en precipitados sólidos de materiales magnéticos en una matriz no magnética. En la
práctica, el GMR granular es observado únicamente en matrices de cobre que contienen
gránulos de cobalto. La razón de ello es que el cobalto y el cobre no son miscibles, y
por tanto es posible crear precipitado sólido enfriando rápidamente una mezcla en
fusión de cobre y cobalto. La talla de los gránulos depende de la velocidad de
enfriamiento y del recocido posterior. Los materiales que muestran una
magnetoresistencia gigante granular no parecen en el 2005 capaces de reproducir los
efectos tan importantes como los presentados por los formados a partir de multicapas.

Espintrónica

Espintrónica (neologismo a partir de "espín" y "electrónica" y conocido también

como magnetoelectrónica) es una tecnología emergente que explota tanto la
carga del electrón como su espín, que se manifiesta como un estado de
energía magnética débil que puede tomar solo dos

valores, o (donde es la constante de Planck dividida por 2π

o constante reducida de Planck).
El primer requisito para construir un dispositivo espintrónico es disponer de un
sistema que pueda generar una corriente de electrones "espín polarizados" (es
decir, que tengan el mismo valor para su espín) y de otro sistema que sea
sensible a esa polarización. Un paso más radical sería tener una unidad
intermedia que realice algún tipo de procesamiento en la corriente, de acuerdo
con los estados de los espines.
Un dispositivo espintrónico simple debería permitir la transmisión de un par de
señales por un único canal usando electrones "espín polarizados" y produciendo
una señal diferente para los dos valores posibles, duplicando así el ancho de
banda del cable.
El método más simple de que una corriente sea "espín polarizada" es hacerla
pasar a través de un material ferromagnético, que debe ser un cristal único, de
forma tal de que filtre a los electrones de manera uniforme. Si en cambio se
dispone el filtro frente a un transistor, éste se convertirá en un detector sensible
a los espines.
Si los dos campos magnéticos están alineados, entonces la corriente podrá
pasar, mientras que si se oponen aumentará la resistencia del sistema, efecto
conocido como magnetorresistencia gigante.
Probablemente el dispositivo espintrónico más exitoso hasta el momento haya
sido la válvula espín, un dispositivo con una estructura de capas de materiales
magnéticos que muestra enorme sensibilidad a los campos magnéticos. Cuando
uno de estos campos está presente, la válvula permite el paso de los electrones,
pero en caso contrario sólo deja pasar a los electrones con un espín
determinado. Desde 2002 ha sido común su uso como transductor en cabezas
de discos duros.
La espintrónica puede tener un impacto radical en los dispositivos de
almacenamiento masivo; científicos de IBM anunciaron en 2002 la compresión
en un área diminuta de cantidades enormes de datos, alcanzando una densidad
de aproximadamente 155.000 millones de bits por cm².
El uso convencional del estado de un electrón en un semiconductor es la
representación binaria, pero los "bits cuánticos" de la espintrónica (qubits)
explotan a los estados del espín como superposiciones de 0 y 1 que pueden
representar simultáneamente cada número entre 0 y 255. Esto puede dar lugar
a una nueva generación de ordenadores (computación cuántica).