Electrodeposición y Caracterización Del Óxido de Aluminio Sobre Placas de Óxido de Indio y Estaño (ITO)

INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL
ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERÍA QUÍMICA

E INDUSTRIAS EXTRACTIVAS
ELECTRODEPOSICIÓN Y CARACTERIZACIÓN DEL

ÓXIDO DE ALUMINIO SOBRE PLACAS DE
ÓXIDO DE INDIO Y ESTAÑO (ITO)
T E S I S
QUE PARA OBTENER EL TÍTULO DE

INGENIERO QUÍMICO INDUSTRIAL
P R E S E N T A
ESTEBAN SAMUEL CRUZ RAMOS
ASESOR: Dra. CARMEN M. REZA SAN GERMÁN

AGRADECIMIENTOS
Gracias al Instituto Politécnico Nacional por ser mi principal formador en la vida
académica, por sus excelentes profesores y personal que procura el desarrollo de
la comunidad politécnica en excelencia.
Mi especial reconocimiento al Centro de Nanociencias, Micro y Nanotecnologías
del Instituto Politécnico Nacional por su invaluable ayuda en los estudios de
caracterización morfológica y estructurales del presente trabajo de tesis.
La más sincera gratitud a la Dra. Carmen Magdalena Reza San German por ser
un apoyo fundamental en la conclusión de esta etapa académica y por inspirarme
a continuar enriqueciendo mi conocimiento y usarlo en bien del desarrollo de la
sociedad. Gracias por probar mis límites y enseñarme de disciplina, así como
demostrarme que soy capaz de lograr grandes cosas, a definir una meta,
desglosarla en objetivos y trabajar por ellos para cumplirlos de manera óptima.
Agradezco a mis 4 sinodales: Dra. Lucia Graciela Díaz Barriga Arceo, Dra. María
Elena Manríquez Ramírez, Dr. Abel Zúñiga Moreno y al Ing. Salvador Pérez
Cárdenas por sus excelentes consejos, tiempo y dedicación en la formación y
mejora del presente trabajo de tesis.
Gracias a mis padres, que son los que me han inculcado valores y quienes han
marcado la pauta para ser una mejor persona cada día. Mi especial gratitud a mi
mamá Rosario Ramos Portilla por su apoyo incondicional y por los sacrificios que
hizo durante mi formación académica que hoy rinde un fruto más.
-2-
Dedico esta tesis a mis hermanos Felipe de Jesús Cruz Ramos y Ángel Gael Cruz
Ramos como una muestra de agradecimiento por su compañía y cariño en mi
vida, y como una pauta para que se esfuercen y en su momento tengan la
satisfacción de concluir una carrera profesional.
Gracias a mi familia que siempre me apoyó y dedicó inmenso amor, así como su
comprensión y cariño cuando requerí ausentarme de reuniones y fechas
importantes por sacar adelante mis estudios.
Finalmente, gracias a mis amigos más cercanos, quiénes son mi inspiración actual
para superarme cada día, por mostrarme a través de sus ojos la persona íntegra,
inteligente y con gran potencial que soy. Mi más sincero reconocimiento a María
Álvarez, Leila Vera, Dulce González, Alejandro Oliver, Jesús Torres y Gustavo
Matamoros por su impulso, cariño, motivación y contagiarme las ganas de ser
mejor en cada aspecto de mi vida día tras día.

ÍNDICE GENERAL
ÍNDICE DE FIGURAS 7
ÍNDICE DE TABLAS 10
RESUMEN 11
INTRODUCCIÓN 12
HIPÓTESIS 18
OBJETIVO GENERAL 18
OBJETIVO PARTICULAR 18
CAPÍTULO I: ANTECEDENTES 20
1.1 Características del ITO. 20
1.2 Aplicaciones y uso del ITO. 23
1.3 Propiedades del Al2O3 . 24
1.4 Aplicaciones del compuesto SiO2-ITO. 27
CAPÍTULO II: MÉTODOS DE SÍNTESIS DE PELÍCULAS DE ÓXIDO DE
ALUMINIO 29
2.1 Métodos físicos y químicos. 30
Método sol-gel. 30
Rocío Pirolítico Ultrasónico. 31

Deposición química en fase vapor (CVD). 32
Técnica ablación láser. 33
Síntesis Hidrotermal y Solvotermal. 35
2.2 Métodos electroquímicos de depósito de película. 36
2.2.1 Electrodeposición. 36
2.2.2 Anodizado electroquímico. 39
CAPITULO III: METODOLOGÍA EXPERIMENTAL 42
3.1 Sistema de electrodeposición. 43
3.2 Procedimiento para el depósito de aluminio por vía pulverización
catódica. 45
3.3 Desarrollo experimental de anodizado. 49
CAPITULO IV: ANÁLISIS DE RESULTADOS 52
4.1 Difracción de Rayos X. 53
4.1.1 Fundamento de la Difracción de Rayos X. 54
4.1.2 Resultado de la Técnica Difracción de Rayos X. 56
4.2 Elipsometría Espectroscópica. 59
4.2.1 Fundamento de Elipsometría Espectroscópica. 61
4.2.2 Resultado de la Técnica de Elipsometría Espectroscópica. 63
4.3 Microscopía de Fuerza Atómica. 69
4.3.1 Fundamento de Microscopía de Fuerza Atómica. 69
4.3.2 Resultado de la Técnica de Microscopia de Fuerza Atómica. 70

Conclusiones y Recomendaciones 77
Referencias Bibliográficas 79
Anexos 84
ÍNDICE DE FIGURAS
Figura 01. Morfología del Al2O3. 27
Figura 02. Elementos que intervienen en un proceso electrolítico. 39
Figura 03. Esquema del proceso de deposición por pulverización catódica
(Sputtering). 44
Figura 04. Equipo de pulverización catódica (Sputtering) del Centro de
Nanociencias y Micro y Nanotecnologías del IPN (CNMN-IPN). 44
Figura 05. Placas de ITO de 7.5 cm x 2.5 cm. 45
Figura 06. Cátodos más comunes utilizados para pulverización catódica. 46
Figura 07. Equipo del sistema de depósito de alto vacío Intercovamex del Centro
de Nanociencias y Micro y Nanotecnologías del IPN (CNMN-IPN). 47
Figura 08. Porta muestras del equipo de pulverización catódica (sputtering) del
Centro de Nanociencias y Micro y Nanotecnologías del IPN (CNMN-IPN). 47
Figura 09. Cámara de pulverización del equipo sputtering (pulverización catódica)
Centro de Nanociencias y Micro y Nanotecnologías del IPN (CNMN-IPN). 48
Figura 10. Plasma generado dentro del sistema de depósito del equipo de
pulverización catódica del Centro de Nanociencias y Micro y Nanotecnologías del
IPN (CNMN-IPN). 49
Figura 11. Placas de ITO 2.5 cm x 1cm, con aluminio depositado. 50

Figura 12. Esquema del proceso de anodizado electrolítico. 50
Figura 13. Montaje experimental del anodizado. 51
Figura 14. Espectro electromagnético a la izquierda. A la derecha del mismo se
muestra la analogía entre la microscopia óptica y la difracción de rayos x. 53
Figura 15. Equipo de Difracción de Rayos X del Centro de Nanociencias y Micro y
Nanotecnologías del IPN (CNMN-IPN). 55
Figura 16. Difractograma de la placa de ITO con aluminio. 57
Figura 17. Difractograma de la placa de ITO con aluminio a 15 V de electrolizado.
58
Figura 18. Difractograma de la placa de ITO con aluminio a 20 V electrolizado. 59
Figura 19. Difractograma de la placa de ITO con aluminio a 25 V electrolizado. 59
Figura 20. Elipsómetro Espectroscópico del Centro de Nanociencias y Micro y
Nanotecnologías del IPN (CNMN-IPN). 64
Figura 21. Representación de las capas de ITO sobre el vidrio con y sin rugosidad.
65
Figura 22. Representación de la estructura de las placas con aluminio y óxido de
aluminio. 67
Figura 23. Imágenes de fuerza Atómica en la placa de ITO. 71
Figura 24. Imágenes de Fuerza Atómica en la placa de ITO + aluminio. 72

Figura 25. Imágenes de Fuerza Atómica a 15 volts de electrolizado. 74

ÍNDICE DE TABLAS
Tabla 01. Propiedades del óxido de indio y de estaño. 22
Tabla 02. Propiedades de la alúmina (Al2O3). 26
Tabla 03. Condiciones de operación del equipo de sistema de depósito de alto vacío.
46
Tabla 04. Modelos de dispersión. 64
Tabla 05. Espesores sin y con rugosidad para ITO. 66
Tabla 06. Espesores con rugosidad para aluminio-óxido de aluminio. 67
Tabla 07. Resultados de espesores por elipsometría espectroscópica. 68
- 10 -
RESUMEN
En este trabajo se ha desarrollado la formación de películas de óxido de
aluminio sobre placas de ITO-SiO 2, utilizando el método de anodizado
electroquímico. Por medio del método de anodizado se puede obtener un
crecimiento diferente de película; al manejar un voltaje distinto en cada corrida de
síntesis, con el objetivo de obtener diferentes propiedades físicas o químicas entre
ellas las películas o membranas depositadas.
Para poder efectuar el anodizado es necesario realizar un depósito de
aluminio sobre las placas de ITO-SiO2, el método empleado para el depósito es
por vía pulverización catódica. Posteriormente se realiza la anodización
electroquímica para lograr películas o membranas con nanoporos uniformemente
ordenados a lo largo del área de las placas recubiertas con aluminio.
El objetivo principal es analizar propiedades morfológicas de la
electrodeposición de aluminio sobre placas de ITO - SiO2, tomando en
consideración los métodos de análisis o caracterización, los cuales son: Difracción
de Rayos X para poder conocer la fase presente o los cambios de fase entre cada
corrida de síntesis si es que las hay, Microscopía de Fuerza Atómica para analizar
la morfología y topografía de cada una de las muestras, y Elipsometría
Espectroscópica para verificar los espesores de películas formadas y realizar
análisis de propiedades ópticas y dieléctricas.

