SCR

Rectificador Controlado de Silicio

1/131
 SCR
1.- Introducción
Definición: El tiristor (SCR,
SCR Silicon Controlled
Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio),
es un dispositivo semiconductor biestable
formado por tres uniones PN con la
disposición PNPN. Está formado por tres
terminales, llamados Anodo,Anodo Cátodo y
Puerta.
Puerta El instante de conmutación, puede
ser controlado con toda precisión actuando
sobre el terminal de puerta. Es un elemento
unidireccional, conmutador casi ideal,
rectificador y amplificador a la vez.
vez

2/131
En la curva característica idealizada del
tiristor podemos apreciar tres zonas bien
diferenciadas:

IA

c a b VAK
0

a) VAK positiva.
positiva El dispositivo se comporta
como un circuito abierto.
b) VAK positiva.
positiva El elemento está en estado
de conducción.
c) VAK negativa.
negativa El dispositivo equivale a un
circuito abierto. 3/131
La característica real V – I del tiristor está
representada en la figura:

4/131
VDWM = Tensión máx. directa de trabajo

VDRM = Valor máx. de voltaje repetitivo

directo.

VRRM = Valor máx. de voltaje repetitivo

inverso.

VT = Caída de tensión de trabajo

IT = Intensidad de trabajo

IH = Intensidad de mantenimiento

IDRM = Intensidad directa en estado de

bloqueo. (Intensidad de fugas)

IRRM = Intensidad inversa en estado de

bloqueo. (Intensidad de fugas)

IL = Intensidad de enganche
5/131
.2.- Estructura

En la fabricación se emplean técnicas de

difusión y crecimiento epitaxial.
epitaxial El material
básico es el Si. En la figura están
representados algunos tipos de encapsulado:

6/131
3.- Principio de Funcionamiento

Tensión de ánodo negativa respecto a

cátodo (VAK < 0):

Los diodos U1 y U3 quedan polarizados en

inverso y U2 en directo. La corriente del diodo
viene dada por:
 
I A  IS1  IS3  IS e qv kt  1  IS

7/131
Tensión de ánodo positiva respecto a
cátodo (VAK > 0), sin excitación de puerta:

Sin señal en la puerta (G), las uniones U1 y

U3 estarán polarizadas en directo y U2 en
inverso. La única corriente que circula por el
dispositivo es la inversa de saturación del
diodo formado en la unión U2. A esta
corriente de saturación la llamamos IS2.

I 2  IS2   2 I A  1 (I K )
8/131
Teniendo en cuenta que la corriente neta ha
de ser la misma en todas las uniones:

I 2  I A  I K
y sustituyendo:

I A  IS2  1I A   2 I A
de donde:
IS2
IA 
1   1   2 
El transistor formado por la capas P1N1P2 se
encuentra en bloqueo directo, por lo que se
coporta como un cto abierto, puesto que el
valor de IA es muy pequeño. Esto supone que
1 + 2 << 1 con lo que la expresión anterior
se reduce a:

I A  IS2
9/131
Tensión de ánodo positiva respecto a
cátodo (VAK > 0), con excitación de puerta:

El tiristor, idealmente, se comporta como un

cortocircuito (VAK del orden de 1 a 2 V).

4.- Modelo de dos transistores:

I C  I E  I CO

I B  1     I E  I CO 10/131
Del modelo anterior, obtenemos las
siguientes expresiones:

I B1  1  1   I A  I CO1

I C2   2 I K  I CO2

Finalmente obtenemos: (teniento en cuenta:

IB1 = IC2)
IK  IA  IG
 2 I G  I CO1  I CO2
IA 
1   1   2 

• Cuando (1+ 2) se aproxima a 1, la

división tiende a , por lo que IA tiende a
aumentar sin límite, pasando el
dispositivo al estado ON.
11/131
•Si ahora operamos en el circuito de forma
que la suma ((1+ 2) sea menor que 1, el
dispositivo estará en estado OFF,
manteniéndose la IA muy pequeña.

Si aumentamos IG, la corriente de ánodo

tiende a incrementarse y por tanto, tiende a
aumentar 1 y 2 produciendose un efecto de
realimentación positiva. De aquí podemos
deducir los dos tipos de disparo del SCR:
SCR

1.- Por tensión suficientemente elevada

aplicada entre A – K, lo que provocaría que
éste entrara en conducción por efecto de
"avalancha";

2.- Por intensidad positiva de polarización

en la puerta.

Tanto para el estado de bloqueo directo,

como para el estado de polarización
inversa, existen unas pequeñas corrientes
de fugas.
fugas 12/131
5.- Nomenclatura y Características:

VDRM
Tensión de pico repetitivo en bloqueo
directo. (Repetitive peak off-state voltage).

VDSM
Tensión de pico no repetitivo en
bloqueo directo. (Non -repetitive peak off -
state voltage).

VDWM
Tensión máxima directa en estado de
trabajo. (Crest working off - state voltage).
13/131
VRRM
Tensión inversa de pico repetitivo.
(Repetitive peak reverse voltage).

VRSM
Tensión inversa de pico no repetitivo.
(Non - repetitive peak reverse voltage).

VRWM
Tensión inversa máxima de trabajo.
(Crest working reverse voltage).

VT
Tensión en extremos del tiristor en
estado de conducción. (Forward on - state
voltage).

VD
Tensión en extremos del tiristor en
estado de bloqueo directo. (Continuous off -
state voltage).
14/131
VR
Caída de tensión inversa en extremos
del tiristor. (Reverse off - state voltage).
VGT
Tensión de disparo de puerta. (Ten-
sión de encendido). (Gate voltage to trigger).
VGNT
Tensión de puerta que no provoca el
disparo. (Non - triggering gate voltage).

VRGM
Tensión inversa de puerta máxima.
(Peak reverse gate voltage).
VBR
Tensión de ruptura. (Breakdown
voltage).
IT(AV)
Corriente media. (Average on - state
current).
IT(RMS) 15/131
Intensidad directa eficaz. (R.M.S. on
state current).
ITSM
Corriente directa de pico no repetitiva.
(Peak one cycle surge on - state current).
ITRM
Corriente directa de pico repetitivo.
(Repetitive peak on - state current).
IRRM
Corriente inversa máxima repetitiva.
(Corriente inversa). (Reverse current).
IL
Corriente de enganche. (Latching
current).
IH
Corriente de mantenimiento. (Holding
current).

IDRM
Corriente directa en estado de
bloqueo. (Off - state current).

16/131
IGT
Corriente de disparo de puerta. (Gate
current to trigger).
IGNT
Corriente de puerta que no provoca el
disparo. (Non-triggering gate current).
ITC
Corriente controlable de ánodo.
(Controllable anode current). (Para el caso de
tiristores GTO).
I2t
Valor límite para protección contra
sobreintensidades. (I2t Limit value).
Capacidad de soportar un exceso de
corriente durante un tiempo inferior a
medio ciclo.
ciclo Permite calcular el tipo de
protección. Debemos elegir un valor de I2t
para el fusible de forma que:
I t (fusible)  I t (tiristor)
2 2

17/131
PGAV
Potencia media disipable en la puerta.
(Average gate power dissipation).

PGM
Potencia de pico disipada en la puerta.
(Peak gate power dissipation).

Ptot
Potencia total disipada. (Full power
dissipation).
Tstg
Temperatura de almacenamiento.
(Storage temperature range).
Tj
Temperatura de la unión. (Juntion
temperature).
Rth j-mb ; Rj-c; R JC
Resistencia térmica unión -
contenedor. (Thermal resistance, Junction
18/131 to
ambient).
Rth mb-h; Rc-d
Resistencia térmica contenedor -
disipador. (Thermal resistance from mounting
base to heatsink).

Rth j-a; Rj-a; R JA

Resistencia térmica unión - ambiente.
(Termal resistance juntion to ambient in free
air).
Zth j-mb; Zj-c; ZJC(t)
Impedancia térmica transitoria unión -
contenedor. (Transient thermal impedance,
juntion - to - case).
Zth j-a; Zj-a; Z JA(t)
Impedancia térmica transitoria unión -
ambiente. (Transient thermal impedance,
juntion - to - ambient).
td
Tiempo de retraso. (Delay time).
tr 19/131

Tiempo de subida (Rise time).

tgt; ton
Tiempo de paso a conducción. (Gate -
controlled turn – on time).
tq; toff
Tiempo de bloqueo, (Circuit -
commutated turn - off time).
di/dt
Valor mínimo de la pendiente de la
intensidad por debajo del cual no se
producen puntos calientes.
dv/dt
Valor mínimo de la pendiente de
tensión por debajo del cual no se produce el
cebado sin señal de puerta.
(dv/dt)C
Valor mínimo de la pendiente de
tensión por debajo del cual no se produce el
nuevo cebado del SCR cuando pasa de
conducción a corte. 20/131
Características:

 Interruptor casi ideal.

