En la fabricación de dispositivos microelectrónicos en estado sólido, las películas finas semiconductoras se

pueden producir por impregnación de una oblea de silicio ya sea con fósforo o boro. Este proceso se llama
dopaje. El dopaje de los átomos de fósforo en los cristales de silicio produce un semiconductor tipo n,
mientras que el dopaje de los átomos de boro en los cristales de silicio produce un semiconductor tipo p. La
formación de la película fina semiconductora es controlada por la difusión molecular de los átomos dopantes a
través de la matriz cristalina del silicio.

Los métodos para depositar los átomos de fósforo en la superficie de la oblea de silicio incluyen la deposición
química de vapores y la implantación de iones. En un proceso típico, se vaporiza el oxicloruro fosfórico,
POCl3, que tiene un punto de ebullición normal de 105.3 °C. Los vapores de POCl3 se alimentan en el reactor
de deposición química de vapores (CVD) a una temperatura elevada y presión reducida (0.1 atm), donde el
POCl3 se descompone en la superficie de silicio de acuerdo con la reacción

Si(s) + 2POCl3(g) → SiO2(s) + 3Cl2 + 2P(s)

Un recubrimiento de SiO2 rico en fósforo molecular (P) se forma sobre la superficie del silicio cristalino. El
fósforo molecular se difunde a través del silicio cristalino para formar la película delgada de Si-P. De esta
manera, el recubrimiento de SiO2 es la fuente de fósforo para la transferencia de masa, y la oblea de silicio es
el receptor para el fósforo transferido.

Como se puede observar en la figura, el proceso para producir las películas delgadas de Si-P puede ser muy
complejo, con muchas especies que se difunden y reaccionan simultáneamente. Considere un caso
simplificado en donde la concentración de P atómico es constante en la interfase. Debido a que el coeficiente
de difusión de los átomos de P en el silicio cristalino es muy bajo, y solamente se desea una película muy
delgada de Si-P, los átomos de fósforo no penetran muy adentro en el silicio. Por lo tanto, los átomos de
fósforo no pueden "ver" a través de todo el espesor de la oblea, y el Si sólido sirve como un sumidero semi-
infinito para el proceso de difusión. Es deseable predecir las propiedades de la película delgada de Si-P como
una función de las condiciones del dopado. El perfil de concentración de los átomos de fósforo dopados es
particularmente importante para controlar la conductividad eléctrica de la película delgada semiconductora.

Considere el dopado de los cristales de silicio con fósforo a 1100 °C, una temperatura lo suficientemente alta
para promover la difusión del fósforo. La concentración del fosforo en la superficie del silicio (CAs) es
2.5x10^20 átomos-P/cm3Si-sólido, el cual está relativamente diluido ya que el silicio sólido puro tiene 5x10^22
átomos- Si/cm3Si-sólido. Además, el recubrimiento rico en fósforo se considera como una fuente infinita
relativa a la cantidad de átomos de P transferidos, de tal manera que CAs es constante. a) Predecir el espesor
de la película de Si-P y b) el perfil de concentración de los átomos de P después de 1h, si la concentración
objetivo es 1% del valor de la superficie (2.5x1018 átomos-P/cm3Si-sólido).

RESPUESTA: a) z = 1.76 µm
Balance de masa:

∂
J Az WL|z −J Az WL|z + Δ z= ( C WLδ )
∂t A

Dividiendo entre el volumen y tomando el límite

J Az|z− J Az|z+ Δ z ∂ C A
lim =
Δz→0 Δz ∂t

−∂ J Az ∂ C A
=
∂z ∂t

Con la ley de Fick

∂ 2 C A ∂C A
D AB − =0
∂ z2 ∂t

Usando las siguientes condiciones de iniciales y de frontera:

C A ( 0 ,t )=C A 0 C A ( ∞, t )=0 C A ( z , 0 )=0

Adimensionalizando:

CA 2 z2
C= yζ = 2
CA 0 L
Sustituyendo

∂2C ∙ CA 0 ∂ C ∙ C A 0
D AB − =0
∂ ζ 2 ∙ L2 ∂t

Para el tiempo:

∂2C L2 ∂ C
D AB − =0
∂ ζ 2 D AB ∂ t

Adimensionalizando:

t D AB
θ=
L2

Por lo tanto, la ecuación es:

∂2 C ∂C
− =0
∂ζ2 ∂θ
Con el método de combinación de variables se define una constante como
función:

θ
η ( θ , ζ )=
f (ζ )
Con C (θ , ζ )→ C(η)

dC dC dη
=
dζ dη dζ

∂2 C d dC dη dη
= (
∂ ζ 2 dη dη dζ dζ )
∂2 C ∂2 C dη 2
=
∂ ζ 2 ∂ η2 dζ ( )
dη 1 dη −ζ df
Si = y = , entonces:
dζ f dζ f 2 dC

∂2 C 1 2 dC −ζ df
∂ζ2 f ()−
dη f 2 dC
=0 ( )
∂2 C dC −ζ f 2 df
−
∂ ζ 2 dη f 2 dC ( =0 )
Sustituyendo:

η2 1
η= =
ζ2 f 2
Por lo que:

∂2 C dC −f 2 η 2 df
−
∂ ζ 2 dη ζ dC ( =0 )
Sustituyendo ζ =ηf

∂2 C df dC
2
− fη =0
∂ζ dC dη
df 2
Como la función error es sólo para f =2: f =√ θ
dC
Entonces la ecuación queda:

∂2 C dC
2
−2 η =0
∂η dη

Resolviendo:

η
2

C=C 1∫ e−η dη+C2

0

Con C ( 0 )=C 0 ; ∴ C0 =C2

η
2

C=C 1∫ e−η dη+C0

0

Sustituyendo la función error:

π
C=C 1 √ erf ( η ) +C 0
2

Con C ( ∞ ) =0

π 2C
C 1 √ erf ( ∞ )+ C0 =0 ; C1= 0
2 √π
Entonces:

C=C 0−C 0 erf ( η )

Factorizando C0

C=C 0 [ 1−erf ( η ) ]

Sustituyendo las variables de antes:

CA L2
=C 0 erfc( )
CA 0 t ∙ D AB

Para el espesor de la película de Si-P:

z=( 2 ⏀ ) √ D AB=¿