INTRODUCCIÓN
La tendencia para tener un planeta más limpio es sin duda el uso de
energías alternativas, al analizar el Programa de las Naciones Unidas para el
Medio Ambiente, este establece que existe en el planeta un deterioro consecuente
de la calidad de vida, la producción y el uso de energía comercial que afectan muy
adversamente al medio ambiente, se puede observar en forma de drenajes ácidos,
emisiones de metano y desechos de minería, derrames de petróleo procedentes
de las instalaciones en tierra, mar y buques; contaminación atmosférica producida
por el dióxido de azufre, los óxidos de nitrógeno y el dióxido de carbono, al quemar
carbón, petróleo y gas[1]. Sabemos entonces que al utilizar energías no renovables
se establece un aumento del CO2 en la atmósfera, lo cual incrementa el
calentamiento global y este a su vez una alteración de los fenómenos naturales.
Todo elemento manufacturado que se genera en el planeta, requiere de
energía; mundialmente, la industria se encuentra basada fundamentalmente en el
petróleo. Sin energía se paraliza la economía y, con ello, el abastecimiento de
elementos vitales para el ser humano, en especial la producción de alimentos; es
por ello que debemos analizar los tipos de energía que podríamos utilizar sin
tomar parte del petróleo [2].
Las energías renovables son aquellas cuya fuente reside en fenómenos de
la naturaleza, procesos o materiales susceptibles de ser transformados en energía
aprovechable por la humanidad, y que se regeneran naturalmente, por lo que se

encuentran disponibles de forma continua. Las fuentes renovables de energía
perdurarán por miles de años. Las energías renovables se pueden clasificar de
distintas formas: por su origen primario de la energía, por el nivel de desarrollo de
las tecnologías, y por las aplicaciones de las energías [2,1].
La energía solar es la energía obtenida a partir del aprovechamiento de la
radiación electromagnética procedente del Sol. Energía eólica es la energía
obtenida del viento, es decir, la energía cinética generada por efecto de las
corrientes de aire, y que es transmutada en otras formas útiles para las
actividades humanas. Se denomina energía renovable a la energía que se obtiene
de fuentes naturales virtualmente inagotables[3].
La búsqueda de compuestos químicos que optimicen el almacenamiento de
energía en paneles solares es un reto, las fotoceldas no han llegado a tener gran
auge debido a que no tienen una muy buena capacidad de almacenamiento de
energía y presentan elevados costos de producción [4].
Existen diversos estudios que conllevan este tipo de investigaciones en
donde desarrollan celdas solares sensibilizadas, entre los cuales encontramos
aquellos que utilizan nanotubos de TiO 2, los cuales fueron obtenidos por procesos
de anodizado directamente sobre una placa de Ti [5 6], otros más desarrollan sus
estudios acerca de electrolitos o colorantes, los cuales son contenidos en las
celdas solares, estos colorantes son dipolares como la clorilamina, fluoreno o
bifenilo conjugado, ácido cianoacético [ 7 ], o incorporándole tiofeno como fuente de
electrones a donar[8], algunos más centran su trabajo en mejorar los tintes ya que
las preocupaciones ambientales asociadas a estos trabajos han estimulado mucho
esfuerzo para encontrar tintes de base orgánica alternativas, más baratas y más
seguras; aunado a esta parte tenemos que las celdas solares sensibilizadas por
colorante (DSSCs) son alternativas posibles para futuros dispositivos, en la
conversión de la energía solar[ 9 ]

, también se han creado especies de celdas
fotovoltaicas basadas en silicio policristalino en donde establece su producción
ecológica[10] y mejorada[11].
Una innovación importante que se ha hecho en las celdas solares es para
aplicaciones espaciales, aunque estas tienen especificaciones más estrictas que
los dispositivos para vía terrestres como menor peso, mayor eficiencia, mayor
confiabilidad y alta resistencia a la radiación. La provisión de energía eléctrica en
los satélites está dada en casi la totalidad de los casos por sistemas fotovoltaicos,
siendo las celdas solares el principal componente de dicho sistema, y el GaAs y el
[12]
InGaP los materiales fotovoltaicos más destacados en aplicaciones espaciales .
Otro material utilizado en la fabricación de celdas solares policristalinas de
CdS/CdTe tienen en la actualidad una eficiencia fotovoltaica del 15 al 22%, la
ventaja de estos materiales es que es relativamente fácil de procesar, son
considerados una excelente opción para la conversión fotovoltaica, estos paneles
presentan una vida útil promedio de 20 a 30 años dependiendo de las técnicas de
[13]
depósito, tipo de encapsulado, lugar donde queden expuestos dichos paneles .
Una metodología interesante para películas de TiO 2 nanocristalino
conformemente recubierto con una capa superior delgada de un segundo óxido

metálico, por ejemplo, el SiO2, Al2O3 y ZrO2 fueron fabricados por inmersión de
películas mesoporosas. El TiO2 nanocristalino en soluciones orgánicas de sus
respectivos alcóxidos, seguido de sinterización a 435 ° C. Estos tres sobrecapas
de óxido de metal se muestran en todos los casos para actuar como capas de
barrera para los procesos de transferencia de electrones interfaciales.
Las mediciones experimentales de la densidad electrónica de las películas
generadas por los óxidos metálicos y la dinámica de recombinación de la carga
interfacial bajo el sesgo negativo aplicado variaron significativamente para las
superposiciones. Se observó una buena correlación entre estas observaciones y el
punto de carga cero (el valor de pH en el que la carga neta en la superficie del
material es neutra, es uno de los parámetros o características más importantes
para describir las superficies de carga variable) de los diferentes óxidos metálicos.
Sobre esta base, se encuentra que el recubrimiento más alcalino de la alúmina
(Al2O3, pzc= 9.2), es óptimo para retardar las pérdidas de recombinación
interfacial. Estas observaciones muestran una buena correlación con los análisis
de corriente / voltaje de celdas solares sensibilizadas con colorante fabricadas a
partir de estas películas, con el Al2O3 que resulta en un aumento en V (oc) de
hasta 50 mV y una mejora del 35% en la eficiencia general del dispositivo. Estas
observaciones se discuten y se comparan con un tratamiento posterior con TiCl 4
alternativo de películas de TiO 2 nanocristalinas con respecto a la optimización de
la eficiencia del dispositivo. [14]
En la fabricación de celdas solares por medio de materiales en forma de
película delgada, las diferentes partes que integran el dispositivo, juegan un papel
importante en su eficiencia final. Por lo general una celda solar está formada por
los
siguientes componentes: un vidrio que contiene un óxido conductor transparente,
una película que actúa como ventana óptica o reflector de la radiación IR, el
semiconductor base dopado con un tipo de portador mayoritario, y un contacto
metálico para colectar los fotoelectrones que viajan de la banda de valencia a la
[15]
banda de conducción al ser activados por la energía solar.
Al analizar los diferentes estudios realizados para el desarrollo o
construcción de celdas solares verificamos que es conveniente realizar síntesis de
materiales que auxilien a fabricar celdas con una mayor capacidad de
almacenamiento de energía, entre este tipo de materiales se encuentra el óxido de
indio-estaño (ITO), ya que tiene propiedades interesantes que van desde
propiedades ópticas y eléctricas; también se muestran grandes desarrollos del
SiO2, el cual tiene propiedades ópticas y eléctricas aunque menores son muy
similares al ITO, es el material que ha sido extensamente desarrollado para los
casos de celdas solares.
En el presente trabajo se pretende analizar el comportamiento morfológico y
estructurales del material ITO + SiO2, al adicionar un recubrimiento de Al 2O3 y
conocer que tan conveniente es la obtención del Al 2O3 correspondiente, también
conocer la factibilidad para mejoramiento de las propiedades fisicoquímicas del
ITO.
En el capítulo I se describen las propiedades físicas y químicas del material
ITO, así como el Al2O3 en membrana o película. En el capítulo II se hace
referencia a los métodos de síntesis para hacer el electrodepósito de los

materiales, ya que se tiene una gran variedad para llevar a cabo estos depósitos
se puede partir de métodos físicos como son deposición física de vapor (PVD),
evaporación térmica,
pulverización catódica, ablación láser, además se encuentran los métodos
químicos donde principalmente se utiliza la deposición por vapor químico, sol- gel
y rocío pirolítico.
Además, en el capítulo III se desarrolla la metodología experimental que se
lleva a cabo en el presente trabajo, así como las condiciones de operación,
reactivos, y el equipo necesario para la experimentación. Por último, en el capítulo
IV se presenta las técnicas utilizadas para hacer los análisis correspondientes del
depósito los cuales fueron difracción de rayos X (DRX), Elipsometría
Espectroscópica, Microscopía de Fuerza Atómica y los resultados obtenidos en
cada técnica realizada.

HIPÓTESIS
Se pueden variar las condiciones de síntesis (voltaje, concentración del electrolito
y tiempo de depósito) para mejorar el crecimiento de películas sobre placas de
ITO, las cuales utilizarán anodizado electroquímico.
OBJETIVO GENERAL
 Analizar las propiedades morfológicas y estructurales de películas de Al 2O3
electrodepositadas sobre placas de SiO 2 + óxido de indio y estaño
(ITO).
OBJETIVOS PARTICULARES
 Depositar capas de óxido de aluminio sobre las placas de SiO 2 - ITO.
 Realizar un anodizado electroquímico del material propuesto Al - SiO2 –
ITO, utilizando ácido sulfúrico como electrolito.
 Comparar y seleccionar las variables de anodizado del aluminio para la
formación de Al2O3.
 Analizar las propiedades morfológicas de la electrodeposición de Al sobre
placas de SiO2 + ITO.

 Analizar por medio de difracción de rayos X las placas antes y después del
anodizado electroquímico, para determinar fases presentes.
 Analizar por medio de microscopía de fuerza atómica la morfología de las
placas antes y después del anodizado electroquímico.
 Determinar el espesor por medio del método de análisis de películas
(elipsometría espectroscópica) de las placas de SiO 2 // ITO // Al2O3.