 Amplificador eficaz (pequeña señal de
puerta produce gran señal A – K).
 Fácil controlabilidad.
 Características en función de situaciones
pasadas (Memoria).
 Soporta altas tensiones.
 Capacidad para controlar grandes poten-
cias.
 Relativa rapidez.

Características estáticas:
Las características estáticas corresponden a
la región ánodo - cátodo y son los valores
máximos que colocan al elemento en en
límite de sus posibilidades: VRWM, VDRM, VT,
ITAV, ITRMS, IFD, IR, Tj, IH.
21/131
Características de control:

Determinan la naturaleza del cto de mando

que mejor responde a las condiciones de
disparo.

Para la región puerta - cátodo los fabricantes

definen entre otras las siguientes
características: VGFM, VGRM, IGM, PGM, PGAV, VGT,
VGNT, IGT, IGNT

Entre los anteriores destacan:

VGT e IGT que determinan las

condiciones de encendido del
dispositivo semiconductor.

VGNT e IGNT, que dan los valores

máximos de corriente y de tensión,
para los cuales en condiciones
normales de temperatura, los tiristores
no corren el riesgo de dispararse de
modo indeseado. 22/131
23/131
El diodo puerta (G) - cátodo (K) difiere de un
diodo de rectificación en los siguientes
puntos:

•Una caída de tensión en sentido directo

más elevada.

•Mayor dispersión para un mismo tipo de

tiristor.

Construcción de la curva característica de

puerta:

La unión puerta – cátodo se comporta como

un diodo, por lo que representamos la
característica directa de dicho diodo. Para
una misma familia de tiristores existe una
gran dispersión. Para no complicar
demasiado el proceso, se dibujan únicamente
las dos curvas extremas, puesto que todas
las demás quedan comprendidas entre
ambas.
24/131
 Analisis gráfico del concepto de
disipación máxima.
Para ello tomamos un tiristor típico con los
valores nominales y las características de
puerta siguientes:
VRGM max= 5V
PGAV max= 0.5W
PGM max = 5W
VGT > 3.5V
IGT > 65mA
Tensión insuficiente para disparar ningún
25/131
elemento < 0.25V.
La curva de máxima disipación de potencia
de pico representa el lugar geométrico de V
e I, de manera que:

PMAX  V  I

Para el punto A,
A tenemos:

PFG  I FG  VFG  2A  7V  14W

26/131
 Valor superior a los dados por el
fabricante ( > 0.5W de potencia media; > 5W
de potencia de pico).

En la figura podemos ver tres puntos

tomados sobre la curva de máxima disipación
de potencia que cumplen con todas las
especificaciones expuestas anteriormente en
los datos del dispositivo.
27/131
De la misma obtenemos la curva de potencia
media. Para nuestro caso consideramos un
valor de PGAV máx = 0.5W. Entre las curvas PGAV
= continua y PGM = de pico alterna se
encuentra una zona idónea para trabajar con
impulsos.

Ciclo de trabajo (): Cociente entre la

potencia media y la potencia de pico:
PG(AV)

PGM

Para nuestro caso:

0.5
  0.1
5
De todo lo visto hasta ahora, deducimos que
las tensiones e intensidades válidas para
producir el disparo deben estar comprendidas
en la zona rayada de la figura siguiente:
28/131
Dentro de esta zona encontramos una parte
en la cual el disparo resulta inseguro Esta
corriente mínima disminuye al aumentar la
temperatura:

29/131
Características dinámicas:

Tensiones Transitorias

Son valores de tensión que van

superpuestos a la señal sinusoidal de la
fuente de alimentación.
alimentación Son de escasa
duración,
duración pero de amplitud considerable.
considerable

Ejemplo 1:

Si tenemos una fuente de alimentación de

220V de tensión eficaz, con picos de
tensión de, 220  2  311V
determinar las características mínimas de
disparo que debe reunir el tiristor.

Para disponer de un margen de seguridad del

50%, elegimos un tiristor que se dispare con
una tensión superior a 311V  1.5 = 470V.
Elegiríamos un tiristor con un valor de VDRM >
470V y VDSM >>> VDRM
30/131
 Impulsos de Corriente

El fabricante proporciona curvas que dan la

cantidad de ciclos durante los que se pueden
tolerar determinados valores de corriente de
pico. El comienzo de la curva representa el
valor de pico de una corriente senoidal, para
la cual el semiciclo tiene una duración de 10
ms. Cuanto mayor sea el valor del impulso
de corriente, menor será la cantidad de
ciclos durante los cuales podrá admitirse
este valor.
valor

31/131
La gráfica siguiente muestra la corriente de
pico no repetitivo máximo admisible en
estado de conducción,
conducción basada en
corrientes sinusoidales (f = 50Hz). Antes del
impulso: Tj < 125 ºC.

Según la gráfica, el tiristor podría soportar

200A de pico durante 20ms una vez por
segundo;
segundo 150A tres veces por segundo,
segundo o
75A durante cincuenta ciclos por
segundo.
segundo
La temperatura media en la unión debe
conservarse por debajo del máximo. 32/131
 Angulo de Conducción
La corriente y la tensión media de un tiristor
variarán en función del instante en el que
se produzca el disparo,
disparo es decir, todo va a
depender del ángulo de conducción.
conducción La
potencia entregada y la potencia consumida
por el dispositivo, también dependerán de él:
cuanto mayor sea éste, mayor potencia
tendremos a la salida del tiristor

Cuanto mayor es el ángulo disparo, menor es

el de conducción:
180º = Áng conducción + Áng disparo
33/131
 Ejemplo 2:
El cto de la figura representa un control
simple de potencia con carga resistiva,
calcular:
1.- Tensión de pico en la carga.
2.- Corriente de pico en la carga.
3.- Tensión media en la carga.
4.- Corriente media en la carga.
5.- Realizar un estudio mediante PsPice,
obteniendo las formas de onda para un
ángulo de conducción  = 60º. Comprobar
que los apartados calculados en el
ejercicio, coinciden con las simulaciones.
Datos: Ve (RMS) = 120V f = 50Hz  = 60º
RL = 10

34/131
1.- Vp(carga)  Vmáx  Ve(RMS)  2  169.7V
Vp(carga) 169.7
2.- I p(carga)    16.97V
RL 10
 169.7 
3.- Vmed     1  cos60º   40.5V
 2  
I máx
4.- I med   1  cos    4.051A
2 

5.-

35/131
Características de conmutación:
Los tiristores necesitan un tiempo para pasar
de bloqueo a conducción y viceversa.
viceversa Para
frecuencias inferiores a 400Hz podemos
ignorar estos efectos. En la mayoria de las
aplicaciones se requiere una conmutación
más rápida, por lo que éste tiempo debe
tenerse en cuenta.
A.- Tiempo de Encendido (tON)

El tiempo de encendido (paso de corte a

conducción) tON, lo dividimos en dos partes:

A1.- Tiempo de retardo.

retardo (td)
A2.- Tiempo de subida.
subida (tr)

A1.- TIEMPO DE RETARDO O PRECONDI-

CIONAMIENTO
Es el que trascurre desde que el flanco de
ataque de la corriente de puerta alcanza el
50% de su valor final, hasta que IA alcanza el
10% de su valor máximo para una 36/131 carga
resistiva.
El tiempo de retardo depende de la
corriente de mando, de la tensión ánodo -
cátodo y de la temperatura (td disminuye si
estas magnitudes aumentan).

37/131
A2.- TIEMPO DE SUBIDA

Es el tiempo necesario para que IA pase del

10% al 90% de su valor máximo para una
carga resistiva. Podríamos tambien
considerar el paso de la caída de tensión en
el tiristor del 90% al 10% de su valor inicial.

