08/09/2014

Semiconductores
Tecnología Electrónica Universidad de La Laguna

Enlace metálico

Electrones muy lejos del núcleo

muy poco atraídos por los
protones.

Facilidad de los electrones para

“escapar” e irse a otro átomo.

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Aislante – Conductor

En un metal conductor los electrones de valencia tienen más energía de la que

necesitan para desligarse del átomo, mientras que en los materiales aislantes ocurre lo
contrario.

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Semiconductor

Los electrones tienen una

energía de valencia muy
parecida a la energía de
conducción.

Así que si los electrones pueden

ganar algo de energía que venga
del exterior, pueden sobrepasar
la energía de conducción y
marcharse del átomo.

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Silicio
Si uno de los electrones, por efecto
de la temperatura u otras causas,
abandona su lugar otro de otro lugar
puede saltar al hueco i producir el
movimiento en cadena de
electrones.

Un material semiconductor hecho

sólo de un solo tipo de átomo, se
denomina intrínseco

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Semiconductor extrínseco
Se provoca un exceso de electrones o un exceso de huecos introduciendo nuevos átomos de
otros elementos (dopaje).

Se introducen átomos de Boro ( B ), En ellos introduzco átomos de Fósforo (

Galio ( Ga ) o Indio ( In ). P ), Arsénico ( As ) o Antimonio ( Sb ).

EL DIODO
INTRODUCCION
El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulación de corriente
entre sus terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el
sentido contrario.

Resistencia nula

Resistencia nula

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DIODO DE UNION PN

Actualmente los diodos se fabrican a partir de la unión de dos materiales

semiconductores de características opuestas, es decir, uno de tipo N y otro de tipo
P. A esta estructura se le añaden dos terminales metálicos para la conexión con el
resto del circuito.

Formación de la unión PN

Se trata de un monocristal de silicio puro, dividido en dos zonas con una frontera
nítida, definida por un plano. Una zona se dopa con impurezas de tipo P y la otra
de tipo N.

Zona P > átomos del grupo III ( Boro ).

Zona N > átomos del grupo V ( Fósforo ).

Mecanismo de difusión:
Consiste en llevar partículas de donde hay más a donde hay menos. El
efecto es que los electrones y los huecos cercanos a la unión de las dos
zonas la cruzan y se instalan en la zona contraria, es decir:
• Electrones de la zona N pasan a la zona P.
• Huecos de la zona P pasan a la zona N.

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Este movimiento de portadores de carga tiene un doble efecto: en la región de la

zona P cercana a la unión:

• El electrón que pasa la unión se recombina con un hueco. Aparece una

carga negativa
• Al pasar el hueco de la zona P a la zona N, provoca un defecto de carga
positiva en la zona P, con lo que también aparece una carga negativa.

El mismo razonamiento, aunque con signos opuestos puede realizarse para la

zona N.

Carga positiva en la zona N y negativa en la zona P

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Diodo

Cátodo

Ánodo
Ánodo Cátodo

Aparece un campo eléctrico desde la zona N a la zona P que se opone al

movimiento de portadores según la difusión, y va creciendo conforme pasan más
cargas a la zona opuesta. Al final la fuerza de la difusión y la del campo eléctrico
se equilibran y cesa el trasiego de portadores.Finalmente:
Zona P, semiconductora, con una resistencia RP.
Zona N, semiconductora, con una resistencia RN.
Zona de agotamiento (deplección): No conductora, puesto que no posee
portadores de carga libres. En ella actúa un campo eléctrico, o bien entre los
extremos actúa una barrera de potencial.
Polarización directa:

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Polarización directa (II):

El potencial aumenta por encima del de barrera desaparece la zona de

deplección.
1. Electrones y huecos se dirigen a la unión.
2. En la unión se recombinan.
La tensión aplicada se emplea en:
1. Vencer la barrera de potencial.
2. Mover los portadores de carga.

Polarización inversa

Tensión positiva a la zona N y negativa a la zona P se retiran portadores

mayoritarios próximos a la unión. Aumenta la anchura de la zona de deplección.
Como en ambas zonas existen portadores minoritarios, su movimiento hacia la
unión crea una corriente, aunque muy pequeña.

Si aumenta mucho la tensión inversa, se produce la rotura por avalancha por

ruptura de la zona de deplección. No significa la ruptura del componente.

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Característica tensión-corriente
La figura muestra la característica V-I (tensión-corriente) típica de un diodo real.

• Región de conducción en polarización directa (PD).

• Región de corte en polarización inversa (PI).
• Región de conducción en polarización inversa.
En el caso de los diodos de Silicio, VON está sobre los 0,7 V.