CAPÍTULO I
ANTECEDENTES
En este capítulo se desarrolla un panorama general acerca del óxido de indio y
estaño mejor conocido como ITO, se presentan sus características, aplicaciones y
usos. Además, se presentan algunas de las propiedades del óxido de aluminio y
aplicaciones del compuesto SiO2-ITO.
1.1 Características del ITO
El ITO es una mezcla de óxido de indio dopado con estaño con una proporción de
90% peso de In2O3 y 10% peso de SnO2. Cuando se presenta en forma de polvo
su color es amarillo-verdoso, sin embargo, para la formación de películas delgadas
es transparente e incoloro en espesores que van desde 1,000 a 3,000 angstroms.
- 20 -
Además, se considera un material semiconductor del tipo n (“donador”) dopado
con una gran banda prohibida (es la diferencia de energía entre la parte superior
de la banda de valencia y la parte inferior de la banda de conducción) de alrededor
de 4eV y debido a esta banda prohibida es casi transparente en la parte visible del
espectro, y en el ultravioleta e infrarrojo es opaco a causa de la banda de
absorción. Presenta una baja resistividad de 8 – 12 Ω/sq (superficie cuadrada) a
temperatura ambiente, por esta razón presenta una buena conductividad eléctrica,
si es utilizada para la formación de película delgada sobre vidrio o plástico. Es un
material que muestra una alta transmisión en las regiones visibles, así como de
infrarrojo cercano del espectro. Su punto de fusión a baja y alta densidad hacen de
[16]
él un excelente conductor, manteniendo una buena propiedad electrónica .
Se considera uno de los mejores óxidos conductores transparentes esto debido a
sus propiedades tales como su conductividad eléctrica, sin embargo, existe algo
interesante en este material ya que al aumentar el espesor incrementa la
concentración de portadores de carga y así también aumentará la conductividad
del material, pero por esta razón existirá una disminución de transparencia. Es uno
de los pocos óxidos que manejan tantos intereses tecnológicos gracias a sus
propiedades tales como alta transparencia, buena conductividad eléctrica y
excelente adherencia de sustrato.
Las películas delgadas de óxido de indio y estaño se depositan más comúnmente
en las superficies por deposición física de vapor. A menudo se utiliza la
evaporación por haz de electrones, o un rango de técnicas de deposición por
pulverización catódica.
El ITO se puede utilizar en la nanotecnología para proporcionar una vía de acceso
a una nueva generación de celdas solares. Las celdas solares hechas con estos
dispositivos tienen el potencial de proporcionar celdas de bajo costo, ultra-ligero,
flexible y con una amplia gama de aplicaciones. En la Tabla 01 se presentan
algunas propiedades del óxido de indio y estaño.
Tabla 01. Propiedades del óxido de indio y de estaño (ITO) 12
Propiedad Valor
Punto de ebullición 1800-2200 K (1526-1926 ° C)
Densidad 7120-7160 kg / m3 a 293 K
Color Amarillo a amarillo verdoso pálido,

dependiendo de la concentración de SnO2
Resistencia laminar 4 – 10-4 Rs (Ω-1)
Conductividad eléctrica 30 – 2.3 x 104 σ (Ω-1 cm-1)
Concentración de 1020 – 1021 N(cm-3)
portadores
Movilidad Hall 10 -70 μH (cm2 V-1 s-1)
Transmisión 80 – 95 T
(región visible)
Reflexión 80 – 90 (R)
(región infrarroja)
Band – gap 3.0 – 4.6 Eg (eV)
Índice de Refracción 1.8 – 2.1 n
Masa Efectiva 0.30 – 0.35 (m* / m0)

1.2 Aplicaciones y uso del ITO
Las películas de ITO son comúnmente utilizadas en aplicaciones optoelectrónicas
que necesitan una alta transparencia (mayor del 90%) en el régimen visible del
[17]
espectro de luz combinado con una conductividad razonable .
El ITO es un material muy interesante, su uso se está ampliando en la
investigación científica, así como en las tecnologías en películas conductoras
transparentes (TCF) como pantallas de cristal líquido, pantallas planas, pantallas
de plasma, pantallas táctiles y tinta electrónica, energía renovable en forma de
celdas solares como sustrato superior cumpliendo con el objetivo de transportar la
corriente eléctrica, así como en módulos o dispositivos electrónicos.
El ITO se puede incorporar en las tintas utilizando una resina de polímero
formador de película adecuado y sistema de disolvente, se deposita mediante
impresión por serigrafía, aunque presenta por éste método menor la transparencia
y conductividad en comparación con un proceso de deposición física.
Otra aplicación de películas delgadas de ITO es para su uso como diodos
orgánicos emisores de luz (en este caso el ITO se utiliza como ánodo), como
revestimientos antiestáticos, blindajes tipo EMI (interferencia electromagnética) y
para descongelar los parabrisas de los aviones.
En los últimos años se ha enfocado la investigación en polímeros conductores en
comparación con algunas aplicaciones del ITO; sin embargo, algunas ventajas del
ITO frente a dichos materiales son la alta resistencia a la humedad y su capacidad

de grabarse en patrones con alta precisión, esto último es debido a su baja
sensibilidad a los ácidos.
Un nuevo intento de aumentar la flexibilidad del ITO e incorporarlo a las pantallas
táctiles flexibles, ha sido realizado por Brown University, utilizando nanocristales
de ITO, para fabricar una película delgada de grosor de 146 nm, presentando una
transmitancia del 93%; al realizar pruebas experimentales, han conseguido regular
el grosor de la película, controlando el tamaño de los nanocristales, así se puede
[18]
modificar la transparencia y la conductividad de la misma .
El ITO también se utiliza para diversos recubrimientos ópticos, como reflector de
rayos infrarrojos para recubrimientos de automoción, así como su uso en lámparas
con cristales de vapor de sodio. Otros usos incluyen sensores de gas,
recubrimientos antirreflejos, electro-humectación en dieléctricos y reflectores de
Bragg para láseres tipo VCSEL. El ITO también se utiliza como revestimiento de
sensores posteriores en las cámaras fotográficas, por ejemplo, la cámara Kodak
DCS 520, como un medio de aumentar la respuesta del canal azul.
La película delgada de ITO puede funcionar a temperaturas de hasta 1400 ºC, por
lo que puede utilizarse en ambientes hostiles, por ejemplo, turbinas de gas,
[19]
motores de aviones y motores de cohetes .
1.3 Propiedades del Al2O3
El aluminio es el elemento metálico que está presente en gran parte de la corteza
terrestre, abunda aproximadamente un 8% ocupando el tercer lugar detrás del

oxígeno y el silicio, además de ser ampliamente utilizado tanto en la industria
manufacturera como en la vida cotidiana.
El aluminio pertenece al grupo III de la tabla periódica de los elementos, es un
elemento que reacciona con relativa facilidad. En sus combinaciones actúa como
material trivalente con carácter electrodepositivo.
Para producir alúmina a partir de la bauxita se utiliza de forma industrial el proceso
Bayer; la alúmina es vital para la producción de aluminio (requiriendo
aproximadamente dos toneladas de alúmina para producir una tonelada de
aluminio). En el proceso Bayer, la bauxita es lavada, pulverizada y disuelta en
sosa cáustica (hidróxido de sodio) a alta presión y temperatura; el líquido
resultante contiene una solución de aluminato de sodio y residuos de bauxita con
contenido de hierro, silicio, y titanio; los residuos se van depositando gradualmente
en el fondo del tanque y luego son eliminados, se les conoce comúnmente como
"barro rojo". La solución de aluminato de sodio clarificada es bombeada dentro de
un enorme tanque llamado precipitador; se añaden finas partículas de alúmina con
el fin de inducir la precipitación de partículas de alúmina puras, una vez que el
líquido se enfría. Las partículas se depositan en el fondo del tanque, se remueven
y luego son sometidas a altas temperaturas en un horno o calcinador, a fin de
eliminar el agua que contienen, producto de la cristalización; el resultado es un
polvo blanco, alúmina pura. La sosa cáustica es devuelta al comienzo del
proceso y usada nuevamente
[20].
El óxido de aluminio tiene la propiedad de ser más duro que el aluminio y el punto
de fusión de la alúmina es de 2345.15 °K en comparación a los 933.15 °K del
aluminio. Cuando el aluminio es extruido o decapado para evitar la acción de los
agentes atmosféricos, forma por sí sólo una capa delgada de óxido de aluminio,
está capa tiene aproximadamente un espesor de 0.01 micras sobre la superficie
de metal que le proporcionan propiedades de anticorrosión. La Tabla 2 presenta
algunas propiedades de la alúmina.
Tabla 02. Propiedades de la alúmina (Al2O3).
Propiedad Valor
Formula Molecular Al2O3
Estado de agregación Sólido
Densidad 3960 kg/m3
Masa Molar 101.96 g/mol
Punto de fusión 2345 K (2072 °C)
Punto de ebullición 3250 K (2977 °C)
Índice de refracción nω=1.768–1.772
nε=1.760–1.763
La película de óxido que se origina sobre el aluminio en contacto con el aire seco
alcanza una temperatura ambiente en pocos minutos, un espesor del orden de
nanómetros, que en el transcurso de algunos días sigue aumentando con
velocidad decreciente hasta alcanzar, aproximadamente, un espesor doble o triple
de la inicial.
Por ejemplo, si la temperatura se eleva provocada por un tratamiento térmico se
genera la aceleración del crecimiento de la capa de óxido natural y se refuerza su
desarrollo. La distinta rapidez con que crece la capa de óxido en oxígeno seco se
observa claramente cuando se obtiene a una temperatura de 400 y 650°C, esto se
debe a una transposición del estado amorfo al cristalino. Por arriba de 500°C las
capas de óxido alcanzan una estructura cristalina compacta que obstaculiza con
mayor intensidad el crecimiento que las modificaciones que se originan a
temperaturas inferiores [21].
Figura 01. Morfología del Al2O3[49].
1.4 Aplicaciones del SiO2-ITO
Las celdas solares con alto rendimiento están elaboradas en base silicio,
generalmente de alto costo, puesto que el silicio se fabrica con una alta pureza y
se procesa para lograr monocristales de muy bajo espesor. Por esta razón se
buscan
alternativas como celdas solares híbridas o basadas en nanoestructuras; un
ejemplo es el ITO (óxido de indio y estaño), usado en la fabricación de celdas
[22]
solares como electrodo transparente .
La reflectividad de los semiconductores debe ser superior a un 30%. En el caso
del silicio, esta cantidad varía desde un 33% en el infrarrojo (IR) hasta un 55% en
el ultravioleta (UV). Para aumentar la eficiencia de las celdas solares de silicio es
necesario disminuir la reflectividad de la cara anterior de la celda solar,
maximizando de este modo la fracción de energía absorbida; la forma de
conseguir esto es mediante el uso de técnicas antirreflectantes (AR). Para tal fin
se han desarrollado distintas técnicas AR, las cuales consisten en el depósito de
multicapas dieléctricas, la textura superficial, o la combinación de ambas, esto es
[23]
depositando la multicapa sobre la superficie ya texturizada .
Una aplicación interesante del SiO2 son los transistores de películas finas (TFT)
que se ocupan en las pantallas de cristal líquido, se diferencia de un transistor
convencional donde el material semiconductor normal suele ser el sustrato, como
una oblea de silicio. Las características del TFT basado en el silicio dependen del
estado cristalino, esto quiere decir, que la capa del semiconductor puede ser silicio
amorfo o cristalino.
CAPÍTULO II
MÉTODOS DE SÍNTESIS
DE PELÍCULAS DE
ÓXIDO DE ALUMINIO
Este capítulo describe cómo las películas pueden ser preparadas a través de
varias técnicas como pulverización catódica, deposición por evaporación química
(CVD), reacciones térmicas, spray pirolisis, ablación láser y más recientemente
por el método de sol-gel, método que permite hacer las deposiciones en grandes
áreas de sustratos en gran escala y bajo costo.