La amplitud de la señal de puerta y el

gradiente de la corriente de ánodo, juegan
un papel importante en la duración del tr
que aumenta con los parámetros ante-
riores.

El tiempo de cebado (encendido), debe ser lo

suficientemente corto, como para no ofrecer
dificultades en aplicaciones de baja y de
mediana frecuencia.

En la figura siguiente podemos ver el tiempo

de retardo en función de la tensión de ánodo
e intensidad de puerta:
38/131
Parámetros que influyen sobre td:

 Tiempo de subida.

 Amplitud de la corriente de ánodo.

 Tensión de ánodo
39/131
B.- Tiempo de Apagado (tOFF)
Es el tiempo de paso conducción a corte

40/131
 -En t2, se invierte la corriente; si el
tiristor fuera perfecto, se bloquearía
instantaneamente. Entre t2 y t3 se
comporta como un cortocircuito, blo-
queándose bruscamente en t3.

-En este momento podemos ver como

se produce un salto de tensión.

-Para poder aplicar una nueva tensión

directa deberemos esperar hasta llegar
al punto que representa el tiempo t6.

La extinción del tiristor se producirá por

dos motivos: Por reducción de la corriente
de ánodo por debajo de la corriente de
mantenimiento y por anulación de la
corriente de ánodo.
ánodo
Dividimos el tiempo de apagado en dos:
B1.- T de recuperación inversa.
inversa (trr).
B2.- T de recuperación de puerta. (tgr).
puerta 41/131
B1.- TIEMPO DE RECUPERACION
INVERSA

Si la tensión aplicada al elemento cambia de

sentido y lo polariza inversamente, la
corriente directa se anula, alcanzándose un
valor débil de corriente inversa, (ir). Las
cargas acumuladas en la conducción del
tiristor se eliminan entonces parcialmente,
pudiendose así definir un tiempo trr, de
recuperación inversa (desde t1 a t3)

B2.- TIEMPO DE RECUPERACIÓN DE

PUERTA

El resto de las cargas almacenadas se

recombinan por difusión. Cuando el número
de cargas es suficientemente bajo, la puerta
recupera su capacidad de gobierno: puede
entonces volver a aplicarse la tensión directa
sin riesgo de un nuevo cebado. Este tiempo
se denomina tiempo de recuperación de
puerta y se simboliza como tgr. 42/131
La duración total del proceso de bloqueo
será:
t off  t rr  t gr
Parámetros que influyen sobre toff:

 Corriente en conducción (IT).

 Tensión inversa (VR).

 Velocidad de caída de la corriente

de ánodo dI/dt.

 Pendiente de tensión dVD/dt.

 Temperatura de la unión Tj o del

contenedor Tc.

 Codiciones de puerta.

43/131
Características térmicas:
Dependiendo de las condiciones de trabajo
de un tiristor, éste disipa una cantidad de
energía que produce un aumento de la
temperatura en las uniones del semi-
conductor. Este aumento de la temperatura
provoca un aumento de la corriente de fugas,
que a su vez provoca un aumento de la
temperatura, creando un fenómeno de
acumulación de calor que debe ser evitado.
Para ello se colocan disipadores de calor.

6.- Métodos de disparo:

Para que se produzca el cebado de un
tiristor, la unión ánodo - cátodo debe estar
polarizada en directo y la señal de mando
debe permanecer un tiempo suficiente-
mente largo como para permitir que el tiristor
alcance un valor de corriente de ánodo mayor
que IL, corriente necesaria para permitir que
el SCR comience a conducir.
44/131
Para que, una vez disparado, se mantenga
en la zona de conducción deberá circular una
corriente mínima de valor IH, marcando el
paso del estado de conducción al estado de
bloqueo directo.

Los distintos métodos de disparo de los

tiristores son:

6.1.- Por puerta.

6.2.- Por módulo de tensión. (V)
6.3.- Por gradiente de tensión (dV/dt)
6.4.- Disparo por radiación.
6.5.- Disparo por temperatura.

El modo usado normalmente es el disparo

por puerta. Los disparos por módulo y
gradiente de tensión son modos no
deseados,
deseados por lo que los evitaremos en la
medida de lo posible.

45/131
6.1.- Disparo por puerta

Es el proceso utilizado normalmente para

disparar un tiristor. Consiste en la aplicación
en la puerta de un impulso positivo de
intensidad,
intensidad entre los terminales de puerta
y cátodo a la vez que mantenemos una
tensión positiva entre ánodo y cátodo.

Una vez disparado el dispositivo,

dispositivo
perdemos el control del mismo por puerta. En
estas condiciones, si queremos bloquearlo,
debemos hacer que VAK < VH y que IA < IH

46/131
Al disparar el elemento debemos tener
presente que el producto entre los valores de
corriente y tensión, entre puerta y cátodo,
deben estar dentro de la zona de disparo
seguro y no exceder los límites de disipación
de potencia de puerta.

El valor de la resistencia (R) vendrá

determinado por la pendiente de la recta
tangente a la curva de máxima disipación
de potencia de la curva característica de
puerta del tiristor como podemos observar
en la figura.

47/131
El valor de R vendrá determinado por:

VFG
R
I FG
Debemos tener en cuenta también que existe
un nivel mínimo por debajo del cual el
disparo resulta inseguro.
inseguro
Ejemplo 3:
Dado un cto simple de control de potencia
que utiliza un tiristor como elemento de
control de una carga resistiva.
1.- Determinar el valor de Vcc, necesario
para producir el disparo del tiristor.
2.- Suponiendo que se abre el interruptor,
una vez disparado el tiristor, calcular el
valor mínimo de tensión (Ve) que provoca
el apagado del mismo.
Datos: VE = 300V; R = 500; RL = 20;
SCR: VH = 2V IH = 100mA VG = 0.75V
48/131
IG = 10mA
1.- Vcc  VG  R  I G  5.75V
Ve  VH
2.- IL   14.94A
RL
Esta corriente debe ser menor que la
corriente de mantenimiento para que el tiristor
conmute a apagado, por lo que deducimos
que:

Ve  I H  R L  VH  4V

49/131
6.2.- Disparo por módulo de tensión

Este método podemos desarrollarlo

basándonos en la estructura de un transistor:
si aumentamos la tensión colector - emisor,
alcanzamos un punto en el que la energía de
los portadores asociados a la corriente de
fugas es suficiente para producir nuevos
portadores en la unión de colector, que hacen
que se produzca el fenómeno de avalancha.


Esta forma de disparo no se emplea para
disparar al tiristor de manera inten-
cionada; sin embargo ocurre de forma for-
tuita provocada por sobretensiones anor-
males en los equipos electrónicos.

 50/131
6.3.- Disparo por gradiente de tensión

Si a un tiristor se le aplica un escalón de

tensión positiva entre ánodo y cátodo con
tiempo de subida muy corto, los portadores
sufren un desplazamiento para hacer frente a
la tensión exterior aplicada. La unión de
control queda vacía de portadores
mayoritarios; aparece una diferencia de
potencial elevada, que se opone a la tensión
exterior creando un campo eléctrico que
acelera fuertemente a los portadores
minoritarios produciendo una corriente de
fugas.

51/131
Para aumentar la inmunidad del dispositivo
ante estas variaciones tan bruscas, algunos
fabricantes recurren a cortocircuitar
parcialmente la zona de control y la zona
de cátodo.
cátodo

En tiristores de baja potencia es aconsejable

conectar entre puerta y cátodo una resis-
tencia por la que se derive parte de la
intensidad de fugas antes comentada.

6.4.- Disparo por radiación

La acción de la radiación electromagnética de

una determinada longitud de onda provoca la
elevación de la corriente de fugas de la
pastilla por encima del valor crítico, obligando
al disparo del elemento.

Los tiristores fotosensibles (llamados LASCR

o Light Activated SCR) son de pequeña
potencia y se utilizan como elementos de
control todo - nada.
52/131
6.5.- Disparo por temperatura

El disparo por temperatura está asociado al

aumento de pares electrón - hueco genera-
dos en las uniones del semiconductor. Así, la
suma (1+2) tiende rápidamente a la unidad
al aumentar la temperatura. La tensión de
ruptura permanece constante hasta un cierto
valor de la temperatura y disminuye al
aumentar ésta.

7.- Condiciones necesarias para el con-trol

de un SCR

Disparo

 Polarización positiva ánodo - cátodo.

