Universidad Nacional Abierta y a Distancia

Vicerrectoría Académica y de Investigación

Guía para el desarrollo del componente práctico
Fase 4 - Desarrollar el componente práctico (Virtual)

1. Descripción general del curso

Escuela o Unidad Escuela de Ciencias Básicas, Tecnología e Ingeniería

Académica
Nivel de formación Profesional
Campo de Formación Formación disciplinar
Nombre del curso Electrónica de potencia
Código del curso 203039
Tipo de curso Metodológico Habilitable Si No x
Número de créditos 3

2. Descripción de la actividad

Laboratorio Laboratorio remoto Simulador X

físico
Tipo de Experiencias
Trabajos de Software
práctica profesionales
campo especializado
dirigidas
Otro Cuál
Número de
Tipo de actividad: Individual x Colaborativa 12
semanas
Intermedia,
Momento de la
Inicial unidad: 1,2 y x Final
evaluación:
3
Peso evaluativo de la actividad: 150 Entorno donde se realiza: Aprendizaje
puntos Practico – Simulación
Fecha de inicio de la actividad: Fecha de cierre de la actividad:
sábado, 15 de febrero de 2020 jueves, 7 de mayo de 2020

Temáticas que aborda componente práctico:

Unidad 1: Semiconductores de potencia.

 Introducción a los sistemas electrónicos de potencia.

  Dispositivos de potencia.

 Circuitos de disparo.

Unidad 2: Circuitos convertidores

 Rectificadores

 Convertidores DC-DC

 Convertidores DC-AC

Unidad 3: Accionamiento de motores

 Accionamiento de motores por DC

 Accionamiento de motores por inducción

 Accionamiento de motores síncronos

Actividades a desarrollar

1. El desarrollo del componente práctico virtual del curso Electrónica de potencia es

obligatorio, para ello el estudiante debe inscribirse a las prácticas a través del
aplicativo de oferta integrada de laboratorios en campus virtual.

2. El intervalo de tiempo para desarrollar la práctica es informado en el momento que

el estudiante se inscribe por el Aplicativo Oferta Integrada de Laboratorios - OIL.

3. Es necesario que el estudiante verifique de forma previa a los encuentros sincrónicos

con el tutor del componente práctico, los circuitos que deben construir en cada
práctica en el simulador, y de ser necesario realizar de forma previa un
reconocimiento de dichos dispositivos.

4. El producto esperado es la asistencia a las asesorías síncronas las cuales serán

registradas por el respectivo tutor del componente práctico, su participación activa
en el desarrollo de dichos encuentros, la entrega de evidencias de avances en dichas
 sesiones, y la entrega de un informe final en formato IEEE que el estudiante debe
enviar a su tutor de prácticas vía correo electrónico institucional.

5. El tutor de prácticas de laboratorio asignado en el centro orientará y evaluará el

desempeño del estudiante. El tutor deberá reportar la calificación final en el aplicativo
de oferta integrada de laboratorios.

6. Se sugiere usar el software Proteus para realizar la simulación de circuitos

electrónico, el cual se puede descargar e instalar la versión de prueba usando el link
que encuentra en el entorno de aprendizaje práctico del curso. Es preciso aclarar,
que se puede emplear cualquier otro simulador.

Práctica No.1 Características del SCR

RV3
2k
R2
37%
100

RV1
2k
R1
48%
100
U1 V2
S8010R 25V

V1
15V

Figura No.1 El SCR

Procedimiento:

1. Realice el montaje del circuito de la figura, anexando los voltímetros y amperímetros

que sean necesarios a fin de monitorear estos parámetros en el análisis del circuito.

2. Ajuste el voltaje en V2 de modo tal que el VAK sea aproximadamente 15 voltios.

3. Con el potenciómetro RV1 de 2K, vaya aumentando lentamente la corriente que
ingresa por el pin de disparo del SCR, justo hasta que el SCR conduzca. Responda a
las siguientes preguntas: ¿Cuánto fue el valor de la corriente de puerta que hizo
conducir al SCR? ¿Qué sucede con el valor del VAK y por qué?, ¿Cuál era el voltaje
VAK y la corriente IAK justo antes del cierre del SCR y justo después del cierre del
SCR?