Las películas delgadas son capas de materiales con espesores que van desde
algunos cuantos nanómetros hasta algunos cientos de micrómetros, en los últimos
años se ha buscado optimizar los métodos de síntesis, variando las condiciones
de obtención para mejorar las propiedades. A menudo se ocupan como
recubrimientos protectores que reducen el desgaste de partes metálicas debido a
su alta dureza. Existen los métodos físicos, químicos y electroquímicos.
2.1 Métodos físicos y químicos
Método sol- gel
Con este método es posible obtener recubrimientos con estructuras de poca
porosidad. Además, es una novedosa alternativa para la preparación de vidrios y
cerámicas. Consiste en la preparación de un sol, la gelación del mismo y la
remoción del solvente para formar el sólido. Un sol es una dispersión de partículas
coloidales en fase líquida con el objetivo de permanecer suspendidas por un
movimiento Browniano. Un gel está conformado por dos fases una de ellas
conocida como fase sólida que forma una red e inmoviliza a la otra fase conocida
como fase líquida [24].
En este proceso el precursor puede ser un alcóxido metálico, soluciones salinas
metálicas, entre otras, siempre y cuando contengan complejos metálicos. A su vez
estos reaccionan con agua a través de las reacciones de hidrólisis y condensación
hasta conducir a un óxido metálico amorfo, el alcohol producido durante la
reacción de hidrólisis se remueve fácilmente durante el proceso. El producto de las
transiciones sol-gel se conoce como alcogel. Después de la transición sol-gel, la
- 30 -
fase solvente se remueve de los poros de la red interconectada, y si se elimina
con un tratamiento térmico convencional, se obtiene un xerogel.
Los aerogeles tiene baja densidad y presentan buen aislamiento térmico y
acústico cuando son colocados entre placa de vidrio. Los xerogeles son más
densos, tienen un área superficial grande y por lo regular son microporosos, se
pueden usar como soporte de catalizadores.
Algunas aplicaciones de esta técnica derivan de las diferentes formas del gel
combinado con el fácil control de la composición y la microestructura, aunado a las
bajas temperaturas involucradas en el proceso, pueden ser los monolitos para
componentes ópticos, superaisladores transparentes y vidrios de muy baja
expansión térmica; las fibras como refuerzos en compósitos, textiles refractarios,
las películas delgadas y recubrimientos, es posible encontrar aplicaciones para
[25]
obtener recubrimientos ópticos, protectores o porosos .
Rocío Pirolítico Ultrasónico
Esta técnica es considerada una de las más simples y además económica, en la
cual se pueden obtener películas homogéneas y con muy buena adherencia;
experimentalmente está conformada por tres partes, el área de generación, el área
de transporte del aerosol y el área de pirolisis. El rocío pirolítico consiste en la
quema de un aerosol que llega directamente a un sustrato caliente donde
reacciona químicamente; la reacción es promovida por la descomposición térmica
del compuesto, esta reacción pirolítica dará como resultado la película. En todos
los casos el sustrato será aquel que suministra la energía para que ocurra la
descomposición, la recombinación para la sinterización, así como la cristalización
de cúmulos del material. El aerosol (rocío) se puede formar de manera neumática
(nebulizador neumático) o bien de manera ultrasónica, ésta última es la más
común.
La atomización ultrasónica utiliza un piezoeléctrico el cual debe generar ondas
ultrasónicas en el rango de 10 KHz – 10 MHz, las cuales al entrar en resonancia
con la solución precursora (debido a la intensidad acústica) producirá el rocío;
cuando se sobrepasa el umbral de intensidad se formarán gotas muy pequeñas
(rocío), el diámetro promedio de dichas gotas será función de la frecuencia y de la
intensidad de la onda acústica, así como las propiedades físicas de la solución
como pueden ser la tensión superficial y la densidad.
Mediante un gas de arrastre el aerosol generado en la zona de atomización bajará
hasta la zona de reacción; ese gas de arrastre debe ser inerte con los precursores
y es deseable que contenga oxígeno o hidrógeno dependiendo del material a
depositar, la taza de arrastre debe ser menor a 15 L/min ya que las turbulencias
aumentarían el diámetro de las gotas lo que es indeseable.
Cuando el aerosol llega al sustrato, el disolvente del precursor se evapora y los
productos resultantes serán depositados sobre la superficie del sustrato, lo que
sea depositado será función de la temperatura13.
Deposición química en fase vapor (CVD)
La técnica, desarrollada inicialmente para su aplicación en microelectrónica, ha
sido después utilizada con éxito en otras áreas de gran actividad científica y
tecnológica
(recubrimientos duros, dispositivos optoelectrónicos, materiales superconductores,
etc.).
El proceso de CVD es aquel en el cual se deposita un sólido, como producto de las
reacciones químicas entre los reactivos en estado gaseoso sobre una superficie que se
encuentra a una elevada temperatura. Este tipo de reacciones pueden activarse por
diferentes vías (calor, luz, plasma), lo que conlleva a la formación de un producto sólido
estable. Las reacciones que tienen lugar pueden ser de carácter homogéneo, en fase
gaseosa, y/o heterogéneo cerca de la superficie caliente, conduciendo a la formación de
polvos o películas. El CVD ha tomado mucha importancia porque es una técnica muy
versátil para la deposición de capas y películas delgadas de amorfos, monocristales y
policristales. [14]
Entre las características más positivas de las técnicas de CVD, cabe destacar la
obtención de depósitos homogéneos a temperaturas relativamente bajas, sobre
todo cuando la activación de los reactivos se efectúa con plasma o con fotones. La
técnica permite además sintetizar nuevos productos que no es posible sintetizar
por otras vías. Esta característica abre la puerta hacia la síntesis de productos,
[26]
con propiedades muy específicas de dureza, estabilidad, etc. .
Técnica ablación láser
La técnica de deposición por láser pulsado (PLD) crea películas delgadas y
partículas a escalas nanométricas, por medio de ésta técnica se producen
películas delgadas de muy alta calidad, donde es posible incluir materiales de
varios tipos como superconductores, ferroeléctricos, fotónicos y orgánicos.

Tiene variadas ventajas entre ellas se encuentra la posibilidad de evaporar
compuestos de elevada complejidad conservando la estequiometria, tiene la
capacidad de controlar el espesor de la capa con buena precisión lo que permite
desarrollar sistemas de baja dimensionalidad donde se requieren espesores de
unas cuantas monocapas, el proceso es sumamente rápido, se sabe que en
algunos casos es en microsegundos. Su principal desventaja consiste en el
depósito de gotas sobre la película (salpicado), por lo que en ocasiones hay
dificultad de obtener capas homogéneas en grandes áreas.
En la actualidad se está ocupando en escala industrial este proceso, debido a que
es posible depositar finas capas de superconductores cerámicos con muy alta
temperatura crítica.
El sistema consiste en un láser como sistema de excitación y una cámara de vacío
donde se realiza la evaporación. Existen diferentes tipos de láser en operación
continua o pulsada y con frecuencias desde el infrarrojo hasta el ultravioleta
cercano. La cámara de evaporación trabaja con presiones desde vacío mecánico
de 10-3 torr hasta ultra alto vacío de 10-9 torr. El blanco y el sustrato están
separados por algunos centímetros dentro de la cámara. El blanco es común que
se coloque en rotación para evitar la formación de cráteres, y el sustrato se
calienta frecuentemente para mejorar sus propiedades, tales como la adherencia y
[27]
que tenga un crecimiento epitaxial .
Síntesis Hidrotermal y Solvotermal
La técnica utiliza reacciones heterogéneas en un medio acuoso por arriba de
100°C y 1 bar. Se ocupa un líquido en un recipiente cerrado que se calienta por
encima de su punto de ebullición, lo que genera una presión mayor a la
atmosférica. El líquido comúnmente es agua de allí proviene el nombre de
“síntesis hidrotermal”, sin embargo, en la actualidad se están ocupando otros
líquidos como disolventes orgánicos, amoníaco líquido, hidracina, ácidos o álcalis
entre otros. Una característica de esta técnica es que aquellos reactivos que
difícilmente se disuelven en agua pasan a la disolución por la acción del propio
disolvente o de mineralizadores. El principal propósito de esta técnica es lograr
una buena disolución de los componentes de un sistema y lograr reaccionar
especies muy poco solubles en condiciones habituales.
Una autoclave o recintos de reacción como también se les conoce, ideal para la
síntesis hidrotermal debe ser inerte a los ácidos, bases y agentes oxidantes, debe
ser fácil de montar y desmontar, tener la suficiente longitud para obtener un
gradiente de temperatura, no debe existir fugas y tener la capacidad suficiente
[28]
para alcanzar la temperatura y presión necesarias .
Los métodos desarrollados para la síntesis hidrotermal han estado centrados en el
crecimiento cristalino y se han desarrollado métodos preparativos. La aplicación
del método hidrotermal en la industria es la preparación de grandes monocristales
de cuarzo para su empleo como osciladores, los cristales crecen en condiciones
[29]
alcalinas a temperaturas de entre 380-400°C y 1 Kbar .
2.2 Métodos electroquímicos de depósito de película.
2.2.1 Electrodeposición.
La electrodeposición es el método de cubrir objetos con una película fina de otro
metal. El principio que rige este fenómeno es la electrólisis, cuyo nombre procede
de dos radicales, electro que hace referencia a electricidad y lisis que significa
ruptura.
La electrodeposición genera la reducción (disminución del estado de oxidación;
ganancia de electrones) de un compuesto metálico disuelto en agua y una
deposición del metal resultante sobre una superficie conductora. Generalmente
esta técnica es uno de los procesos más complejos conocidos, debido a que hay
un gran número de fenómenos y variables que intervienen en el proceso total,
mismos que son llevados a cabo en la superficie de los materiales involucrados.
En la electrodeposición de metales, el éxito de la operación está en función del
control de los fenómenos involucrados, por lo que es necesario mencionar los
principios a los que se sujetan, ya que cualquier variación en el proceso se verá
[30]
reflejada de manera significativa en el resultado obtenido .
El proceso utiliza una corriente eléctrica mediante la cual la energía se ocupa para
realizar cambios químicos, reduciendo sobre la superficie del cátodo los cationes
contenidos en una solución acuosa. Al reducirse, los cationes precipitan sobre la
[31]
superficie creando un recubrimiento . La principal característica del método
electrolítico consiste en que no es necesario aumentar la temperatura para que la
reacción tenga lugar, eliminando pérdidas energéticas y reacciones secundarias.
Industrialmente es uno de los procesos más empleados en diferentes áreas, como
por ejemplo en la obtención de elementos a partir de compuestos (cloro,
hidrógeno, oxígeno), la purificación de metales (el mineral metálico se disuelve en
ácido, obteniéndose por electrólisis el metal puro) o la realización de
recubrimientos metálicos protectores y/o con fines decorativos, como es el caso
del niquelado.
Un buen electrodepósito se debe de obtener con gran uniformidad de depósito,
brillo, dureza, rugosidad y alta adherencia. Así también para generar un buen
depósito electrolítico es importante la limpieza en los electrodos, por lo que deben
estar libres de óxidos y productos de corrosión, así como de sustancias orgánicas
(grasas y aceites) [32].
La electrodeposición es una tecnología destacada, debido a que permite recubrir
materiales baratos y muy accesibles con capas de diferentes metales y no sólo se
aplica para obtener mejores propiedades; su uso se extiende a múltiples
aplicaciones, en las cuales, de otra manera, resultaría muy costoso alcanzar estos
objetivos, como protección contra la corrosión, mejora las propiedades mecánicas
y acabados estéticos para perfeccionar su presentación visual.
La galvanización es una forma de electrodeposición de capas de metal, al aplicar
una diferencia de potencial entre los electrodos, cuyo cátodo es la carga negativa
y el ánodo de metal con carga positiva, el metal del ánodo se disuelve y