 La puerta debe recibir un pulso positivo

(respecto a la polarización que en ese
momento tengamos en el cátodo) durante
un tiempo suficiente como para que IA sea
mayor que la intensidad de enganche.
53/131
Corte

 Anular la tensión que tenemos aplicada

entre ánodo y cátodo.

 Incrementar la resistencia de carga

hasta que la corriente de ánodo sea
inferior a la corriente de mantenimiento
(IH), o forzar a que IA < IH.

8.- Limitaciones del tiristor

Las más importantes son debidas a:
8.1.- Frecuencia de funcionamiento.
8.2.- Pendiente de tensión (dV/dt).
8.3.- Pendiente de intensidad (dI/dt).
8.4.- Temperatura.

8.1.- Frecuencia de funcionamiento

No podemos superar ciertos valores de
frecuencia, que vendrán impuestos por la
propia duración del proceso de apertura y
cierre del dispositivo. 54/131
El hecho de trabajar a frecuencias altas,
imponen al tiristor restricciones de dI/dt;
podríamos decir que el dispositivo "conserva
en la memoria" el calentamiento producido
por esta dI/dt. Esto es debido a la
imposibilidad para poder disipar el exceso de
calor producido en su interior.
Podemos afirmar que para valores muy
altos de dI/dt y con frecuencias crecientes,
se denota una fuerte disminución de la
capacidad de conducción del elemento.

8.2.- Limitaciones de la pendiente de ten-

sión (dV/dt)
Los picos transitorios de tensión que apare-
cen a través de un semiconductor son gene-
ralmente de corta duración,
duración gran amplitud
y elevada velocidad de crecimiento.
Una velocidad excesiva del crecimiento de la
tensión aplicada entre ánodo y cátodo
(dV/dt), amenaza con provocar el cebado
55/131
indeseado del tiristor, anteriormente
bloqueado, en ausencia de señal de puerta.
Este fenómeno se debe a la capacidad
interna del tiristor que se carga con una
corriente i = C(dV/dt) la cual, si dV/dt es
grande, puede ser suficiente para provocar el
cebado.

Causas:

a.-) Alimentacion principal.

b.-) Los contactores existentes entre la
fuente de alimentación y el equipo.
c.-) La conmutación de otros tiristores
cercanos.

Efectos:

Si se aplica una elevada dV/dt al dispositivo,

se puede producir el disparo indeseado del
mismo, sin aplicar una señal en la puerta.
Este límite lo podemos observar en la figura:
56/131
Protecciones:

El diseño de las redes de protección

dependerá en una gran medida de los límites
de los semiconductores, así como de los
fenómenos permanentes y transitorios a los
que estén sometidos.

Debemos adoptar soluciones de

compromiso,
compromiso puesto que con la mejora de
la relación dV/dt se tiende a producir un
aumento de la dificultad para producir el
cebado del dispositivo electrónico.
57/131
Uno de los métodos para mejorar la relación
dV/dt, es colocar una resistencia en paralelo
con la puerta del tiristor, pero por contra,
debemos tener en cuenta que este método
produce una reducción de la sensibilidad del
tiristor.

Otro método es aplicar una polarización

negativa de puerta. Este método desempeña
el mismo papel que el método anterior
aunque aumenta la inmunidad a los ruidos
del elemento, pero como anteriormente, se
plantea la disyuntiva de que es una técnica
poco cómoda de llevar a cabo.

58/131
En ctos donde el valor de dV/dt sea superior
al valor dado por el fabricante, se pueden
utilizar ctos supresores de transitorios.
transitorios Se
conectan en bornes de la alimentacion, en
paralelo con el semiconductor o en paralelo
con la carga.
Podemos clasificarlos en cinco grupos:
1.- Grupos RC o grupos L
2.- Supresores de Selenio
3.- Resistencias no lineales
4.- Descargadores de chispas
5.- Circuitos electrónicos de potencia
Una de las formas de lograr que del valor de
la dV/dt no sobrepase ciertos límites, es
colocar una bobina en serie con el tiristor.

59/131
En el cto anterior se harán las siguientes
suposiciones:
suposiciones
• El tiristor se sustituye por una
resistencia cuyo valor es el de la
resistencia en estado de bloqueo
directo RAK.
• Se suprime R, porque se considera
despreciable frente a RAK.

El valor de la tensión es:

 R
 t AK 
VAK  V1  e L 

 
El valor máximo (t = 0) será:
dVAK R AK
(máx)  V
dt L
Conforme aumentamos el valor de la in-
ductancia, disminuimos el valor de
dVAK/dt. 60/131
De manera práctica, ésta solución no es
viable debido a que las inductancias dise-
ñadas para estas aplicaciones con caras y
voluminosas.
Una solución muy utilizada en la práctica es
conectar en paralelo con el tiristor un cto
RC (Red SNUBBER),
SNUBBER para evitar variaciones
bruscas de tensión en los extremos del
semiconductor:

Puede presentarse un inconveniente: la ener-

gía disipada en la resistencia snubber sea
elevada si esta resistencia es muy pequeña.
Debemos llegar a una solución de compro-
miso que nos permita limitar el valor de dV/dt.
61/131
Estas redes RC, actúan como integradores
absorbiendo la energía transitoria y
reduciendo al mismo tiempo el valor de dV/dt.

Los ctos más utilizados son una combinación

de los anteriores, es decir, formados por la
red RC en paralelo con el tiristor y una bobina
en serie con el elemento semiconductor. El
valor de los dispositivos que forman éstas
redes será calculado posteriormente, aunque
podemos tomar como valores aproximados
los siguientes:

-RS = 10
-CS = 0.2µF

Ejemplo 4:
El SCR del cto de la figura puede soportar
una dVAK/dt = 50V/µs. La descarga inicial
del condensador sobre el SCR debe ser
limitada a 3A. En el momento en que se
cierra el interruptor S es conectada la
fuente de tensión VS al circuito. 62/131
Si en ese momento se aplica un impulso
apropiado a la puerta del elemento,
calcular:

1º) Valor del condensador de la red de

protección.
2º) Valor de la resistencia de protección.

Datos: dV/dt = 50V/µs; R = 20; Imáx = 3A

1.- Cuando la fuente de tensión alcanza el

valor máximo (VSmáx = 2202 = 311V)
cerramos el interruptor S. 63/131
Suponiendo que en el instante inicial, el
condensador está descargado:
VS máx 311V
I C (0)    15.55A
RL 20
Como:
dV 15.55A
IC  C   C  0.311F
dt 50V / s
El valor de la cte de tiempo es 6.22s. El
tiempo para que se estabilice el valor de la
tensión en el SCR estará comprendido entre
15 y 20s, tiempo suficientemente corto para
que la fuente de tensión no cambie
apreciablemente los valores de pico.
2.- Si el SCR es disparado en el momento en
que tenemos la tensión máxima, con C
cargado a 311V, el valor necesario de la
resistencia para limitar la corriente a 3A será:

311V
R  103.6  100
3A
64/131
MÉTODOS PARA EL CÁLCULO DE LOS
ELEMENTOS DE PROTECCIÓN:

A.- Método de la constante de tiempo (más

utilizado).
B.- Método resonante.
resonante

A.- Método de la constante de tiempo

Con éste método tratamos de buscar el valor

mínimo de la constante de tiempo () de la
dV/dt del dispositivo. Para ello, nos basamos
en la figura:

65/131
De donde deducimos que:
0.63  VDRM

 dV 
 dt 
min

siendo:
 = Constante de tiempo
VDRM = Tensión directa de pico
repetitivo.
En condiciones normales, tomaremos VDRM
= Vmáx

El valor de los elementos que forman la red

RC (red Snubber) los determinamos a partir
de:

C
RL

VAmáx
R
 ITSM  I L   K 66/131
donde:

VAmáx = Tensión de ánodo máxima.