4. Una vez haya analizado el SCR en estado de conducción, ahora reduzca lentamente
la corriente de disparo, observando en cada momento tanto el voltaje VAK como la
corriente IAK. Explique: ¿por qué no se vuelve a abrir el SCR (es decir pasar a estado
OFF), si la corriente de excitación de la puerta se volvió a reducir? – Ahora realice
una reconfiguración en el circuito de disparo (circuito del lado izquierdo) de forma
tal que el SCR pase a estado OFF, y explique la forma en que se debe proceder.

Práctica No.2: Características del MOSFET

RV1
4k
R2 R4
RV2 46%

10k 75 500
R3 R1
43%

1k 75 RV4
RV3 Q1
V1
52%

V2 IRF740
25V
50%

15V
1k
1k
 Figura No.2 El MOSFET

Procedimiento:

Características de transferencia

1. Realice el montaje del circuito de la figura, anexando los voltímetros y amperímetros

que sean necesarios a fin de monitorear estos parámetros en el análisis del circuito.

2. Ajuste el divisor de voltaje de la fuente V1 de forma tal que VDS1 = 10 V, y teniendo

el potenciómetro RV1 aproximadamente al 50% de su escala.

3. Ajuste el divisor de voltaje de la fuente de V2 de forma que VGS inicie en cero voltios.
Posteriormente, con el ajuste del potenciómetro RV3, vaya observando como
disminuye el valor de VDS y aumenta el valor de IDS en la medida que se va
aumentando el valor de alimentación de la puerta VGS, hasta llegar a 5 voltios.

4. Repita los pasos 2 y 3 anteriores para diferentes valores con

VDS2 = 12V
VDS1 = 15V

Diligencie las siguientes tablas con los datos tomados en su análisis

 VDS inicial = 10 V VDS inicial= 12 V VDS inicial = 15 V
VGS IDS (mA) VDS (V) IDS (mA) VDS (V) IDS (mA) VDS (V)
(V)
0

Seleccione un incremento gradual del voltaje VGS de forma tal que pueda ir observando
los cambios en IDS.

A partir del análisis de la anterior tabla concluya entonces ¿cuál es la mínima tensión
de disparo de puerta? que asegura la correcta conmutación del Mosfet.

Consulte en las hojas de características de los fabricantes, ¿cuál es el valor típico del
voltaje VGS que asegura un correcto funcionamiento del Mosfet sin riesgo de apertura?

Características de drenaje:

5. Ajustar el divisor de voltaje de V1 de forma tal que se tenga un V DS = 10 V. Luego

incrementar el VGS desde cero variando el divisor de voltaje de V2 hasta encontrar el
valor de corte a VTH - threshold voltaje (Voltaje umbral). Registre este valor como
VTH = ________

6. Con voltaje VTH entre puerta y surtidor (VGS1), varíe desde cero el voltaje VDS y en
cada paso registre el valor de la corriente IDS, hasta encontrar que la IDS se mantiene
constante, diligenciando estos valores en la tabla dada.

7. Repetir el paso anterior (6.) en variaciones de (VGS2 = VTH +0.5 V), (VGS3 = VTH +1
V), (VGS4 = VTH +1,5 V)

Diligenciar la siguiente tabla

 VGS1 VGS2 VGS3 VGS4
VDS (V) IDS VDS (V) IDS VDS IDS VDS (V) IDS (mA)
(mA) (mA) (V) (mA)

Pregunta: ¿Por qué los MOSFET no son implementados en aplicaciones de elevadas

potencias?

Práctica No.3: Características V-I del IGBT

RV1
4k
R2 R5
RV2 50%

10k 75 500
R3 R1
50%

1k 75 RV5
RV3 Q1
V3
100%

V2 IRG4BC20F
60V
0%

15V
1k
1k

Figura No.3
Procedimiento:

Características de transferencia

1. Realice el montaje del circuito de la figura.

2. Inicialmente mantenga los divisores de voltaje de V1 y V2 en el cero y los valores de

R1 y R2 a un 50% de su valor resistivo total.

3. Haga ajustes en el circuito de potencia para que inicialmente VCE=10V.

4. Lentamente varié RV3 (aumentando VGE) y anote VCE e IC en cada 0.5V de cambio
tenga en cuenta que el VGE máximo debe ser 10 voltios.

5. El mínimo voltaje de compuerta VGE, el cual es requerido para que el IGBT conduzca
es llamado VTH. Registre este valor VTH=_______

6. Repita los pasos anteriores 2 – 3 - 4 con diferentes valores de VCE y dibuje la gráfica
de VGE vs IC.

7. Responda a la pregunta: a partir de los resultados de los numerales anteriores

explique ¿cómo se debe proceder para activar y desactivar el Mosfet?