simultáneamente sobre el electrodo de carga negativa el metal se deposita
formando un recubrimiento o revestimiento.
En una celda electrolítica se produce una reacción redox la cual es no espontánea
suministrando energía eléctrica al sistema por medio de una batería o una fuente
de alimentación (ver Figura 02). La batería actúa como una bomba de electrones,
arrancándolos del ánodo y empujándolos al interior del cátodo. Dentro de la celda,
para lograr una electroneutralidad, debe ocurrir un consumo de electrones en el
cátodo y que al mismo tiempo se generen en el ánodo. Este proceso es una
reacción redox.
En el cátodo tendrá lugar la reducción de un ion al aceptar éste los electrones
remitidos desde el ánodo. Los iones positivos (cationes) se van hacía el polo
negativo, llamado cátodo. En el ánodo se generan electrones debido a la
oxidación de un metal u otra sustancia. Los electrones son enviados al otro
electrodo por la batería. El ánodo pierde, por tanto, su carga negativa y por esa
razón es el polo positivo.
El uso de la electrodeposición metálica se utiliza en joyas elaboradas con metales
baratos a los cuales se les da un revestimiento de una delgadísima película de oro
o plata, esto con la finalidad de aumentar su valor, mejorar su apariencia o para
protegerlos de los efectos negativos del medio ambiente, principalmente del
oxígeno que produce su corrosión. Igualmente, las tarjetas electrónicas por lo
general vienen revestidas de una película de oro de algunos micrones, para
mantener un buen contacto y conductividad con los dispositivos del circuito.

Figura 02. Elementos que intervienen en un proceso electrolítico.
2.2.2 Anodizado electroquímico.
La principal función de este proceso es proteger al metal de los agentes
atmosféricos, y lograr una fuerte protección contra la corrosión, adquirir resistencia
a la abrasión, obtener un aislamiento a la electricidad, y finalmente obtener un
acabado estético.
El proceso de oxidación se presenta cuando el metal es expuesto a condiciones
atmosféricas, en base a este fenómeno se empieza a obtener un proceso del
control natural de la oxidación, que se presenta cuando el metal es sometido a un
tratamiento químico especifico y corriente eléctrica, por medio de ésta fase, se
obtiene una superficie dura y transparente.

El anodizado como proceso involucra 3 etapas, en el caso del aluminio son:
1 Pre-tratamiento: En esta primera etapa el aluminio es sometido a un primer
tratamiento químico, con la finalidad de lograr una total limpieza en la superficie de
dicho material; con ello, el acabado resultante logra ser de una apariencia satinada
mate en el cuál se controlan los tonos del acabado en ligero, medio y pesado. Se
controla además en este paso la brillantez del aluminio, que permite tener una
amplia variedad en los niveles de la reflexión del acabado.
2 Tratamiento de anodizado: En esta segunda etapa una de las superficies es
preparada para ser sometida a un tratamiento que construirá la película de
anodizado; esto se hace sumergiendo el aluminio en un baño electrolítico donde
se aplicará corriente eléctrica. Es importante hacer mención que la capa anódica
se forma en base al aluminio mismo, convirtiéndose al momento en una dura y
porosa película en donde el factor del espesor del anodizado es posible
determinarlo en función al uso final del material.
3 Post-tratamiento: En esta tercera y última etapa se presenta la aplicación del
color en la capa anódica. Tintas orgánicas pueden ser utilizadas para llenar los
poros con algún color o también pueden depositarse electromecánicamente sales
metálicas en los poros para crear un amplio espectro de colores. Muchos de estos
colores serán resistentes al medio ambiente sin perder colorido. Finalmente, el
sellado de la capa anódica consiste en un baño de agua caliente que básicamente
dilatará los poros hasta cerrarlos.
- 40 -
Métodos de anodizado
1 Anodizado continuo en rollo: La configuración básica de una línea de anodizado
en rollo consiste en una operación continua de alimentación, de los siguientes
elementos: tanque de pre-tratamiento, tanque de limpieza, tanque de post-
tratamiento y equipo para rebobinar la cinta.
2 Anodizado por hojas: Este proceso a diferencia del continuo las piezas son
independientes y deben ser montadas y desmontadas las veces que sean
necesarias, este sistema como el siguiente es utilizado en corridas cortas.
3 Anodizado por piezas o lotes: Este proceso es exactamente igual al proceso de
anodizado por hojas, ambos sistemas se utilizan generalmente como parte final
del proceso de fabricación del producto ya que la pieza se anodiza completamente
y todos los bordes o filos, son anodizados, garantizando un producto de larga vida
útil
[33].
Algunas de las principales ventajas se encuentran, que la capa superficial del
anodizado es más duradera que las capas obtenidas por algún otro método, el
anodizado no puede ser pelado ya que forma parte del metal base y que el
anodizado no es afectado por la luz solar y por lo tanto no se deteriora.
El anodizado es uno de los procesos principales utilizados en la síntesis de
películas de óxido de aluminio , mismo que se aplicó en este trabajo de Tesis

CAPÍTULO III
METODOLOGÍA
EXPERIMENTAL
La síntesis de sputtering (pulverización catódica) se ocupa en la formación de
películas delgadas y es por este método que se llevó a cabo la formación de la
película de aluminio sobre la placa de ITO, posteriormente se ocupa un anodizado
electroquímico con diferentes voltajes para el crecimiento de la alúmina.
42
3.1 Sistema de Electrodeposición
Pulverización catódica.
La pulverización catódica o sputtering en inglés, es un sistema de revestimiento de
vacío ampliamente utilizado y muy versátil para la deposición de una variedad de
materiales de revestimiento; consiste en bombardear iones hacia una superficie
sólida, donde se presenta la proyección o pulverización catódica de los átomos de
la superficie del blanco. Las partículas primarias energéticas pierden energía
cuando se llevan a cabo colisiones elásticas e inelásticas con átomos en el blanco
[34].
Los sistemas de deposición de pulverización catódica utilizan partículas de alta
energía como una forma de transferencia de energía cinética hacia un objetivo con
el fin de eliminar el material para la deposición. Para pulverización catódica, las
partículas energizadas están presentes como un resplandor de plasma difuso. Un
plasma es un gas parcialmente ionizado que consiste en partículas cargadas
positivamente (cationes), partículas con carga negativa (electrones y aniones), y
neutrales, siendo así que la carga total de un plasma es neutra. En un plasma, la
ionización del gas generalmente se produce entre un cátodo y un ánodo. En los
sistemas de pulverización catódica, el cátodo, que es el emisor de electrones, es
el material a depositar. El ánodo, que es el receptor de electrones, es
generalmente la pared de la cámara de vacío o el sustrato (componente a
recubrir).
De manera general un blanco será del material que va a ser depositado como
cátodo en la descarga luminosa. El material es transportado desde el blanco hasta
el substrato donde se forma la película. De esta forma se depositan películas de
metales puros o aleaciones utilizando descargas de gases nobles. La Figura 03
presenta un esquema del proceso de deposición por pulverización catódica
(Sputtering).
Figura 03. Esquema del proceso de deposición por pulverización catódica
(Sputtering).
Figura 04. Equipo de pulverización catódica (Sputtering) del Centro de
Nanociencias y Micro y Nanotecnologías del IPN (CNMN-IPN).

3.2 Procedimiento para el depósito de aluminio vía pulverización
catódica.
A continuación, se describe la secuencia de etapas que se requieren para la
deposición de películas de aluminio sobre ITO vía sputtering.
a. Preparación superficial de placa de ITO
Se adquirieron placas de ITO con dimensiones de 7.5 cm x 2.5 cm y alta
pureza (99%) marca Aldrich (ver Figura 05)
b. Limpieza
Para limpiar la superficie sólo se utiliza una toalla, no se ocupa ningún
solvente para evitar que alguno de ellos disolviera el ITO.
Figura 05. Placas de ITO de 7.5 cm x 2.5 cm
c. Desarrollo experimental
Se utiliza un sistema de depósito de ultra alto vacío de la marca
Intercovamex, el blanco empleado es aluminio con alta pureza (99.99%) de
la marca Kurt J. Lesker. Los blancos para pulverización son de diferentes

formas, tamaños y materiales, la Figura 06 presenta los blancos más
utilizados para pulverización catódica.
Figura 06. Cátodos más comunes utilizados para pulverización catódica.
Las condiciones de operación del equipo de pulverización catódica al
realizar el depósito de aluminio sobre ITO fueron las que se presentan en la
Tabla 03:
Tabla 03. Condiciones de operación del equipo de sistema de depósito
de alto vacío.
Condición Valor
Presión 0.005 Torr
Voltaje 200 Watts
Gas argón 13.3 cm3/ min
T inicial 21 °C
Rate ( Tasa de densidad) 1.4 A°/S

La Figura 07 presenta la cámara de alto vacío en donde se realiza el depósito.
Figura 07. Equipo del sistema de depósito de alto vacío Intercovamex del
Centro de Nanociencias y Micro y Nanotecnologías del IPN (CNMN-IPN).
Antes de ser introducida a la cámara las placas de ITO se colocan en el porta
muestras y se sujeta con cinta conductora, como se muestra en la Figura 8.
Figura 08. Porta muestras del equipo de pulverización catódica (sputtering)
del Centro de Nanociencias y Micro y Nanotecnologías del IPN (CNMN-IPN).