IL = Intensidad en la carga.
K = F de seguridad. (0.4 ... 0.1)

cuando se produce la descarga

instantánea del condensador al inicio de la
conducción.
La misión de la resistencia calculada es
proteger al SCR


Para el peor de los casos, si el valor de tON es
igual a cero, el valor que debe tener la
resistencia viene dado por la ecuación:
VAmáx
R min 
 dI 
 C
 dt 
67/131
B.- Método de la resonancia

Con este método de cálculo de los valores de

R, L y C, C trataremos de lograr que el cto
entre en resonancia.
resonancia La forma de onda
obtenida para dV/dt será la representada en
la figura:

Para el cálculo, el valor de dV/dt debe ser

relacionado con el valor de la frecuencia.
frecuencia
Esto lo conseguimos basándonos en la
ecuación de la tensión senoidal:

V t   VP  senwt
68/131
Derivando y despejando la frecuencia:
frecuencia

dV
f dt
2    VAmáx
El valor de dV/dt es el máximo valor en
estado de conducción especificado por el
fabricante.
fabricante

Basándonos en la ecuación de definición de

la frecuencia de resonancia,
resonancia y una vez
conocido el valor de la frecuencia
1
f
2   L  C
podremos deducir que:

1 L
C R
 2   f   L
2
C
69/131
Mediante la utilización de éste método,
podremos elegir el valor de la bobina que nos
interese (normalmente 50µH),
50µH por lo que el
diseño de la red será más económico que el
anterior.

8.3.- Limitaciones de la pendiente de

intensidad (dI/dt)

Una variación rápida de la intensidad

puede dar lugar a una destrucción del
tiristor.
tiristor

Inicialmente, el área de conducción estará

limitada al área de la puerta, por lo que la
unión entera no conduce instantáneamente.
Como el cristal no es totalmente homogéneo
existen zonas donde la resistividad es más
baja y por tanto la concentración de
intensidad es mayor (puntos calientes).
calientes En
la figura se muestra el proceso de conducción
en función del tiempo.
70/131
El descenso de la caída de tensión en el
tiristor durante el paso del estado de bloqueo
al de conducción, no se efectúa de forma
instantánea, por lo que habrá momentos en
que se presenten simultáneamente valores
elevados de corriente y de tensión.
tensión

Protecciones:

Para evitar la formación de los puntos

calientes durante el proceso de disparo del
elemento se introduce una corriente por
puerta mayor de la necesaria sin
sobrepasar el valor máximo dado en las hojas
de características.
71/131
Otro procedimiento posible es añadir una
inductancia L para conseguir que la
pendiente de la intensidad (dI/dt) no
sobrepase el valor especificado en las
características del estado de
conmutación.
conmutación

Este es un cto de frenado, en el cual la

inductancia controla el efecto provocado por
la dI/dt.
El caso más desfavorable se produce
cuando se aplica una tensión continua. Si el
tiristor entra en conducción, IA se regirá por la
expresión:
V  
R t

I A   1  e L
R   72/131
Si derivamos la expresión anterior, para t = 0
obtenemos el valor máximo. Despejando
obtenemos el valor de L. El valor obtenido
debe ser menor al expresado en la hoja de
características.
V
L
dI A
dt máx

Ejemplo 5:
En la figura anterior se representaba un
circuito de protección del SCR contra
dI/dt. Con los datos siguientes, calcular el
valor de la inductancia L, para limitar la
corriente de ánodo a un valor de 5 A/µs.
Datos: VS = 300V; RL = 5

Solución:
dI A VS 6 A
  5 10 L  60 H
dt L s 73/131
 Ejemplo 6:

Supongamos que el tiristor está colocado

según la figura. Calcular aplicando el
método de la cte de tiempo el cto de
protección contra dV/dt y dI/dt.

Datos: VRMS = 208V; IL = 58A; R = 5;

SCR: VDSM = 500V; ITSM = 250A;dI/dt = 13.5

A/µs; dV/dt = 50V/µs

74/131
Para la resolución del problema adoptaremos
un factor de seguridad K = 0.4. El valor
máximo de tensión será:
VAmáx  208  2  294V
0.63  VDSM
  6.3s
 dV 
 dt 
min


El valor de C será: C   1.26F
R
Calculando la resistencia, obtenemos:
VAmáx
RS   3.83
 ITSM  I L   K
Vamos a comprobar el valor anterior con el
valor correspondiente a Rmin:
VAmáx
R min   4.15
 dI 
 C
 dt  75/131
Como el valor obtenido para RS es inferior a
la Rmin que se debe colocar, elegimos para
nuestro cto R = 4.15.

El valor mínimo de la inductancia L para

dI/dt se calcula de la siguiente forma:
VAmáx
L  21.7 H
dI
dt

Ejercicio Propuesto 1:

Calcular, con los mismos datos del

ejemplo anterior, el circuito de protección
contra dV/dt y dI/dt. (Aplicar el método de
la resonancia).

Realizar la simulación del circuito

mediante PsPice representando las
formas de onda obtenidas.
76/131
8.4.- Limitaciones de la temperatura

En los semiconductores de potencia, se

producen pérdidas durante el funcionamiento
que se traducen en un calentamiento del
dispositivo.

Si los períodos de bloqueo y de conducción

en un tiristor son repetitivos, la potencia
media disipada en un tiristor será:
1 T
PAV    VAK  I A  dt  Potencia de puerta.
T 0

La potencia disipada en los tiristores

durante la conducción,
conducción es >> que la disipada
durante el bloqueo y que la potencia
disipada en la unión puerta - cátodo.

Podemos decir que las pérdidas con una

tensión de alimentación dada y una carga
fija, aumentan con el ángulo de
conducción ().
77/131
Si la conducción se inicia en t1 y termina en t2,
la potencia media de perdidas será:
1 t2
PAV    VAK  I A  dt
T t1
Si representamos la VAK en función de la IA,
tendremos la siguiente relación:
VAK  V0  I A  R

78/131
V0 y R son valores aproximadamente
constantes para una determinada familia de
tiristores y para una determinada temperatura
de la unión. En éste caso nos encontraremos
dentro de la zona directa de la curva
característica.
característica
Operando con las ecuaciones anteriores:
PAV  V0  I A(AV)  R   I A(RMS) 
2

Esta ecuación se encuentra representada

mediante curvas para distintas formas de
onda (sinusoidal, rectangular,...) y para
distintos ángulos de conducción en la figura
siguiente.

La potencia que se disipa,

disipa depende del
valor medio de la corriente y del valor
eficaz  dependerá del factor de forma:
forma

I A(RMS)
af 
I A(AV)
79/131
Una vez elegido el tiristor y teniendo en
cuenta los parámetros más importantes como
son la potencia total disipada y temperatura, y
calculada también la potencia media que
disipa el elemento en el caso más
desfavorable, procederemos a calcular el
disipador o radiador más apropiado para
poder evacuar el calor generado por el
elemento semiconductor al medio ambiente.
80/131
 Ejemplo 7:

Un SCR (BTY 91) con Rjc = 1.6ºC/W y con

Rcd = 0.2ºC/W, alimenta a una carga
resistiva de 10 a partir de una señal
alterna de 220VRMS. Si la conducción del
SCR es completa ( = 0º). Calcular el
disipador para una temperatura ambiente
de 40ºC utilizando la gráfica representada
en la figura.

81/131
 En primer lugar vamos a calcular el ángulo de
conducción ():
  180º  ángulo de disparo  180º - 0º  180º
El valor medio de la intensidad será:

220  2
I TAV  1  cos   10A
2  R
Si observamos la gráfica, vemos como en la
parte izquierda aparece un cuadro con el que
se relaciona el ángulo de conducción con el
factor de forma.
 = 180º  f = 1.6
Para un valor de ITAV = 10A  f = 1.6 
corta en un valor de 16.7W. Sustituyendo en
las ecuaciones los valores dados para el
tiristor del circuito:
Rjc = 16.7W; Rcd = 0.2W;
Tj  Ta
Rd    R jc  R cd   3.29º C/W
PAV
82/131
 Elegimos un disipador con una resistencia
térmica menor de la calculada:

R d  3.29º C/W
Este cálculo lo podemos hacer gráficamente.
En primer lugar seguiremos los mismos
pasos que anteriormente para calcular la
potencia media; a partir de aquí llevaremos
una horizontal hacia la derecha de la figura
hasta cortar con la vertical que se levanta
desde los 40ºC que en los datos se expresó
como valor de la temperatura ambiente.
Estas dos rectas se cortan en un punto que
se corresponde con una Rca = 3.35ºC/W.
Despejando de la siguiente expresión
podremos calcular el valor de la Rd:
R d  R ca  R cd  3.35  0.2  3.15º C/W  3º C/W

Si trabajamos en régimen transitorio,

transitorio (p.e.
impulsos), es necesario el uso de la
impedancia térmica (Zth) para que el cálculo
del disipador sea correcto. 83/131
9.- Extinción del tiristor. Tipos de con-
mutación.

