Funcionamiento de memorias.

Objetivo: Comprobar, comprender y simular el funcionamiento de una memoria volátil y una no

volátil.

Material:

Simulador PROTEUS

Computadora

Material virtual

6116 (memoria SRAM 2Kx8)

27C64 (memoria EPROM 8Kx8) (se eligió esta memoria porque el simulador no tiene memorias
con capacidades más pequeñas para simular)

Paquete de resistencias (respack) (debe estar el model type en “analog” y en value “330” Ohms)

LEDs

Dipswitch (DIPSWC_4 y 8)

Logic state

Desarrollo

1.- Construya mostrado en la figura el circuito mostrado en la figura 1 en el simulador.

2.- Como se aprecia, las memorias tienen conexiones de direcciones (terminales A), datos
(terminales D) y control (lectura y escritura ̅̅̅̅ 𝑊𝐸 ) en paralelo, pero los ̅̅̅̅
𝑂𝐸 y ̅̅̅̅̅ 𝐶𝐸 son
independientes. Para el borrado de la EPROM se usa Vpp, que es un voltaje de 12 volts cd.

3.- Antes de iniciar, todos los controles deben estar en 1 (excepto Vpp, que debe estar en cero)

4.- Ejecute la simulación y seleccione primero la memoria SRAM (ponga ̅̅̅̅

𝐶𝐸 en 0).
̅̅̅̅ en 0), los LEDs deben permanecer
5.- Elija la dirección 00H y a continuación active lectura (𝑂𝐸
apagados, desactive lectura (𝑂𝐸 ̅̅̅̅ en 1).

6.- Elija la dirección 00H en las terminales A.

7.- A continuación elija un dato cualquiera en las terminales D.

8.- Active escritura colocando ̅̅̅̅̅

𝑊𝐸 en 0.

9.- Desactive escritura colocando ̅̅̅̅̅

𝑊𝐸 en 1.

10.- Ponga los interruptores de la entrada de datos en 0.

11.- Active lectura, se debe mostrar el dato almacenado.

12.- Repita los pasos 4 a 11, pero para la memoria EPROM, cuando llegue al paso 8, también active
el interruptor de la terminal Vpp (12Vcd), después vuelva a colocarlo en 0 y continúe.

RP2

20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
0 330

0 U3
LED-BARGRAPH-RED
0

2
3
4
5
6
7
8
9
0

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
DSW2(NO)
0
U1 DSW2
0 10
A0 D0
11 1 ON OFF
9
9 12 2
A1 D1
8 13 3
A2 D2
7 15 4
A3 D3
6 16 5
A4 D4
5 17 6
A5 D5
4 18 7
A6 D6
3 19 8
A7 D7
25
A8
24 DIPSWC_8
1 21
A9
A10
23
1 2
A11
A12
1 20
CE
22
OE
27
DSW1 PGM
DSW1(NO) 1
OFF ON VPP
5 1
2 27C64
3
4
U2
DIPSWC_4 R1 8
A0 D0
9
330 0.00 7 10
A1 D1
Volts 6 11
A2 D2
5 13
A3 D3
4 14
A4 D4
3 15
A5 D5
2 16
A6 D6
1 17
A7 D7
23
A8
22
A9
19
A10
18
1 20
CE
OE
21
WE
6116

Figura 1. Circuito con dos memorias SRAM y EPROM en PROTEUS.

Conteste las siguientes preguntas:

¿Se pueden escribir datos nuevos sobre los ya existentes?

¿Se puede pasar un dato de una memoria a otra?

¿Qué pasa con los datos almacenados en cada memoria si se detiene la ejecución del simulador y
se vuelve a ejecutar?, para contestar esta última, guarde datos, lea los, detenga la simulación,
vuelva a ejecutar la simulación y vuela a leer los datos sin volver a escribir.

¿Por qué no se conectaron en paralelo los ̅̅̅̅

𝑂𝐸 de ambas memorias?

¿Qué pasa si se hace esto último?