Los iones utilizados en el proceso se obtienen de un plasma que se genera en el
interior del equipo de pulverización (ver figuras 9 y 10). Además, como fuente de
energía se utiliza una corriente alterna de radiofrecuencia y campos magnéticos,
después se aplica un potencial de polarización al blanco. Los átomos
pulverizados, los cuales son aquéllos que son expulsados a la fase gaseosa, no se
encuentran en su estado de equilibrio termodinámico, por tanto, tienden a
condensarse nuevamente a su estado sólido al chocar con cualquier superficie en
la cámara de pulverización, dando como resultado la deposición del material
pulverizado en toda la superficie de la cámara.
Figura 09. Cámara de pulverización del equipo sputtering (pulverización
catódica) Centro de Nanociencias y Micro y Nanotecnologías del IPN (CNMN-
IPN).
Figura 10. Plasma generado dentro del sistema de depósito del equipo de
pulverización catódica del Centro de Nanociencias y Micro y
Nanotecnologías del IPN (CNMN-IPN).
3.3 Desarrollo experimental de anodizado.
A continuación, se describe la secuencia de etapas que se llevan a cabo para la
síntesis de películas de alúmina vía anodización electroquímica.
a. Preparación superficial de la placa de ITO + aluminio.
Se emplea la placa de ITO de 99.99% de pureza (Aldrich) con el depósito de
aluminio con área de 7.5 cm x 2.5 cm, con una resistividad de 8 - 12 Ω/sq. Las
placas de ITO fueron cortadas en pequeños rectángulos de 2.5 cm x 1cm para
adaptarlas al método de anodización (ver Figura 11), como ya tienen un acabado
tipo espejo no es necesario que sean pulidas.

Figura 11. Placas de ITO 2.5 cm x 1cm, con aluminio depositado.
b. Las pequeñas placas son utilizadas como electrodos; para realizar la
anodización es necesario aplicar voltajes de 15, 20 y 25 volts en el ánodo
(placas de ITO-aluminio) para llevar a cabo el crecimiento de las películas
del óxido de aluminio sobre la placa; como cátodo se utiliza un metal noble
como el platino, también puede ser de grafito o el mismo aluminio, para
nuestro caso fue de platino.
Figura 12. Esquema del proceso de anodizado electrolítico.

c. El proceso se lleva a cabo durante 4 horas, cuidando que se encuentre a
una temperatura de entre -5 y 5 ºC, utilizando una solución electrolítica de
ácido sulfúrico al 15%v. La Figura 13 muestra lo sencillo que se puede
llegar a presentar el montaje experimental del anodizado.
Figura 13. Montaje experimental del anodizado.
Al finalizar el proceso de anodización, las muestras se enjuagaron con agua
destilada, y alcohol etílico, se secaron. Después, las placas ITO - aluminio,
ya con la película de alúmina crecida fueron analizadas por Difracción de
Rayos X (DRX), Microscopía de fuerza atómica (AFM) y Elipsometría
Espectroscópica para conocer las fases presentes, la morfología y espesor
de película.
CAPITULO IV
ANÁLISIS DE
RESULTADOS
En este capítulo además del análisis de resultados se muestra un panorama de
las técnicas que se ocuparon para realizar los análisis correspondientes a las
muestras de ITO tales como Difracción de Rayos X (DRX), Microscopía de Fuerza
Atómica (AFM) y Elipsometría Espectroscópica.

4.1 Difracción de Rayos X
Los rayos X son la radiación ubicada en un rango del espectro electromagnético,
invisible, capaz de atravesar cuerpos opacos (ver Figura 14). Su longitud de onda
se encuentra entre los 10 a 0.01 nanómetros, correspondiendo a frecuencias del
rango de 30 - 30,000 PHz. Los rayos X surgen de fenómenos extranucleares, a
nivel de la órbita electrónica, principalmente producidos por desaceleraciones de
electrones [35].
L
O
N
G
I
T
U
D
D
E
O
N
D
A
Figura 14. Espectro electromagnético a la izquierda. A la derecha del mismo
se muestra la analogía entre la microscopia óptica y la difracción de rayos
x[15].
4.1.1 Fundamento de la difracción de rayos X.
La difracción de rayos x es una técnica analítica no destructiva y de las más
destacadas en la caracterización de materiales cristalinos, tales como los metales,
cerámicos, polímeros, minerales, así como otros compuestos orgánicos e
inorgánicos. La técnica de rayos X puede ser utilizada para identificar las fases
presentes contenidas en una muestra, esta técnica ha sido empleada durante
años para proporcionar información precisa sobre la estructura de los materiales.
La calidad del patrón de difracción suele ser limitado por la naturaleza y la energía
de la radiación disponible, por la resolución del instrumento y por las condiciones
físicas y químicas de la muestra. Dado que muchos materiales sólo pueden ser
preparados en una forma policristalina, la técnica de difracción de rayos X se
convierte en la única opción realista para una determinación de la estructura
cristalina de estos materiales.
Las muestras generalmente son en polvo, cuyo tamaño de partícula deberá ser no
mayor de 0.1 mm y con la mayor uniformidad posible, las muestras son sólidas,
pero deben presentar una superficie plana preferiblemente pulida de forma
metalográfica al menos de la cara que es caracterizada, para llevar a cabo un
[36]
análisis en películas delgadas, las muestras deben ser completamente planas .
Algunas aplicaciones de la técnica pueden ser la identificación de sustancias
cristalinas desconocidas, realizar un análisis cualitativo y cuantitativo de fases
cristalinas, así como la caracterización y desarrollo de nuevos materiales,
actualmente se utiliza en el control de calidad de materias primas y productos

finales, para la especiación de arcillas, determinaciones de transformaciones de
fase, de parámetros estructurales, del grado de orden estructural, así como la
detección de imperfecciones cristalinas.
Algunos de los campos de aplicación donde se utiliza la técnica DRX, son
principalmente en Cristalografía, Mineralogía, Química Inorgánica, Química
Analítica, Geología, Edafología, Metalurgia, Cerámica, Farmacia, Ciencia de
[37]
Materiales, Ciencias Ambientales, Arqueometría, entre otros .
Para el análisis de las placas de ITO se utilizó el Difractómetro XPERT Pro MRD
PANalytical (ver Figura 15), equipado con detector Pixcel, y Colimador Paralelo; la
resolución es de 0.0001 grados y goniómetro de tres ejes.
Figura 15. Equipo de Difracción de Rayos X del Centro de Nanociencias y
Micro y Nanotecnologías del IPN (CNMN-IPN).

4.1.2 Análisis de resultados obtenidos por Difracción de Rayos
X.
Las siguientes Figuras presentan los difractogramas de cada una de las
muestras realizadas, siendo las placas de ITO-aluminio y placas de ITO-
aluminio-alúmina; lamentablemente no se lograron obtener difractogramas de
la placa de ITO sola, las posibles causas de esto pueden ser a que la capa es
muy delgada o se presenta una zona muy amorfa.
Comparando las figuras podemos decir que la Figura 16 presenta picos de
difracción característicos del aluminio en las posiciones 2θ correspondientes a
38.50 con un hkl propio de la dirección (1 1 1), 44.76 (2 0 0), 65.16 (2 2 0) y
78.30 (3 1 1)[ 16 ]
, la cual presenta una estructura ccp (empaquetado cúbico
compacto) con parámetros de celda a = b = c = 4.0496, y α = β = γ = 90, con
un espacio grupal Fm3m, aquí se presenta con un crecimiento cristalino
preferencial en la dirección cristalográfica hkl (1 1 1) ya que manifiesta una
mayor intensidad, presentando por su forma una estructura más bien cristalina,
con tamaños de cristalita no muy pequeños (nanométricos), más bien
micrométricos. La protuberancia a aproximadamente 25° en el difractograma
se debe al sustrato de vidrio amorfo.

Espectro DR-X (ITO + AL)
Alumnio
I n t e n s i d a d (UA)
(111) (311)
(220)
(200)
20 30 40 50 60 70 80
2
Figura 16. Difractograma de la placa de ITO con aluminio.
Para la Figura 17 tenemos que el difractograma presenta picos característicos
tanto del Al2O3 y del ITO, debido a que la película de alúmina es muy delgada y
el Difractómetro puede alcanzar a resolver se presentan picos de ITO; aunque
los picos que se presentan mayoritarios (por intensidad) son aquellos
característicos del ITO, esta presenta picos de difracción característicos en las
posiciones 2θ correspondientes a 21.468 con un hkl propio de la dirección (2 1
1), 30.543 (2 2 2), 35.413 (4 0 0), 50.950 (4 4 0) y 60.577 (6 2 2) (ver anexo 1),
la cual presenta una estructura cúbica centrada en el cuerpo, con parámetro de
celda a = 10.13, con espacio grupal Ia-3, aquí se presenta con un crecimiento
cristalino preferencial en la dirección cristalográfica hkl (2 2 2) ya que manifiesta una
mayor intensidad, presentando por su forma al igual que la Figura 17, una estructura
más bien cristalina, aunque se tiene la protuberancia y es debido a lo que se explica
en el difractograma anterior, para la alúmina se presentan los picos en 25.573,

35.151 y
37.768 y 46.167 correspondientes a los hkl (0 1 2), (1 0 4), (1 1 0) y (2 0 2), con una
estructura romboédrica centrada, espacio grupal R-3c, parámetros de red a= 4.760 y
c= 12.990.
(222)
Espectro DR-X (15 V)
(012) ITO
(220) Alumina
(012)
I n t e n s i d a d (U. A.)
(400)
(622)
(440)
(202)
(110)
20 30 40 50 60 70 80
2
Figura 17. Difractograma de la placa de ITO con aluminio a 15 V de
electrolizado.
Analizando la Figura 18, se puede observar que los picos de difracción se
encuentran en las mismas posiciones 2 theta, por lo que la descripción es muy
similar al difractograma de la Figura 17, así puede pasar con la de 25 Volts que si
observamos en la Figura 19 casi desaparecieron los picos de ITO solo se
presentan los de alúmina, aunque en todos los casos también tenemos hidróxido
de aluminio, en lo que respecta al espesor de película se analizará en la parte de
elipsometría espectroscópica.
Espectro DR-X (20 V)
(222) (622)
(104)
(440)
(400)
(200)
ITO
(400) (202) Alumina
(110)
20 30 40 50 60 70 80
2
Figura 18. Difractograma de la placa de ITO con aluminio a 20 V
electrolizado.
Espectro DR-X ( 25V)