Entenderemos por extinción,

extinción el proceso
mediante el cual, obligaremos al tiristor que
estaba en conducción a pasar a corte.
corte En el
momento en que un tiristor empieza a
conducir, perdemos completamente el control
sobre el mismo.

El tiristor debe presentar en el tiempo ciertas

condiciones para pasar de nuevo a corte. corte
Este estado implica simultáneamente dos
cosas:
cosas

1.- La corriente que circula por el

dispositivo debe quedar completamente
bloqueada.

2.- La aplicación de una tensión positiva

entre ánodo y cátodo no debe provocar
un disparo indeseado del tiristor.
84/131
Existen diversas formas de conmutar un
tiristor, sin embargo podemos agruparlos en
dos grandes grupos:

9.1.- Conmutación Natural

-a.-) Libre
-b.-) Asistida

9.2.- Conmutación Forzada

-a.-) Por contacto mecánico

-b.-) Por cto resonante
-Serie
-Paralelo

-c.-) Por carga de condensador

-d.-) Por tiristor auxiliar

85/131
9.1.- Conmutación natural.

La conmutación se produce bien de forma

espontánea debido a la propia alimentación
principal o bien provocada automáticamente
por la siguiente fase de la alimentación.

a.-) Conmutación libre

Se produce cuando la intensidad por el

tiristor se anula por si misma,
misma debido al
comportamiento natural de la fuente de
tensión. Para poder comprender mejor este
tipo de conmutación nos basaremos en el cto
de la figura:

86/131
Las formas de onda correspondientes al cto
de la figura anterior son las siguientes

87/131
b.-) Conmutación asistida

Se caracteriza por la aplicación sobre el

tiristor de un voltaje negativo entre el ánodo y
el cátodo. Este voltaje inverso aparece de
una forma natural debido a la secuencia
lógica de funcionamiento de la fuente
primaria, por ejemplo, en el caso del
rectificador trifásico.

9.2.- Conmutación forzada.

Para provocar la conmutación del tiristor,

será necesario anular la corriente anódica
durante un tiempo suficiente para que el
tiristor pueda pasar a corte. Este intervalo de
tiempo tiene una gran importancia, puesto
que si su duración es inferior a un valor
determinado por toff (valor intrínseco al tiristor
utilizado) no tendrá lugar la conmutación del
dispositivo.

88/131
a.-) Conmutación por contacto mecánico

Produce la extinción del semiconductor por

medio de un interruptor en paralelo con los
terminales de ánodo y cátodo del tiristor.

Si en un instante determinado cerramos el

interruptor, el condensador queda conectado
en paralelo con el tiristor provocando dos
procesos diferentes en el circuito:

89/131
1.- La corriente que circula por el tiristor,
será transferida temporalmente al
condensador, con lo que la corriente que
circula por el tiristor quedará reducida a
cero.
2.- La tensión que inicialmente tenía el
condensador constituirá una tensión
inversa para el tiristor que irá
disminuyendo conforme se descarga el
mismo.

90/131
Generalmente, se requiere que la carga y
descarga de C se produzca de forma
cíclica.
cíclica Por tanto, el tiempo de carga y
descarga afectará a la máxima frecuencia
de funcionamiento del cto.
La importancia de este método dependerá en
gran medida del tamaño y del voltaje de C,
así como del turn - off del tiristor. C se
descarga a un ritmo determinado por el valor
de la intensidad de carga, por lo que la carga
deberá ser capaz de mantener inversamente
polarizado el tiristor, hasta transcurrido un
período de tiempo "toff".

Ejemplo 8:

Sea el circuito de la figura. Para un tiempo

de apagado del tiristor de toff = 15µs,
determinar si se podrá producir la
conmutación óptima del mismo para el
valor de capacidad adoptado.
Datos: E = 100V; R0 = 5; C = 5F
91/131
Si despreciamos el valor de la corriente de
ánodo (IA = 0) una vez producido el cierre del
interruptor, podremos dibujar el circuito
anterior de la forma:

92/131
Para este circuito se verifica que:
t
 t

VC  VC  e R 0 C
 E 1  e 0 
R  C
 
 
Si igualamos a cero el valor de la tensión en
el condensador para un tiempo tq, tendremos:
tq
 tq

0  E  e R 0 C  E1  e R 0 C 
 
 
t q  0.693  R 0  C
Sustituyendo los valores del enunciado del
problema en la ecuación anterior, tendremos:

t q  0.693  R 0  C  0.693  5  5 10  17.33s

-6

Como el valor del tiempo tq es mayor que

el valor de toff, el tiristor pasará a corte sin
ninguna dificultad. 93/131
b.-) Conmutación por cto resonante

94/131
Partimos de la premisa de que ambos
tiristores se encuentran en corte. corte Si se
dispara T1, se producirá la descarga de C a
través de C – T1 – L. Cuando la corriente se
anule, C quedará cargado en sentido
contrario al inicial. La extinción de la corriente
circulante provocará el paso a corte de T1. La
energía almacenada en C ha sido transferida
temporalmente a la bobina, para luego ser
devuelta de nuevo al condensador. Esta
nueva carga en C se puede mantener ya que
no existe ninguna otra vía de descarga (T1 se
encuentra bloqueado).
Si a continuación T2 se dispara, se repétirá
de forma similar lo expuesto con anterioridad.
Para que el cto entre en resonancia, se debe
verificar:

 1 
 Lw  0
 wC 
95/131
Por lo que la frecuencia de resonancia será:

1
f 
2 LC
Para hallar los valores de intensidad
circulante por el tiristor, así como la tensión
en extremos de C, se deberá recurrir a la
siguiente ecuación diferencial donde se han
despreciado la resistencia interna del cto, así
como las caídas de tensión adicionales
producidas en los tiristores. También se ha
supuesto que inicialmente no circula ninguna
intensidad por la bobina.

di 1
L   idt  v C (t  0)  0
dt C
Si vC(t = 0) = +VC, entonces:

C
i(t)   VC senwt
L 96/131
 v C (t)   VC coswt
VC representa la carga inicial de C. T1 se
puede constituir como el tiristor principal,
mientras que T2 puede ser el auxiliar, cuyo
principal objetivo será el de apoyar la
conmutación del tiristor principal. De esta
forma, permitirá que C se cargue de nuevo a
su tensión inicial, estando de nuevo en
condiciones de provocar la conmutación de
T1 en el siguiente ciclo.

En los ctos de conmutación forzada hay

que considerar que los condensadores
que participan en la conmutación deben
ser cargados antes de que se recurra a
ellos para provocar el paso a corte del
tiristor. Una carga insuficiente resultará en
el fracaso del apagado del tiristor.

97/131
 Ejemplo 9:

En el circuito de la figura anterior, T1 entra

en conducción en t = 0. Determinar:

a) TON del tiristor T1.

b) Tensión existente en C para t = TON.
c) Corriente de pico del cto.
d) Tensión en extremos de C si se supone
que en el tiristor se produce una caida de
tensión en conducción de 0.8V.
e) Obtener con PsPice las formas de onda
de la intensidad circulante por el circuito,
así como la tensión en C y en L.

Datos: L = 100H. C = 10F. vC (0) = 100V.

IL (0) = 0A.

Solución: TON = 0.1ms; vC = -100V; IMÁX =

31.62A; vC = -98.4V

98/131
b.1.-) Conmutación por circuito resonante
serie

La característica fundamental es la de
permitir que tanto la tensión como la
intensidad que circula por estos dispositivos
adopte una evolución oscilante a lo largo
del tiempo, es decir, la corriente que circula
cuando el tiristor se dispara excita al cto LC.
Transcurrido el primer semiciclo, la corriente
se invierte descebando de esta forma al
tiristor.

