Tecnología y Componentes Electrónicos y

Fotónicos

Dpto. Ingeniería de Sistemas y Automática

ESI Sevilla

Octubre 1997

1. PROFESORADO

• Miguel Angel Aguirre Echánove.(Dr. 1.1.)

• Carlos Janer Jiménez. (Dr. 1.1.)
• Francisco Colodro Ruiz.(Dr. I.T.)
• Juan García Ortega.(Dr. 1.1.)
• Ramón Gonzalez Carvaj al (1.1)
• Jose L. Mora Jiménez (I.I)

2. UBICACION DEL PROFESORADO Y HORARIO DE CONSULTA

El profesorado se encuentra en las dependencias del área de Tecnología Electrónica. situado
en la entreplanta E2, de la Escuela Superior de Ingenieros.

3. RESENA METODOLOGICA
La asignatura representa una introducción a los principales dispositivos y compon nt es
electrónicos y fotónicos y proporciona la base necesaria para las asignaturas el segundo
y tercer curso denomindas Circuitos Electrónicos y Sistemas Digitales. Consta de 6 horas
semanales, de las cuales tres son de teoría, una de problemas y dos de laboratorio.
En las clases teóricas se presentan los principios de funcionamiento de los dispositivos electrónico,",
y fotónicos, sus modelos y principales aplicaciones. Se presentan los circuitos el ctróuicos
básicos y se realiza una introducción a los circuitos integrados. En las cla. ." R a-
se desarrollan ejemplos prácticos de los conceptos anteriomente expue ~~\tí\\~ 01'/•..•
En el laboratorio el alumno utiliza el programa de simulación Spic <::>~flrz.,' eXlwl~"j'"
imentos relacionados con los temas de la asignatura. <y . \~ A
~ . ''\t.~t.-.¡,~
~~ --
~ /-9
~'!\.~~\tl~\)

1
4. EVALUACIO y CALIFICACION
Se realizarán dos exámenes parciales liberatorios de materia respecto a la convocatoria d
Junio. El primer parcial se realizará a finales de Enero o principios de Febrero y comprenderá
hasta el tema del Transistor Bipolar.
Los exámenes constarán de dos partes: una teórica, destinada a evaluar el conocimiento y
comprensión de los conceptos de la asignatura y otra, dedicada a problemas mediante la cual
se evaluará la capacidad del alumno para emplear los métodos y técnicas desarrollados.
Para la superación de los exámenes será necesario obtener una nota mínima en cada una de
estas partes que estará en torno a un tercio de la nota máxima de dicha parte. Superados
estos mínimos, el exámen se aprobará con una nota igualo superior a 5.0 p unt os.
Los parciales no se compensan, ni se considerarán para la convocatoria de Septiembre. Se
hará media entre los parciales siempre que la nota de ambos supere 4.5.
Para aprobar la asignatura será condición indispensable haber realizado con aprovechamiento
todas las prácticas de la asignatura. Un alumno que haya aprobado los exámenes d la
asignatura podrá mejorar su nota final mediante una realización y presentación esmerada de
los trabajos prácticos relacionados con la materia estudiada.

5. PROGRAMA

(a) TEMA Enlace y Bandas de Energía. Materiales semi conductores. Estruc! lira
cristalina. Modelos atómicos. Bandas de energía.
(b) TEMA Semiconductores en equilibrio térmico. Masa efectiva. Equilibrio térmico,
Ley de acción de masas. Nivel de Fermi. Concentración de portadores intrím .ecos ,l'

extrínsecos.
(c) TEMA Fenómenos de Transporte en los Semiconductores Portadores libres.
Corriente de arrastre. Corriente de difusión.
(d) TEMA Generación y recombinación de portadores de carga en desequilibrio.
Recombinación y generación. Ecuación de continuidad.
(e) TEMA La Unión p-n. Formación de la unión. La unión p-n en equilibrio térmico. La.
aproximación de la deserción. La unión polarizada.
(f) TEIvIA Circuitos con diodos Circuitos rectificadores. El detector de envolvente.
Circuitos limitadores.
(g) TEMA El Transistor Bipolar. Funcionamiento. Funcionamiento del transistor
bipolar. Características estáticas. Expresiones de las componentes de la corriente y
ganancias. El modelo de Ebers-Moll.
(h) TEMA El Transistor Bipolar. Limitaciones y Modelos. Efecto Early. EL' do
a polarizaciones altas y bajas de emisor. Tiempo de tránsito en la base. Modelo de
control de carga. Modelo de pequeño señal.
(i) TEMA El Transistor Bipolar. Polarización y Circuitos Básicos.
(j) TEMA La Unión Metal-Semiconductor. Diagramas de band;z~,@\
cadora. La unión en equilibrio térmico. La unión polarizada. A Jent
de Schottky. Característica tensión-intensidad. Contactos no ~lficad ico. ).
El diodo rectificador Schottky. Aplicaciones del diodo Schott ~ •\ h.
~ S'é.'J\\.v'
(k) TEMA Transistores de Efecto de Campo JFET y ME T. º\~~~·Y fu
cionamiento del JFET. Característica tensión-intensidad. Mo ~,~,~~é pe<;,e:I- _ al.
El MESFET. JFET y MESFET de enriquecimiento. Comparació'n ~c¡b-e h·ansi. t r
bipolar. Aplicaciones del JFET.

2
 --------------------------------------------~~

(1) TEMA La Capacidad MOS. La estructura MaS. Análisis de la estructura 'lOS. La

región de inversión. Capacidad de peuqeña seña!' La estructura MOS de tres terminales.
(m) TEMA El Transistor MOSFET. Descripción y funcionamiento. Análisis del transis-
tor MaS. Modelo de pequeña seña!' Fabricación del transistor MaS. Movilidad efectiva
en la capa de inversión. Transistor MaS con implantación iónica. Efectos de canal
corto. Reglas de escalado de transistores MaS.
(n) TEMA El Transistor MOSFET. Polarización y Circuitos Básicos.
(o) TENIA Comunicaciones ópticos. El canal óptico, la fibra óptica. Dispositivos -rm-
sores. Dispositivos receptores.

RELACION DE PRACTICAS DE LABORATORIO

(a) Introducción a la teoría de circuitos.

(b) Circuitos RC. Análisis de transitorios.
(c) El diodo. Característica estática.
(d) El diodo rectificador. Rectificador de media onda.
(e) El transistor bipolar. Polarización.
(f) Polarización del BJT. Uso como amplificador.
(g) Simulación SPICE del transistor bipolar.
(h) Simulación SPICE de un amplificador resonante.
(i) Transistor JFET. Determinación de parámetros.
(j) Transmisor de radio AM.

6. BIBLIOGRAFIA
Bibliografía

• Apuntes de la Asignatura Tecnología de Componentes y Dispositivos Electrónicos y

Fotónicos.
• Solid State Electronic Devices. Ben G. Streetman. .Prentice-Hall, 1980.
• Operaiion and M odelling of the MOS Transistor. Y.P.Tsividis, McGraw-Hill, ] 987.
• Microelectrónica. J acob Millman y Arvin Grabe!. Ed. Hispano-europea.
• Electrónica integrada. J acob Millman y C.C. Halkias. Ed. Hispano-europea ..
• Circuitos electrónicos. Norbert R. Malik. Ed. Prentice Hal!. 1996

tk ~l cov-.c:.Lja.re.s ,

el>. -AeUlt'·'><nA - W es! ~'1 .\k...co~~ l(..--..._