ELECTIVA I

UNIVERSIDAD POLITÉCNICA SALESIANA

INGENIERÍA ELECTRÓNICA

Nombre: Juan Fernando Cahueñas Maliza

Semestre: 8vo G2 Fecha: 17 de Julio de 2017
Tema: Modelos Matemáticos de HPA

M1: Saleh

El modelo de Saleh es un método sencillo basado en dos parámetros para caracterizar los efectos AM/AM
y AM/PM, Modelo basado en cuatro parámetros que se integran unas expresiones cerradas que
caracterizan el efecto del amplificador [1].

Las ecuaciones que describen las características del mismo para AM/AM y AM/PM son:

Donde μx es la amplitud de la señal de entrada bandabase, A[μx] es la magnitud de la señal amplificada y

Φ[μx] es la fase de la misma, mientras los αi y βi son las ganancias de pequeña señal. [2]

Las ecuaciones que describen las características para el efecto en fase cuadrada son:

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M2: Modelo Ghorbani

El modelo Ghorbani utiliza ocho parámetros para colocar el modelo para medición de datos, este
modelo es cuasi sin Memoria y tiene funciones de conversión AM/AM y
AM/PM que son descritas por las ecuaciones siguientes:

Dónde:
x1, x2, x3, x4, x5, x6son los parámetros que tiene el modelo, los cuales son calculados de la edición
de datos por medio de la curva apropiad [2].

El modelo de amplificador Ghorbani es similar al modelo Saleh, está confirmado que el modelo
Ghorbani es más apropiado para utilizarse en el modelado de Amplificadores de Potencia de Estado
Sólido (SSPA). Las funciones de conversiones AM/AM y AM/PM del modelo Ghorbani son las
ecuaciones presentadas amteriormente, los parámetros utilizados para transistor es FET de GaAs son los
siguientes:

 Los parámetros AM/AM son: x1=8.108, x2=1.5413, x3=6.5202, x4=-0.0718

 Los parámetros AM/PM son: y1=4.6645, y2=2.0965, y3=10.88, y4=-0.003

M3: Modelo Rapp

El modelo Rapp utiliza tres parámetros y modelos para distorsión en amplitud pero no para distorsión en
fase. La expresión general de conversiones AM/AM es:

Dónde:

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Osat es un parámetro que coloca el nivel saturación de salida.

s es un parámetro que proporciona uniformidad en la transición del estado lineal al estado de saturación,
donde valores más pequeños de s generan transiciones más suaves.

La técnica de este modelo es bastante simple se asume un funcionamiento lineal hasta que se
aproxima el punto de saturación. Cuando el punto de saturación se aproxima, se aplica una constante de
salida saturada.

En la figura siguiente se puede ver la función de transferencia según valores de p.

En esta figura, se ha tomado el valor v=1 y el valor IBO=3dB. Esto es debido a que usando esos valores
junto con p=3, se tendría 1W de potencia a la entrada, habitual en los terminales móviles.

Relación con OBO e IBO

Un parámetro importante que conviene conocer a la hora de trabajar con amplificadores en su región no
lineal, es el punto de operación o back-off. Distinguiremos dos puntos de operación: de entrada (input
back-off, IBO) y de salida (output back-off, OBO). Cada uno de ellos se define como [4].

En la figura siguiente se muestra el Output back-off (OBO) en función de input back-off (IBO) utilizando
Clipping Ideal (IC), Rapp, y Saleh modelos de amplificador de alta potencia.

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También puede ser definido como:

Average TX
OBO=− 10 log 10 ( P
Power

)
Donde P es también punto de saturación PA o 1 dB punto de compresión PA [6].

OBO está relacionado a:

 Cumplimiento de los requisitos de la máscara

 Aumento de la precisión de modulación (reducción EVM)
 Reducción de la interferencia de canal adyacente (ACI)

Referencias Bibliográficas

[1] R. Martínez, M, Calvo. “Diseño de Enlaces Ascendente y Descendente”, Comunicaciones por Satélite. 2008. [En línea].
Disponible en: http://bit.ly/2ueTv3C, [Accedido: 13-julio-2017]
[2] M. Berber, “Análisis De Modelos De Comportamiento con Memoria para Amplificadores de Potencia RF Aplicados en un
Radioenlace Satelital”, Instituto Politécnico Nacional, 2012, [En línea]. Disponible enhttp://bit.ly/2vhMFXY, pp. 27, [Accedido:
13-julio-2017]
[3] M. Berber, “Análisis De Modelos De Comportamiento con Memoria para Amplificadores de Potencia RF Aplicados en un
Radioenlace Satelital”, Instituto Politécnico Nacional, 2012, [En línea]. Disponible enhttp://bit.ly/2vhMFXY, pp. 28, [Accedido:
13-julio-2017]
[4] Parámetro de un Modelo PA, “Efectos no Lineales”, (s.f) pp. 3, [En línea]. Disponible en http://bit.ly/2tNYIyh [Accedido: 13-
julio-2017]
[5] R. Heisey, “Communication and Culture: China and the World Entering the 21st Century”, 1ra. Ed, Rodopi B. V, Estados
Unidos, 1998, pp. 350.
[6] V. Broadcom, “Implementation Modeling”, IEEE 802.11-09/1213r1, 2009