99/131
El modo de operación del cto anterior es el
siguiente: Cuando el tiristor entre en
conducción, la ecuación que define el
comportamiento del cto será:
di 1
E  R 0i  L   idt  VC (t  0)
dt C
Derivando con respecto al tiempo y
resolviendo:

ie  t
 A1cosw r t  A 2senw r t 
donde:
R0 1
 wr  w  2 2
w
2L LC
Para el cálculo de A1 y A2 consideraremos
que para t = 0; i = 0. Sustituyendo en la
ecuación de la intensidad resulta que A1 = 0.
Por tanto, esta ecuación queda reducida a la
siguiente expresión:
 t
i  A 2e senw r t
100/131
Como ya se ha dicho, la intensidad verifica
una evolución senoidal,
senoidal de tal forma que a
su paso por cero se producirá la
conmutación del tiristor. Teniendo en cuenta
ésto último se puede calcular el tiempo de
conducción del tiristor, TON.
  TON 
0  A 2e senw r TON  TON 
wr
El tiempo de conducción es un parámetro
fijo definido por los diferentes elementos
que configuran el cto. Por tanto, para
controlar la tensión de salida será
necesario que el convertidor opere a
frecuencia variable.

Análisis Matemático:

Suponemos que para t = 0:

v C (t  0)  VC i1 (t  0)  0
101/131
Las ecuaciones que definen al cto,
suponiendo que la carga es resistiva pura,
quedan de la siguiente manera:
E 
t E  E E VC  
i1  
 e  cosw 0 t     senw 0 t 
R0 
 R0  w 0R 0 w 0L w 0L  

di1 t   
v0  E  L  E  e   E  VC  cosw 0 t   E  VC  senw 0 t 
dt  w0 

Siendo:

2
1 1  1 
 w0   
2RC LC  2RC 

Una vez que el tiristor pasa al estado de

bloqueo no será posible volver a
dispararlo. Este hecho se debe a que una
vez que el tiristor pasa a corte, el
condensador no encuentra ningún camino
de descarga. 102/131
Vamos a realizar la simulación del cto de la
figura para así poder observar lo
anteriormente comentado.

Formas de onda obtenidas:

103/131
Para poder subsanar los problemas
planteados anteriormente, haremos unas
pequeñas modificaciones en el cto. Estas
modificaciones se pueden apreciar en la
figura:

Cuando el tiristor pase a corte el

condensador continúa descargandose a
través de la carga. Cuando la tensión en el
condensador sea menor que la tensión de la
fuente, aparece sobre el tiristor una tensión
directa, momento en el cual se encuentra en
condiciones de volver a ser disparado.
104/131
El tiempo de conducción del tiristor viene
determinado en exclusiva por la duración
de un semiperiodo del cto oscilante, no
pudiendo ser variado, puesto que éste
viene fijado por los parámetros
intrínsecos del cto.

105/131
b.2.-) Conmutación por cto resonante
paralelo
Este proceso minimiza las pronunciadas
variaciones de intensidad observadas para
el cto de conmutación resonante serie.

En el análisis nos basaremos en las formas

de onda de la figura siguiente, además de
tener presente las siguientes considera-
ciones:
- C se encuentra cargado inicialmente a
una tensión igual a la de la batería E.

- La intensidad que circula inicialmente

por el tiristor es nula. 106/131
107/131
Aplicamos un impulso, provocando que el
tiristor entre en conducción. La intensidad de
carga presenta un valor de E/Ro. C
(inicialmente cargado con un valor de tensión
E) empieza a descargarse a través del cto LC
y de T. Entre to y t1, la intensidad de C se
sumará a la de la carga que será la
intensidad que circula por el tiristor. A partir
de t1, el valor de la intensidad de descarga de
C se hace positiva: la intensidad por el tiristor
será la diferencia entre la intensidad de C y la
intensidad por la carga.
En el instante en que la intensidad de C se
iguala a la de la carga (t = t2), se produce el
corte. C se encontrará cargado con una
tensión inferior a -E.

108/131
Al estar ahora la carga conectada al cto LC,
la intensidad en la misma empezará a decaer
exponencialmente hasta anularse por
completo. En este momento, C empezará a
cargarse de nuevo hasta el valor de tensión
de la batería, quedando el cto en condiciones
de comenzar un nuevo ciclo.

Este cto presenta el mismo inconveniente

que el de conmutación resonante serie, es
decir, el tiempo de conducción TON sigue
siendo fijo y depende de manera exclusiva
de los parámetros del cto. De nuevo, la
única forma de controlar la tensión de
salida es variando el instante de disparo.
Otro inconveniente que podemos atribuir
al cto será la considerable intensidad que
circula por el tiristor. Este valor es
superior al valor de intensidad que circula
a través de la carga.

109/131
Es importante para el perfecto funciona-
miento del cto que las cargas y descargas
de C se lleven a efecto sin
complicaciones.
Cuando el tiristor pase a corte, C deberá
cargarse a la tensión de la bateria antes de
que se produzca el siguiente disparo. Para
conseguir ésto, hay que tener en cuenta que
una vez que se provoca la conmutación del
tiristor, la intensidad circulante por E, C, R0,
y L puede ser a) subamortiguada, b) con
amortiguamiento crítico, c)
sobreamortiguada.
sobreamortiguada A nosotros nos interesa
que ésta decaiga con la máxima celeridad
posible, por lo que elegiremos el tercer caso.
El condensador se cargará, en un tiempo
mínimo, a una tensión E.

Para que el cto sea sobreamortiguado

deberá verificarse:
L
R 0  2
C 110/131
Las formas de onda vistas con anterioridad
se referían al caso particular en el que el cto
era criticamente amortiguado,
amortiguado o lo que es
lo mismo:
L
R0  2
C
Si R0 aumenta de forma apreciada, entonces
la carga del condensador C será
considerablemente lenta, lo cual afectará al
intervalo T-TON mínimo del convertidor, y en
definitiva a la frecuencia máxima de
operación del mismo. Por otro lado si R0
disminuye en demasía se puede dar el caso
de que la intensidad en la carga sea, durante
todo el tiempo de conducción, superior a la
intensidad oscilante proveniente de la
descarga de C, evitándose por tanto que ésta
pueda igualar a la intensidad de carga y que
la conmutación del tiristor se lleve a cabo.

En el funcionamiento del cto cabe destacar

dos estados claramente diferenciados. 111/131
a) T1 en conducción

En t = t0 el tiristor pasa a conducir, con lo que,

aparte de la malla de carga, se tiene otra
malla conformada por C-L-T. La ecuación que
define a la misma, despre-ciando la caída de
tensión en el tiristor es la siguiente:

d i2C 1
2
 0
dt LC
La solución de la ecuación anterior es:

E C
iC   senwt   E senwt
L L
C
donde

1
w
LC
112/131
Para que se produzca la conmutación:

E C
i T  i1  0  I 0  i C   E senwt
R L
La solución de esta expresión tiene como
resultado TON = t2
 L
 
TON  LC    arcsen C 
 R0 
 
 
En la forma de onda de la intensidad por el
tiristor se puede apreciar:

a) I0 = intensidad media por la carga.

b) El intervalo t0-t1 constituye un semiciclo
resonante.
c) A partir de t1, la intensidad en C se
opone a la de la carga.
d) en t = t2 la intensidad por el tiristor se
113/131
anula pasando éste a corte.
b) T1 bloqueado

La malla a considerar ahora está configurada

por E, C, L y R0 la cual tiene como ecuación:
2
d R 0 di 0 i 0
i0
 2
 0
dt L dt LC
La solución de la ecuación anterior,
considerando el cto sobreamortiguado es:

R t  t R 02 1 R 02 1 
i0  e
 0
L  Ae 
4L2 LC
 Be
t 
4L2 LC 
 
 

Si esta exponencial decrece rapidamente,

R0/2L >> 1/(LC)1/2, C se cargará, en un corto
intervalo de tiempo, a la tensión nominal de la
fuente, con lo que estará en condiciones de
comenzar un nuevo ciclo.

114/131
 Ejercicio Propuesto 2:

Realizar la simulación del cto de la figura

y obtener las formas de onda corres-
pondientes a la tensión en extremos del
tiristor y del condensador, así como las
intensidades por el tiristor, por la carga y
por el condensador.

115/131
c.-) Conmutación por carga de conden-
sador
La extinción del tiristor se consigue con el
circuito de la figura:
figura

En el cto anterior podemos distinguir 2 partes:

cto de potencia constituido por la fuente E,
el tiristor T1 y la carga RO (resistiva pura); y el
cto auxiliar de bloqueo formado por R, C y
un tiristor auxiliar T2.
El cto puede se comparado con un biestable
asimétrico de potencia,
potencia en el que los
tiristores conducen de forma alternada. 116/131
La ventaja de este cto: TON no está sujeto a
los parámetros intrínsecos del sistema;
solo dependerá del instante en el que se
produzca el disparo del segundo tiristor.
Inconveniente: La presencia de R, en la
que se provoca una disipación de
potencia y por tanto pérdidas.