Características de Colector

1. Inicialmente ajuste el valor de V2 hasta que el VGE sea 6V o mayor (en cualquier caso
debe ser mayor a VTH), adicionalmente ajuste el circuito para que VCE = 10V.

2. Lentamente varié el divisor de voltaje de V1 y anote los valores de VCE e IC para un

voltaje constante de compuerta (VGE).

3. Repita los pasos anteriores con diferentes valores de VGE y anote los valores de IC vs
VGE. Identifique la relación que existe entre estos parámetros.
Entorno para su desarrollo: Aprendizaje Práctico – simulado
Productos a
El producto esperado es un informe final en formato IEEE que el
entregar por el
estudiante debe entregar a su tutor de prácticas.
estudiante:
Tipo de No se entrega ningún
Individual x Colaborativo
producto: producto
Individual:
Documento escrito: informe de construcción individual que incluya:

Nombre e identificación del estudiante

Introducción
Contenido: desarrollo de cada actividad paso a paso, dibujo de los circuitos
implementados y respuestas a las preguntas.
Conclusiones
Referencias
Formato: PDF

Para conocer la forma como se referencian los documentos consulte

el siguiente documento: Centro de Escritura Javeriano ( ) Normas
Uso de APA. Sexta edición. Recuperado de
referencias http://centrodeescritura.javerianacali.edu.co/index.php?option=co
m_content&view=article&id=138:normas-
apa&catid=45:referencias-bibliograficas&Itemid=
En el acuerdo 029 del 13 de diciembre de 2013, artículo 99, se
considera como faltas que atentan contra el orden académico, entre
otras, las siguientes: literal e) “El plagiar, es decir, presentar como
de su propia autoría la totalidad o parte de una obra, trabajo,
documento o invención realizado por otra persona. Implica también
el uso de citas o referencias faltas, o proponer citad donde no haya
coincidencia entre ella y la referencia” y literal f) “El reproducir, o
Políticas de copiar con fines de lucro, materiales educativos o resultados de
plagio productos de investigación, que cuentan con derechos intelectuales
reservados para la Universidad.

Las sanciones académicas a las que se enfrentará el estudiante son

las siguientes:

a) En los casos de fraude académico demostrado en el trabajo

académico o evaluación respectiva, la calificación que se impondrá
 será de cero punto cero (0.0) sin perjuicio de la sanción
disciplinaria correspondiente.
b) En los casos relacionados con plagio demostrado en el trabajo
académico cualquiera sea su naturaleza, la calificación que se
impondrá será de cero punto cero (0.0), sin perjuicio de la sanción
disciplinaria correspondiente.

3. Formato de Rúbrica de evaluación

Fase 4 - Desarrollar el componente práctico

Tipo de Actividad Actividad
x
actividad: individual colaborativa
Momento de la Intermedia,
Inicial x Final
evaluación unidad 1 2 y 3
Aspectos Niveles de desempeño de la actividad individual
Puntaje
evaluados Valoración alta Valoración media Valoración baja
El estudiante El estudiante
Asistencia y
asiste a las asistió a las El estudiante no
desempeño
asesoría síncronas asesorías síncronas asistió y no
individual
y desarrolla de pero no participó participo en las
del
manera correcta los activamente en el prácticas de 80
estudiante
experimentos desarrollo de los laboratorio.
en las
planteados experimentos.
asesorías
(Hasta 80 (Hasta 40 (Hasta 0
síncronas
puntos) puntos) puntos)
El estudiante El estudiante El estudiante no
presenta el informe presenta el informe presenta informe
de laboratorio, con de laboratorio, pero final de las
Informe de todos los no incluye todos los prácticas de
experimentos experimentos laboratorio a su 50
la práctica.
solicitados solicitados tutor de centro.

(Hasta 50 (Hasta 25 (Hasta 0

puntos) puntos) puntos)
Aunque el
Estructura El documento documento El estudiante no
del informe presenta excelente presenta una tuvo en cuenta las 20
y estructura estructura base la normas básicas
referencias
misma carece de
 algunos elementos para la realización
del cuerpo. de informes

(Hasta 20 (Hasta 10 (Hasta 0

puntos) puntos) puntos)
Calificación final 150