REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA

EDUCACIÓN UNIVERSIDAD, CIENCIA Y TECNOLOGÍA
UNIVERSIDAD POLITÉCNICA TERRITORIAL DE FALCÓN
“ALONSO GAMERO”
PROGRAMA NACIONAL DE FORMACIÓN EN ELECTRICIDAD
ELECTRÓNICA

NOMBRES: ARNOLDO ANTONIO, APELLIDOS: ARCILA RODRÍGUEZ

CEDULA: 16.349.387, TRAYECTO: 3, MODULO: 1, SECCIÓN: 2, PNF:
ELÉCTRICIDAD, FECHA: 19-07-2020
ACTIVIDAD NRO. 1

COMO SE CONSTRUYE UNA UNIÓN PN

Un semiconductor se puede dopar para tener un exceso de electrones libres o

un exceso de huecos; por tanto, existen dos tipos de semiconductores dopados,
semiconductor tipo N y tipo P, la unión de estos materiales son neutros, tienen el
mismo número de electrones que de protones, al unir un semiconductor tipo N con
otro tipo P se origina un flujo de electrones a través de la unión PN. Los electrones
libres del semiconductor N se unen al hueco del cristal P formándose un ión
positivo en N y uno negativo en P. Esto origina una tensión de difusión que se
opone al flujo de electrones a través de la unión. Esta tensión irá aumentando con
el paso de más electrones N hacia P, hasta llegar a un punto que imposibilita el
paso de más electrones. La unión PN tiene tantas propiedades útiles que ha
propiciado toda clase de inventos, entre los que se incluyen los diodos, los
transistores y los circuitos integrados. Comprender la unión PN le permitirá
entender todo sobre los dispositivos semiconductores.

Semiconductor tipo N tiene

muchos electrones libres
 Semiconductor tipo P tiene
muchos huecos

COMO SE LLAMA ESA UNIÓN

El diodo no polarizado, por sí mismo, un fragmento de semiconductor de tipo N

es casi tan útil como una resistencia de carbón; lo que también se puede decir de
un semiconductor de tipo P. Sin embargo, cuando un fabricante dopa un cristal de
modo que una mitad sea tipo P y la otra mitad tipo N, aparecen nuevas
funcionalidades. El borde entre la zona de tipo P y la zona de tipo N se denomina
unión PN.

EXPLIQUE LA CORRIENTE EN POLARIZACIÓN DIRECTA E INVERSA Y

CÓMO INFLUYE LA TEMPERATURA EN LA UNIÓN

POLARIZACIÓN DIRECTA El terminal negativo de la fuente se conecta al

material de tipo n y el terminal positivo se conecta al material de tipo p. Esta
conexión da lugar a una polarización directa.

Cuando una tensión externa se opone a la barrera de potencial, el diodo se

polariza en directa. Si la tensión aplicada es mayor que la barrera de potencial, la
corriente es grande. Es decir, la corriente fluye fácil- mente en un diodo polarizado
en directa.

POLARIZACIÓN INVERSA En este caso, el terminal negativo de la batería se

conecta al lado p y el terminal positivo de la batería se conecta al lado n. Esta
conexión da lugar a una polarización inversa.
 En este caso, el terminal negativo de la batería se conecta al lado p y el
terminal positivo de la batería se conecta al lado n. Esta conexión da lugar a una
polarización inversa.

Existe una pequeña corriente llamada corriente inversa de muy baja intensidad,
en muchos casos despreciable a través de la unión PN, y que es debida al
desprendimiento de electrones de los enlaces por defecto de la temperatura. Al
seguir aumentando la tensión llega un momento que se desprenden electrones de
la red cristalina, que al chocar con otros electrones los libera provocando una
avalancha de electrones, la intensidad aumenta rápidamente, desembocando en
la ruptura de la estructura cristalina y el deterioro del diodo.

EXPLIQUE LA PREFERENCIA DEL SILICIO SOBRE EL GERMANIO

Los conductores tienen un electrón de valencia, los semiconductores tienen

cuatro electrones de valencia y los aislantes tienen ocho electrones de valencia.
Entre ellos están el germanio: Estos dispositivos de germanio presentaban una
importante desventaja su excesiva corriente inversa, a la que los ingenieros no
pudieron dar solución; el silicio, comenzó a utilizarse dejando obsoleto al germanio
en la mayoría de las aplicaciones electrónicas, sin embargo, cuando se empezó a
trabajar con semiconductores existían ciertos problemas que impedían el uso del
silicio, las ventajas del silicio lo convirtieron inmediatamente en el semiconductor a
elegir, el silicio es el material semiconductor más ampliamente utilizado. Un átomo
aislado de silicio tiene cuatro electrones en su orbital de valencia, el más externo.
El número de electrones en el orbital de valencia es la clave de la conductividad.
Sin él, la electrónica moderna, las comunicaciones y la informática serían
imposibles.