Principales características comerciales

1. Corriente máxima en directa, IFmax o IFM (DC forward current): Es la corriente continua
máxima que puede atravesar el diodo en directa sin que este sufra ningún daño. Tres
límites:
• Corriente máxima continua (IFM).
• Corriente de pico transitoria (Peak forward surge current), en la que se especifica
también el tiempo que dura el pico.
• Corriente de pico repetitivo (Recurrent peak forward current), en la que se
especifica la frecuencia máxima del pico.
2. Tensión de ruptura en polarización inversa (Breakdown Voltage, BV; Peak Inverse
Voltage, PIV): Es la tensión a la que se produce el fenómeno de ruptura por
avalancha.
3. Tensión máxima de trabajo en inversa (Maximun Working Inverse Voltage): Es la
tensión que el fabricante recomienda no sobrepasar para una operación en inversa
segura.
4. Corriente en inversa, IR (Reverse current): Es habitual que se exprese para diferentes
valores de la tensión inversa
5. Caída de tensión en PD, VF (Forward Voltage): A veces no es 0.7 Volts.

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MODELOS DEL DIODO DE UNION PN

Modelos para señales continuas

Válido tanto para señales contínuas como para de muy baja frecuencia.

n, es el factor de idealidad. El valor n se ubica dentro del rango entre 1 y 2.

Depende de las dimensiones del diodo, del material semiconductor, de la magnitud
de la corriente directa y del valor de IS.
• VT, es el potencial térmico del diodo y es función de la constante de Boltzmann
(K), la carga del electrón (q) y la temperatura absoluta del diodo T(K). La siguiente
expresión permite el cálculo de VT:

• R es la resistencia combinada de las zonas P y N, de manera que V-IR es la

tensión que se está aplicando en la unión PN, siendo I la intensidad que circula
por el componente y V la tensión entre terminales externos.
• IS, es la corriente inversa de saturación del diodo. Depende de la
estructura, del material, del dopado y fuertemente de la temperatura.

Modelo ideal del diodo de unión PN

• Factor de idealidad como la unidad, n=1.

• La resistencia interna del diodo es muy pequeña. la

caída de tensión en las zonas P y N es muy pequeña,
frente a la caída de tensión en la unión PN.

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Resolución gráfica de circuitos con diodos

• Punto de operación del diodo

• Recta de carga

ID RTh
A
+
I.P. D.P. ETh + ID VD
–
–
VD
0,7 V B

ETh RTh I D VD

ETh 1
ID VD
RTh RTh

Resolución gráfica de circuitos con diodos

• Intersección: punto de operación del diodo

ID

ETh
RTh
Punto de operación VQ ,IQ
IQ Q

VD
VQ ETh

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Características técnicas

I
Tensão UF
1ºquadrante

F
directa
Corrente IF
directa

Tensão UR UR UF
3ºquadrante

inversa
Corrente IR
inversa
I
R

Leitura das características técnicas

Exemplo:
Díodo rectificador 1N4007

UR = 1000V Tensão inversa máxima que se pode aplicar

ao díodo em polarização inversa.
IF = 1A Corrente directa máxima permanente que
pode circular pelo díodo.
IR = 5 A Corrente inversa que percorre o díodo
quando polarizado inversamente
VF = 1,1V Queda de tensão interna máxima quando o
díodo polarizado directamente conduz uma
corrente directa de 1A.

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Curva característica
IF Pode-se observar na curva
característica do 1º quadrante
(díodo polarizado directamente)
que à medida que se aumenta
a tensão directa (UF) a corrente
Corrente directa (IF) também aumenta.
directa Na curva do 3º quadrante
Tensão de (díodo polarizado
ruptura
inversamente) podemos
observar que para uma dada
UR Corrente de fuga UF faixa da tensão inversa (UR) a
corrente inversa (IR) é
desprezível (corrente de fuga).
A tensão inversa não pode
Corrente de atingir a tensão de ruptura pois
avalanche isso acarreta que o díodo passe
a conduzir em sentido contrário
IR (rompeu a junção PN).

Recta de carga
Consideremos o circuito:

VF IF
+ _

+ + -VCC + VF + RC.IF = 0
VCC RC
_ VF + RC.IF = VCC
_

Encontramos uma equação que relaciona VF e IF:

VCC = VF + RC.IF
Esta equação permite determinar os dois pontos da recta de
carga, que sobreposta à curva característica do díodo,
determinará o ponto de funcionamento (Q) do díodo.

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Recta de carga
Este é um método gráfico que permite que encontremos o ponto de
funcionamento do díodo. É de notar que a recta de carga depende do
circuito (VCC e RC) em que o díodo está inserido, enquanto que a
curva característica é fornecida pelo fabricante.

IF
VCC = VF + RC.IF

Corrente de
saturação Tensão de corte
Ponto de IF=0 VCC=VF
IFQ funcionamento (Q)
Corrente de saturação
Recta de carga VF=0 IF=VCC / RC

VFQ
Tensão VF
de corte

Exemplo da determinação do ponto de

funcionamento (Q) de um díodo
IF
VCC = VF + RC.IF

+
VCC=3V RC=750 Tensão de corte
_ IF=0 VCC=VF VF=3 V
Corrente de saturação
VF=0 IF=VCC / RC IF=3 / 750
mA
IF= 4 mA

5 Para as condições do circuito

4
(VCC=3Volt e RC=750 ) e a curva
3 Q característica representada, a
2,5
2 corrente directa no díodo será de
1
IFQ≈2,5mA e a tensão directa será de
VFQ=1,1V.
1 2 3
1,1

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