A) T1 en conducción y T2 al corte (0 < t <

TON)
Suponemos que para t = 0 no conduce
ninguno de los tiristores, en este momento se
dispara el tiristor T1 estableciéndose en la
malla principal formada por la fuente E, el
tiristor T1 y la resistencia RO , una corriente de
valor:
E
Io 
RL

C se cargará a través de R hasta un valor de

tensión (E) dado por la fuente de la entrada.
117/131
Para que el cto funcione correctamente, C
debe alcanzar el 100% del valor de carga:
R  C  TON
El cto equivalente será:

La intensidad por R verificará:

t
2E 
iR  e RC
0  t  TON
R
La tensión en C se puede expresar como:
 
t

v C  E  Ri R  E1  2e 
RC

  118/131
119/131
B) T1 en corte y T2 en conducción (TON < t <
T)
Un instante posterior a TON, se dispara T2.
Como consecuencia de la carga alcanzada
anteriormente por C, T1 conmuta. En este
momento es la resistencia R la que estará
conectada a la batería, mientras que a través
de Ro se produce la nueva carga de C hasta
un valor de -E.

El cto equivalente para esta etapa de

funcionamiento será:

120/131
Los valores respectivos de la intensidad en la
carga, así como la tensión en el condensador
son los siguientes:
t
2E 
i0  e R 0C

R0

 
t

v C   E1  2e 0 
R C
 
 

Para que durante este intervalo, TON < t < T,

C disponga del tiempo necesario para la
carga hasta vC = -E, se deberá verificar:
CR 0  T - TON

Para conseguir una perfecta conmutación de

T1, el intervalo de tiempo tq debe superar al
tiempo toff , de lo contrario se provocaría un
121/131
autocebado, permaneciendo en conducción.
Vamos a calcular el valor de tq ya que el
conocimiento de este parámetro reviste de
una gran importancia en la elección del tiristor
apropiado.

La tensión ánodo - cátodo de T1 será:

 
t

v T1   v C  E1  2e 0 
R C
 
 

Para t = tq la tensión vT1 = 0. Podemos

calcular tq a partir de la expresión anterior:
t q  R 0 Cln2  0.69R 0 C

Como R0 = E/I0, siendo I0 la corriente media

de carga, tendremos que: E
t q  0.69 C
I0
122/131
Para que tq > toff deberá colocarse un
condensador de conmutación que verifique:
t off I 0 I0
C  1.45t off
0.69E E

En la elección de C deberá tenerse en cuenta

la máxima corriente de carga.

Al cumplirse el periodo del cto de conmu-

tación para t = T, dispararemos de nuevo a
T1, mientras que T2 conmutará debido a la
tensión inversa de C, iniciándose un nuevo
ciclo igual al anteriormente descrito.

Ejercicio Propuesto 3:

Realizar la simulación del cto de conmu-

tación por carga de C mediante PsPice y
comprobar el funcionamiento anterior-
mente comentado. 123/131
Obtener las formas de onda de la inten-
sidad en la puerta de cada uno de los
tiristores, así como la intensidad directa y
la tensión entre A – K. Obtener de igual
modo la tensión en extremos de C, la
intensidad por C, por R0, por R y la
intensidad IE. Determinar el tiempo para el
que la tensión del tiristor es negativa (tq).
Estudiar el comportamiento para distintos
valores de R (1, 5 y 10)

d.-) Conmutación por cto L - C en paralelo

y tiristor auxiliar
En los métodos de conmutación resonan-
te anteriores, tenemos el inconveniente,
de que una vez fijados los valores de los
componen-tes del cto, no podemos
modificar el tiempo de conducción, TON.

Con el cto representado en la figura siguiente

podemos obtener las siguientes mejoras:
124/131
  Tiempo de conducción variable.

 El valor de la carga de C durante el

tiempo de conducción es independiente
de la intensidad en la carga.
 Al no incluir la resistencia auxiliar R, se
eliminan las pérdidas que se producían en
ella.

T2 es disparado en primer lugar para así

asegurar que en el tiempo precedente al
instante de tiempo t = 0, C se cargue hasta
125/131
un valor de tensión +E.
A partir de este instante (t = 0) producimos el
disparo de T1. Al dispararse, circulará por la
carga una corriente de valor IO = E/RO. C se
descarga a través del cto resonante formado
por C, T1, L y D, con una intensidad que
crece sinusoidalmente desde un valor cero
hasta que alcanza un valor de pico (IP) en el
tiempo t1.
C
IP  E 
L

La descarga de C se mantendrá hasta el

momento en que iC haga su primer paso por
cero, (t2), ya que D impedirá la circulación de
corriente negativa. Como la tensión en C
estará retrasada con respecto a la intensidad,
cuando esta se anula, la tensión en el mismo
será negativa, quedando a -E. Al mismo
tiempo, desde su cebado, T1 permite la
aplicación de la tensión de la fuente (E) sobre
la carga, por lo que la corriente que atraviesa
el tiristor en el instante t1 tendrá el valor:
I T1(máx)  I 0  I P
126/131
Un instante despues a t2, la corriente por T1 =
la corriente por la carga, mientras que T2 se
encuentra directamente polarizado esperando
la aplicación de un pulso en la puerta.

Para t3 = TON, disparamos T2 con lo que C

quedará conectado entre los terminales de
ánodo y cátodo de T1. Al estar C cargado
negativamente, la polaridad de la tensión
existente entre estos dos terminales se
invertirá, pasando el tiristor a bloqueo. El
disparo de T2 provoca además que el valor de
la tensión en la carga aumente bruscamente
hasta alcanzar un valor 2E. A partir de este
instante, C se descarga volviendo a cargarse
de nuevo hasta alcanzar el valor de la tensión
de la fuente E, según una cte de tiempo dada
por RO · C, y a través de la red formada por
E, C, T2 y RO. De esta forma C quedará
cargado positivamente y listo para el
siguiente ciclo de conducción y bloqueo.
127/131
Para el instante t4, T2 quedará bloqueado,
puesto que la intensidad a través de él
quedará reducida a un nivel inferior a la de
mantenimiento, anulándose de esta forma la
tensión en la carga.
El tiempo tq debe superar el valor de toff,
para forzar la conmutación. El cálculo de C se
realizará aplicando:
t off  I 0
C
0.69  E

Ejercicio Propuesto 4:
Realizar la simulación del cto de conmu-
tación por cto L – C y tiristor auxiliar y
comprobar el funcionamiento comentado.
Obtener las formas de onda de la
intensidad en la puerta de cada uno de los
tiristores, así como la intensidad directa y
la tensión entre A – K. Obtener la tensión
en extremos de C, la intensidad por C, por
128/131
R0 así como la tensión en la carga.
Las formas de onda correspondientes al
análisis anterior son:

129/131
•AGUILAR PEÑA, DOMENECH MARTÍNEZ, A.;
GARRIDO SÁNCHEZ, J.: “Simulación
Electrónica con PSPICE”. Ed. RA-MA. Madrid,
1995.

•AGUILAR PEÑA, J.D.: “Tiristores:

Fundamentos y Elementos de Disparo”.
Universidad de Jaén. Servicio de Publicaciones
e Intercambio Científico. 1994

•FISHER, M.J.: “ Power Electronics”. Ed. Pws-

Kent Publishing Company. Boston, 1991.

130/131
•HONORAT, R. V.: “Dispositivos Electrónicos de
Potencia: Tiristores, Triacs y GTO”. Ed.
Paraninfo. 1995.

•LANDER, C.: “Power Electronics “.Ed. Mc Graw

– Hill.

•LILEN, HENRY.: “Tiristores y Triacs”. Ed.

Marcombo S.A. 1976.

•MOHAN, N.: “Power Electronics”. Ed. Jhon

Wiley & Sons, INC. 2ª Edición. 1995.

•RAMSHAW, R. S.: “Power Electronics

Semiconductor Switches“. Ed. Champam & Hall.

• RASHID, M. H.: “Power Electronics. Circuits,

Devices and Applications”. Ed. Prentice Hall
International Editions. 1993.

fin
131/131