Alumina
(110)
(113)
20 30 40 50 60 70 80
2
Figura 19. Difractograma de la placa de ITO con aluminio a 25 V
electrolizado.
4.2. Elipsometría Espectroscópica.
La elipsometría es una técnica óptica de caracterización que permite deducir las
propiedades ópticas de un material (simple o compuesto) a partir del cambio de
polarización que sufre la luz al interaccionar con la muestra. La elipsometría puede
usarse en modo de reflexión, ya que de esta manera pueden estudiarse con gran
exactitud materiales como metales, semiconductores y estructuras complejas con
[38]
multicapas de materiales transparentes o con poca absorción . Con la
elipsometría en el modo de imagen, el tamaño de la muestra puede ser del rango
de micrómetros por lo que se pueden medir muestras microestructuradas como
recubrimientos [39].
A partir del método de elipsometría se puede determinar el espesor de la película,
tomando en cuenta la interferencia entre la luz que se refleja desde la superficie y
la luz que viaja a través de la película. Dependiendo de la fase relativa de la luz
cuando existe una reflexión en la superficie, la interferencia se puede definir como
constructiva o destructiva, así pues, la interferencia implica tanto la información de
amplitud como la información de fase, la información de fase es muy sensible para
las películas a espesor sub-monocapa.
La elipsometría se utiliza típicamente para analizar las películas cuyas áreas de
distribución son de sub-nanómetros hasta unas pocas micras de espesor; cuando
las películas se vuelven más gruesas, la interferencia de las oscilaciones se
vuelve cada vez más difícil de resolver, salvo con longitudes de onda infrarrojas
más largas, por lo que es preferible realizar otro tipo de técnicas de

caracterización en este caso.
4.2.1 Fundamento de Elipsometría Espectroscópica.
La medición del espesor requiere que la luz realice su recorrido través de toda la
película y regrese a la superficie, por lo que, si el material absorbe luz, la medición
de espesores en instrumentos ópticos se limita a las capas semi-opacas. Esta
limitación puede evitarse realizando la medición mediante la orientación hacia una
región espectral con una absorción más baja. Por ejemplo, una película orgánica
puede absorber fuertemente la luz UV y la IR, pero seguir siendo transparente a
longitudes de onda visibles. Para los metales, que absorben fuertemente en todas
las longitudes de onda, la capa máxima para la determinación de espesor es
típicamente de aproximadamente 100 nm. [17]
La medición de espesores no es independiente de las constantes ópticas; el
espesor de la película afecta a la longitud de la trayectoria de la luz que viaja a
través de la película, pero el índice de refracción determina la velocidad de las
ondas de luz y el ángulo refractado. Por lo tanto, ambos contribuyen a la demora
entre la reflexión de la superficie y la luz que viaja a través de la película. Tanto n
y k deben ser conocidos o determinados junto con el espesor para obtener los
[18]
resultados conformes de una medición óptica.
Como sabemos, las constantes ópticas de un material pueden variar para
diferentes longitudes de onda. Una tabla de constantes ópticas puede ser utilizada
para predecir la respuesta del material a cada longitud de onda, así los parámetros
ajustables de la relación de dispersión permiten conocer la forma general de la
constante óptica para que naturalmente coincida con los resultados

experimentales.
[18]
Por tanto se requiere un modelo o una fórmula de dispersión para modelar
correctamente las propiedades ópticas de un material como una función de la
energía fotónica o longitud de onda.
Existen diferentes funciones de dispersión los cuales se establecen adecuados ya
sea que se basen en fundamentos complejos de física del estado sólido y sean
compatibles con algunas relaciones abstracta. Lo importante es que ajuste bien a
los datos de dispersión arrojados por las mediciones realizadas en el material en
estudio. Estas funciones de dispersión se describen de forma sencilla a
continuación:
Función de Cauchy Clásica: La fórmula de dispersión clásica de Cauchy para el
índice de refracción es una fórmula empírica que puede ser utilizada para describir
esencialmente medios transparentes. Es en si considerada como una
aproximación de la cola de baja energía de los osciladores (transiciones) en el UV
lejano correspondiente a la gama de energía del instrumento utilizado.
Función de Sellmeier: La fórmula es una mejora clásica de Cauchy y válida
para muchos medios transparentes.
Función de Lorentz: El oscilador de Lorentz es un prototipo para modelar muchos
materiales absorbentes. Un material visualmente transparente puede ser
entendida como oscilador de Lorentz en el UV.
Función Tauc Lorentz, Tauc Lorentz Urbach, Cody Lorentz: La fórmula es un
refinamiento del oscilador de Lorentz, permite la brecha de banda, es decir, una
región no absorbente debajo de la banda prohibida de energía Eg, así también

describe el inicio de la absorción cerca de la brecha de banda, se utiliza con éxito
para los semiconductores, especialmente los amorfos.
Función de Drude: Este oscilador se utiliza primordialmente para los metales y
los modelos de resonancia de electrones libres, es decir, un plasmón. Puede
considerarse como una forma especial de un oscilador de Lorentz.
Función de Forouhi Bloomer: La fórmula de dispersión Forouhi-Bloomer está
siendo utilizado principalmente para materiales amorfos. 18
4.2.2 Resultado de la Técnica Elipsometría Espectroscópica
Se utilizó un Elipsómetro Uvisel modelo LT M200-AGMS marca HORIBA Jobin
Yvon, las muestras fueron situadas en el porta muestra del equipo sin ninguna
preparación utilizando una lámpara de Xenón a alta presión de 75 W, con un spot
de 1200 m para una adquisición de datos experimentales, el rango espectral de
1.5 – 5.5 eV, con incremento de 0.0500 eV en todo el rango espectral, teniendo 81
puntos de lectura; el ángulo de incidencia fue de 70º, la configuración del
modulador a 0º y el analizador a +45º, el tipo de adquisición fue por reflexión en
modo estándar. La Figura 20 presenta el equipo de elipsometría espectroscópica
utilizado.
Figura 20. Elipsómetro Espectroscópico del Centro de Nanociencias y
Micro y Nanotecnologías del IPN (CNMN-IPN).
Para conocer el espesor de las películas formadas se utilizaron los siguientes
modelos de dispersión para cada película y sustrato analizado:
Tabla 04. Modelos de dispersión.
PELICULA DISPERSIÓN
ITO Clasica Cauchy
SiO2 Tauc Lorentz
Vacío Fixed Index
Al metal Reference
Al2O3 Clasica Cauchy
Primero, fueron realizadas diferentes mediciones, las primeras fueron para la placa
con ITO, luego placa de ITO con aluminio, posteriormente fueron analizadas cinco
muestras de película delgada fueron caracterizadas, sus dimensiones fueron 22
mm de largo y 16 mm de ancho. Se realizaron dos mediciones centrales en el
sustrato de ITO con dos modelos de dispersión uno con rugosidad y otro sin
rugosidad.
Se obtuvieron con precisión los valores de espesor consistiendo en una serie de
parámetros matemáticos y ajuste (ver tabla 05), haciendo uso de simulación
mediante un programa informático basado en el método matricial, empleando una
fórmula de dispersión Classical (ver Figura 21), los datos coinciden de forma muy
cercana a lo que informa el proveedor (≈120 nm).
Estructura Sustrato sin rugosidad

Espesor de la película: L1 = Película
L1: Espesor de la capa densa de la película.
Estructura Sustrato con rugosidad
Espesor de la película: L1 + L2 = L
L2: Espesor de la capa rugosa de la película.
Figura 21. Representación de las capas de ITO sobre el vidrio con y sin
rugosidad.
Tabla 05. Espesores sin y con rugosidad para ITO.
118
106.214 ± 2.978 95.644 ± 16.959
23.766 ± 5.357
11.43 8.98
ITO 28%
Aire 72%
Es de suponer que las placas de ITO vienen con un espesor ideal a todo lo largo
de las placas, en este caso tenemos como sustrato el SiO2 que es muy grueso, la
placa completa en su espesor mide a nivel de 1.1 mm (1.1x106 nm)[21], luego en
las placas, las películas delgadas de ITO deben tener un espesor entre 1200 y
1600 Å (120- 160 nm), de acuerdo a su resistividad[19,20].
Luego fueron realizadas tres mediciones de espesor de película mediante el
mismo mecanismo, pero ahora para aluminio y óxido de aluminio, los datos que
arrojó el análisis se presentan en la Figura 22 y la Tabla 06:

Estructura ITO + Al Electrolizado
Espesor de la película: L1 + L2 = L

L2: Espesor de la capa rugosa de la película.
Rugosidad: % de material sólido en la capa rugosa de la película.
L1: Al
L2: Al + Void
Figura 22. Representación de la estructura de las placas con aluminio y
óxido de aluminio.
Tabla 06. Espesores con rugosidad para aluminio-óxido de aluminio.
145 143 169
127.000 ±30.21 115.000 ±32.243 141.000 ±38.783
18.47±2.39 28.672 ± 3.511 28.110 ± 4.470

7
0.03 0.03 0.05
Al 68% Al 57% Al 65%
Aire 32% Aire 43% Aire 35%
Se verifica que el espesor de la película de aluminio en cada muestra fue entre
115 y 141 nm (127.66 nm), y el espesor de alúmina fue de 18.47 a 28.672 nm
(25.084 nm).
La Tabla 07 muestra el resultado de los cálculos propios (L1), concentrados a
partir del resultado por elipsometría (L2). Se verifica que el espesor de la película
de alúmina es más grande al aumentar el voltaje de síntesis, ya que las demás
condiciones son iguales (concentración de H 2SO4 15%v, 4 horas de corrida de
síntesis y temperatura entre -5 y 5ºC). Este análisis es sencillo, ya que se analizan
los datos de los valores de 120.66 nm del espesor del aluminio restándole los
datos de alúmina proporcionados en otro análisis para cada muestra electrolizada,
se establece como una aproximación.
Tabla 07. Resultados de espesores por elipsometría espectroscópica
M3 M4 M5
15 volts 20 volts 25 volts
L1 (nm) 93.267 75.729 31.604
L2 (nm) 27.390 44.935 89.062
Rugosidad % Al2O3 42% Al2O3 40% Al2O3 53%
Aire 58% Aire 60% Aire 47%
M3= Placa de ITO + Al + Al electrolizado 15 V.

4.3. Microscopía de Fuerza Atómica
4.3.1 Fundamento de Microscopía de Fuerza Atómica
El Microscopio de Fuerza Atómica (MFA), es un equipo importante para realizar
análisis en la microestructura de materiales, generalmente películas. Basado en la
interacción local entre la punta y la superficie de una muestra, proporciona
imágenes tridimensionales de superficies con alta resolución espacial en tiempo
real; debido a esto, el MFA es utilizado en la caracterización de materiales para
determinar sus propiedades físicas.
Trabaja en diferentes modos de operación como Tapping, Contacto e Imagen de
Fase para obtener la topografía de la superficie de la muestra, también determina
las propiedades físicas de los materiales como visco elasticidad, fuerza eléctrica y
fuerza magnética, entre otros.
La punta se debe elegir de acuerdo al tipo de muestra y a las propiedades que se
necesiten analizar; ésta puede ser de diferentes materiales, las más comunes son
de Nitruro de Silicio o de Silicio.
El diseño del escáner tiene forma de tubo y es de un material cerámico
piezoeléctrico que cambia de dimensiones como respuesta a un voltaje aplicado.
Estos escáneres se caracterizan por tener tres grados de libertad, expandiéndose
en una dirección y contrayéndose en otra como resultado del voltaje aplicado a
sus electrodos. También se caracterizan por su frecuencia de resonancia, su
rango de
barrido el cual depende del material piezoeléctrico, sus dimensiones y el voltaje
aplicado [40].
4.3.2 Resultado de la Técnica de Microscopia de Fuerza Atómica.
Las muestras fueron analizadas para modo imagen en donde se puede obtener la
morfología de las películas, tamaño de partícula y rugosidad. El escaneo de las
películas para obtener las imágenes fue en un barrido de 10 x 10 μm.
La Tabla 7 muestra los barridos realizados en una placa de ITO en 2D y 3D, para
modo altura, amplitud de error y fase, se muestra muy bien la morfología, se
puede ver que posee cristales regulares con aproximadamente las mismas
dimensiones, para las imágenes 3D se puede observar que tiene una distribución
muy regular de alturas. En 2D, del modo altura muestra que el nivel va de una
relación de -12.2 nm a 10.9 nm en los picos más altos, con un promedio de 0.7
nm; también en modo de amplitud de error tiene un contraste que se verifica entre
un valor de -0.8 y 0.8 mV, aunque se verifican picos prominentes de 24.4 mV y en
modo fase se puede verificar que posee un contraste arriba de 52.9º.
Para las imágenes de MFA arrojadas después del análisis en la placa de ITO +
aluminio, se verifica una diferencia enorme en la morfología superficial. Donde se
verifican contrastes diferentes y profundidades irregulares que van de 1.9 nm y
30.2 nm en modo imagen, para el modo de amplitud de error tiene un contraste
que se verifica entre un valor de 0.3 y 21.9 mV y en modo fase se puede verificar
que posee un contraste arriba de 81.9°, lo cual se exhibe en la Figura 24.

IMAGEN 2D IMAGEN 3D MODO
AMPLITUD DE ERROR
Figura 23. Imágenes de fuerza Atómica en la placa de ITO.

AMPLITUD DE ERROR
Figura 24. Imágenes de Fuerza Atómica en la placa de ITO + aluminio.

Para las placas de ITO + aluminio + Al2O3 anodizado a 15 Volt, se verifica una
diferencia en la morfología superficial observándose en la tabla 9. Se presentan
contrastes diferentes y profundidades que van de 1.6 nm y 41.8 nm en modo imagen,
11.6 nm más que antes del anodizado, lo que corrobora la formación de la película del
óxido, para en modo de amplitud de error tiene un contraste que se verifica entre un
valor de -1.2 y
39.6 mV y en modo fase se puede verificar que posee un contraste arriba de 93.6°,
mucho mayor debido a la formación del Al2O3.
Para las imágenes de MFA para la placa de ITO + aluminio + Al2O3 anodizado a 20
Volt, se vuelve a corroborar la diferencia en la morfología superficial, aunque en este
caso es muy similar a la anterior. Donde las profundidades observadas en modo
imagen van de hasta 189.6 nm en modo imagen, lo que muestra que a mayor voltaje
hay mayor formación de Al2O3, para en modo de amplitud de error tiene un contraste
que se verifica entre un valor de 33.3 mV y en modo fase se puede apreciar que
posee un contraste arriba de 87.9°. Puede observarse que la imagen fue difícil de
obtener mostrando imágenes más ideales para realizar las lecturas, lo cual es notorio
en la Figura 26.
Finalmente, para las imágenes de MFA para la placa de ITO + aluminio + Al 2O3
anodizado a 25 Volt, se vuelve a corroborar que existe una diferencia en la morfología
superficial, aunque en este caso es muy marcada que en las anteriores. Donde las
profundidades observadas en modo imagen van de 2.3 nm y 50 nm existiendo mayor
rugosidad, en modo de amplitud de error tiene un contraste que se verifica entre un
valor de 0.3 y 9.2 mV y en modo fase se puede verificar que posee un contraste arriba
de 93.6°, las imágenes se muestran en la Figura 27.

AMPLITUD DE ERROR
Figura 25. Imágenes de Fuerza Atómica a 15 volts de electrolizado.

AMPLITUD DE ERROR

AMPLITUD DE ERROR

Conclusiones y
Recomendaciones
Se realizó un estudio del anodizado del óxido de aluminio por medio de
Microscopía de Fuerza Atómica, difracción de Rayos X y Elipsometría
Espectroscópica. Se verificaron los casos de morfología superficial de las películas
de ITO mostrando una morfología muy ordenada, con alturas muy similares a lo
largo de toda la película.
Al realizar el depósito de aluminio se puede comprobar el cambio en la morfología
superficial, aunque al realizar los anodizados de 15 y 20 Volts la morfología es
muy similar, aunque los contrastes son diferentes, así como la diferencia de
alturas, lo que verifica la formación de óxido de aluminio.

Para el anodizado de 25 Volts se llega a observar una enorme diferencia en la
morfología superficial entre los anodizados de diferentes voltajes aplicados, los
crecimientos cristalinos del óxido de aluminio son mucho mayores, aunque las
profundidades son sin embargo menores, lo que quiere decir que en esta variable
de síntesis es más probable la formación del óxido de aluminio.
De acuerdo a las morfologías y la rugosidad presentada, teniendo en cuenta las
condiciones de síntesis, se pueden correlacionar los datos para establecer un
método de síntesis adecuado dependiendo del uso final que se requiera para las
membranas (sensor, catalizador o celda solar).
El desarrollo de nuevos materiales que se enfocan en aumentar la eficiencia en la
generación de energías limpias es de suma importancia, debido a que es un tema
critico a nivel global. De la misma forma, el uso de estos materiales para ser
usados como soportes catalíticos, abre la posibilidad de aumentar la producción
en procesos hasta el día de hoy limitada.

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pág. 19.
ANEXOS
Anexo 1. Espectro de Rayos X “ITO”
Anexo 2. Espectro de rayos X “alúmina”

Electrodeposición y Caracterización Del Óxido de Aluminio Sobre Placas de Óxido de Indio y Estaño (ITO)

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Electrodeposición y Caracterización Del Óxido de Aluminio Sobre Placas de Óxido de Indio y Estaño (ITO)

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INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERÍA QUÍMICA

ELECTRODEPOSICIÓN Y CARACTERIZACIÓN DEL

QUE PARA OBTENER EL TÍTULO DE

ESTEBAN SAMUEL CRUZ RAMOS

ASESOR: Dra. CARMEN M. REZA SAN GERMÁN

Gracias al Instituto Politécnico Nacional por ser mi principal formador en la vida

académica, por sus excelentes profesores y personal que procura el desarrollo de

la comunidad politécnica en excelencia.

Mi especial reconocimiento al Centro de Nanociencias, Micro y Nanotecnologías

del Instituto Politécnico Nacional por su invaluable ayuda en los estudios de

caracterización morfológica y estructurales del presente trabajo de tesis.

un apoyo fundamental en la conclusión de esta etapa académica y por inspirarme

a continuar enriqueciendo mi conocimiento y usarlo en bien del desarrollo de la

desglosarla en objetivos y trabajar por ellos para cumplirlos de manera óptima.

Cárdenas por sus excelentes consejos, tiempo y dedicación en la formación y

mejora del presente trabajo de tesis.

hizo durante mi formación académica que hoy rinde un fruto más.

Ramos como una muestra de agradecimiento por su compañía y cariño en mi

vida, y como una pauta para que se esfuercen y en su momento tengan la

satisfacción de concluir una carrera profesional.

comprensión y cariño cuando requerí ausentarme de reuniones y fechas

importantes por sacar adelante mis estudios.

Matamoros por su impulso, cariño, motivación y contagiarme las ganas de ser

mejor en cada aspecto de mi vida día tras día.

1.1 Características del ITO. 20

1.2 Aplicaciones y uso del ITO. 23

1.3 Propiedades del Al2O3 . 24

1.4 Aplicaciones del compuesto SiO2-ITO. 27

CAPÍTULO II: MÉTODOS DE SÍNTESIS DE PELÍCULAS DE ÓXIDO DE

2.1 Métodos físicos y químicos. 30

Rocío Pirolítico Ultrasónico. 31

Síntesis Hidrotermal y Solvotermal. 35

2.2 Métodos electroquímicos de depósito de película. 36

2.2.2 Anodizado electroquímico. 39

CAPITULO III: METODOLOGÍA EXPERIMENTAL 42

3.1 Sistema de electrodeposición. 43

3.2 Procedimiento para el depósito de aluminio por vía pulverización

3.3 Desarrollo experimental de anodizado. 49

CAPITULO IV: ANÁLISIS DE RESULTADOS 52

4.1 Difracción de Rayos X. 53

4.1.1 Fundamento de la Difracción de Rayos X. 54

4.1.2 Resultado de la Técnica Difracción de Rayos X. 56

4.2 Elipsometría Espectroscópica. 59

4.2.1 Fundamento de Elipsometría Espectroscópica. 61

4.2.2 Resultado de la Técnica de Elipsometría Espectroscópica. 63

4.3 Microscopía de Fuerza Atómica. 69

4.3.1 Fundamento de Microscopía de Fuerza Atómica. 69

4.3.2 Resultado de la Técnica de Microscopia de Fuerza Atómica. 70

Figura 01. Morfología del Al2O3. 27

Figura 02. Elementos que intervienen en un proceso electrolítico. 39

Figura 03. Esquema del proceso de deposición por pulverización catódica

Figura 04. Equipo de pulverización catódica (Sputtering) del Centro de

Nanociencias y Micro y Nanotecnologías del IPN (CNMN-IPN). 44

Figura 05. Placas de ITO de 7.5 cm x 2.5 cm. 45

Figura 06. Cátodos más comunes utilizados para pulverización catódica. 46

de Nanociencias y Micro y Nanotecnologías del IPN (CNMN-IPN). 47

Centro de Nanociencias y Micro y Nanotecnologías del IPN (CNMN-IPN). 47

Figura 09. Cámara de pulverización del equipo sputtering (pulverización catódica)

Centro de Nanociencias y Micro y Nanotecnologías del IPN (CNMN-IPN). 48

pulverización catódica del Centro de Nanociencias y Micro y Nanotecnologías del

Figura 11. Placas de ITO 2.5 cm x 1cm, con aluminio depositado. 50

Figura 13. Montaje experimental del anodizado. 51